存儲器測試題省公開課金獎全國賽課一等獎微課獲獎?wù)n件

第９章（選擇、判斷共25題）一、選擇題1．一個容量為1K×8存放器有

個存放單元。A.8

B.8K

C.8000

D.81922．要組成容量為4K×8RAM，需要

片容量為256×4RAM。A.2

B.4

C.8

D.32答案:D答案:BD1/93．尋址容量為16K×8RAM需要

根地址線。A.4

B.8

C.14

D.16

E.16K4．若RAM地址碼有8位，行、列地址譯碼器輸入端都為4個，則它們輸出線（即字線加位線）共有

條。A.8

B.16

C.32

D.256答案:C答案:C2/95．某存放器含有8根地址線和8根雙向數(shù)據(jù)線，則該存放器容量為

。A.8×3

B.8K×8

C.256×8

D.256×2566.采取對稱雙地址結(jié)構(gòu)尋址1024×1存放矩陣有

。A.10行10列

B.5行5列

C.32行32列

D.1024行1024列答案:C答案：C3/97．隨機(jī)存取存放器含有

功效。A.讀/寫

B.無讀/寫

C.只讀

D.只寫8．欲將容量為128×1RAM擴(kuò)展為1024×8，則需要控制各片選端輔助譯碼器輸出端數(shù)為

。A.1

B.2

C.3

D.89．欲將容量為256×1RAM擴(kuò)展為1024×8，則需要控制各片選端輔助譯碼器輸入端數(shù)為

。A.4

B.2

C.3

D.8答案：A答案：D答案：B

4/910．只讀存放器ROM在運(yùn)行時含有

功效。A.讀/無寫B(tài).無讀/寫

C.讀/寫

D.無讀/無寫11．只讀存放器ROM中內(nèi)容，當(dāng)電源斷掉后又接通，存放器中內(nèi)容

。A.全部改變B.全部為0

C.不可預(yù)料

D.保持不變12．隨機(jī)存取存放器RAM中內(nèi)容，當(dāng)電源斷掉后又接通，存放器中內(nèi)容

。A.全部改變B.全部為1

C.不確定

D.保持不變答案：A

答案：D答案：C5/913．一個容量為512×1靜態(tài)RAM含有

。A.地址線9根，數(shù)據(jù)線1根B.地址線1根，數(shù)據(jù)線9根C.地址線512根，數(shù)據(jù)線9根

D.地址線9根，數(shù)據(jù)線512根14．用若干RAM實(shí)現(xiàn)位擴(kuò)展時，其方法是將

對應(yīng)地并聯(lián)在一起。A.地址線

B.數(shù)據(jù)線

C.片選信號線

D.讀/寫線答案：A答案：ACD6/9二、判斷題（正確打√，錯誤打×）1.實(shí)際中，常以字?jǐn)?shù)和位數(shù)乘積表示存放容量。（

）2.RAM由若干位存放單元組成，每個存放單元可存放一位二進(jìn)制信息。（

）3.動態(tài)隨機(jī)存取存放器需要不停地刷新，以預(yù)防電容上存放信息丟失。（

）答案：√答案：√答案：√7/94.用2片容量為16K×8RAM組成容量為32K×8RAM是位擴(kuò)展。（

）5.全部半導(dǎo)體存放器在運(yùn)行時都含有讀和寫功效。（

）6.ROM和RAM中存入信息在電源斷掉后都不會丟失。（

）7.RAM中信息，當(dāng)電源斷掉后又接通，則原存信息不會改變。（

）答案：×答案：×答案：×答案：×8/98.存放器字?jǐn)?shù)擴(kuò)展能夠利用外加譯碼器控制數(shù)個芯