GBT 15876-2015 半導(dǎo)體集成電路 塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范

ICS31.200半導(dǎo)體集成電路塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范Specificationofleadframesforplasticquadflatpackage中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局IGB/T15876—2015 Ⅲ 1 1 1 14.1引線框架的尺寸 14.2引線框架形狀和位置公差 14.3引線框架外觀 34.4引線框架鍍層 34.5引線框架外引線強(qiáng)度 34.6銅剝離試驗(yàn) 34.7銀剝離試驗(yàn) 3 45.1檢驗(yàn)批的構(gòu)成 45.2鑒定批準(zhǔn)程序 45.3質(zhì)量一致性檢驗(yàn) 4 7 7 7 7附錄A(規(guī)范性附錄)引線框架機(jī)械測量 8Ⅲ本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T15876—1995相比主要變化如下：用文件GB/T2423.60—2008、SJ20129; 間隙的有關(guān)內(nèi)容調(diào)整到4.2;—對標(biāo)準(zhǔn)的“4.2引線框架形狀和位置公差”中相應(yīng)條款順序進(jìn)行了調(diào)整，并增加了芯片粘接區(qū)下陷的有關(guān)要求；根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定； 單的規(guī)定了精壓深度的尺寸范圍。本標(biāo)準(zhǔn)修改為：在保證精壓寬度不小于引線寬度90%的條件下，精壓深度不大于材料厚度的30%,其參考值為0.015mm～0.06mm; 修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“精壓引線端共面性”的要求(見4.2.8):原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的公差范圍為 要求(見4.2.11):取消了原標(biāo)準(zhǔn)中每2.54——修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“毛刺”的要求(見4.3.1):原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了垂直毛刺和水平毛刺都不超過0.025mm,本標(biāo)準(zhǔn)對垂直毛刺和水平毛刺分別進(jìn)行了規(guī)定； —修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“凹坑、壓痕和劃痕”的要求(見4.3.2):在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加劃痕的有關(guān) 標(biāo)準(zhǔn)對局部鍍銀層厚度及任意點(diǎn)分別進(jìn)行了規(guī)定；批準(zhǔn)程序和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的有關(guān)內(nèi)容；——修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“貯存”的有關(guān)要求：原標(biāo)準(zhǔn)有鍍層的保存期為3個月，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為6個月(見7.2); 曾加了規(guī)范性附錄A“引線框架機(jī)械測量”請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC78)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為： 1半導(dǎo)體集成電路塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路塑料四面引線扁平封裝引線框架(以下簡稱引線框架)的技術(shù)要求及本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路塑料四面引線扁平封裝沖制型引線框架。塑料四面引線扁平封裝刻蝕引線框架也可參照使用。2規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文GB/T2423.60—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度GB/T2828.1—2012計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T7092半導(dǎo)體集成電路外形尺寸GB/T14112—2015半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范GB/T14113半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語SJ20129金屬鍍覆層厚度測量方法GB/T14112—2015和GB/T14113中界定的術(shù)語和定義適用于本文件。側(cè)彎在整個標(biāo)稱長度上不超過0.05mm,測試方法按照GB/T14112—2015中附錄A的規(guī)定。厚度的2倍，測試方法按照GB/T14112—2015中附錄A的規(guī)定。2橫彎尺寸應(yīng)符合表1的規(guī)定，測試方法按照GB/T14112—2015中附錄A的規(guī)定。引線數(shù)橫彎(最大值)mm100以下0.152100～1640.254164以上0.305曲為材料厚度的2倍，測試方法按照GB/T14112—2015中附錄A的規(guī)定。圖紙上表明的尺寸為精壓前尺寸，在保證精壓寬度不小于引線寬度90%的條件下，精壓深度不大于材料厚度的30%。最小精壓深度受最小鍵合區(qū)要求的限制，最大精壓深度受最小引線間距要求的限制，參考值為0.015mm～0.06mm,測試方法按照GB/T14112—2015中附錄A的規(guī)定。相鄰兩精壓區(qū)端點(diǎn)間的間隔及精壓區(qū)端點(diǎn)與芯片粘接區(qū)間的間隔大于0.076mm。在相對于芯片粘接區(qū)中心位置的Z基準(zhǔn)面上測量或按本標(biāo)準(zhǔn)附錄A.2測試方法進(jìn)行測量，共面性——64～232條引線：+0.15mm、—0.1mm;——232條引線以上：+0.2mm、-0.1在長或?qū)捗?.54mm尺寸最大傾斜0.05mm,測試從角到角進(jìn)行。30.005mm。垂直毛刺最大為0.025mm,水平毛刺最大為0.05mm。內(nèi)，凹坑和壓痕深度不應(yīng)超過0.025mm,最大表面尺寸不應(yīng)超過0.051mm;劃痕最大尺寸寬×深：0.075mm×0.030mm,數(shù)量不超過1個。引線框架的外引線經(jīng)彎曲試驗(yàn)后不應(yīng)出現(xiàn)斷裂。膠帶上的銅覆蓋面積超過引線框面積之10%即判為不合格。膠帶上不允許銀層粘附。45檢驗(yàn)規(guī)則b)每個生產(chǎn)批的檢驗(yàn)結(jié)果表明，材料和工序的質(zhì)量均能保證所生產(chǎn)的引線框架達(dá)到預(yù)先規(guī)定的5.2.2鑒定后的引線框架應(yīng)按5.3的規(guī)定進(jìn)行質(zhì)量一致性檢驗(yàn)。a)修改了引線框架設(shè)計(jì)圖紙；b)生產(chǎn)制造技術(shù)改變(包括生產(chǎn)場地的改變);c)停止生產(chǎn)半年以上(如果該生產(chǎn)線生產(chǎn)另一種已鑒定的引線框架，且主要工藝未作改變以認(rèn)為生產(chǎn)是連續(xù)的)。5.3.2A組檢驗(yàn)分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)試驗(yàn)方法章條號檢驗(yàn)要求章條號A1引線框架外觀毛刺檢驗(yàn)按GB/T14112—2015附錄A,其他用滿足測量精度的量具或工具進(jìn)行測量4.3.1～4.3.3A2鍍層外觀4.4.2B組檢驗(yàn)應(yīng)逐批進(jìn)行，其檢驗(yàn)分組見表3。分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)試驗(yàn)方法章條號檢驗(yàn)要求章條號B1引線框架尺寸用滿足測量精度的量具或工具進(jìn)行測量4.15表3(續(xù))分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)試驗(yàn)方法章條號檢驗(yàn)要求章條號B2引線框架形狀和位置公差GB/T14112—2015附錄A及本標(biāo)準(zhǔn)附錄A中A.1～A.64.2.1～4.2.12B3鍍層厚度其試驗(yàn)方法引用SJ201294.4.1B4鍍層耐熱性GB/T14112—2015附錄B4.4.3分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)試驗(yàn)方法章條號檢驗(yàn)要求章條號鍵合強(qiáng)度GB/T14112—2015附錄B4.4.4外引線強(qiáng)度GB/T2423.60—2008試驗(yàn)Ub4.5銅剝離試驗(yàn)GB/T14112—2015附錄B4.6銀剝離試驗(yàn)GB/T14112—2015附錄B4.7A組和B1～B3組檢驗(yàn)采用AQL抽樣方案見表5。B4和C組檢驗(yàn)采用LTPD抽樣方案見表6。抽樣以條為計(jì)數(shù)單位。表5A組和B1～B3組檢驗(yàn)的抽樣要求分組正常檢驗(yàn)一次抽樣IL(檢驗(yàn)水平)AQLA1ⅡA2ⅡB1IB2B3分組LTPDB46表6(續(xù))分組采用AQL抽樣方案時，應(yīng)根據(jù)GB/T2828.1—2012正常檢驗(yàn)一次抽樣；采用LTPD抽樣方案時，應(yīng)根據(jù)GB/T14112—2015附錄C確定抽樣方案。逐批檢驗(yàn)的樣品應(yīng)從該檢驗(yàn)批中抽取。周期檢驗(yàn)的樣品應(yīng)從通過了A組和B組檢驗(yàn)的一個或幾不符合A組和B組檢驗(yàn)要求的批為不合格批。如果引線框架在質(zhì)量一致性檢驗(yàn)中不能符合某一經(jīng)返工后重新提交。重新提交的批應(yīng)只包括原批中的那些引線框架。每個檢驗(yàn)組(A組或B組)只能重新提交一次。重新提交的批應(yīng)與其他批分開，并清楚標(biāo)明為重新提交的批。重新提交的批對初次提A組檢驗(yàn)。如果確認(rèn)引線框架失效是由于試驗(yàn)設(shè)備故障或操作人員失誤引起的，應(yīng)將失效記入試驗(yàn)記錄。質(zhì)量管理部門應(yīng)決定是否可從同一檢驗(yàn)批中抽取別的引線框架代替樣品中被損壞的引線框架，替代的引線框架應(yīng)進(jìn)行規(guī)定的全部試驗(yàn)。a)立即停止引線框架的放行；b)調(diào)查不合格的原因，并根據(jù)調(diào)查結(jié)果對以后的生產(chǎn)批實(shí)施解決質(zhì)量問題的措施；c)從以后各檢驗(yàn)批中逐批抽取樣品進(jìn)行周期檢驗(yàn)中不合格分組的全部試驗(yàn)。試驗(yàn)合格的批可以放行批證明記錄的內(nèi)容應(yīng)包括：b)引線框架的型號和規(guī)格；c)放行批證明記錄周期的起止日期；7d)所做的試驗(yàn)項(xiàng)目及試驗(yàn)結(jié)果。6訂貨資料b)設(shè)計(jì)圖紙的編號；c)數(shù)量。產(chǎn)品應(yīng)貯存在環(huán)境溫度為10℃~35℃,相對濕度小于60%,周圍無腐蝕性氣體的庫房內(nèi)。自生產(chǎn)日期起算，鍍金引線框架保存期為6個月，鍍銀引線框架保存期為6個月。8GB/T15876—2015(規(guī)范性附錄)引線框架機(jī)械測量A.1絕緣間隙A.1.1目的測量引線框架精壓區(qū)端點(diǎn)間，精壓區(qū)端點(diǎn)與芯片粘接區(qū)間的間隔距離。A.1.2測量方法測量步驟如下：a)用投影儀的零中心線對準(zhǔn)如圖A.1“1”處的端點(diǎn)邊，記錄在零線的數(shù)據(jù)。再用投影儀的零中心線對準(zhǔn)如圖A.1“2”處的端點(diǎn)邊，測微計(jì)讀數(shù)之差即為相鄰兩精壓區(qū)端點(diǎn)間的間隔。b)用同樣方法測圖A.1“3”處的端點(diǎn)邊與芯片粘接區(qū)“4”處間的間隔。圖A.1引線框架絕緣間隙A.2精壓引線端共面性A.2.1目的測量引線框架精壓引線端是否處于同一平面。A.2.2測量方法測量步驟如下：a)將夾具在儀器分辨率范圍內(nèi)與鏡片垂直，并與X、Y移動軸平行。b)把引線框架按引線平面朝上放置，并固定在夾具的底座軌條上后確定Z平面。9c)把顯微鏡聚焦在如圖A.2引線連筋1處的中點(diǎn)，焦點(diǎn)高度為零。再將焦點(diǎn)移至另一引線連筋d)將焦點(diǎn)移至精壓區(qū)3處，并在距端點(diǎn)0.254mm處重新聚焦，記錄相對于基準(zhǔn)高度的高度差，零T]0A.3芯片粘接區(qū)斜度A.3.1目的測量引線框架芯片粘接區(qū)的傾斜程度。A.3.2測量方法測量步驟如下：b)把引線框架按引線平面朝上放置，并固定在夾具的底座軌條上后確定Z平面。c)測試點(diǎn)應(yīng)在距芯片粘接區(qū)切割邊緣0.127mm處。把顯微鏡聚焦在如圖A.3的目標(biāo)1處，其d)轉(zhuǎn)動測微計(jì)的軸使其移至目標(biāo)2處，重新調(diào)節(jié)顯微鏡焦距，測出焦點(diǎn)高度即為芯片粘接區(qū)的e)用同樣方法分別測量目標(biāo)3和目標(biāo)4,得出芯片粘接區(qū)的最大斜度。GB/T15876—2015圖A.3引線框架芯片粘接區(qū)斜度A.4芯片粘接區(qū)下陷A.4.1目的測量引線框架芯片粘接區(qū)受壓下陷的程度。A.4.2測量方法測量步驟如下：a)將夾具在儀器分辨率范圍內(nèi)與鏡片垂直，并與X、Y移動軸平行。b)把引線框架按引線平面朝上放置，并固定在夾具的底座軌條上后確定Z平面。c)把顯微鏡聚焦在如圖A.4的目標(biāo)1處(1.27mm的中點(diǎn)),焦點(diǎn)高度為零。再將焦點(diǎn)移至2處(1.27mm的中點(diǎn)),并重新聚焦。兩個焦點(diǎn)的高度差即為芯片粘接區(qū)下陷值。d)用同樣的方法測量目標(biāo)3和目標(biāo)4處的芯片粘接區(qū)下陷值。GB/T15876—2015332A部放大芯片連接區(qū)連筋0.25mm12A部放大bGO圖A.4引線框架芯片粘接區(qū)下陷A.5芯片粘接區(qū)平面度A.5.1目的測量引線框架芯片粘接區(qū)的平面程度。A.5.2測量方法測量步驟如下：a)將夾具在儀器分辨率范圍內(nèi)與鏡片垂直，并與X、Y移動軸平行。b)把引線框架按引線平面朝上放置，并固定在夾具的底座軌條上后確定Z平面。c)把顯微鏡聚焦在如圖A.5芯片粘接區(qū)的中心點(diǎn)，其焦點(diǎn)高度為零。再將焦點(diǎn)移至目標(biāo)1處(距芯片粘接區(qū)切割邊緣0.127mm),測出焦點(diǎn)高度即為芯片粘接區(qū)該點(diǎn)的高度。d)用同樣的方法分別測量目標(biāo)2、目標(biāo)3和目標(biāo)4,分別得出芯片粘接區(qū)在該點(diǎn)的高度。e)1、2、3、4點(diǎn)中的最大值即為該區(qū)域的芯片粘接區(qū)平面度。GB/T15876—2015圖A.5引線框架芯片連接區(qū)平