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第二章晶體構(gòu)造與晶體中的缺陷經(jīng)典構(gòu)造類型硅酸鹽晶體構(gòu)造晶體構(gòu)造缺陷第一節(jié)經(jīng)典構(gòu)造類型金屬單質(zhì)晶體構(gòu)造非金屬單質(zhì)晶體構(gòu)造無機(jī)化合物晶體構(gòu)造一、金屬單質(zhì)晶體構(gòu)造同種元素構(gòu)成的晶體稱為單質(zhì)晶體。經(jīng)典金屬的晶體構(gòu)造是最簡樸的晶體構(gòu)造。因為金屬鍵的性質(zhì),使經(jīng)典金屬的晶體具有高對稱性,高密度的特點。常見的經(jīng)典金屬晶體是面心立方、體心立方和密排六方三種晶體。常見金屬晶體的晶胞構(gòu)造(a)面心立方(A1型)(b)體心立方(A2型)(c)密排六方(A3型)有些金屬因為其鍵的性質(zhì)發(fā)生變化,常具有一定成份的共價鍵,會呈現(xiàn)某些不常見的構(gòu)造。錫是A4型構(gòu)造(與金剛石相同),銻是A7型構(gòu)造等。二、非金屬單質(zhì)的晶體構(gòu)造1、惰性氣體元素的晶體惰性氣體以單原子分子形式存在,在低溫下形成的晶體為A1(面心立方)型或A3(六方密堆)型構(gòu)造。2、非金屬元素的晶體構(gòu)造——分子晶體假如某非金屬元素的原子能以單鍵與其他原子共價結(jié)合形成單質(zhì)晶體,則每個原子周圍共價單鍵的數(shù)目為8減去元素所在周期表的族數(shù)(m),即共價單鍵數(shù)目為8-m,亦稱為8-m規(guī)則。休謨-偌瑟瑞(Hume-Rothery)規(guī)則:對于第VII族元素:所以,其晶體構(gòu)造是:兩個原子先以單鍵共價結(jié)合成雙原子分子,雙原子分子之間再經(jīng)過范德華力結(jié)合形成份子晶體,每個原子周圍共價單鍵的個數(shù)為:8-7=1對于第VI族元素:每個原子周圍共價單鍵個數(shù)為:8-6=2其晶體構(gòu)造是:共價結(jié)合的無限鏈狀分子或有限環(huán)狀分子,鏈或環(huán)之間由經(jīng)過范德華力結(jié)合形成晶體非金屬元素單質(zhì)晶體的構(gòu)造基元:第VI族元素對于第V族元素:每個原子周圍共價單鍵個數(shù)為:8-5=3其晶體構(gòu)造是:原子之間首先共價結(jié)合形成無限層狀單元,層狀單元之間借助范德華力結(jié)合形成晶體非金屬元素單質(zhì)晶體的構(gòu)造基元:第V族元素其中:C、Si、Ge皆為金剛石構(gòu)造,由四面體以共頂方式共價結(jié)合形成三維空間構(gòu)造。每個原子周圍共價單鍵個數(shù)為:8-4=4對于第IV族元素:非金屬元素單質(zhì)晶體的構(gòu)造基元:第IV族元素經(jīng)典非金屬元素晶體構(gòu)造(1)金剛石構(gòu)造金剛石構(gòu)造:Si、Ge、灰錫α-Sn、人工合成的立方氮化硼B(yǎng)N……(2)石墨構(gòu)造石墨型構(gòu)造:人工合成的六方氮化硼B(yǎng)N……三、無機(jī)化合物晶體構(gòu)造(離子晶體)根據(jù)數(shù)量關(guān)系(化學(xué)式):AX型、AX2型、A2X3型、ABO3型、ABO4型、AB2O4型根據(jù)密堆積形式:面心立方緊密堆積六方緊密堆積常用分析措施:坐標(biāo)系法、密堆積法和多面體配置法分析離子晶體構(gòu)造的措施:1、擬定陰離子的堆積方式,明確陰離子的位置(坐標(biāo))和四、八面體空隙的位置。2、根據(jù)r+/r-值,擬定陽離子配位數(shù)CN。3、單位晶胞的分子數(shù)4、陽離子在四、八面體空隙中的填充情況。5、配位多面體之間的關(guān)系。(一)AX型構(gòu)造主要有CsCl型、NaCl型、ZnS型、NiAs型等1、NaCl型構(gòu)造NaCl晶胞圖NaCl型:MgO、CaO、SrO、BaO、MnO、FeO、CoO、NiO等方解石晶體構(gòu)造變形的NaCl構(gòu)造形式CaCO3Ca2+的配位數(shù)為6例:MgO具有NaCl構(gòu)造。根據(jù)O2-半徑為0.140nm和Mg2+半徑為0.072nm,計算球狀離子所占據(jù)的體積分?jǐn)?shù)和MgO的密度。畫出MgO在(111)/(110)/(100)晶面上的離子排布圖,計算每個晶面上離子排列的面密度,并指出四面體和八面體空隙的位子。晶胞常數(shù)a0理論密度D02、CsCl型構(gòu)造CsCl型:CsBr、CsI、TlCl、NH4Cl……3、β-ZnS(閃鋅礦)型構(gòu)造閃鋅礦晶體構(gòu)造閃鋅礦型:β-SiC,Be、Cd、Hg等的硫化物、硒化物和碲化物,CuCl等4、α-ZnS(纖鋅礦)型構(gòu)造纖鋅礦型:BeO、ZnO、AlN、CdS、GaAs等閃鋅礦與纖鋅礦的構(gòu)造區(qū)別:[ZnS4]四面體層的配置情況不同1、CaF2(螢石)型構(gòu)造(二)AX2型構(gòu)造主要有螢石(CaF2)型、金紅石(TiO2)型、CdI2(碘化鎘)型等螢石型晶體構(gòu)造中多面體連接方式螢石型(RO2):反螢石型(R2O):ZrO2、ThO2、CeO2、VO2、BaF2等Li2O、Na2O、K2O…….2、TiO2(金紅石)型構(gòu)造TiO2(金紅石)型:GeO2、SnO2、PbO、MnO2……3、CdI2(碘化鎘)型構(gòu)造CdI2型:Ca(OH)2、Mg(OH)2、CaI2、MgI2……——α-Al2O3(剛玉)型構(gòu)造(三)A2X3型構(gòu)造α-Al2O3構(gòu)造中,O-Al排列順序:OAAlDOBAlEOAAlFOBAlDOAAlEOBAlFOAAlD剛玉型:α-Fe2O3、Cr2O3、Ti2O3、V2O3、FeTiO3、LiNbO3——CaTiO3(鈣鈦礦)型構(gòu)造(四)ABO3型構(gòu)造CaTiO3(鈣鈦礦)型:PbTiO3、BaTiO3……在理想對稱的ABO3型構(gòu)造中,三種離子半徑有如下關(guān)系:實際晶體的測定發(fā)覺:t為容差因子,其值為0.77~1.10范圍時,鈣鈦礦型構(gòu)造都穩(wěn)定?!狹gAl2O4(尖晶石)型構(gòu)造(五)AB2O4型構(gòu)造

正尖晶石:二價陽離子A填充于四面體空隙,三價陽離子B填充于八面體空隙的叫正尖晶石。反尖晶石:二價陽離子A填充于八面體空隙,

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