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催化基礎(chǔ)與催化劑表征化學(xué)工藝系王亞權(quán)20#-308.Tel:27406335催化基礎(chǔ)與催化劑表征化學(xué)工藝系1六.X-射線光電子能譜(XPS)在催化中的應(yīng)用催化反應(yīng)是在表面上進(jìn)行的,催化劑表面的性質(zhì)對(duì)催化反應(yīng)有決定性的影響六.X-射線光電子能譜(XPS)在催化中的應(yīng)用2六.X-射線光電子能譜(XPS)在催化中的應(yīng)用催化反應(yīng)是在表面上進(jìn)行的,催化劑表面的性質(zhì)對(duì)催化反應(yīng)有決定性的影響催化劑表面上有什么元素?各元素的價(jià)態(tài)?催化劑表面的組成?六.X-射線光電子能譜(XPS)在催化中的應(yīng)用31.XPS的原理較高能量的X射線作用于樣品后,能把元素內(nèi)層的電子激發(fā)成自由電子,直接逸出表面的叫光電子;間接逸出表面的叫俄歇電子1.XPS的原理41.XPS的原理逸出的電子具有一定的動(dòng)能。用能量分析器可以檢測(cè):(1)不同電子的動(dòng)能;(2)具有相同動(dòng)能的電子數(shù)1.XPS的原理51.XPS的原理逸出的電子具有一定的動(dòng)能。用能量分析器可以檢測(cè):(1)不同電子的動(dòng)能;(2)具有相同動(dòng)能的電子數(shù)內(nèi)層電子包括:s,p,d,f1.XPS的原理6XPS的原理

BE=h-KEBE:結(jié)合能(Bindingenergy)h:入射光束(X-射線)的能量KE:動(dòng)能(KineticEnergy)XPS的原理7XPS的原理

BE=h-KEBE:結(jié)合能(Bindingenergy)h:入射光束(X-射線)的能量KE:動(dòng)能(KineticEnergy)xxx催化劑的X-射線光電子能譜XPS的原理8能譜的分類:光源為X-射線,用能量分析器分析激發(fā)出來(lái)的光電子,叫X-射線光電子能譜(X-RayPhotoelectronSpectroscopy,XPS)能譜的分類:9能譜的分類:光源為X-射線,用能量分析器分析激發(fā)出來(lái)的光電子,叫X-射線光電子能譜(X-RayPhotoelectronSpectroscopy,XPS)光源為紫外線,用能量分析器分析激發(fā)出來(lái)的光電子,叫紫外線光電子能譜(UltravioletPhotoelectronSpectroscopy,UPS)能譜的分類:10能譜的分類:光源為X-射線,用能量分析器分析激發(fā)出來(lái)的光電子,叫X-射線光電子能譜(X-RayPhotoelectronSpectroscopy,XPS)光源為紫外線,用能量分析器分析激發(fā)出來(lái)的光電子,叫紫外線光電子能譜(UltravioletPhotoelectronSpectroscopy,UPS)用能量分析器分析激發(fā)出來(lái)的俄歇電子,叫俄歇電子能譜(AugerelectronSpectroscopy,AES)能譜的分類:112.能譜譜圖的獲得:(1)收錄全譜(2)對(duì)某些特征元素的能量范圍進(jìn)行窄掃描(局部放大)。一般來(lái)講,要收集全部元素的窄掃描譜例1.某吸附分離劑的XPS能譜圖2.能譜譜圖的獲得:122.能譜譜圖的獲得:例2.某Pd/C催化劑的XPS能譜圖2.能譜譜圖的獲得:133.元素的特征峰X-射線作用于樣品上,多種內(nèi)層電子都能被激發(fā)出來(lái)。但每種元素都有1、2個(gè)代表自己的最強(qiáng)峰。而不同元素的最強(qiáng)峰之間很少重疊。因此,這些特征峰便成了識(shí)別元素的標(biāo)記。3.元素的特征峰143.元素的特征峰X-射線作用于樣品上,多種內(nèi)層電子都能被激發(fā)出來(lái)。但每種元素都有1、2個(gè)代表自己的最強(qiáng)峰。而不同元素的最強(qiáng)峰之間很少重疊。因此,這些特征峰便成了識(shí)別元素的標(biāo)記。根據(jù)特征峰出現(xiàn)的位置,可定量分析樣品表面的元素組成3.元素的特征峰153.元素的特征峰X-射線作用于樣品上,多種內(nèi)層電子都能被激發(fā)出來(lái)。但每種元素都有1、2個(gè)代表自己的最強(qiáng)峰。而不同元素的最強(qiáng)峰之間很少重疊。因此,這些特征峰便成了識(shí)別元素的標(biāo)記。根據(jù)特征峰出現(xiàn)的位置,可定量分析樣品表面的元素組成可以從物理手冊(cè)中查零價(jià)元素的結(jié)合能。如:Ni2p:852.7ev3.元素的特征峰164.峰強(qiáng)度峰強(qiáng)度與樣品中原子濃度直接相關(guān),但無(wú)法建立絕對(duì)關(guān)系,因此無(wú)法進(jìn)行絕對(duì)定量。但通過(guò)校正方法求得相對(duì)靈敏度因子,可以求相對(duì)含量4.峰強(qiáng)度174.峰強(qiáng)度峰強(qiáng)度與樣品中原子濃度直接相關(guān),但無(wú)法建立絕對(duì)關(guān)系,因此無(wú)法進(jìn)行絕對(duì)定量。但通過(guò)校正方法求得相對(duì)靈敏度因子,可以求相對(duì)含量如某Ni-Cu/Al2O3催化劑表面上Ni/Cu原子比Ai為能譜峰的面積;Si為相對(duì)靈敏度因子(由工程師確定)4.峰強(qiáng)度185.化學(xué)位移原子內(nèi)層的電子受兩方面作用:(1)原子核的吸引;(2)其它電子的排斥5.化學(xué)位移195.化學(xué)位移原子內(nèi)層的電子受兩方面作用:(1)原子核的吸引;(2)其它電子的排斥5.化學(xué)位移205.化學(xué)位移原子的化學(xué)環(huán)境發(fā)生變化(如價(jià)態(tài)變化,或與電負(fù)性不同的原子相結(jié)合),引起原子的外層價(jià)電子密度發(fā)生變化。5.化學(xué)位移215.化學(xué)位移原子的化學(xué)環(huán)境發(fā)生變化(如價(jià)態(tài)變化,或與電負(fù)性不同的原子相結(jié)合),引起原子的外層價(jià)電子密度發(fā)生變化。當(dāng)外層價(jià)電子密度減少時(shí)(如正氧化態(tài),或與電負(fù)性比它大的原子相結(jié)合),BE增加;反之,減少5.化學(xué)位移225.化學(xué)位移原子的化學(xué)環(huán)境發(fā)生變化(如價(jià)態(tài)變化,或與電負(fù)性不同的原子相結(jié)合),引起原子的外層價(jià)電子密度發(fā)生變化。當(dāng)外層價(jià)電子密度減少時(shí)(如正氧化態(tài),或與電負(fù)性比它大的原子相結(jié)合),BE增加;反之,減少由化學(xué)因素引起的化學(xué)結(jié)合能位移,稱為化學(xué)位移5.化學(xué)位移235.化學(xué)位移因此,可以通過(guò)化學(xué)位移的研究,反過(guò)來(lái)判斷原子的狀態(tài)、它們所處的化學(xué)環(huán)境以及分子結(jié)構(gòu)5.化學(xué)位移245.化學(xué)位移因此,可以通過(guò)化學(xué)位移的研究,反過(guò)來(lái)判斷原子的狀態(tài)、它們所處的化學(xué)環(huán)境以及分子結(jié)構(gòu)XPS研究的初始目的:5.化學(xué)位移255.化學(xué)位移因此,可以通過(guò)化學(xué)位移的研究,反過(guò)來(lái)判斷原子的狀態(tài)、它們所處的化學(xué)環(huán)境以及分子結(jié)構(gòu)需要指出的是,化學(xué)位移是由外層價(jià)電子密度引起的,只有某種范圍內(nèi)的對(duì)應(yīng)關(guān)系,而與價(jià)態(tài)沒(méi)有絕對(duì)的對(duì)應(yīng)關(guān)系。也就是說(shuō),根據(jù)化學(xué)位移很難判定該原子是幾價(jià)原子。常常需要利用與各種標(biāo)準(zhǔn)樣品的結(jié)合能對(duì)照,從而找出不同元素在不同化合物中的各種價(jià)態(tài)與電子結(jié)合能變化的對(duì)應(yīng)關(guān)系。Ni02p:852.7eVNiO:853.8Ni2O3:856.8Ni(NO3)2:857.01.1eV4.1eV4.3eV5.化學(xué)位移1.1eV4.1eV4.3eV266.物理位移和能量坐標(biāo)校正由于種種物理因素,如表面核電效應(yīng)、固體的熱效應(yīng)、聚集態(tài)的固態(tài)效應(yīng)等,也會(huì)引起電子結(jié)合能的變化---物理位移6.物理位移和能量坐標(biāo)校正276.物理位移和能量坐標(biāo)校正由于種種物理因素,如表面核電效應(yīng)、固體的熱效應(yīng)、聚集態(tài)的固態(tài)效應(yīng)等,也會(huì)引起電子結(jié)合能的變化---物理位移為了精確測(cè)定結(jié)合能,需要對(duì)譜圖的能量坐標(biāo)進(jìn)行校正。其基本方法是利用譜圖中已知結(jié)合能的峰作為參考峰(校正峰)6.物理位移和能量坐標(biāo)校正286.物理位移和能量坐標(biāo)校正(1)以污染物的C1s峰作為參考(BE=284.5eV)6.物理位移和能量坐標(biāo)校正296.物理位移和能量坐標(biāo)校正(1)以污染物的C1s峰作為參考(BE=284.5eV)(2)用一組樣品中含有的共同組分的特征峰為標(biāo)準(zhǔn) 如10%Ni/Al2O3 10%Ni-1%La2O3/Al2O3 10%Ni-5%La2O3/Al2O3 10%Ni-10%La2O3/Al2O3一系列催化劑,可以用Al2p峰為標(biāo)準(zhǔn)。6.物理位移和能量坐標(biāo)校正306.物理位移和能量坐標(biāo)校正(3)使用穩(wěn)定的物質(zhì)為標(biāo)準(zhǔn)與樣品混合 如Na+,K+的外層電子密度變化很小,可以與樣品共研細(xì),用Na2p,K2p峰為標(biāo)準(zhǔn) 但應(yīng)注意,它們可能與催化劑相互作用6.物理位移和能量坐標(biāo)校正317.注意問(wèn)題(1)受激電子逸出樣品的平均自由程很短,一般為10個(gè)原子層

XPS是強(qiáng)有力的表面分析技術(shù): 無(wú)機(jī)物:0.52.5nm層的信息; 有機(jī)物:410nm層的信息7.注意問(wèn)題327.注意問(wèn)題(1)受激電子逸出樣品的平均自由程很短,一般為10個(gè)原子層

XPS是強(qiáng)有力的表面分析技術(shù): 無(wú)機(jī)物:0.52.5nm層的信息; 有機(jī)物:410nm層的信息(2)對(duì)輕重元素都相當(dāng)有效

除H2,He外都能分析。但靈敏度不高,一般為百分之幾到千分之幾7.注意問(wèn)題337.注意問(wèn)題(1)受激電子逸出樣品的平均自由程很短,一般為10個(gè)原子層

XPS是強(qiáng)有力的表面分析技術(shù): 無(wú)機(jī)物:0.52.5nm層的信息; 有機(jī)物:410nm層的信息(2)對(duì)輕重元素都相當(dāng)有效

除H2,He外都能分析。但靈敏度不高,一般為百分之幾到千分之幾(3)對(duì)負(fù)載的微量金屬,分析困難

含量<0.1%時(shí),組分檢測(cè)不到7.注意問(wèn)題348.XPS在催化研究中的應(yīng)用(1)催化劑組分鑒定8.XPS在催化研究中的應(yīng)用358.XPS在催化研究中的應(yīng)用(2)價(jià)態(tài)研究8.XPS在催化研究中的應(yīng)用368.XPS在催化研究中的應(yīng)用(3)表面組成的半定量如某Ni-Cu/Al2O3催化劑表面上Ni/Cu原子比可用XPS確定:8.XPS在催化研究中的應(yīng)用378.XPS在催化研究中的應(yīng)用(3)表面組成的半定量如某Ni-Cu/Al2O3催化劑表面上Ni/Cu原子比將樣品溶解后,用原子吸收分析催化劑中Ni,Cu的總含量,得出

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