材料科學中的信息技術(shù)應(yīng)用基礎(chǔ) 課件 第4講 Origin的數(shù)據(jù)分析和繪圖功能

計算機在材料科學中的應(yīng)用第4講本節(jié)內(nèi)容：（信息技術(shù)在材料科學數(shù)據(jù)與圖形處理中的應(yīng)用）Origin軟件在材料科學中的應(yīng)用（上機）Origin的數(shù)據(jù)分析和繪圖功能

數(shù)據(jù)分析功能試樣05102030507090110130150175200A02.213.422.330.841.848.859.666.671.9778.8485.6692.20B01.72.182.192.236.092.342.422.532.642.752.842.96例2-7.下表是鍋爐用鋼20G（試樣A）和噴涂有高鎳鉻涂層的20G（試樣B）在相同高溫氧化條件下的腐蝕增重數(shù)據(jù)。第1行是氧化試驗的時間，單位為h，第2、3行是氧化增重量，單位為mg/cm2。請擬合腐蝕增重量與氧化時間之間的函數(shù)關(guān)系y=axb。

試樣的腐蝕增重數(shù)據(jù)編號x1x2x3y（S·cm-1）12.21.83.45.621.92.02.46.131.52.23.05.243.62.52.47.952.01.62.88.462.82.53.57.674.02.53.58.184.54.05.07.4例2-8.材料中含三種不同的正離子，每種離子都有一定的遷移率，從而影響材料的離子電導率，一般符合加和規(guī)則?，F(xiàn)制備了不同配方的8種材料，測定的離子電導率如下表所示，其中，x1、x2、x3為三種離子的質(zhì)量分數(shù)，y為電導率。求y對x1、x2、x3的回歸方程。材料中的離子組成及電導率T/℃Loss/gT/℃Loss/gT/℃Loss/g360-6.426405.059419607.61729380-6.216805.1545910008.98389400-5.867205.7105510409.51138440-5.371157606.0861910809.72576480-4.554348006.6523411209.7826520-2.408558406.88052116010.48278560-0.706718806.99339

6003.790289207.41128

例2-9.以陶瓷（Al2O3）及金屬鋁的復合粉末為原料，控制條件使鋁氧化成氧化鋁，研究反應(yīng)過程中氧化的過程和機理，整個步驟如下：（1）采用熱分析儀獲得溫度-失重數(shù)據(jù)如表2-21所示；（2）明確反應(yīng)動力學機理數(shù)學模型；（3）進行數(shù)據(jù)分析。主要的數(shù)學模型如下，請通過測試數(shù)據(jù)擬合其反應(yīng)動力學模型。

熱失重數(shù)據(jù)

whaP2.544.982.349.62.564.962.469.92.55.022.568.92.485.042.519.52.5252.59.3

繪圖功能sample12345678σ（×10-4S·cm-1）4.44.25.67.88.83.12.21.8Err（×10-4S·cm-1）0.150.050.080.110.060.180.230.03例2-11．表1測試了一批不同離子摻雜導電陶瓷的電導率，請繪制散點圖。表1導電陶瓷的電導率例2-12.采用Nb5+、Ti4+、Y3+和Zn2+四種離子分別對NASICON陶瓷進行Zr位摻雜，采用網(wǎng)絡(luò)分析儀測試了四個試樣的介電常數(shù)，請繪制介電常數(shù)實部的點線圖。TSCcontentDensity(g·cm-3)Porosity(%)10%2.2125.820%2.4121.230%2.5219.440%2.7115.8例2-13.現(xiàn)采用等離子噴涂的方法制備了TSC/NASICON復合涂層，并測試了不同TSC含量下涂層的密度和氣孔率如表2所示。請繪制TSC/NASICON復合涂層密度和氣孔率隨含量變化的雙Y圖。表2TSC/NASICON復合涂層的密度和氣孔率例2-14.現(xiàn)采用高溫固相法制備了Na3Zr1.6Ti0.4Si2PO12陶瓷和Na3Zr1.8Ti0.2Si2PO12陶瓷，并采用X射線衍射儀對