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無機材料科學基礎(chǔ)知到章節(jié)測試答案智慧樹2023年最新陜西理工大學第一章測試按材料的化學組成(或基本組成)分類,可以分為()。
參考答案:
無機非金屬材料;高分子材料;金屬材料;復合材料按材料尺寸及形態(tài)分類,可以分為()。
參考答案:
零維(納米)材料;二維(薄膜)材料;一維(纖維)材料;三維(塊體)材料主要用于各種現(xiàn)代工業(yè)及尖端科學技術(shù)領(lǐng)域的高性能特種陶瓷包括()。
參考答案:
結(jié)構(gòu)陶瓷;功能陶瓷半導體材料按結(jié)構(gòu)可分為()。
參考答案:
多晶態(tài);非晶態(tài);單晶態(tài)多孔材料共同持點是()。
參考答案:
密度小;比表面積大;孔隙率高;對氣體有選擇性透過作用第二章測試依據(jù)等徑球體的堆積原理得出,六方密堆積的堆積系數(shù)()立方密堆積的堆積系數(shù)。
參考答案:
等于某AX型晶體,A+的電荷數(shù)為1,A-B鍵的S=1/6,則A+的配位數(shù)為()。
參考答案:
6在ABO3(鈣鈦礦)型結(jié)構(gòu)中,B離子占有()。
參考答案:
八面體空隙能夠發(fā)生自發(fā)極化效應的物質(zhì)包括()。
參考答案:
鈦酸鋇構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元為[SiO4],兩個相鄰的[SiO4]之間可以通過哪種方式相互連接()。
參考答案:
共頂?shù)谌聹y試對于形成雜質(zhì)缺陷而言,低價正離子占據(jù)高價正離子位置時,該位置帶有負電荷,為了保持電中性,會產(chǎn)生()。
參考答案:
負離子空位;間隙正離子固溶體的特點是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變,但發(fā)生點陣畸變,性能變化。所形成的固溶體包括有限固溶體和無限固溶體兩種類型,其中()。
參考答案:
結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件,不是充分條件按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因,可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為()。
參考答案:
非化學計量缺陷;熱缺陷;電荷缺陷;雜質(zhì)缺陷位錯的滑移是指位錯在何種力的作用下,在滑移面上的運動,結(jié)果導致永久形變()。
參考答案:
外力熱缺陷亦稱為本征缺陷,是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(原子或離子)。當離子晶體生成肖特基缺陷(Schottkydefect)時,()。
參考答案:
正離子空位和負離子空位是同時成對產(chǎn)生的,同時伴隨晶體體積的增加第四章測試硅酸鹽玻璃的結(jié)構(gòu)是以硅氧四面體為結(jié)構(gòu)單元形成的()的聚集體。
參考答案:
近程有序,遠程無序在硅酸鹽熔體中,當R=O/Si減小時,相應熔體組成和性質(zhì)發(fā)生變化,熔體析晶能力()。
參考答案:
減小可以根據(jù)3T曲線求出熔體的臨界冷卻速率。熔體的臨界冷卻速率越小,就()形成玻璃。
參考答案:
越容易當O/Si比趨近于4時,Li2O-SiO2、Na2O-SiO2、K2O-SiO2三種熔體的粘度大小次序為()。
參考答案:
K2O-SiO2<Na2O-SiO2<Li2O-SiO2Si:O趨近于1/2時硅酸鹽晶體的結(jié)構(gòu)類型為()。
參考答案:
架狀過冷度越大,相應的成核位壘越小,臨界晶核半徑越小,析晶能力()。
參考答案:
不變過冷度愈大,臨界晶核半徑越小,相應地相變()。
參考答案:
愈易進行在硅酸鹽熔體中,當R=O/Si減小時,相應熔體組成和性質(zhì)的變化是:非橋氧百分數(shù)(),熔體粘度增大,熔體析晶傾向減小。
參考答案:
減小第五章測試為提高陶瓷坯釉的附著力,應降低()。
參考答案:
;粗糙度對液固相潤濕性能的影響是()
參考答案:
不一定為了提高液相對固相的潤濕性,在固-氣和液-氣界面張力不變時,必須使液-固界面張力()。
參考答案:
升高固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等,一般說來,同一種物質(zhì),其固體的表面能()液體的表面能。
參考答案:
大于判斷重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi),垂直方向的層間距與體內(nèi)各自是否相同()。
參考答案:
不同;相同第六章測試相的主要特點有()。
參考答案:
相與相之間有界面,越過界面時性質(zhì)突變;一種物質(zhì)可以有幾個相;相與物質(zhì)的數(shù)量多少無關(guān),也與物質(zhì)是否連續(xù)無關(guān)鹽水溶液中的獨立組元數(shù)是()。
參考答案:
2單元系統(tǒng)的相圖中,相界線上的自由度為()。
參考答案:
1Si02高低溫型轉(zhuǎn)變的特點包括()
參考答案:
結(jié)構(gòu)變化小;體積變化小;轉(zhuǎn)變速度快判斷三元系統(tǒng)相圖中界線的性質(zhì)用到的規(guī)則是()。
參考答案:
切線規(guī)則第七章測試在離子型材料中,影響擴散的缺陷來自兩個方面:熱缺陷和摻雜點缺陷。由它們引起的擴散分別稱為()。
參考答案:
本征擴散和非本征擴散穩(wěn)定擴散(穩(wěn)態(tài)擴散)是指在垂直擴散方向的任一平面上,單位時間內(nèi)通過該平面單位面積的粒子數(shù)()。
參考答案:
不隨時間而變化在晶體中存在雜質(zhì)時對擴散有重要的影響,主要是通過(),使得擴散系數(shù)增大。
參考答案:
增加缺陷濃度,使晶格發(fā)生畸變擴散過程與晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系,擴散介質(zhì)結(jié)構(gòu)與擴散的關(guān)系是()。
參考答案:
越緊密;越困難空位擴散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子,而原子反向遷入空位,這種擴散機制適用于()的擴散。
參考答案:
置換型固溶體第八章測試A,B進行反應生成AmBn,為擴散控制的固相反應,若DB》DA,則在AmBn-A界面上,反應物B的濃度CB為()
參考答案:
0兩固相反應,增大壓力有助于顆粒的接觸面積,加速物質(zhì)傳遞過程,使反應速度增加;有液相參加的固相反應,提高壓力不表現(xiàn)積極作用,甚至適得其反。()
參考答案:
對固相反應過程主要包括界面上的化學反應和產(chǎn)物內(nèi)部物質(zhì)傳遞兩個步驟。因此,除反應物的化學組成、特性和結(jié)構(gòu)狀態(tài)以及溫度、壓力等因素外,凡是可能活化晶格,促進物質(zhì)的內(nèi)、外擴散作用的因素,都會對反應產(chǎn)生影響。()
參考答案:
對楊德方程適用于固相反應穩(wěn)定擴散的反應初期。()
參考答案:
對金斯特林格采用楊德球狀模型,但放棄了擴散截面不變的假設(shè)。因此,金斯特林格方程能夠描述轉(zhuǎn)化率很大情況下的固相反應。()
參考答案:
對第九章測試調(diào)幅分解屬于連續(xù)型相變。它是一種無熱力學能壘、無形核的固態(tài)相變。()
參考答案:
對一般而言,隨熔體性質(zhì)不同,自發(fā)結(jié)晶所需的過冷度可以不同,但都包含晶核生成和晶體長大兩個過程。()
參考答案:
對成核-長大型相變是材料中常見的一種相變,如結(jié)晶釉的形成。成核-長大型相變是由()的濃度起伏開始發(fā)生相變,并形成新相核心。
參考答案:
程度大,范圍小在成核-生長機制的液-固相變過程中,其成核過程有非均勻成核與均勻成核之分。將非均勻成核與均勻成核過程的成核勢壘相比較,有如下關(guān)系()。
參考答案:
非均勻成核勢壘≤均勻成核勢壘按熱力學方法分類,相變可以分為一級相變和二級相變,一級相變是在相變時兩相化學勢相等,其一階偏微熵不相等,因此一級相變()。
參考答案:
有相變潛熱,并伴隨有體積改變第十章測試從工藝的角度考慮,下列選項中不是造成二次再結(jié)晶的原因的是()
參考答案:
燒結(jié)溫度過低目前常用γGB晶界能和γSV表面能之比值來衡量燒結(jié)的難易,若材料γGB/γSV越大,則()
參考答案
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