模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第4講晶體三極管

1、第四講 晶體三極管,第四講 晶體三極管,一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào),二、晶體管的放大原理,三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性,四、溫度對(duì)晶體管特性的影響,五、主要參數(shù),一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào),多子濃度高,多子濃度很低，且很薄,面積大,晶體管有三個(gè)極、三個(gè)區(qū)、兩個(gè)PN結(jié)。,中功率管,大功率管,二、晶體管的放大原理,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流IE，復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流IB，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流IC。,少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng),因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū),因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合,因集電區(qū)面積大，在外電場(chǎng)作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū),基區(qū)空穴的擴(kuò)散,

2、電流分配： IEIBIC IE擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電流 IB復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成的電流 IC漂移運(yùn)動(dòng)形成的電流,穿透電流,集電結(jié)反向電流,直流電流放大系數(shù),交流電流放大系數(shù),為什么基極開路集電極回路會(huì)有穿透電流？,三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性,為什么UCE增大曲線右移？,對(duì)于小功率晶體管，UCE大于1V的一條輸入特性曲線可以取代UCE大于1V的所有輸入特性曲線。,為什么像PN結(jié)的伏安特性？,為什么UCE增大到一定值曲線右移就不明顯了？,1. 輸入特性,2. 輸出特性,是常數(shù)嗎？什么是理想晶體管？什么情況下 ?,對(duì)應(yīng)于一個(gè)IB就有一條iC隨uCE變化的曲線。,為什么uCE較小時(shí)iC隨uCE變化很大？為什

3、么進(jìn)入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線？,飽和區(qū),放大區(qū),截止區(qū),晶體管的三個(gè)工作區(qū)域,晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，輸出回路的電流 iC幾乎僅僅決定于輸入回路的電流 iB，即可將輸出回路等效為電流 iB 控制的電流源iC 。,四、溫度對(duì)晶體管特性的影響,五、主要參數(shù),直流參數(shù)： 、 、ICBO、 ICEO,c-e間擊穿電壓,最大集電極電流,最大集電極耗散功率，PCMiCuCE,安全工作區(qū),交流參數(shù)：、fT（使1的信號(hào)頻率）,極限參數(shù)：ICM、PCM、U（BR）CEO,討論一,1. 分別分析uI=0V、5V時(shí)T是工作在截止?fàn)顟B(tài)還是導(dǎo)通狀態(tài)； 2. 已知T導(dǎo)通時(shí)的UBE0.7V，若uI=5V，則在什么范圍內(nèi)T處于放大狀態(tài)?在什么范圍內(nèi)T處于飽和狀態(tài)？,通過uBE是否大于Uon判斷管子是否導(dǎo)通。,臨界飽和時(shí)的,清華大學(xué) 華成英 ,討論二,由圖示特性求