GBT-半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評(píng)價(jià) 第2部分：邊緣卷曲法（ROA）編制說(shuō)明

PAGE10國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評(píng)價(jià)第2部分：邊緣卷曲法（ROA）編制說(shuō)明（報(bào)批稿）山東有研半導(dǎo)體材料有限公司二〇二四年八月工作簡(jiǎn)況=1\*Arabic1.立項(xiàng)目的和意義目前，半導(dǎo)體材料特別是大直徑硅片的技術(shù)、設(shè)備、市場(chǎng)被國(guó)外壟斷，不僅阻礙了國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，更嚴(yán)重威脅國(guó)家信息安全。以半導(dǎo)體硅片為例，目前國(guó)內(nèi)8英寸硅單晶拋光片約90%依賴(lài)進(jìn)口，12英寸硅片95%以上依賴(lài)進(jìn)口。尤其在當(dāng)前國(guó)際形勢(shì)下，保障國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)供應(yīng)本土化的需求越為迫切。 隨著硅片直徑的增加和線寬的不斷降低，對(duì)硅片幾何參數(shù)的要求也在不斷提高，而影響硅片幾何參數(shù)的最大因素來(lái)源于硅片的近邊緣區(qū)域。究其原因主要是和目前使用的硅片加工工藝有關(guān)，由于研磨、腐蝕、拋光工藝本身的邊緣效應(yīng)特點(diǎn)，硅片在近邊緣區(qū)域的厚度、平整度等形態(tài)的控制難度相對(duì)更大，因此在近邊緣區(qū)域，硅片幾何形態(tài)參數(shù)變差的現(xiàn)象相對(duì)更為常見(jiàn)。因此有效地評(píng)價(jià)和管控大直徑晶片，如300mm拋光片和外延片的近邊緣品質(zhì)和近邊緣形態(tài)，進(jìn)而提高硅片整體質(zhì)量和集成電路芯片的成品率，進(jìn)一步提升技術(shù)代的升級(jí)都有著重要的意義。特別是在目前的國(guó)際形勢(shì)下，發(fā)展我國(guó)自己的大直徑、高質(zhì)量半導(dǎo)體硅片，徹底擺脫在半導(dǎo)體材料和器件方面的落后狀態(tài)更是有著非常重要的意義。關(guān)于近邊緣形態(tài)的評(píng)價(jià)，SEMI在2007年以來(lái)已陸續(xù)出臺(tái)了一系列針對(duì)大直徑硅片近邊緣區(qū)域幾何形態(tài)的四個(gè)評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，以不同的測(cè)試區(qū)域、計(jì)算方法對(duì)這一區(qū)域進(jìn)行評(píng)價(jià)，量化了近邊緣區(qū)域的幾何形態(tài)參數(shù)。有效的評(píng)價(jià)和管控硅片的近邊緣區(qū)域幾何形態(tài)。國(guó)內(nèi)各大12英寸拋光片生產(chǎn)廠家也都具備了相應(yīng)的測(cè)試設(shè)備。因此，制定近邊緣幾何形態(tài)評(píng)價(jià)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，使得供需雙方的指標(biāo)和評(píng)價(jià)方法都有據(jù)可依更是顯得尤為重要。2.任務(wù)來(lái)源根據(jù)《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)關(guān)于下達(dá)2024年推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)修訂計(jì)劃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)外文版計(jì)劃的通知》（國(guó)標(biāo)委發(fā)[2024]16號(hào)）的要求，由山東有研半導(dǎo)體材料有限公司牽頭制定國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評(píng)價(jià)第2部分：邊緣卷曲法（ROA）》，計(jì)劃編號(hào)為20240496-T-469,要求于2025年04月完成。經(jīng)過(guò)原國(guó)標(biāo)委工業(yè)一部、工業(yè)二部認(rèn)可，半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC203）與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC203/SC2）共同提出并歸口，具體見(jiàn)標(biāo)委工二函[2014]22號(hào)，已上傳至標(biāo)準(zhǔn)制修訂系統(tǒng)。3.標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位及人員所做的工作3.1標(biāo)準(zhǔn)主編單位簡(jiǎn)介山東有研半導(dǎo)體材料有限公司（山東有研）成立于2018年8月，由有研半導(dǎo)體硅材料股份公司和德州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)景泰投資有限公司共同出資成立，注冊(cè)資本150000萬(wàn)元。2019年有研半導(dǎo)體硅材料股份公司的主體生產(chǎn)線由北京搬遷至山東德州后，山東有研承接有研半導(dǎo)體硅材料股份公司的資產(chǎn)和業(yè)務(wù)，公司主營(yíng)業(yè)務(wù)是半導(dǎo)體材料及其他新材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、貿(mào)易。主要產(chǎn)品包括數(shù)字集成電路用6-12英寸硅單晶及硅片、功率集成電路用6-8英寸硅片、3-6英寸區(qū)熔硅單晶及硅片、集成電路設(shè)備用超大直徑硅單晶及硅部件等，產(chǎn)品可應(yīng)用于集成電路、功率器件、太陽(yáng)能等多個(gè)領(lǐng)域，遠(yuǎn)銷(xiāo)美國(guó)、日本、韓國(guó)、臺(tái)灣等多個(gè)地區(qū)，在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)具有較高的知名度和影響力。其投資控股公司有研半導(dǎo)體硅材料股份公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“有研硅”）成立于2001年6月，系中央企業(yè)有研科技集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“有研科技集團(tuán)”）的下屬公司，注冊(cè)資本130161萬(wàn)元人民幣。有研半導(dǎo)體是國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)和首批國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新示范企業(yè)，擁有半導(dǎo)體材料國(guó)家工程研究中心、國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心，共建了國(guó)家有色金屬及電子材料分析測(cè)試中心，位于北京市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)云集的中關(guān)村科技園區(qū)，員工七百余人，擁有整套具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體硅材料的核心技術(shù)和符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)廠房設(shè)備。公司前身為有研科技集團(tuán)401室，自上世紀(jì)50年代開(kāi)始硅材料研究，承擔(dān)了國(guó)家908、909、科技重大專(zhuān)項(xiàng)等重大工程和專(zhuān)項(xiàng)，擁有多項(xiàng)第一科研和產(chǎn)業(yè)化成果：拉制出國(guó)內(nèi)第一根直拉硅單晶和第一根區(qū)熔硅單晶，生長(zhǎng)出國(guó)內(nèi)第一根12英寸硅單晶并為院士聯(lián)合評(píng)為1997年十大科技新聞，第一家實(shí)現(xiàn)8英寸硅片批量產(chǎn)出，第一家建立12英寸硅片中試線。相關(guān)技術(shù)人員起草和參與編制國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)五十余項(xiàng)，擁有包括博士和碩士研究生在內(nèi)的科研技術(shù)人員150人，檢驗(yàn)檢測(cè)設(shè)備58臺(tái)套。3.2標(biāo)準(zhǔn)的主要起草人及工作職責(zé)本標(biāo)準(zhǔn)的主要起草人及工作職責(zé)見(jiàn)表1。表1主要起草人及所做工作序號(hào)起草人工作職責(zé)負(fù)責(zé)標(biāo)準(zhǔn)的工作指導(dǎo)，標(biāo)準(zhǔn)審核，標(biāo)準(zhǔn)框架的制定、標(biāo)準(zhǔn)的起草、試驗(yàn)方案的制定，組織協(xié)調(diào)等負(fù)責(zé)稿件審核的組織，進(jìn)度推進(jìn)等負(fù)責(zé)標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方案的執(zhí)行負(fù)責(zé)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)方面的支持主要工作過(guò)程任務(wù)下達(dá)后，山東有研半導(dǎo)體材料有限公司牽頭成立了專(zhuān)門(mén)的標(biāo)準(zhǔn)編制小組，對(duì)大直徑硅片的近邊緣形態(tài)的參數(shù)、用戶(hù)要求、目前設(shè)備情況、以及相關(guān)SEMI標(biāo)準(zhǔn)等方面的內(nèi)容進(jìn)行了充分的調(diào)研，結(jié)合日常測(cè)試實(shí)踐，形成了本標(biāo)準(zhǔn)的討論稿，同時(shí)制定了單個(gè)實(shí)驗(yàn)室和多個(gè)實(shí)驗(yàn)室的測(cè)試方案。項(xiàng)目編制組認(rèn)真研究了SEMI標(biāo)準(zhǔn)中針對(duì)近邊緣形態(tài)的4個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)近邊緣形態(tài)的4個(gè)表示參數(shù)及之間的關(guān)系進(jìn)行了深入的研究。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)會(huì)議的意見(jiàn)，近邊緣形態(tài)的四個(gè)評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)組成一系列標(biāo)準(zhǔn)，ROA是其中的一個(gè)評(píng)價(jià)參數(shù)，本文件是近邊緣幾何形態(tài)的評(píng)價(jià)方法之一。2024年8月22日，由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)組織，在江蘇省徐州市召開(kāi)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評(píng)價(jià)第2部分：邊緣卷曲法（ROA）》第一次工作會(huì)議（討論會(huì)），XXXX等單位的專(zhuān)家參加了會(huì)議。會(huì)上，與會(huì)專(zhuān)家對(duì)標(biāo)準(zhǔn)文本進(jìn)行了詳細(xì)的討論，并提出了修改意見(jiàn)。根據(jù)本次會(huì)議的要求，編制組對(duì)標(biāo)準(zhǔn)稿件進(jìn)行了修改和完善。形成了標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)稿及編制說(shuō)明（征求意見(jiàn)稿）。標(biāo)準(zhǔn)編制原則和確定標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的依據(jù)1.編制原則1）本文件主要依據(jù)GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》、GB/T20001.4-2015《標(biāo)準(zhǔn)編寫(xiě)規(guī)則第4部分：試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》的原則進(jìn)行起草。2）標(biāo)準(zhǔn)編制過(guò)程中，充分考慮了國(guó)內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)的生產(chǎn)、測(cè)試現(xiàn)狀及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。2.確定標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容及確定依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)編制過(guò)程中充分考慮與會(huì)專(zhuān)家的修改意見(jiàn)和征求意見(jiàn)稿的反饋意見(jiàn)，在經(jīng)過(guò)充分試驗(yàn)驗(yàn)證的基礎(chǔ)上，確定了本標(biāo)準(zhǔn)的范圍、方法原理、規(guī)范性引用文件、干擾因素等內(nèi)容，以下對(duì)此次標(biāo)準(zhǔn)編制過(guò)程中的主要技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行說(shuō)明。2.1范圍本文件參照了SEMIM77-1015的技術(shù)內(nèi)容，規(guī)定了適用于大直徑晶片近邊緣幾何形態(tài)的評(píng)價(jià)方法之一：邊緣卷曲度。這里大直徑主要指直徑300mm及450mm的拋光或外延片。目前主要用于300mm硅拋光片和外延片，但原則上也可以用于其他半導(dǎo)體材料以及更大尺寸的標(biāo)稱(chēng)直徑晶片；而對(duì)于8英寸以下的更小尺寸，SEMIM77-0421版是針對(duì)300mm和200mm的直徑，在SEMIM77-1015版里，增加了450mm直徑。目前國(guó)內(nèi)沒(méi)有對(duì)200mm以及更小直徑晶片的近邊緣幾何形態(tài)的評(píng)價(jià)需求，也沒(méi)有測(cè)過(guò)450mm直徑的晶片?？紤]到上述各種因素，確定了本標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍：“本文件適用于硅拋光片、外延片、SOI片及其他帶有表面層的晶圓片，也可用于其他半導(dǎo)體材料晶圓片近邊緣幾何形態(tài)的評(píng)價(jià)。注：目前該方法主要用于直徑300mm的硅片?！?.2引用文件該標(biāo)準(zhǔn)在編制過(guò)程中，根據(jù)實(shí)際情況，引用了GB/T14264《半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)》、GB/T16596《確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范》、GB/T25915.1-2021潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第1部分：按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級(jí)等標(biāo)準(zhǔn)。2.3術(shù)語(yǔ)和定義為了方便標(biāo)準(zhǔn)的使用者，本文件只給出了卷曲度edgerolloffamountROA、中心參考、邊緣參考、邊緣卷曲測(cè)量點(diǎn)、邊緣卷曲確定的基準(zhǔn)線、基準(zhǔn)區(qū)域等密切相關(guān)的術(shù)語(yǔ)，其他涉及近邊緣的術(shù)語(yǔ)均引用GB/T14264。2.4方法原理本文件的基本原理是將晶片邊緣按照不同的圓心角劃分為若干個(gè)扇形區(qū)域，根據(jù)GB/T16596建立晶片坐標(biāo)系，按照每隔45°設(shè)置邊緣卷曲測(cè)量點(diǎn)。選取每個(gè)扇形區(qū)域中高度數(shù)據(jù)陣列擬合出不同類(lèi)型的基準(zhǔn)線。基準(zhǔn)線一般分為線性基準(zhǔn)線或立方曲線基準(zhǔn)。對(duì)于厚度測(cè)試數(shù)據(jù)一般選擇線性基準(zhǔn)線，對(duì)于正表面或者背表面高度數(shù)據(jù)一般選擇立方曲線基準(zhǔn)。逐一計(jì)算沿半徑方向?qū)崪y(cè)數(shù)據(jù)與基準(zhǔn)線之間的偏差。進(jìn)而定量評(píng)價(jià)半導(dǎo)體晶片的近邊緣區(qū)域邊緣卷曲的程度。該標(biāo)準(zhǔn)目前推薦將晶片分為8個(gè)角度的測(cè)試方向。2.5干擾因素本文件在編制過(guò)程中參考了SEMIM77-1015標(biāo)準(zhǔn)，涵蓋了SEMI標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)內(nèi)容和要求。同時(shí)結(jié)合設(shè)備要求以及測(cè)試和評(píng)價(jià)過(guò)程中出現(xiàn)的問(wèn)題，對(duì)干擾因素從人、機(jī)、料、法、環(huán)方面考慮并做出識(shí)別，對(duì)測(cè)試環(huán)境條件、儀器設(shè)備提出了要求。在測(cè)試過(guò)程中，評(píng)價(jià)區(qū)間的選擇、測(cè)量點(diǎn)的位置、基準(zhǔn)線的類(lèi)型和測(cè)試面不同，最后計(jì)算的結(jié)果也會(huì)有一些差異；在生產(chǎn)過(guò)程中，晶片的實(shí)際直徑與公稱(chēng)直徑會(huì)有一些偏差，這些偏差也會(huì)影響高度數(shù)據(jù)陣列的測(cè)試結(jié)果，是由于對(duì)于邊緣卷曲來(lái)說(shuō)一般采用的是邊緣參考，導(dǎo)致測(cè)量點(diǎn)位置和基準(zhǔn)區(qū)域的位置發(fā)生了變化，影響評(píng)價(jià)的客觀性。2.6試驗(yàn)條件為獲得良好的試驗(yàn)結(jié)果，經(jīng)廣泛征求行業(yè)內(nèi)相關(guān)單位的意見(jiàn)，最終確定試驗(yàn)條件如下：a)溫度：23℃±3℃；b)相對(duì)濕度：相對(duì)濕度40%±10%；c)空氣潔凈度：不低于GB/T25915.1-2021中規(guī)定的5級(jí)。2.7儀器設(shè)備本文件原則上不涉及晶片的測(cè)試設(shè)備，根據(jù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理里的扇形分割要求和計(jì)算公式，利用任何滿(mǎn)足要求的數(shù)據(jù)陣列都可以得到ROA的評(píng)價(jià)。換言之，利用已經(jīng)得到的一系列晶片上高度或厚度測(cè)試數(shù)據(jù)即可進(jìn)行定量計(jì)算、評(píng)價(jià)。至于數(shù)據(jù)陣列是用什么方法、什么設(shè)備測(cè)的，本文件不涉及。同時(shí)，本標(biāo)準(zhǔn)只是對(duì)在大直徑鏡面晶片上的近邊緣區(qū)域進(jìn)行評(píng)價(jià)，不涉及晶片的材料。由于目前國(guó)內(nèi)達(dá)到300mm直徑的晶片，且對(duì)近邊緣評(píng)價(jià)有要求的只有硅材料，因此本次巡回測(cè)試用的都是硅拋光片和外延片，使用的設(shè)備都是激光干涉測(cè)距原理的全自動(dòng)設(shè)備。為了滿(mǎn)足數(shù)據(jù)的采集，對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的設(shè)備提出高度分辨率、數(shù)據(jù)陣列間距等要求，同時(shí)對(duì)與邊緣去除、在數(shù)據(jù)陣列采集區(qū)域中可能出現(xiàn)的晶片夾持、激光標(biāo)識(shí)、切口區(qū)域等要求去除區(qū)域進(jìn)行了要求，從而保證了測(cè)試的一致性。目前該測(cè)試方法被用于300mm的拋光片和外延片的最終檢測(cè)，其環(huán)境均為高于5級(jí)的潔凈間，雖然GB/T25915.1-2021《潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第1部分：按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級(jí)》標(biāo)準(zhǔn)中沒(méi)有關(guān)于潔凈間等級(jí)與相應(yīng)的溫濕度要求的規(guī)定，因此在試驗(yàn)條件中給出了溫度和相對(duì)濕度的規(guī)定。目前硅片最終檢測(cè)潔凈間溫濕度都優(yōu)于在試驗(yàn)條件中給出的指標(biāo)?？傊緲?biāo)準(zhǔn)的測(cè)試設(shè)備要求源于SEMIM77，也符合當(dāng)前該測(cè)試方法使用的設(shè)備指標(biāo)。2.8試驗(yàn)步驟對(duì)測(cè)試點(diǎn)位置設(shè)置，SEMI標(biāo)準(zhǔn)里的默認(rèn)值是8個(gè)扇形，對(duì)于有定位缺口的晶片，分別選取0°，45°，90°，135°，180°，225°，275°，315°8個(gè)角度；對(duì)于沒(méi)有定位缺口的450mm晶片，選取0°，45°，90°，135°，180°，225°，270°，315°。選擇基準(zhǔn)線的類(lèi)型，線性基準(zhǔn)線或立方曲線基準(zhǔn)。其次選擇評(píng)價(jià)區(qū)間，一般評(píng)價(jià)區(qū)間包括基準(zhǔn)線段和測(cè)量點(diǎn)、基準(zhǔn)區(qū)域的位置。由于300mm直徑的硅片目前在國(guó)內(nèi)的使用，陪片還占有相當(dāng)大的比例，用戶(hù)要求提供ROA參數(shù)的不多。2.9試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理包含了對(duì)近邊緣高度或厚度數(shù)據(jù)的獲取和計(jì)算。在設(shè)定了一系列采樣位置后，首先確定一個(gè)評(píng)價(jià)區(qū)間、基準(zhǔn)線，根據(jù)實(shí)測(cè)高度數(shù)據(jù)陣列數(shù)據(jù)和基準(zhǔn)線的距離計(jì)算ROA數(shù)值。再重復(fù)上述步驟，獲得整個(gè)近邊緣區(qū)域圓形角的ROA的分布。2.10精密度對(duì)ROA的評(píng)價(jià)而言，用于評(píng)價(jià)近邊緣的幾何形態(tài)有三個(gè)不同的參數(shù)，即厚度參數(shù)以及正表面和背表面高度參數(shù)。三者之間既有密切的聯(lián)系，有存在不同。具體用什么參數(shù)應(yīng)由供需雙方協(xié)商確定，特別是應(yīng)由需方根據(jù)器件的工藝需求提出要求。這三個(gè)參數(shù)可以單獨(dú)獲取，也可以同時(shí)完成，但需要在測(cè)試之前對(duì)想要獲取的數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)置。由四個(gè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了5個(gè)硅片的巡回測(cè)試，數(shù)據(jù)詳見(jiàn)試驗(yàn)報(bào)告。三、標(biāo)準(zhǔn)水平分析近年來(lái)，國(guó)際上開(kāi)始對(duì)近邊緣實(shí)行評(píng)價(jià)，對(duì)象主要針對(duì)直徑300mm以上的硅片，國(guó)內(nèi)起步更晚一些，且依賴(lài)于購(gòu)買(mǎi)的進(jìn)口測(cè)試設(shè)備。除了SEMI標(biāo)準(zhǔn)之外，國(guó)內(nèi)外沒(méi)有相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，文獻(xiàn)也很少。本標(biāo)準(zhǔn)制定過(guò)程中參照國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，也結(jié)合多年來(lái)的實(shí)踐，在標(biāo)準(zhǔn)中融入了多年來(lái)測(cè)試、校準(zhǔn)的經(jīng)驗(yàn)，更具有使用價(jià)值；SEMI標(biāo)準(zhǔn)中只對(duì)采樣、計(jì)算進(jìn)行了規(guī)定，沒(méi)有ROA參數(shù)的重復(fù)性、再現(xiàn)性數(shù)據(jù)，我們通過(guò)巡回測(cè)試，給出了單個(gè)實(shí)驗(yàn)室和多個(gè)實(shí)驗(yàn)室的精密度數(shù)據(jù)，同時(shí)還嘗試了使用其他設(shè)備對(duì)晶片數(shù)據(jù)高度的取樣，采用自己編程進(jìn)行計(jì)算，不僅為使用該標(biāo)準(zhǔn)的可信度提供了可靠的數(shù)據(jù)，為該方法在小尺寸如6英寸和8英寸片近邊緣的評(píng)價(jià)提供了可行性，也為國(guó)內(nèi)設(shè)備商對(duì)設(shè)備的研制提供了參考，為擺脫依賴(lài)進(jìn)口提供了依據(jù)。本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。四、標(biāo)準(zhǔn)中涉及專(zhuān)利的情況本標(biāo)準(zhǔn)中未涉及專(zhuān)利問(wèn)題。五、與我國(guó)有關(guān)的現(xiàn)行法律、法規(guī)和相關(guān)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)系本標(biāo)準(zhǔn)與現(xiàn)行的法律、法規(guī)及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)沒(méi)有沖突，不涉及知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛。六、重大分歧意見(jiàn)的處理經(jīng)過(guò)和依據(jù)編制組根據(jù)起草前確定的編制原則進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)起草，標(biāo)準(zhǔn)起草小組前期進(jìn)行了充分的準(zhǔn)備和調(diào)研，并做了大量調(diào)查論證、信