精密洗凈服務(wù)行業(yè)概述

精密洗凈服務(wù)行業(yè)概述

精密洗凈服務(wù)行業(yè)概述工業(yè)清洗指工業(yè)產(chǎn)品或零部件在工業(yè)生產(chǎn)中表面受到物理、化學(xué)或生物的作用而形成污染物或覆蓋層，去除這些污染物或覆蓋層而使其恢復(fù)原表面狀態(tài)的過程。隨著生產(chǎn)的發(fā)展和科學(xué)的進(jìn)步，在工業(yè)清洗領(lǐng)域不斷有專門化的新洗凈技術(shù)出現(xiàn)，精密洗凈服務(wù)隨之逐步發(fā)展起來。精密洗凈意味著按照非常嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行清洗，對剩余顆?；蚱渌廴疚锏娜萑潭确浅５停w粒尺寸小于0．3微米），通常在環(huán)境嚴(yán)格控制的潔凈室進(jìn)行清潔。在半導(dǎo)體、顯示面板、航空航天和醫(yī)療等高科技行業(yè)的許多重要應(yīng)用中，精密洗凈服務(wù)是新制造部件組裝前的先決條件，也是制程設(shè)備的日常保養(yǎng)和維護(hù)的先決條件。以芯片制造為例，如果在制造過程中有沾污現(xiàn)象，將影響芯片上器件的正常功能，因而提高生產(chǎn)設(shè)備部件的潔凈度是保障芯片生產(chǎn)良率的重要一環(huán)。在芯片刻蝕、化學(xué)氣相沉積、擴(kuò)散等制程，設(shè)備部件上會(huì)附著金屬雜質(zhì)、有機(jī)物、顆粒、氧化物等各種沾污雜質(zhì)層，經(jīng)過一段時(shí)間后會(huì)有剝落現(xiàn)象；對于芯片制造企業(yè)，沾污雜質(zhì)導(dǎo)致芯片電學(xué)失效，導(dǎo)致芯片報(bào)廢，進(jìn)而影響產(chǎn)品良率與質(zhì)量。通常影響精密洗凈服務(wù)價(jià)格的關(guān)鍵因素包括洗凈部件的市場價(jià)值、厚度、材質(zhì)、幾何形狀和該部件工藝研發(fā)成本，以及沾污雜質(zhì)的類型、潔凈度要求等。專業(yè)精密洗凈服務(wù)廠商根據(jù)制程、機(jī)臺設(shè)備品牌、部件材質(zhì)與鍍層要求等進(jìn)行分類并提供精密清洗與衍生處理服務(wù)，以配合客戶提升產(chǎn)品良率及提高制造設(shè)備的稼動(dòng)率。1、半導(dǎo)體設(shè)備洗凈服務(wù)對象半導(dǎo)體專用設(shè)備泛指用于生產(chǎn)各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體專用設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)先導(dǎo)者，芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測試等需在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計(jì)和制造，設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步又反過來推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)難度最高、附加值最大、工藝最為復(fù)雜的集成電路為例，應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的設(shè)備通常可分為前道工藝設(shè)備（晶圓制造）和后道工藝設(shè)備（封裝測試，暫時(shí)非洗凈服務(wù)對象）兩大類。其中，在前道晶圓制造中，共有七大工藝步驟，分別為氧化/擴(kuò)散（ThermalProcess）、光刻（Photo-lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（IonImplant）、薄膜生長（DielectricandMetalDeposition）、清洗與拋光（Clean&CMP）、金屬化（Metalization），所對應(yīng)的專用設(shè)備主要包括氧化/擴(kuò)散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備等。晶圓制造設(shè)備的市場規(guī)模占比超過集成電路設(shè)備整體市場規(guī)模的80%，其中，刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜生長設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。2、顯示面板專用設(shè)備洗凈服務(wù)對象TFT顯示面板專用設(shè)備泛指基于TFT薄膜晶體管作為驅(qū)動(dòng)單元發(fā)展起來的用于生產(chǎn)各類顯示面板類產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，主流產(chǎn)品有LCD和OLED兩種類型，屬于集成電路行業(yè)顯示技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。其中：LCD顯示技術(shù)是20世紀(jì)八十年代之后逐步發(fā)展興盛起來的采用液晶作為顯示單元的顯示面板技術(shù)。LCD顯示面板器的主體結(jié)構(gòu)包含透明基板、偏光片、濾光片、液晶層、TFT陣列等，經(jīng)過三十多年的高速發(fā)展，整個(gè)生產(chǎn)技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)成熟穩(wěn)定，但面板制造、封裝測試工藝制程中的專用設(shè)備供應(yīng)仍以進(jìn)口為主。OLED顯示技術(shù)是21世紀(jì)之后逐步發(fā)展起來的一種新型的顯示技術(shù)，其主體結(jié)構(gòu)包含透明基板（可柔性）、空穴/電子注入層、空穴/電子傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、TFT陣列等，經(jīng)過近十年的快速發(fā)展，與LCD相比，具有功耗低、視角寬、響應(yīng)速度快等更優(yōu)的顯示性能，為國際社會(huì)中顯示技術(shù)角逐的重點(diǎn)。以LCD和OLED為主流的顯示面板技術(shù)，生產(chǎn)工序可以分為三大步驟：TFT陣列、cell成盒、后端組裝。其中，TFT陣列生產(chǎn)包含基板清洗、鍍膜、曝光、顯影、刻蝕剝離等工藝制程，cell成盒包含TFT清洗、CF基板加工（LCD）、拼合（LCD）、灌晶（LCD）、蒸鍍（OLED）、封裝（OLED）、檢測等工藝制程，后端組裝包含cell清洗、偏光片貼附、IC綁定、FPC/PCB、TP貼合等工藝制程。所對應(yīng)的專用設(shè)備主要包括蒸鍍設(shè)備（OLED）、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備等。沾污雜質(zhì)是指泛半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過程中引入的任何危害芯片成品率及電學(xué)性能的物質(zhì)。據(jù)估計(jì)，大部分的芯片電學(xué)失效都是由沾污帶來的缺陷引起的。一般精密洗凈的沾污雜質(zhì)分為以下幾類：1）顆粒。顆粒能引起電路開路或短路。從尺寸上來說，半導(dǎo)體制造中，顆粒必須小于最小器件特征尺寸的一半，大于這個(gè)尺寸的顆粒會(huì)引起致命缺陷。從數(shù)量上來說，硅片表面的顆粒密度代表了特定面積內(nèi)的顆粒數(shù)，顆粒數(shù)越多，產(chǎn)生致命缺陷的可能性也越大。一道工序引入到硅片中超過某一關(guān)鍵尺寸的顆粒數(shù)，術(shù)語表征為每步每片上的顆粒數(shù)（PWP），隨著先進(jìn)制程的進(jìn)步，PWP指標(biāo)要求越來越高。2）金屬雜質(zhì)。危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是堿金屬，如鈉、鉀、鋰等；重金屬也會(huì)導(dǎo)致金屬污染，如鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦等。金屬雜質(zhì)可能來自化學(xué)溶液或者半導(dǎo)體制造中的各種工序，如離子注入等，也可能來自化學(xué)品與傳輸管道和容器的反應(yīng)。3）有機(jī)物。有機(jī)物主要指包含碳的物質(zhì)，它們可能來自于細(xì)菌、潤滑劑、蒸汽、清潔劑、溶劑和潮氣等。4）自然氧化層。自然氧化層一方面妨礙其他工藝步驟，如單晶薄膜的生長；另一方面增加接觸電阻，減少甚至阻止電流流過。顆粒環(huán)境，其他工藝工程中產(chǎn)生影響后續(xù)光刻、干法刻蝕工藝，造成器件短路自然氧化層環(huán)境影響后續(xù)氧化、沉積工藝，造成器件電性失效金屬污染環(huán)境，其他工藝工程中產(chǎn)生影響后續(xù)氧化工藝，造成器件電性失效有機(jī)物干法刻蝕副產(chǎn)物，環(huán)境影響后續(xù)沉積工藝，造成器件電性失效。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的周期性半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)從最初研發(fā)儲(chǔ)備到終端產(chǎn)品應(yīng)用并量產(chǎn)的周期大約在10年左右，驅(qū)動(dòng)信息市場的引擎（下游應(yīng)用市場主要產(chǎn)品）也大概10年左右產(chǎn)生一次新變化。中期維度上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)出由企業(yè)設(shè)備投資和產(chǎn)能擴(kuò)張驅(qū)動(dòng)周期波動(dòng)，稱為產(chǎn)能周期（也稱資本支出周期、朱格拉周期、設(shè)備投資周期等）。投資端觀測：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出從1983年的43億美元增長到2021年的1531億美元，年均復(fù)合增速約為10%。以同比增速的極大值點(diǎn)劃分，全球半導(dǎo)體資本開支周期平均約3~4年。銷售端觀察：產(chǎn)能周期在半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售端上也有所體現(xiàn)，以全球半導(dǎo)體月度銷售額為例，1976年3月至今，半導(dǎo)體月銷售額同比增速（3個(gè)月移動(dòng)平均值）呈現(xiàn)出周期波動(dòng)特征，每個(gè)周期間隔大約在3-4年，平均數(shù)值為2．95年。短期維度上，由銷售端（市場）短期供需驅(qū)動(dòng)庫存周期，也稱基欽周期，約3~6個(gè)季度。由于下游需求端向上傳導(dǎo)存在時(shí)滯，導(dǎo)致了庫存周期的產(chǎn)生。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫存周期可以分為4個(gè)階段：主動(dòng)補(bǔ)庫存：在新一輪庫存周期的起點(diǎn)，由于短期需求端指標(biāo)上升，企業(yè)提升產(chǎn)線稼動(dòng)率，主動(dòng)補(bǔ)充庫存水平，產(chǎn)成品存貨環(huán)比上升，行業(yè)處于短期繁榮階段。被動(dòng)補(bǔ)庫存：這一階段需求端指標(biāo)已經(jīng)見頂，但企業(yè)稼動(dòng)率無法立即下降，存貨水平仍然保持上升，導(dǎo)致利潤率水平到達(dá)頂部后開始下降，行業(yè)開始進(jìn)入短期衰退階段。主動(dòng)去庫存：需求端指標(biāo)持續(xù)下降，企業(yè)稼動(dòng)率開始下降，但已經(jīng)出現(xiàn)庫存過剩，企業(yè)主動(dòng)降價(jià)去庫存，減少存貨壓力，行業(yè)處于蕭條階段。被動(dòng)去庫存：需求端指標(biāo)企跌回升，企業(yè)稼動(dòng)率降至低點(diǎn)，庫存水平持續(xù)降低至低點(diǎn)，庫存壓力得到緩解，隨著需求回溫，行業(yè)開始進(jìn)入下一輪庫存周期起點(diǎn)。顯示面板專用設(shè)備清洗服務(wù)對象TFT顯示面板專用設(shè)備一般指基于TFT薄膜晶體管為驅(qū)動(dòng)單元開發(fā)的，用于生產(chǎn)各類顯示面板產(chǎn)品的生產(chǎn)設(shè)備。主流產(chǎn)品為LCD和有機(jī)發(fā)光二極管，是集成電路行業(yè)顯示技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。其中，LCD顯示技術(shù)是80年代以后逐漸發(fā)展并繁榮起來的一種顯示面板技術(shù)，使用液晶作為顯示單元。液晶面板的主要結(jié)構(gòu)包括透明基板、偏光片、濾光片、液晶層、TFT陣列等。經(jīng)過30多年的快速發(fā)展，整個(gè)生產(chǎn)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)趨于成熟和穩(wěn)定，但面板制造、封裝和測試過程中的專用設(shè)備供應(yīng)仍以進(jìn)口為主。有機(jī)發(fā)光二極管顯示技術(shù)是21世紀(jì)后逐漸發(fā)展起來的一種新型顯示技術(shù)。其主要結(jié)構(gòu)包括透明襯底、空空穴/電子注入層、空空穴/電子傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、TFT陣列等。經(jīng)過近十年的快速發(fā)展，與LCD相比，它具有功耗低、視角廣、響應(yīng)速度快等更好的顯示性能。以LCD和有機(jī)發(fā)光二極管為主流顯示面板技術(shù)，生產(chǎn)工藝可分為TFT陣列、電池盒成型、后端組裝三個(gè)步驟。其中，TFT陣列生產(chǎn)包括基板清洗、鍍膜、曝光、顯影、蝕刻和剝離等。電池盒化成包括TFT清洗、CF基板加工、組裝、充晶、蒸發(fā)、封裝和測試，后端組裝包括電池清洗、偏光片貼合、IC鍵合、FPC/PCB、TP鍵合等。相應(yīng)的專用設(shè)備主要包括蒸發(fā)設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備等。上述TFT面板制造過程中的鍍膜、曝光、顯影、蝕刻、CF基板處理、蒸鍍等設(shè)備為公司的清潔服務(wù)對象。污染引入:污染雜質(zhì)是指在泛半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過程中引入的任何危害芯片良率和電性能的物質(zhì)。據(jù)估計(jì)，大多數(shù)芯片電氣故障是由污染引起的缺陷引起的。通常，精密清洗的污染雜質(zhì)分為以下幾類:1）粒子。顆粒會(huì)導(dǎo)致開路或短路。從尺寸上來說，在半導(dǎo)體制造中，顆粒必須小于最小器件特征尺寸的一半，大于這個(gè)尺寸的顆粒會(huì)造成致命缺陷。從數(shù)量上來說，硅片表面的顆粒密度代表了特定面積內(nèi)顆粒的數(shù)量。顆粒越多，致命缺陷的可能性越大。在一個(gè)過程中引入到硅晶片中的超過某一臨界尺寸的顆粒數(shù)量由每個(gè)步驟中每個(gè)晶片的顆粒數(shù)量來表征。隨著先進(jìn)工藝的進(jìn)步，對PWP指標(biāo)的要求越來越高。2）金屬雜質(zhì)。對半導(dǎo)體技術(shù)有害的典型金屬雜質(zhì)是堿金屬，例如鈉、鉀和鋰。重金屬也會(huì)造成金屬污染，如鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦等。金屬雜質(zhì)可能來自化學(xué)溶液或半導(dǎo)體制造中的各種工藝，如離子注入，或化學(xué)物質(zhì)與傳輸管道和容器的反應(yīng)。3）有機(jī)物。有機(jī)物主要是指含碳的物質(zhì)，可能來自細(xì)菌、潤滑劑、蒸汽、洗滌劑、溶劑和水分。4）自然氧化層。一方面，自然氧化層阻礙了其他工藝步驟，例如單晶膜的生長；另一方面，增加接觸電阻，降低甚至阻止電流流動(dòng)。主要清洗方式:根據(jù)清洗方式的不同，精密清洗可分為物理清洗和化學(xué)清洗。物理清洗是指利用力學(xué)、聲學(xué)、光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)原理，依靠機(jī)械摩擦、超聲波、負(fù)壓、高壓沖擊、紫外線、蒸汽等外部能量的作用，清除物體表面污垢的方法。化學(xué)清洗是指利用化學(xué)溶劑，依靠化學(xué)反應(yīng)的作用，去除物體表面污垢的方法。在實(shí)際應(yīng)用中，通常將兩種方法結(jié)合使用，以獲得更好的清洗效果。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀亞太地區(qū)在全球半導(dǎo)體銷售額中超過60%。1999年美洲、歐洲、日本、亞太地區(qū)分別為32%、21%、22%和25%，以美國為代表的美洲地區(qū)為主要市場。此后，亞太地區(qū)市場半導(dǎo)體銷售額快速提升，1999至2021年CAGR達(dá)10．6%，超過美洲市場的4．4%約6．2pct，其市場份額不斷提升，逐漸超過其他地區(qū)總和，至2021年亞太地區(qū)市場份額達(dá)到62%。中國大陸2021年市場份額35%，是全球第一大半導(dǎo)體產(chǎn)品消費(fèi)地區(qū)。2021年中國大陸市場以1877億美元銷售額成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)品最大消費(fèi)地區(qū)，市場份額35%。1983年美國廠商在全球半導(dǎo)體銷售市場占據(jù)超過50%的供給份額。但是在此后幾年間，日本半導(dǎo)體企業(yè)的在激烈競爭中逐漸崛起，向美國傾銷大量半導(dǎo)體產(chǎn)品，疊加1985年至1986年的行業(yè)衰退，美國半導(dǎo)體企業(yè)全球供給份額在約1988年左右下降至低點(diǎn)，總共下降約19個(gè)百分點(diǎn)，日本實(shí)現(xiàn)反超，占據(jù)了全球半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位。1988年后，美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始反彈，且日本半導(dǎo)體行業(yè)受到《日美半導(dǎo)體協(xié)定》影響，市場份額逐漸下滑。至1997年，美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以超過50%的供應(yīng)份額重新回歸全球領(lǐng)導(dǎo)地位，且一直保持至今。集成電路占半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售額的比重維持在80%以上。2021年，集成電路產(chǎn)品銷售額約4630億美元，占半導(dǎo)體83%市場份額；分立器件銷售額約303億美元，占6%；光電子器件銷售額約434億美元，占8%；傳感器產(chǎn)品銷售額約191億美元，占3%。集成電路產(chǎn)品份額始終維持在80%以上，是半導(dǎo)體產(chǎn)品的最主要類型。集成電路產(chǎn)品中，邏輯IC和存儲(chǔ)IC比重最高，MCU份額呈下降趨勢。集成電路產(chǎn)品中，2021年：模擬電路銷售額741億美元，占半導(dǎo)體銷售額的13．3%；微處理器銷售額802億美元，占15．1%；邏輯電路銷售額1548億美元，占30．8%；存儲(chǔ)電路銷售額1538億美元，占27．7%；以MCU為代表的微處理器產(chǎn)品份額在1999年至今呈現(xiàn)下降趨勢，從34．6%下降至2021年的14．4%；以CPU、GPU等通用芯片為代表的邏輯電路產(chǎn)品份額從1999年的15．5%上升至2021年的27．9%，呈現(xiàn)上升趨勢。原因主要是，用于工業(yè)、通訊等領(lǐng)域嵌入式系統(tǒng)的MCU在過去二十年中增速不高，而個(gè)人電腦的普及和智能手機(jī)出現(xiàn)極大拉動(dòng)了通用邏輯芯片的需求。常見的精密清潔方法化學(xué)溶劑清洗:化學(xué)溶劑清洗是指硝酸、氫氧化鉀、雙氧水、氨水等。根據(jù)技術(shù)要求配制成相應(yīng)濃度的溶液，然后將零件浸泡在清洗槽中，去除表面的金屬膜。噴涂:噴涂是指利用熱源熔化金屬或非金屬材料，以一定的速度噴涂在基體表面形成涂層的方法。如果在操作過程中需要，在零件表面噴鋁以增加表面粗糙度。電解清洗:將待清洗的設(shè)備掛在陰極或陽極上，放入電解液中。施加直流電時(shí)，金屬與電解質(zhì)溶液之間的界面張力因極化而降低，溶液滲透到工件表面的污垢下，在界面上起氧化或還原作用，產(chǎn)生大量氣泡。當(dāng)氣泡聚集形成氣流從污垢與金屬之間的縫隙溢出時(shí)，起到攪動(dòng)、攪拌的作用，使污垢從工件表面脫落，從而達(dá)到清除污垢、清潔表面的目的。根據(jù)設(shè)備和裝置掛在陽極和陰極上的位置不同，可分為陰極電解和陽極電解。電解清洗用途廣泛?？扇コ饘倩蚍墙饘俑街铮缪趸?、舊涂膜、漆膜等。清洗效果好，清洗效率高，徹底性好。蒸汽清洗:蒸汽清洗可分為蒸汽清洗和溶劑蒸汽清洗。水蒸汽清洗是一種常見而簡單的清洗工藝，主要是利用蒸汽的熱氣流蒸發(fā)到設(shè)備和裝置的表面，與設(shè)備和裝置的表面充分接觸。由于水蒸氣溫度高，有一定的壓力和沖擊力，所以有一定的清潔作用。溶劑清洗是一種用有機(jī)溶劑蒸發(fā)蒸汽進(jìn)行清洗的方法。由于溶劑的高溫和蒸發(fā)過程中形成的氣流，污漬被溶解并帶走。純水清洗和高壓水洗:純水清洗是指將零件浸泡在純水清洗槽中，去除產(chǎn)品中可能殘留的藥液成分；高壓水洗是指高壓水洗槍對零件表面進(jìn)行清掃，去除顆粒、熔灰、灰塵等。對零件表面有一定的附著力。超聲波清洗:超聲波清洗是指在浸泡在工件中的液體中發(fā)射超聲波，使液體產(chǎn)生超聲波振蕩。液體內(nèi)部的壓力在某一瞬間突然增大或減小，這樣不斷重復(fù)。當(dāng)壓力突然降低時(shí)，溶液中會(huì)產(chǎn)生許多小空孔，溶解在溶液中的氣體被吸入空孔中形成氣泡。小氣泡形成后，被突然增大的壓力擊碎，產(chǎn)生沖擊波，能在界面處剝離金屬表面的污垢和水垢，與工件表面分離，從而達(dá)到比一般去污方法更快的清洗效果。超聲波清洗可以與化學(xué)去污、電化學(xué)去污、去除金屬涂層的酸清洗等相結(jié)合。，以提高去污效果和清潔質(zhì)量。中國泛半導(dǎo)體設(shè)備洗凈服務(wù)市場半導(dǎo)體專用設(shè)備泛指用于生產(chǎn)各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體專用設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)先導(dǎo)者，芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測試等需在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計(jì)和制造，設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步又反過來推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。根據(jù)清洗方法的不同，精密洗凈可分為物理清洗和化學(xué)清洗。物理清洗是指利用力學(xué)、聲學(xué)、光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)的原理，依靠外來能量的作用，如機(jī)械摩擦、超聲波、負(fù)壓、高壓沖擊、紫外線、蒸汽等去除物體表面污垢的方法；化學(xué)清洗是指依靠化學(xué)反應(yīng)的作用，利用化學(xué)溶劑清除物體表面污垢的方法。在實(shí)際應(yīng)用過程中，通常將兩者結(jié)合起來使用，以獲得更好的洗凈效果。我國泛半導(dǎo)體設(shè)備精密洗凈服務(wù)行業(yè)的發(fā)展滯后于歐美等先進(jìn)工業(yè)國家。精密洗凈自進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)后就已經(jīng)出現(xiàn)，迄今已有近200年的歷史。上世紀(jì)八九十年代，國際上半導(dǎo)體工業(yè)和顯示面板工業(yè)快速發(fā)展，使產(chǎn)品不斷向高精密性、高技術(shù)、多種技術(shù)手段相結(jié)合的方向發(fā)展，從而催生出精密洗凈在泛半導(dǎo)體設(shè)備清洗領(lǐng)域的應(yīng)用，目前精密洗凈已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域，包括顯示面板、半導(dǎo)體、光伏、裝備制造等。我國精密洗凈行業(yè)起源于上世紀(jì)50年代，但由于當(dāng)時(shí)國內(nèi)工業(yè)生產(chǎn)水平較低，精密洗凈行業(yè)發(fā)展較為緩慢。上世紀(jì)80年代，隨著中國改革開放和大規(guī)模的技術(shù)引進(jìn)，整體工業(yè)技術(shù)水平不斷提高，國內(nèi)工業(yè)生產(chǎn)對精密洗凈服務(wù)的需求日益加大，但是國內(nèi)精密洗凈行業(yè)由于多年停滯發(fā)展無法滿足市場需求，特別是早期的泛半導(dǎo)體設(shè)備精密洗凈領(lǐng)域，基本上被國外設(shè)備廠商壟斷，中國大陸精密洗凈服務(wù)行業(yè)（包括泛半導(dǎo)體設(shè)備精密洗凈服務(wù)）長期處于萌芽發(fā)展?fàn)顟B(tài)，據(jù)統(tǒng)計(jì)，2020年中國大陸地區(qū)泛半導(dǎo)體零部件清洗市場規(guī)?？傆?jì)26億元，其中面板9．8億元、半導(dǎo)體16．2億元，預(yù)計(jì)到2025年洗凈市場增加到43．4億元，年復(fù)合增長率10．8%，其中半導(dǎo)體增量高于面板，市場擴(kuò)大14．3億元，年復(fù)合增長率達(dá)到13．5%。中國泛半導(dǎo)體設(shè)備洗凈服務(wù)市場分析半導(dǎo)體（Semiconductor）：狹義上是指半導(dǎo)體材料，包括以硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體（也是第一代半導(dǎo)體材料），和以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鎵（Ga2O3）等化合物半導(dǎo)體材料（第二代至第四代半導(dǎo)體材料）。廣義上是指基于半導(dǎo)體材料制造的各類器件產(chǎn)品。集成電路（IntegratedCircuit，IC，中國臺灣稱為積體電路），是指通過一系列特定的加工工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻器、電容器等被動(dòng)元件及布線集成、封裝在半導(dǎo)體晶片上，執(zhí)行特定功能的電路或系統(tǒng)。芯片（Chip），通常就是指集成電路芯片，因此絕大多數(shù)時(shí)候，芯片、集成電路、IC等術(shù)語可以混用。按產(chǎn)品類型劃分4大類：集成電路、分立器件、光電子器件、傳感器。除以上分類外，半導(dǎo)體產(chǎn)品還有多種分類維度，例如按照下游需求場景可分為：民用級（消費(fèi)級）、汽車級（車規(guī)級）、工業(yè)級、級和航天級等。供給端由企業(yè)主導(dǎo)；需求端由下游應(yīng)用主導(dǎo)；供給、需求、貿(mào)易創(chuàng)造市場；市場影響供給與需求；技術(shù)迭代是根因。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特征19世紀(jì)60年代后期開始的第二次工業(yè)革命，使人類進(jìn)入了電氣時(shí)代。電氣時(shí)代以電子設(shè)備為載體，電路則是電子設(shè)備的核心。2022年12月29，臺積電3nm正式量產(chǎn)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國起源后，伴隨地緣、地區(qū)產(chǎn)業(yè)政策、制造模式變革等多種因素，經(jīng)歷了三次制造重心的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。第一次：1976年3月，日本政府以富士通、日立、三菱、NEC和東芝五家公司為核心，聯(lián)合日本工業(yè)技術(shù)研究員、電子綜合研究所和計(jì)算機(jī)綜合研究所共同實(shí)施超大規(guī)模集成電路研究計(jì)劃（VLSI），該計(jì)劃取得了巨大成功，日本超越美國、一躍成為世界第一的DRAM大國。第二次：1983年，韓國政府對外發(fā)布進(jìn)軍LSI領(lǐng)域（DRAM）的計(jì)劃，通過四年時(shí)間掌握了256KDRAM技術(shù)，并通過向日本大量進(jìn)口高性能制造設(shè)備，快速壯大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。第三次：2001年后中國正式加入世貿(mào)組織，逐漸深度參與到全球電子制造產(chǎn)業(yè)鏈中。第四次：從人口紅利過度到工程師紅利（人口結(jié)構(gòu)上，勞動(dòng)力素質(zhì)提升；產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)上，技術(shù)要素比重增大），制造業(yè)低端產(chǎn)能或?qū)⒊掷m(xù)外遷。2021年全球47個(gè)主要經(jīng)濟(jì)體數(shù)字經(jīng)濟(jì)規(guī)模為38．1萬億美元，占全球GDP比重為45%，較2020年提升1個(gè)百分點(diǎn)。2021年全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)在第一產(chǎn)業(yè)滲透率為8．6%，在第二產(chǎn)業(yè)滲透率為24．3%，在第三產(chǎn)業(yè)滲透率為46．3%。增速：2021年全球47個(gè)經(jīng)濟(jì)體數(shù)字經(jīng)濟(jì)同比名義增長15．6%，高于同期GDP名義增速2．5個(gè)百分點(diǎn)。數(shù)字經(jīng)濟(jì)包括數(shù)字產(chǎn)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)數(shù)字化和數(shù)字化治理三大部分：2021年全球數(shù)字產(chǎn)業(yè)化規(guī)模占數(shù)字經(jīng)濟(jì)比重為15%，占GDP比重為6．8%，2021年全球產(chǎn)業(yè)數(shù)字化規(guī)模占數(shù)字經(jīng)濟(jì)比重為85%，占GDP比重約為38．2%。美國信息科技產(chǎn)業(yè)增加值在GDP中占比接近中國2倍。美國經(jīng)濟(jì)分析局將信息通信技術(shù)生產(chǎn)行業(yè)在傳統(tǒng)的產(chǎn)業(yè)劃分框架外單列，2021年增加值占其GDP比重約為7．6%。中國國家統(tǒng)計(jì)局將信息傳輸、軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)列示在第三產(chǎn)業(yè)下面，2021年占GDP比重約為3．9%。2021年科技行業(yè)在GDP的百分比，美國約為中國的1．95倍。中美兩國信息科技產(chǎn)業(yè)占GDP比重整體上均呈現(xiàn)上升趨勢。1987年美國信息科技產(chǎn)業(yè)占GDP比重約為3．4%，在科網(wǎng)泡沫前4年，迅速從1996年的3．9%提升至2000年的6．2%，此后略有下降，至2010年才回升至6．2%，此后緩慢提升至2021年的7．6%。中國信息科技產(chǎn)業(yè)起步較晚，信息科技產(chǎn)業(yè)占GDP比重?cái)?shù)據(jù)最早可追溯至2004年的2．6%，2022年約為4．0%。根據(jù)