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文檔簡介
《模擬電子線路》
第3章1947年12月23號,貝爾實驗室的WilliamB.Shockley、JohnBardeen、
WalterH.Brattain制造出了世界上第一只半導(dǎo)體放大器件,他們將這種器件命名為“晶體管”
第3章
半導(dǎo)體三極管及其基本放大電路
§3.0引言
20世紀40年代,由Bardeen,Brattain和Schockley在貝爾實驗室開發(fā)的硅晶體管,在20世紀50年代和60年代掀起了第一次電子革命.這項成果導(dǎo)致了1958年集成電路的開發(fā)及在電子電路中應(yīng)用廣泛的晶體管運算放大器的產(chǎn)生.
本章介紹的三極管屬于雙極型器件,是兩類晶體管中的第一種類型.下面將詳細討論其物理結(jié)構(gòu)、工作原理及其在放大電路中的應(yīng)用.§3.1雙極型晶體管
(BipolarJunctionTransistor)一、結(jié)構(gòu)、分類、符號PNPebc發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)(發(fā)射結(jié))JeJc
(集電結(jié))
bec圖
3.1becJc
(集電結(jié))
NPNebc(發(fā)射結(jié))Je發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)§3.1雙極型晶體管
(BipolarJunctionTransistor)圖
3.1常用集成電路中NPN型三極管的結(jié)構(gòu)剖面圖§3.1BJT圖
3.2幾種BJT的外形結(jié)構(gòu)特點:1、基區(qū)很薄(10-6m),且輕摻雜(1015cm-3);2、發(fā)射區(qū)重摻雜(1019cm-3);3、集電區(qū)面積大,且摻雜較輕(1017cm-3).
BJT的結(jié)構(gòu)特點是決定其能進行信號放大的內(nèi)部物質(zhì)基礎(chǔ).§3.1BJT二、BJT的電流分配與電流放大作用
1、BJT內(nèi)部載流子的傳輸過程─見圖3.3所示.BJT放大所必須具備的外部條件是:Je正偏,Jc反偏.①發(fā)射區(qū)發(fā)射電子,形成射極電流IE;②電子在基區(qū)復(fù)合,形成基極電流IB;③集電區(qū)收集電子,形成集電極電流IC.IE=IC+IB≈(1+β)IB(3—1)IC=βIB+ICEO≈βIB(3—2)IC=αIE+ICBO≈αIE(3—3)§3.1BJTIB=IEp+(IEn-ICn1)-ICBOIC=ICn1+ICn2+ICp=ICn1+ICBOICBO+VBB-RBRC+VCC
-NPNECBJeIEnIcn1Icn2IcpICBOJcIEpIBIEIC圖
3.3IE=IC+IB
IE=IEp+IEnIC
=αIEn+ICBO≈αIE
+ICBO
IC=ICn1+ICBOICn1ICα
=
≈
(3—4)IEnIEIC=α(IB+IC)+ICBOα1IC=IB+ICBO1-α
1-α
§3.1BJTα1IC=IB+ICBO1-α
1-α
αβ
=
(3—5)
1-α
1ICEO=ICBO
1-α=(1+β)ICBO(3—6)IC=βIB+ICEO≈βIBIE=IC+IB≈(1+β)IB2.α、β、ICBO、ICEO的物理含義共基極直流電流放大倍數(shù).α<
1,α→1.ICn1ICα
=
≈
IEnIE§3.1BJTαβ
=
1-αICn1α
=
IEnIB=IEp+(IEn-ICn1)-ICBO=IE-ICn1-ICBOIC-ICBOICβ
=
≈IB+ICBOIBβ共射極直流電流放大倍數(shù).β>
1.
αβ
=
1-αβα=
(3—8)
1+β圖
3.4ICBO受溫度影響較大ceb+
VCC-ICBO(3—7)§3.1BJT+VBE
-+
VCB-+
VCC-ICEO圖
3.5ICEO=ICBO+βICBO=(1
+β)ICBO3.電流分配關(guān)系IE=IEBS(e
-1)≈IEBS
e(3—9)
VBEVTVBEVTIC≈βIB三、BJT的特性曲線IC≈αIE≈
ISeVBEVT§3.1BJT1、輸入特性─共射接法iB=f(vBE
)vCE=CE+vCE
-iC+vBE
-iBBC(a)vCE≥1V(b)vCE=0VvBE/
V0iB/μA圖
3.62、輸出特性─共射接法iC=f(vCE
)iB=C圖
3.7OiB1iB2iB3iB4vCEVAiCA圖
3.8VCEIC≈ISe1-
(3—10)
VAVBEVT20μA60μAiB=100μA80μA40μA放大區(qū)iC/
mA0vCE/
V飽和區(qū)ICEOV(BR)CEO截止區(qū)擊穿區(qū)054321EBCWBNPN基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)§3.1BJT(1)放大區(qū)
Je正偏,Jc反偏.IC=βIB+ICEO≈βIBVCEIC(b)IC(a)βIC↑IC↓β↓圖
3.9§3.1BJT(2)截止區(qū)
Je、Jc均反偏.工程上規(guī)定IB=0(IC=ICEO≈0)以下的區(qū)域稱為截止區(qū);嚴格說來,截止區(qū)應(yīng)是IE=0以下的區(qū)域.(IC=ICBO,IB=-ICBO)(3)飽和區(qū)
Je、Jc均正偏.
VBE(sat)≈0.7V;VCE(sat)≈0.3V(4)擊穿區(qū)
VCE↑→VCB↑→Jc─雪崩擊穿
V(BR)CEO
IB↑→V(BR)↓
IC≠βIBIC<βIB判斷三極管的工作狀態(tài)
測量得到三極管三個電極對地電位如圖所示,試判斷三極管的工作狀態(tài)。
放大截止飽和§3.1BJT四、BJT的主要參數(shù)
1、表征放大能力的參數(shù)ICβ=
IB共射極直流電流放大系數(shù)(hFE).
△iCβ=(3—11)
△iB共射極交流電流放大系數(shù)(hfe).在小信號條件下,β≈β.
ICα
=
IE共基極直流電流放大系數(shù).§3.1BJT共基極交流電流放大系數(shù).
△iCα=(3—12)
△iEαβ
=
1-αβα=
(3—14)
1+βαβ
=
(3—13)
1-αβα=
1+β2、表征穩(wěn)定性的參數(shù)─極間反向電流(越小越好)ICBO:集電極─基極反向飽和電流.ICEO:集電極─發(fā)射極反向穿透電流。3、表征安全工作區(qū)域的參數(shù)§3.1BJT(1)集電極最大允許電流ICM(β)(2)集電極最大允許耗散功率PCM
PCM=ICVCB≈ICVCE(3)反向擊穿電壓
V(BR)EBO:集電極開路時,發(fā)射極─基極間的反向擊穿電壓.V(BR)CBO:發(fā)射極開路時,集電極─基極間的反向擊穿電壓.V(BR)CEO:基極開路時,集電極─發(fā)射極間的反向擊穿電壓.V(BR)CBO
>V(BR)CEO>V(BR)EBOV(BR)CEOPCMVCE/
V安全工作區(qū)圖
3.10OIC/
mAICM§3.1BJTV(BR)CER表示BE間接有電阻,V(BR)CES表示BE間短路V(BR)CBO≈V(BR)CES>V(BR)CER>V(BR)CEO>V(BR)EBO§3.1BJT4、溫度特性
△VBE/△T=-(2~2.5)mV/oC;△β/(β△T)=(0.5~1)%/oC;ICBO(T2)=ICBO(T1)×2T2-T1
105、結(jié)電容
發(fā)射結(jié)電容Cb′e,集電結(jié)電容Cb′c.五、BJT的電路模型
1、直流等效電路模型(放大區(qū))§3.1BJT(a)b+
VCC-+VBB
-eIERcICRBIBcIB+
VCC-+VBB
-c(b)RCICRBbeβIB+VBE
-圖
3.12VBB-VBEIB=
RBIC=βIBVCE=VCC-ICRC2、交流小信號等效電路模型(放大區(qū))§3.1BJT名稱總電壓或總電流直流量交流量
基本關(guān)系式瞬時值有效值基極電流iBIBQibIbiB=IBQ+ib集電極電流iCICQicIciC=ICQ+ic基─射電壓vBEVBEQvbeVbevBE=VBEQ+vbe集─射電壓vCEVCEQvceVcevCE=VCEQ+vce表3-1bce?mV甚至μV§3.1BJT+vCE-iC+vBE-iBbce(a)+hrevce
-h(huán)ie1/hoehfeib+vce-ic+vbe-ibbce(b)rbeβib+vce-ic+vbe-ibbce(c)圖
3.13iB=IBQ+
ibvBE=VBEQ+
vbeiC=ICQ+
icvCE=VCEQ+
vcevBE=f1(iB,
vCE)iC=f2(iB,
vCE)vBEvBEvBE=f1(iB,vCE)=f1(IBQ,VCEQ)+ib+vce
iBQvCEQVBEQvbe§3.1BJT
iC=f2(iB,vCE)=f2(IBQ,VCEQ)+ICQic(3—15)(3—16)vBEvBEvbe=
ib+vce=hieib+hrevce≈hieib
iBQvCEQiCiCic=
ib+vce=hfeib+hoevce≈hfeib
iBQvCEQvbeichiehrehfehoeibvce=hie(Ω)
hre
hfehoe(S)
(3—17)hehiehrehfehoe=rbeμTβ
1/rce==103
Ω
10-3
~10-4
102
10-5
S輸出端交流短路時的輸入電阻rbe
;輸出端交流短路時的正向電流傳輸比或電流放大系數(shù)β
;輸入端交流開路時的反向電壓傳輸比μT
;輸入端交流開路時的輸出電導(dǎo)1/rce
?!?.1BJTH參數(shù)都是小信號參數(shù),即微變參數(shù)或交流參數(shù)。H參數(shù)與工作點有關(guān),在放大區(qū)基本不變。H參數(shù)都是微變參數(shù),所以只適合對交流信號的分析。
受控電流源hfeib,反映了BJT的基極電流對集電極電流的控制作用。電流源的流向由ib的流向決定。
hrevce是一個受控電壓源。反映了BJT輸出回路電壓對輸入回路的影響?!?.1BJThre和hoe都很小,常忽略它們的影響。
BJT在共射連接時,其H參數(shù)的數(shù)量級一般為§3.1BJTbierb′e′b′rbb′ee′re′ib
VT(mV)
rbe=rbb′+(1+β)
(3—18)
IEQ(mA)
rbe=
Vbe·Ib·re′≈
0
Vbe·Ibrbb′+Ierb′e′·≈
·圖
3.141iEIEBS
e
IEQ
=≈IEBSe==rb′e′
vBEQvBEVTVTvBEVTvBE=VBEQVBEQVT§3.1BJT六、BJT的基本應(yīng)用
1、電流源OiI0v(b)OiviBQvCE(sat)(d)i=I0+v-(a)RC+VCC
-+v=vCE
-iCiB(c)圖
3.152、開關(guān)圖3.16所示為BJT反相器電路,BJT在截止區(qū)和飽和區(qū)之§3.1BJT間切換.負載可以是電動機,發(fā)光二極管或其他電子設(shè)備.+vBE
-VCC+vCE-圖
3.16iCiB負載vIvOvi=5V時,iB=(5-0.7)/10K=0.43mAICS=10V/5K=2mA<iB=22mA三極管飽和,vO=0V;vi=0V時,三極管截止,vO=10V。5V10VttvivOce10K5K10Vb+_+_vivO例如:三極管用作可控開關(guān)(=50)3、放大器§3.2放大器概述
放大器(Amplifier)是應(yīng)用最廣泛的一種功能電路.大多數(shù)模擬電子系統(tǒng)都應(yīng)用了不同類型的放大電路.一、放大的概念放大器的作用是將輸入信號進行不失真的放大,使輸出信號強度(功率、電壓或電流)大于輸入信號強度,且不失真地重現(xiàn)輸入信號波形.
放大器實際上是一種能量控制裝置.它利用三極管(或場效應(yīng)管)的放大和控制作用,將直流電源的能量轉(zhuǎn)換為放大了的交流輸出能量.§3.2放大器概述來自特定信源的時變信號在能被利用之前常常需要放大.(舉例說明)信號源放大器負載
高信號功率
CD播放器揚聲器
DC功率
低信號功率圖
3.17
DC電壓源§3.2放大器概述二、放大器的主要性能指標(biāo)+Vo-+Vi-·IiIo信號源放大器負載RiRo···+Vs
-·RsRL圖
3.181、輸入電阻·ViRi
=
(3—19)
Ii·§3.2放大器概述2、輸出電阻·VTRo=(Vs=0或
Is=0)(3—20)
IT···3、增益(放大倍數(shù))VoIoIoVoAv=Ai=
Ag=
Ar=
(3—21)
ViIiViIi·············
電壓增益=20lg│Av│dB·
電流增益=20lg│Ai│dB放大器的四種模型§3.2放大器概述(a)
電壓放大器+AvtVi-·+Vs
-RiRL+Vo-RoRs+Vi-····RLAv=Avt
Ro<<RL→
Av≈Avt(3—22)
Ro+RL····Ri>>Rs(Ri→∞)
Ro<<RL(Ro→0)·VoVoViRiAvs=
=
=
AvRi>>Rs→
Avs≈Av
(3—23)
VsViVsRs+Ri·········§3.2放大器概述(b)
電流放大器IsRiRLIoRsAinIiIiRo·····Ri<<Rs(Ri→0)
Ro>>RL(Ro→∞)RoAi=Ain
Ro>>RL→
Ai≈Ain(3—24)
Ro+RL·····IoIoIiRsAis=
=
=
AiRi<<Rs→
Ais≈Ai
(3—25)
IsIiIsRs+Ri·········§3.2放大器概述Ri<<Rs(Ri→0)Ro<<RL(Ro→0)(c)
互阻放大器·+Vo-Ro+Art
Ii-RiRLRsIsIi····Ri>>Rs(Ri→∞)Ro>>RL(Ro→∞)(d)
互導(dǎo)放大器·+Vs
-圖
3.19RiRLRs+Vi-AgsViRo····Io§3.2放大器概述BW
=fH-fL
(3—26)
3dB圖
3.20O20lg│Av│dB3dBfHfLf/Hz帶寬·4、帶寬5、非線性失真系數(shù)∞∑V2ok
k=2
γ=
(3—27)
Vo1§3.2放大器概述三、基本放大器的組成
1、三極管的三種基本接法圖
3.21beicibc(a)(b)cieibbebiciece(c)2、基本共發(fā)射極放大器++C1RL+vo-VT+vs
-RCRBVCC+vi-
(a)C2Rs§3.2放大器概述+vs
-CE+C1REVTRLRB2Rs+vo-RCRB1VCC+vi-
(b)C2++圖
3.223、各元件的作用§3.2放大器概述
VT:放大電路的核心元件.具有電流放大作用.
直流電源VCC:為三極管提供放大的外部條件;并為放大器提供能量來源.
基極偏置電阻RB:為三極管提供合適的基極偏置電流IBQ.
集電極負載電阻RC:將ic→vce,以實現(xiàn)電壓放大.同時,RC也起直流負載的作用.
耦合電容C1、C2
:“通交隔直”,一般用電解電容,連接時注意電容的極性.
負載電阻RL:放大電路的外接負載,它可以是耳機、揚聲器或其他執(zhí)行機構(gòu),也可以是后級放大電路的輸入電阻.§3.2放大器概述四、放大器的直流通路和交流通路
1、直流通路的畫法:將電容作開路處理,電感作短路處理.2、交流通路的畫法:將電容及直流電源作短路處理.3、放大器中電壓、電流的符號規(guī)定如表3-1RLVT+vi-+vs
-Rs+vo-RCRBibicVTRL+vi-ic+vs
-Rs+vo-RCRBib§3.2放大器概述VTRCRBVCCIBQICQ+VCEQ
-
(a)ICQRB2IBQVTRCRB1VCCRE+VCEQ
-
(b)RB=RB1∥RB2圖
3.23++C1RL+vo-VT+vs
-RCRBVCC+vi-
(a)C2Rs§3.2放大器概述五、放大器的基本工作情況0vitvBEtVBEQiBtIBQiCtICQvCEtVCEQvot0
(b)圖
3.24§3.2放大器概述直流電源VCC提供的功率為:11PV=VCC·iC=VCC(ICQ+Icmsinωt)dωt=VCCICQ
2π2π∫2π0∫2π0加到RC上的功率為:111PL=iC2·RC=(ICQ+Icmsinωt)2RC
dωt=ICQ2RC+Icm2RC2π2π2∫2π0∫2π0加到三極管上的功率為:11PC=vCE·iC=(VCEQ-IcmRCsinωt)(ICQ+Icmsinωt)dωt2π2π
1=VCEQICQ-Icm2RC2∫2π0∫2π0PV=VCCICQ=(VCEQ+ICQRC)ICQ=VCEQICQ+
ICQ2RC=
PL+PCvi=0,PV=PL+PC;vi↑,PC↓
,PL↑.PVPLVTVTRCRBVCCIBQICQ+VCEQ
-++C1RL+vo-VT+vs
-RCRBVCC+vi-C2Rs§3.3放大器的圖解分析方法
圖解分析可以提供對放大器工作情況的直觀認識.一、靜態(tài)分析
1、分析目的:確定Q點(VBEQ、IBQ、VCEQ、ICQ
)2、分析對象:直流通路§3.3放大器的圖解分析方法3、分析步驟:VCC=IBRB+
VBEIB=f
(VBE)VCE=CVCC=ICRC+
VCEIC=f(VCE)IB=CIBQVCCRBVCCQOIBVBEVBEQ直流負載線直流負載線OVCCVCEQVCEICIBQVCCRCICQ圖
3.25RLVT+vi-+vs
-Rs+vo-RCRBibic++C1RL+vo-VT+vs
-RCRBVCC+vi-C2Rs§3.3放大器的圖解分析方法二、動態(tài)分析
1、分析目的:確定Av、Vom,了解非線性失真.2、分析對象:交流通路·3、分析步驟:(1)(2)(3)§3.3放大器的圖解分析方法Avt>AvRL→∞,
RL′=
RC,Avt=Av····iBOQvBEIBQOvCEiCVCCIBQVCCRC交流負載線ICQVCEQICQRL′1RC
1
RL′RL′=
RC∥RL圖
3.26§3.3放大器的圖解分析方法三、建立Q點的必要性Q′QQ″IBQQ′Q″Q圖
3.27OiBvBEOvCEVCCIBQVCCRCICQVCEQ截止失真飽和失真iC§3.4放大器的等效電路分析法一、靜態(tài)分析
1、分析目的:確定Q點(VBEQ、IBQ、VCEQ、ICQ
)2、分析對象:直流通路
(a)固定偏置VTRCRBVCCIBQICQ+VCEQ
-圖
3.28VCC-VBEIBQ=
RBICQ=βIBQVCEQ=VCC-ICQRC§3.4放大器的等效電路分析法ICQIBQRB2VTRCRB1VCCRE+VCEQ
-圖
3.29(b)分壓偏置ICQ=βIBQVCEQ=VCC-ICQRC-IEQRE≈VCC-ICQ(
RC+RE)RB=RB1∥RB2VBB-VBEIBQ=
RB+(1+β)RERB2VBB=
VCC
RB1+RB2+VBB-+VCC-VTRCRBREIBQICQ+VCEQ
-ICQIBQRB2VTRCRB1VCCRE+VCEQ
-§3.4放大器的等效電路分析法RB2VBQ≈
VCC
RB1+RB2IBQ=ICQ/βVCEQ≈VCC-ICQ(
RC+RE)VEQVBQ-VBEICQ≈IEQ==
RERE若(1+β)RE>10RB,可按如下方法確定Q點.IBQVBQ→VEQ→IEQ(ICQ)
VCEQVTRCRBVCCIBQICQ+VCEQ
-§3.4放大器的等效電路分析法
β↑T↑→VBE(on)↓
→ICQ↑ICBO↑VCC=6V,RB=270kΩ,RC=2kΩT↑30oC,β=130,VBE=0.625V,ICBO=8×10-12AIBQ=19.91μA,ICQ=2.59mA,VCEQ=0.82V(c)兩種偏置電路的比較
T=300K,β=100,VBE=0.7V,
ICBO=10-12AIBQ=19.63μA,ICQ=1.96mA,VCEQ=2.08VIEQICQIBQRB2VTRCRB1VCCREVEQVBQI1§3.4放大器的等效電路分析法分壓偏置電路最大的優(yōu)點是穩(wěn)定了Q點.
T↑→ICQ(IEQ)↑→VEQ↑→VBEQ(VBQ-VEQ)↓ICQ↓
IBQ↓【例
3.1】電路如上圖
所示.設(shè)RB1=56kΩ,RB2=12.2kΩ,
RC=2kΩ,RE=0.4kΩ,VCC=10V,VBE=0.7V,β
=100.(1)試確定Q點.(2)當(dāng)β在一定范圍內(nèi)變化時,確定Q點變化范圍.§3.4放大器的等效電路分析法【解】(1)RB212.2VBB=
VCC=×10≈1.79V
RB1+RB256+12.2ICQ=βIBQ=100×21.6=2.16mAVCEQ=VCC-ICQRC-IEQRE≈4.81VRB=RB1∥RB2=56∥12.2≈10kΩVBB-VBE(on)1.79-0.7IBQ==
≈21.6μA
RB+(1+β)RE10+101×0.4IEQ=(1+β)IBQ=101×21.6=2.18mA上述結(jié)果表明:晶體三極管被偏置在放大區(qū).§3.4放大器的等效電路分析法(2)當(dāng)β
變化±50時,可得到以下的結(jié)果:βIBQ(μA)ICQ(mA)IEQ(mA)VCEQ(V)5035.91.801.835.6710021.62.162.184.8115015.52.322.344.40表3-2
當(dāng)β
變化率為3:1時,集電極電流和集-射電壓的變化率只有1.29:1.射極電阻RE能在β變化時,穩(wěn)定靜態(tài)工作點.【例
3.2】試設(shè)計一分壓偏置電路,要求ICQ=1mA,VCEQ=4.5V,
已知VCC=9V,β=100.IEQICQIBQRB2VTRCRB1VCCREVEQVBQI1§3.4放大器的等效電路分析法
實際情況下,為要使Q點穩(wěn)定,I1愈大于IB以及VB愈大于VBE愈好,但為兼顧其他指標(biāo),對于硅管,一般可選取
I1=(5~10)IBVEQ=0.2VCC或VEQ=(1~3)V【解】(1)取
VEQ=0.2VCC=0.2×9=1.8V
則
RE=VEQ/IEQ≈VEQ/ICQ=1.8/1=1.8kΩ(2)取I1=10IBQ=10×ICQ/β=0.1mA
則
RB1+RB2=VCC/I1=90kΩ§3.4放大器的等效電路分析法RB2VBQ=
VCC
RB1+RB2VBQ=VBE+VEQ=0.7+1.8=2.5V
RB1+RB2=90kΩRB2=25kΩRB1=90-RB2=65kΩ(3)VCEQ≈VCC-ICQ(
RC+RE)VCC-VCEQ9-4.5RC=-RE=
-1.8
=2.7kΩ
ICQ1說明:除三極管放大電路外,分壓偏置電路還適用于各種場效應(yīng)管放大電路.RLVT+vi-+vs
-Rs+vo-RCRBibic§3.4放大器的等效電路分析法二、動態(tài)分析
1、分析目的:確定Av、Ai、Ri、Ro.2、分析對象:交流通路
3、分析步驟:(1)交流通路;(2)小信號模型;(3)分析各指標(biāo)·+Vi-Robc+Vs
-RLβIbIc+Vo-RCRBIbIirbeIoeRi········Rs圖
3.30·§3.4放大器的等效電路分析法VoAv=Vi···Vo=-Ic(RC∥RL)=-βIbRL′Vi=Ibrbe·····βRL′Av=-
(3—28)
rbe··ViRi
=
Ri=RB∥rbe≈rbe(3—29)
Ii·VTRo=Ro=RC
ITVs=0
···(3—20)Ro+VT-cβIbbrbeRsIcRCRBIbITe·····圖
3.31§3.4放大器的等效電路分析法·IoAi=Ii··RoRoIo
=Ic=βIb
Ro+RLRo+RL···Ro
Ai≈β(3—31)
Ro+RL
·RL=0,
Ain≈β·三、帶射極電阻的共發(fā)射極放大器
1、電路結(jié)構(gòu):如圖3.32所示.2、靜態(tài)分析:與圖3.29相似.3、動態(tài)分析:RBIb=Ii≈Ii
RB+rbe···RLC2CERE1VTRE2RB2C1+vs
-Rs+vi-+vo-RCRB1VCC(a)§3.4放大器的等效電路分析法圖
3.32VTRE+vs
-icRs+vo-RCRB+vi-RLib(b)βIbcRL+Vi-rbe···Ic+Vs
-Rs+Vo-RCRBIbIiIobeRiRoRE1(c)Ri′·····§3.4放大器的等效電路分析法βRL′Av=-
(3—32)
rbe+(1+β)RE1··VoAv=Vi··Vo=-Ic(RC∥RL)=-βIbRL′·······Vi=Ibrbe+IeRE1=Ibrbe+(1+β)RE1Ri=RB∥Ri′=RB∥rbe+(1+β)RE1(3—33)·ViRi′==rbe+(1+β)RE1
Ib·Ro≈RC(3—34)其中:若考慮rce,Ro的求法如下:§3.4放大器的等效電路分析法···RCRoRo′rbe·Ib+VT-RsRBrceITbceβIbRE1Rs′Ic·圖
3.33βRE1Ro=RC∥Ro′=RC∥rce(1+)
(3—35)rbe+RE1+Rs′VT=(Ic-βIb)rce+(Ib+Ic)RE1·····RE1Ib=-Icrbe+RE1+Rs′··VTβRE1Ro′==rce(1+)
Icrbe+RE1+Rs′··§3.4放大器的等效電路分析法其中,rce的意義如下:OIBQvCEVAiCAQVCEQICQ
△VceVCEQ+VAVArce==≈
△iCICQICQQRE22kΩCERE120ΩVTRL8.2kΩRC8.2kΩ+vi-C1+vo-RB156kΩVCC15VC2RB215kΩ§3.4放大器的等效電路分析法【例
3.3】試確定圖3.34所示電路的Av、Ri、Ro.已知晶體管的參數(shù)如下:VBE=0.7V,β=150,VA=-100V.
【解】(1)靜態(tài)分析圖
3.34RB=RB1∥RB2=56∥15≈11.83kΩRB215
VBB=
VCC=×15≈3.17V
RB1+RB256+15
VBB-VBE(on)IBQ=
RB+(1+β)(RE1+RE2)
3.17-0.7
=≈7.8μA
11.83+(1+150)(0.02+2)§3.4放大器的等效電路分析法ICQ=βIBQ=150×7.8×10-3≈1.17mAIEQ=(1+β)
IBQ=151×7.8×10-3≈1.18mA或VEQVBQ-VBE(on)3.17-0.7
ICQ≈IEQ===≈1.22mA
RE1+RE2RE1+RE20.02+2rce≈│VA│/ICQ=100/1.17≈85.47kΩ(81.97kΩ)動態(tài)分析VT26rbe=rbb′+(1+β)
=0+(1+150)
≈3.33kΩ(3.22kΩ)IEQ1.18βRL′150×(8.2∥8.2)Av=-=-
≈-96.9(-98.6)rbe+(1+β)RE13.33+(1+150)×0.02
·§3.4放大器的等效電路分析法Ri=RB∥rbe+(1+β)RE1=11.83∥3.33+(1+150)×0.02≈4.13kΩ(4.1kΩ)Ro≈RC∥Ro′=8.2∥102.4≈7.59kΩ(7.57kΩ)
βRE1
150×0.02
Ro′≈rce1+=85.47(1+)≈102.4kΩ
rbe+RE1+RB3.33+0.02+11.83(98.29kΩ)如果假設(shè)VA=∞,則Ro≈RC=8.2kΩ
討論:放大器的增益幾乎與β的變化無關(guān).表3-3的計算證明了這一事實.βAv
50-95.8
(-97.2)100-96.5
(-98.3)150-96.9
(-98.6)表3-3RL+vo-VTRERB2+vs
-RsRB1VCC+vi-C1C2VEQRB2IEQVTRB1VCCREIBQICQ圖3.35§3.5共集電極放大器(射極跟隨器)一、電路結(jié)構(gòu)二、靜態(tài)分析VBB-VBEIBQ=
RB+(1+β)RERB2VBB=
VCC
RB1+RB2RB=RB1∥RB2IEQ=(1+β)
IBQVCEQ=VCC-IEQRE§3.5共集電極放大器(射極跟隨器)三、動態(tài)分析VT+vi-RLie+vs
-Rs+
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