光刻膠的分類與效果課件

LED光刻及相關(guān)工藝技術(shù)光刻工藝中的基本知識2.光刻工藝中的常用技術(shù)(1).光刻膠的熱特性及其重要性(2).金屬剝離技術(shù)---Lift-offmetal和P.R的厚度比;P.R的斷面形狀;底層金屬的粘付性;溶膠法和藍(lán)膜粘離法;EB設(shè)備.(3).半球形膠面的制備及應(yīng)用(4).底膠的去除問題(5).其它3.與光刻工藝相關(guān)的其它技術(shù)光刻膠的分類與效果1.圖相轉(zhuǎn)移技術(shù)（光刻）的基本知識：光刻工藝是指將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底表面光刻膠上的技術(shù)--------要求高精度尺寸轉(zhuǎn)移,確定光刻工藝條件,必須以圖形尺寸變化量的大小為重要依椐之一.衍射是影響圖形尺寸變化的重要原因。

光刻膠的分類與效果光源:

汞燈：e線——546nmh線——406nmg線——436nmi線——365nmUV——248nmEB——埃量級最小特征尺寸：△L＝K1λ／NA

λ（波長），NA（透鏡的數(shù)值孔徑）

K1與工藝參數(shù)有關(guān)(一般取0.75)*要注意光刻膠所要求的

光源波長;短波長適用于

小尺寸.光刻膠的分類與效果NA（數(shù)值孔徑）：

對于一個理想的鏡頭系統(tǒng)，圖像的質(zhì)量僅僅受到由于NA的大小有限而造成衍射光不能通過鏡頭。透鏡收集衍射光并把這些衍射光會聚到一點(diǎn)成像的能力用數(shù)值孔徑來表示。

NA

≈（n）透鏡的半徑／透鏡的焦長

顯然,NA越大,λ越短，越可以得到更小的特征尺寸。

光刻膠的分類與效果

分辨率界限內(nèi)的圖象傳遞入射到掩膜版上的紫外線掩膜版版上圖形光學(xué)系統(tǒng)理想傳遞實(shí)際傳遞晶片位置(任意單位)入射光強(qiáng)度圖形轉(zhuǎn)移過程光刻膠的分類與效果消衍射光學(xué)系統(tǒng):衍射可引起轉(zhuǎn)移尺寸的變化

*要選擇好合適的光照時間光刻膠的分類與效果溶劑光刻膠染劑附加劑光敏劑樹脂光刻膠的成分：光刻膠的類型可分為正性光刻膠、負(fù)性光刻膠和反轉(zhuǎn)膠。光刻膠的分類與效果光刻膠與掩膜版負(fù)性膠光刻膠的分類與效果正性膠

光刻膠的分類與效果反轉(zhuǎn)膠:通過兩次光照,用負(fù)膠版得到正膠版的圖形,解決正膠版難對版的問題,但價格太貴.光刻膠的分類與效果勻膠:勻膠機(jī)Spinner;要控制涂膠量,實(shí)際上轉(zhuǎn)數(shù)一定滴膠量不同膠厚不同。邊沿偏厚。光刻膠的分類與效果外力光刻膠晶片溶劑蒸發(fā)光刻膠旋轉(zhuǎn)i加熱底盤最終厚度蒸發(fā)后的溶劑保留的固態(tài)物（固含量或留膜率）烘膠:Hotplate—溫度梯度不同---烘箱（影響膠的狀態(tài)）

光刻膠的分類與效果曝光方式可分為接觸式、接近式和投影式。根據(jù)光刻面的不同有單面對準(zhǔn)光刻和雙面對準(zhǔn)光刻。曝光:光刻工藝的曝光方式：光刻膠的分類與效果光刻設(shè)備簡介勻膠機(jī)spinner熱板或烘箱HotPlateorOven光刻機(jī)Aligner去膠機(jī)PlasmaAsherandstripper光刻膠的分類與效果勻膠機(jī)Spinner和Hotplate儀器名稱：勻膠機(jī)制造廠：德國KarlSuss

型號規(guī)格：Delta80T2

主要技術(shù)指標(biāo)：·Gyrset5”,max.4,000rpm·Gyrset3”,max.5,000rpm應(yīng)用范圍：·勻膠(可帶去膠邊裝置及自動顯影機(jī))使用步驟：放片取片吸片N2吹凈旋轉(zhuǎn)擦凈片臺控制面板勻膠機(jī)蓋板HP蓋板勻膠光刻膠的分類與效果德國KarlSuss公司MA6/BA6雙面對準(zhǔn)光刻機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)：

基片雙面對準(zhǔn)(包括鍵合預(yù)對準(zhǔn))；

基片尺寸：10′10mm2~F100mm；

光源波長：435nm和365nm；

套刻精度：<1um；

光源均勻性：<5%

四種曝光方式(軟接觸、硬接觸、低真空，真空)顯微鏡目鏡顯微鏡物鏡版架承片臺監(jiān)視器控制面板對位左右調(diào)整對位角度調(diào)整光刻機(jī)設(shè)備：光刻膠的分類與效果微波Plasma去膠機(jī)（AsherandStripper）儀器名稱：去膠機(jī)制造廠：PVATePlaAG

型號規(guī)格：Model300PlasmaSystem

主要技術(shù)指標(biāo)：·2.45GHz

·0-1000Watt

·2-4separategaschannel

·processpressure：0.2-2mbar應(yīng)用范圍：·photoresiststripping

·surfacecleaning

目的：掃膠，去膠，處理表面.碳?xì)浠衔?PR)可以在氧等離子體中被腐蝕,原因是等離子體中產(chǎn)生原子氧,化學(xué)性質(zhì)極為活潑,與H,C反應(yīng)生成易揮發(fā)性產(chǎn)物如,H2O,CO,CO2等,此過程叫作灰化.去光刻膠底膜后，若下層有待腐蝕材料如氧化硅,可以提高腐蝕的均勻性，提高基片與待蒸發(fā)金屬的粘附性.13.56MHz射頻放電的電勢是幾百電子伏,2.45GHz的微波放電的電勢只有幾十電子伏,而且原子和官能團(tuán)受激活的濃度大大提高.因此,對晶片的損傷小,除膠效果強(qiáng).光刻膠的分類與效果前處理預(yù)烘100C10min堅(jiān)膜100C10min顯影40sec對準(zhǔn)曝光8sec前烘100C5min勻膠4000rps膠厚1.4um（以AZ6130為例）膠厚大約2um，顯影時間<1min視為較好的曝光顯影時間的配合光刻工藝的基本步驟（如同洗印相片）：光刻膠的分類與效果maskresistpositiveslope(a)exposure(b)development正性膠負(fù)性膠（L300,SU8）maskresistundercut(a)exposure(b)development(AZ6130，S9912,AZ4620)

實(shí)例：光刻膠的分類與效果反轉(zhuǎn)膠（AZ5214,AZ5200）

特點(diǎn)：負(fù)膠掩膜版、兩次曝光、