AI算力系列之光通信用光芯片：受益流量增長和全球份額提升

告|行業(yè)深度研究2023年04月20日AI算力系列之光通信用光芯片：受益流量增長和全球份額提升SACS10517030002SACS10522120002后的信息披露和免責(zé)申明行業(yè)評級：強(qiáng)于大市(維持評級)上次評級：強(qiáng)于大市1的國產(chǎn)化率仍較低約5%。涉及上市公司：源杰科技(與電子團(tuán)隊(duì)聯(lián)合覆蓋)、仕佳光子、光迅科技、長光華芯、光庫科技。風(fēng)險(xiǎn)提示：人才及技術(shù)更新風(fēng)險(xiǎn)；下游需求不達(dá)預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；競爭導(dǎo)致毛利率下降風(fēng)險(xiǎn)；潛在競爭的風(fēng)險(xiǎn)；全球化、國產(chǎn)替市公司初步核算數(shù)據(jù)，請以公司最終公告為準(zhǔn)。涉及上市公司票票市值(億元)碼稱2023-04-19子后的信息披露和免責(zé)申明除源杰科技外，其余公司盈利預(yù)測來自wind一致預(yù)測；資料來源：wind，天風(fēng)證券研究所2文之后的信息披露和免責(zé)申明3光通信用光芯片的分類及下游2.磷化銦光芯片市場規(guī)模及競爭格局3.光芯片成本分析以及技術(shù)壁壘4.涉及上市公司請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明41光通信用光芯片的分類及下游砷化鎵1.1.不同類型半導(dǎo)體材料的應(yīng)用領(lǐng)砷化鎵◆半導(dǎo)體材料包括三大類：?1、單元素半導(dǎo)體材料，即以單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，主要包括硅(Si)、鍺(Ge)，其中硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、成本?2、III-V族化合物半導(dǎo)體材料，即以III-V族元素的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，主要包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)，具有電子遷移最成熟的半導(dǎo)體材料，在5G通信、數(shù)據(jù)中心、光纖通信、新一代顯示、人工智能、無?3、寬禁帶半導(dǎo)體，以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等為代表，具有高禁帶寬度、耐高壓和大功率等特點(diǎn)，在通信、新能源汽車等領(lǐng)單元素半導(dǎo)體材料硅鍺IIIV料磷化銦碳化硅特點(diǎn)儲量大、價(jià)格便宜應(yīng)用領(lǐng)域先進(jìn)制程芯片后的信息披露和免責(zé)申明GaAs體激光手機(jī)、電腦射新一代顯電轉(zhuǎn)率高、光纖傳光模塊；激穿戴設(shè)備資料來源：北京通美公告，天風(fēng)證券研究所GaNSiC大功率電動(dòng)汽車快速充電芯片；高新能源汽車；充電鐵芯片樁51.1.2.光通信用光芯片分類◆光芯片按功能可以分為激光器芯片和探測器芯片，其中激光器芯片主要用于發(fā)射信號，將電信號轉(zhuǎn)化為光信號，探測器芯片主要用于接L◆激光器芯片按照材料體系劃分，可以分為砷化鎵GaAs和磷化銦Inp兩套材料體系。芯片和探測器芯片特點(diǎn)請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：源杰科技公告，天風(fēng)證券研究所6摻Sn激光二極管N型半導(dǎo)電襯底摻S激光二極管和光探測器半導(dǎo)電襯底P摻Sn激光二極管N型半導(dǎo)電襯底摻S激光二極管和光探測器半導(dǎo)電襯底P型半導(dǎo)電襯底摻Zn高功率激光二極管磷化銦襯底摻雜半絕緣襯底摻Fe2P射頻器件半絕緣襯底非摻雜半絕緣襯底高純單晶襯底通過高溫退火1.1.3.磷化銦光芯片：分類及下游應(yīng)用P游主要的應(yīng)用。4%4%14%83%光模塊器件高頻射頻器件傳感器件況請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：Yole，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院公眾號，半導(dǎo)體照明網(wǎng)，天風(fēng)證券研究所71.41.4.光通信系統(tǒng)中的光芯片位置及應(yīng)用結(jié)構(gòu)圖◆光通信是以光信號為信息載體，以光纖作為傳輸介質(zhì)，通過電光轉(zhuǎn)換，以光信號進(jìn)行傳輸信息的系統(tǒng)。光通信系統(tǒng)傳輸信號過程中，發(fā)射端通過激光器芯片進(jìn)行電光轉(zhuǎn)換，將電信號轉(zhuǎn)換為光信號，經(jīng)過光纖傳輸至接收端，接收端通過探測器芯片進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，將光信號轉(zhuǎn)換為電信號?！艄庑酒庸し庋b為光發(fā)射組件(TOSA)及光接收組件(ROSA)，再將光收發(fā)組件、電芯片、結(jié)構(gòu)件等進(jìn)一步加工成光模塊。光芯片的圖：光模塊結(jié)構(gòu)示意圖(SFP+封裝)請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：源杰科技公告，天風(fēng)證券研究所81.1.5.光芯片及組件：光模塊中最大的成本項(xiàng)◆根據(jù)中際旭創(chuàng)披露的2016年1-8月光模塊成本構(gòu)成，芯片成本占60-70%(光芯片及組件占50%，比重最大；電芯片成本占15%)，人工和其他成本占23%；◆光模塊中的芯片包含：光芯片(激光器芯片和探測器芯片)、電芯片(LD驅(qū)動(dòng)芯片、TIA跨阻放大芯片、CDR時(shí)鐘和數(shù)據(jù)電路、DSP、MUX&DeMUX等)。人力及其他成本%結(jié)構(gòu)件集成電路芯片光芯片及組件0%請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：中際旭創(chuàng)公告，天風(fēng)證券研究所9露和免責(zé)申明102磷化銦光芯片市場規(guī)模及競爭格局2.1.全球磷化銦芯片市場規(guī)模◆根據(jù)Yole預(yù)測，磷化銦器件應(yīng)用領(lǐng)域正從傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)通信和電信市場向C端消費(fèi)市場擴(kuò)展，預(yù)計(jì)到2026年下游應(yīng)用規(guī)模將達(dá)到約52億美◆數(shù)據(jù)通訊和電信仍然將是磷化銦最大應(yīng)用領(lǐng)域，骨干網(wǎng)全光化和數(shù)據(jù)中心內(nèi)的400G/800G光模塊等對磷化銦激光器件帶來持續(xù)需求，而D請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：中芯晶研官網(wǎng)，Yole，天風(fēng)證券研究所11數(shù)據(jù)中心主要光模塊類別數(shù)據(jù)中心主要光模塊類別對應(yīng)速率主要模塊產(chǎn)品激光器芯片方案◆超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商對400G的部署反映了用戶對云服務(wù)需求的不斷增長，以及對更高帶寬的需求，以支持高要求的應(yīng)用，包括人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)和視頻處理。根據(jù)LightCounting和中際旭創(chuàng)預(yù)計(jì)，從2023年開始數(shù)據(jù)中心800G光模塊將有更多需求，◆數(shù)通產(chǎn)品激光器芯片方案：100G光模塊100GFR4QSFP28100GLR4QSFP28100GER4QSFP28100GFR1QSFP28W200G及以上速率光模塊DRQSFPDD2*200GFR4OSFPFR*50GDFB/EML；EML/硅光CW光源；請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：訊石光通訊網(wǎng)，源杰科技公告，天風(fēng)證券研究所122.2.2.2.2.2.電信市場：光纖寬帶、基站傳輸升級應(yīng)用場景，前傳網(wǎng)絡(luò)帶寬需求將進(jìn)一步提升，在保留現(xiàn)有端口數(shù)量和節(jié)約光纖資源的前提下，業(yè)界已啟動(dòng)50Gb/s及更高速G。請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：深圳市進(jìn)洋聯(lián)合科技有限公司網(wǎng)站，世界光通信之都公眾號，天風(fēng)證券研究所13億美元億美元光纖接入移動(dòng)通信數(shù)據(jù)中心合計(jì)2.3.2.3.磷化銦芯片市場規(guī)?！魪墓饽K市場反推光芯片市場，源杰科技推算2021年光芯片市場總體在150億元左右，其中光纖接入、移動(dòng)通信、數(shù)據(jù)中心分別為14億、G網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的全面升級。ICCG光模塊全球市場規(guī)模7.2其中：10G及以下速率光模塊7其中：25G及以上速率光模塊67.22直接材料成本光芯片及組件占光模塊成本比例光芯片占光芯片及組件材料比例光芯片市場(億美元)223.69.7光芯片市場(億人民幣)369.8462.53.7表：光通信用光芯片市場細(xì)分測算請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：ICC，源杰科技公告，天風(fēng)證券研究所1422.4.各速率廠商份額低約5%。9%光安倫圖：全球2.5G及以下DFB/FP激光器芯片市場份額請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：ICC，源杰科技公告，天風(fēng)證券研究所152.5.2.5.車載激光雷達(dá)應(yīng)用SADAS年的3800萬美元增至2027年的20億美元，成為激光雷達(dá)行業(yè)最大的應(yīng)用領(lǐng)域。與此同時(shí)，無人駕駛出租車市場也將以28%的年均復(fù)合增率增長，到2027年市場規(guī)模將從2021年的1.2億美元增長至6.98億美元。其他7%8857%3%1064nm7%1550nm14%905nm69%請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：Yole，蓋世汽車社區(qū)公眾號等，天風(fēng)證券研究所16露和免責(zé)申明173光芯片成本分析以及技術(shù)壁壘%%5%6%3.1.3.1.光芯片的制造成本構(gòu)成◆成本中，制造成本占比達(dá)59%、人工成本占24%、材料成本占17%(源杰2021年各速率產(chǎn)品成本合并統(tǒng)計(jì))?(1)制造費(fèi)用主要包括折舊費(fèi)、裝修費(fèi)攤銷、水電費(fèi)、光柵加工費(fèi)等其他費(fèi)用。?(2)光芯片的原材料包括襯底、金靶、特殊氣體(主要包括高純氫、磷化氫、液氮等)、三甲基銦、光刻膠、封裝材料(包括管帽等)異丙醇、砷化氫等材料，其他原材料品種較多且占比較低。?(3)襯底供應(yīng)商為通美、住友、云南鍺業(yè)等。24%9%材料費(fèi)用人工制造費(fèi)用圖：光芯片成本構(gòu)成(源杰2021年各速率產(chǎn)品成本合并統(tǒng)計(jì))襯底金靶三甲基銦光刻膠高純氫管帽磷化氫其他液氮圖：光芯片成本中材料費(fèi)用的構(gòu)成(源杰21年數(shù)據(jù))請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：源杰科技公告，天風(fēng)證券研究所183.2.3.2.磷化銦光芯片的生產(chǎn)流程及產(chǎn)業(yè)鏈◆磷化銦產(chǎn)業(yè)鏈上游為晶體生長、襯底和外延片的生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)。從襯底生產(chǎn)的原材料和設(shè)備來看，其中原材料包括金屬銦、紅磷、坩堝等；生產(chǎn)設(shè)備涉及晶體生長爐、研磨機(jī)、拋光機(jī)、切割機(jī)、檢測與測試設(shè)備等。產(chǎn)業(yè)鏈中游包括集成電路設(shè)計(jì)、制造和封測環(huán)節(jié)。產(chǎn)業(yè)。圖：化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)流程請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：北京通美公告，天風(fēng)證券研究所1933.3.磷化銦襯底市場及競爭格局◆根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)顯示，到2026年全球光模塊器件磷化銦襯底(折合兩英寸)預(yù)計(jì)銷量將超過100萬片，2019年-2026年復(fù)合增長率達(dá)◆化合物半導(dǎo)體單晶生長的制備方法有水平布里奇曼法(HB)、垂直布里奇曼法(VB)、液封切克勞斯基法(LEC)、垂直梯度冷凝法 VGFSumitomoVGFVB長出直徑6英寸磷化銦9%9%3%42%36%Sumitomo北京通美日本JX其他請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：北京通美公告，天風(fēng)證券研究所203.4.3.4.磷化銦光芯片制造工藝流程的幾個(gè)難點(diǎn)◆1、量子阱外延層的設(shè)計(jì)和制造：通過MOCVD生長量子阱外延片率與高速性能，是激光器芯片調(diào)制速率能◆2、光柵結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和制造：利用高精度的電子束光柵系統(tǒng)，在制造多條寬度約100nm的變相位周期布拉格光柵掩膜，再技術(shù)，將光柵掩膜圖樣轉(zhuǎn)移至晶圓，然后利用MOCVD蝕層的覆蓋生長，最終在晶圓上形成多周期，實(shí)現(xiàn)激光器發(fā)射的單縱模輸出和特定的發(fā)光◆3、光波導(dǎo)的設(shè)計(jì)和制造：光波導(dǎo)，即光在激光器里傳輸?shù)耐ǖ?。采用光刻技術(shù)制作微米級光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，利用波導(dǎo)材料與周圍材料的折射率差異，引導(dǎo)光子傳輸路徑，使得光子在諧振腔內(nèi)往復(fù)諧振，實(shí)現(xiàn)光子的穩(wěn)定單模態(tài)輸出?！?、光學(xué)端面鍍膜的設(shè)計(jì)和制造：晶圓解離成巴條后，需對暴露的出光端進(jìn)行光學(xué)鍍膜，一側(cè)背光端側(cè)出光端面為高透射鍍膜，利用納米級請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：源杰科技公告，天風(fēng)證券研究所21工藝復(fù)雜度光功率工藝復(fù)雜度光功率單模良率產(chǎn)品特性芯片波長功率離散<±3nm差復(fù)雜功率一致性好±2nm好極限工作溫度高頻特性33.5.磷化銦光芯片制作中量子阱和光柵工藝◆量子阱工藝：晶圓有源發(fā)光區(qū)的量子阱設(shè)計(jì)和制造是激光器芯片的核心。(1)量子阱外延片共包含20~30層結(jié)構(gòu)，每層量子阱厚度4~nmGDFB的材料比例誤差會造成量息光柵工藝，即利用兩束激光的干涉條紋定義周期性掩膜圖形，全息光柵工藝在2.5G激光器廣泛使用；另外一種是電子束光柵工藝即利用電磁場控制電子形成電子束，利用電子束定義掩膜圖形，該工藝技術(shù)較全息光電電子束光柵工藝全息光柵工藝項(xiàng)目請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：源杰科技公告，天風(fēng)證券研究所22請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明234市公司◆公司成立于2013年，聚焦于光芯片行業(yè)，公司已實(shí)現(xiàn)向主流光模塊廠商批量供貨，產(chǎn)品最終成功應(yīng)用于國內(nèi)外知名運(yùn)營商。2020年在磷化銦(InP)半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)品對外銷售的國內(nèi)廠商中，公司收入排名第一，其中10G、25G激光器芯片系列產(chǎn)品的出貨量在國內(nèi)◆除在光通信的應(yīng)用外，在激光雷達(dá)、傳感等領(lǐng)域均有市場前景。源杰科技基于現(xiàn)有磷化銦材料體系，構(gòu)建了多業(yè)務(wù)的拓展能力，在激光nm，氣體傳感領(lǐng)域布局甲烷傳感器，這些有望成為下一個(gè)增長點(diǎn)。300.00250.00200.000050.000.00233.37232.11187%78.84.2895.2981.3170.4122%%233.37232.11187%78.84.2895.2981.3170.4122%%21%15%497%2018A2019A2020A2021A2022E600%500%400%300%200%%%-100%營業(yè)總收入歸屬母公司股東的凈利潤營收增速凈利潤增速90%80%0%60%50%40%30%20%% 0.28%9.71%51.33%90.00%77.69%46.10% %73.84%2019202020211H2022光纖接入4G/5G移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)中心圖：公司收入、凈利潤及增速(百萬元，22年數(shù)據(jù)來自業(yè)績圖：公司收入結(jié)構(gòu)快報(bào))請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：Wind，源杰科技公告，天風(fēng)證券研究所2487%546.32671.60517.9043%32%32%50.1638.0722%2019A2020A87%546.32671.60517.9043%32%32%50.1638.0722%2019A2020A2021A2022E5%4.2.4.2.仕佳光子：無源強(qiáng)者，有源25G光芯片在驗(yàn)證◆公司聚焦光通信行業(yè)，主營業(yè)務(wù)覆蓋光芯片及器件、室內(nèi)光纜、線纜材料三大板塊。公司系統(tǒng)建立了覆蓋芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、芯片加。◆數(shù)據(jù)中心AWG系列有100G/200G/400G/800G高速光模塊的AWG組件和平行光組件；用于數(shù)據(jù)中心之間互聯(lián)的400GZR相干傳輸?shù)腄WDM◆激光器芯片產(chǎn)品有2.5GDFB和10GDFB，CWDFB(硅光用大功率)，特殊波長光源等。2.5G、10G激光器芯片處于可量產(chǎn)階段，截止到G的驗(yàn)證中。1,000.00800.00600.00400.00200.000.00-200.00903.19817.3466.1766.172018A2018A%營業(yè)總收入歸屬母公司股東的凈利潤營收增速凈利潤增速圖：公司收入、凈利潤及增速(百萬元，22年業(yè)績來自業(yè)績快報(bào))100%90%80%70%60%50%40%30%20%0%0%AWG芯片系列產(chǎn)品19%線纜材料26%PLC分路器芯片系列產(chǎn)品14%室內(nèi)光纜2室內(nèi)光纜27%6%DFB激光器芯片系其他光器件類隔離器列產(chǎn)品0%2%6%請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：Wind，天風(fēng)證券研究所254.3.4.3.光迅科技：光芯片光模塊一體化◆公司主要產(chǎn)品有光電子器件、模塊和子系統(tǒng)產(chǎn)品，按應(yīng)用領(lǐng)域可分為傳輸類、接入類、數(shù)據(jù)通信類。公司擁有從芯片、器件、模塊到子統(tǒng)的垂直集成能力，擁有光芯片、耦合封裝、硬件、軟件、測試、結(jié)構(gòu)和可靠性七大技術(shù)平臺，支撐公司有源器件和模塊、無源器件◆有源光芯片的研發(fā)方向包括25G/50G的DFB/EML以及高端探測器。7,000.006,000.005,000.004,000.003,000.002,000.001,000.000.0083%83%8%83%83%8%6,046.026,046.0236%5,337.925,337.925,280.804,929.0516%13.3%11.7%00%8%8%7.3%3332.72357.357.704487.38567.27567.27492.142018A2019A2020A2021A2022前三季營業(yè)總收入歸屬母公司股東的凈利潤營收增速凈利潤增速圖：公司收入、凈利潤及增速(百萬元)40.0%35.0%30.0%25.0%20.0%.0%.0%5.0%0.0%-5.0%其他主營業(yè)務(wù)接入和數(shù)據(jù)40%傳輸59%請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：Wind，天風(fēng)證券研究所2644.4.長光華芯：短期砷化鎵，長期定位綜合性廠商◆公司聚焦半導(dǎo)體激光行業(yè)，專注于半導(dǎo)體激光芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)及制造，主要產(chǎn)品包括高功率單管系列產(chǎn)品、高功率巴條系列產(chǎn)品、高VCSEL等，逐步實(shí)現(xiàn)高功率半導(dǎo)體激光芯片的國產(chǎn)化，已建成覆蓋芯片設(shè)計(jì)、外延生長、晶圓處理工藝(光刻)、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺和3吋、6吋量產(chǎn)線，應(yīng)用于多款半導(dǎo)體激光芯片開發(fā)。發(fā)和生產(chǎn)線，具備從晶圓級MOCVD外延材料生長、晶圓流片、解理鍍膜、封裝和器件級的所有測試驗(yàn)證全流程的能力。公司已推出APD0G光接收機(jī)，在主要指標(biāo)方面與國際水平相近。◆車載雷達(dá)光芯片：VCSEL與EEL材料體系相同(砷化鎵)，工藝重合度在70%以上，設(shè)備可復(fù)用。22年12月完成了車規(guī)體系16949的認(rèn)證，AECQ2認(rèn)證。500.00400.00300.00200.00100.000.00-200.0042429.09340%386.2650%120%78%50%120%78%74%74%9%2247.18-10%1138.51192.4315.15.32125.1226.1826.182018A2018A-795%2019A22020A22021A20222022E400%200%0%-200%-400%-600%-800%-1000%營業(yè)總收入歸屬母公司股東的凈利潤營收增速凈利潤增速圖：公司收入、凈利潤及增速(百萬元，22年業(yè)績來自業(yè)績快報(bào))廢料銷售 0.7%廢料銷售 0.7%其他主營業(yè)務(wù)0.3%1.9%高功率巴條系列13.0%高功率單管系列84.1%請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：Wind，天風(fēng)證券研究所274.4.5.光庫科技：鈮酸鋰調(diào)制器有望份額提升◆公司是專業(yè)從事光纖器件、鈮酸鋰調(diào)制器件及光子集成器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。包括三大產(chǎn)品系列：1)光纖激光器件主要產(chǎn)駛等領(lǐng)域。2)光通訊器件包含兩個(gè)部ps100/200Gbps鈮酸鋰相干調(diào)制器、10Gbps零啁啾強(qiáng)度調(diào)制器等，主要應(yīng)用于超高速干線光通信網(wǎng)、超高速數(shù)據(jù)中心等?！翕壦徜囯姽庹{(diào)制器主要用在100Gbps以上直至1.2Tbps的長距骨干網(wǎng)相干通訊和單波100/200Gbps的超高速數(shù)據(jù)中心上。由于電信級鈮酸鋰高速調(diào)制器芯片及器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)難度大，工藝較為復(fù)雜，截止22年8月全球僅有三家主要供應(yīng)商可批量供貨，主要為富士通、住友制器芯片及器件產(chǎn)能。000000400.000.00118667.80667.80121%491.60491.60493.90.78289.2289.2833%35%36%26%26%23%1%-28%2018A2019A2020A2021A2022前三季%營業(yè)總收入歸屬母公司股東的凈利潤營收增速凈利潤增速圖：公司收入、凈利潤及增速(百萬元)主營業(yè)務(wù)鈮酸鋰調(diào)制器件光器件請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明資料來源：Wind，天風(fēng)證券研究所28請務(wù)必閱讀正文之后的信息披露和免責(zé)申明29風(fēng)險(xiǎn)提示?1.人才及技術(shù)更新風(fēng)險(xiǎn)：光芯片行業(yè)具備高壁壘、高投入特點(diǎn)，若相關(guān)企業(yè)不能保持人才及技術(shù)優(yōu)勢，產(chǎn)品迭代、性能突破可能受阻。?2.下游需求不達(dá)預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)：磷化銦光芯片主要下游為光模塊，主要應(yīng)用于電信以及數(shù)通市場，電信運(yùn)營商、互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算廠商的相關(guān)投入可能不及預(yù)期。?3.競爭導(dǎo)致毛利率下降風(fēng)險(xiǎn)：國內(nèi)外參與光芯片競爭的廠商，參與廠商若加大市場開拓或參與廠商增加，可能導(dǎo)致產(chǎn)品價(jià)格下滑過快，影響廠商的利潤水平。?4.潛在競爭的風(fēng)險(xiǎn)：第三方光芯片廠下游包括單獨(dú)模塊廠以及一體化模塊廠，第三方光芯片廠與下游存在競合關(guān)系，未來一體