電子電路分析與制作試題庫

1、電子電路分析與制作試題庫第一部份 應(yīng)知部分一、單項選擇題：1. 差分放大電路是為了_而設(shè)置的。 ( )A、穩(wěn)定Au B、放大信號 C、抑制零點漂移2. 共集電極放大電路的負(fù)反饋組態(tài)是_。 ( )A、壓串負(fù) B、流串負(fù) C、壓并負(fù)3. 差分放大電路RE上的直流電流IEQ近似等于單管集電極電流ICQ_倍。( )A、1 B、2 C、34. 為了使放大器帶負(fù)載能力強，一般引入_負(fù)反饋。 ( i. A、電壓 B、電流 C、串聯(lián)1、 三端集成穩(wěn)壓器CW7812的輸出電壓是_。b) A、12V B、5V C、9VA、飽和 B、截止 C、交越 D、頻率5. 共模抑制比是差分放大電路的一個主要技術(shù)指標(biāo)，它反映放

2、大電路_能力。A、放大差模抑制共模 B、輸入電阻高 C、輸出電阻低6. LM386是集成功率放大器，它可以使電壓放大倍數(shù)在_之間變化。 A、020 B、20200 C、20010007. 單相橋式整流電容濾波電路輸出電壓平均值Uo=_Uz A、0.45 B、0.9 C、1.28. 單相橋式整流電容 波電路輸出電壓平均在Uo=( )U2。()A 0.45 B 0.9 C 1.2 9. 三端集成穩(wěn)壓器CW7906的輸出電壓是_(A -6V B -9v C -12v10. 差分放大電路是為了_而設(shè)置的。A穩(wěn)定Au B放大信號 C抑制零點漂移11. KMCR是差分放大電路的一個主要技術(shù)指標(biāo)，它反映放大

3、電路_能力。)A放大差模抑制共模 B 輸入電阻高 C輸出電阻低12. LM386是集成功率放大器，它可以使電壓放大倍數(shù)在_變化。A 0-20 B 20 -200 C 200-100013. 共集電極放大電路的負(fù)反饋組態(tài)是_。(A、壓串負(fù) B、流串負(fù) C、壓并負(fù)14. 差分放大電路RE上的直流電流IEQ近似等于單管集電極電流ICQ_倍。(A、1 B、2 C、315. 為了使放大器帶負(fù)載能力強，一般引入_負(fù)反饋。(A、電壓 B、電流 C、串聯(lián)16. 差分放大電路是為了_而設(shè)置的。A、穩(wěn)定Au B、放大信號 C、抑制零點漂移17. 共模抑制比是差分放大電路的一個主要技術(shù)指標(biāo)，它反映放大電路_能力。(

4、A、放大差模抑制共模 B、輸入電阻高 C、輸出電阻低18. LM386是集成功率放大器，它可以使電壓放大倍數(shù)在_之間變化。()A、020 B、20200 C、200100019. 單相橋式整流電容濾波電路輸出電壓平均值Uo=_Uz ()A、0.45 B、0.9 C、1.220. 振蕩器的輸出信號最初由_而來的。(C)A、基本放大器 B、選頻網(wǎng)絡(luò) C、干擾或噪聲信號 21. 三端集成穩(wěn)壓器CW7906的輸出電壓是_ (A -6V B -9v C -12v22. KMCR是差分放大電路的一個主要技術(shù)指標(biāo)，它反映放大電路_能力。(A放大差模抑制共模 B 輸入電阻高 C輸出電阻低23. LM386是集

5、成功率放大器，它可以使電壓放大倍數(shù)在_變化。()A 0-20 B 20 -200 C 200-100024. 單相橋式整流電容 波電路輸出電壓平均在Uo=( )U2。A 0.45 B 0.9 C 1.2 25. （2）RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)在時呈 。()A感性 B阻性 C 容性26. 通用型集成運放的輸入級多采用 。)A.共基接法 B.共集接法 C.共射接法 D.差分接法27. 兩個相同的晶體管組成復(fù)合管后，其電流放大系數(shù)約為 。()A. B.2 C.2 D.1+28. 硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的 。(A. 大 B. 小 C. 相等29. 在橋式（文氏橋）RC正弦波振蕩電路中， 。()A.A=

6、-1800，F(xiàn)=+1800 B. A=+1800，F(xiàn)=+1800 C.A=00，F(xiàn)=0030. 集成運放的互補輸出級采用 。()A.共基接法 B.共集接法 C.共射接法 D.差分接法31. 兩個相同的晶體管組成復(fù)合管后，其電流放大系數(shù)約為 。()A. B.2 C.2 D.1+32. 硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的 。()A. 大 B. 小 C. 相等33. 放大器的輸入電阻高，表明其放大微弱信號能力 。（）、強、弱、一般34. 射極跟隨器具有 特點。（）、電流放大倍數(shù)高、電壓放大倍數(shù)高、電壓放大倍數(shù)近似于且小于輸入電阻高，輸出電阻低35. 引入并聯(lián)負(fù)反饋，可使放大器的 。（）、輸出電壓穩(wěn)定

7、、反饋環(huán)內(nèi)輸入電阻增加、反饋環(huán)內(nèi)輸入電阻減小36. 直接耦合放大器的低頻特性比阻容耦合放大器的 。（）、好、差、相同37. 工作在線性區(qū)的運算放大器應(yīng)置于 狀態(tài)。（）、深度反饋 、開環(huán) 、閉環(huán)38. 產(chǎn)生正弦波自激震蕩的穩(wěn)定條件是 。（） A、引入正反饋 B、|AF|1 C、AF=139. 測量脈沖電壓（例如尖脈沖）的峰值應(yīng)使用 。（）、交流毫伏表、直流電壓表 、示波器、40. 整流的目的是 。( A )A. 將交流變?yōu)橹绷?B. 將高頻變?yōu)榈皖l C. 將正弦波變?yōu)榉讲?1. 在單相橋式整流電路中，若有一只整流管接反，則 。(A. 輸出電壓約為2UD B. 變?yōu)榘氩ㄖ绷?C. 整流管將因電流過

8、大而燒壞42. 直流穩(wěn)壓電源中濾波電路的目的是 。( )A. 將交流變?yōu)橹绷?B. 將高頻變?yōu)榈皖l C. 將交、直流混合量中的交流成分濾掉43. 濾波電路應(yīng)選用 。( )A.高通濾波電路 B. 低通濾波電路 C. 帶通濾波電路44. 串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中的放大環(huán)節(jié)所放大的對象是 。( )A. 基準(zhǔn)電壓 B. 采樣電壓 C. 基準(zhǔn)電壓與采樣電壓之差45. 開關(guān)型直流電源比線性直流電源效率高的原因是 。( )A. 調(diào)整管工作在開關(guān)狀態(tài) B. 輸出端有LC濾波電路 C. 可以不用電源變壓器46.下列邏輯代數(shù)運算錯誤的是。)A. A0=0 B. A+1=A C. A1=A D. A+0=A 47.在何種輸

9、入情況下，“或非”運算的結(jié)果是邏輯1。（）A. 全部輸入為0B. 全部輸入為1C. 任一輸入是0，其它輸入為1D. 任一輸入是1 48.當(dāng)某種門的輸入全部為高電平，而使輸出也為高電平者，則這種門將是（ ）。A與非門及或非門 B與門C或門及異或門 D與門及或非門 49.TTL與非門的扇出系數(shù)是（）。A 輸出端允許驅(qū)動各類型門電路的平均數(shù)目B 輸出端允許驅(qū)動同類型門電路的最小數(shù)目C 輸出端允許驅(qū)動同類型門電路的最大數(shù)目 D 以上各項都不是 50.一個16選1的數(shù)據(jù)選擇器（十六路數(shù)據(jù)選擇器），其地址輸入（選擇控制輸入）端有（ ）。A1個 B2個 C4個 D8個 51.對于JK觸發(fā)器，輸入J0，K1，

10、CP脈沖作用后，觸發(fā)器的狀態(tài)應(yīng)為（ ）。A1 B0 C不定 D 以上各項都不是 52.異步時序電路和同步時序電路比較，其差異在于（）。A沒有觸發(fā)器 B沒有統(tǒng)一的時鐘脈沖控制C沒有穩(wěn)定狀態(tài) D輸出只與內(nèi)部狀態(tài)有關(guān) 53.隨機存取存儲器（ ）。（）A 只讀存儲器 B揮發(fā)性存儲器C 不揮發(fā)性存儲器 DA、B、C三項都不是 54.晶閘管內(nèi)部有（ ）PN結(jié)。A 一個， B 二個， C 三個， D 四個55.單結(jié)晶體管內(nèi)部有（）個PN結(jié)。A 一個， B 二個， C 三個， D 四個56.晶閘管可控整流電路中的控制角減小，則輸出的電壓平均值會（。A 不變， B 增大， C 減小。 57.單相半波可控整流電路

11、輸出直流電壓的平均值等于整流前交流電壓的（ ）倍。A 1， B 0.5， C 0.45， D 0.9.58.單相橋式可控整流電路輸出直流電壓的平均值等于整流前交流電壓的（ ）倍。A 1， B 0.5， C 0.45， D 0.9.59.為了讓晶閘管可控整流電感性負(fù)載電路正常工作，應(yīng)在電路中接入（）。A 三極管， B 續(xù)流二極管， C 保險絲。60.晶閘管可整流電路中直流端的蓄電池或直流電動機應(yīng)該屬于）負(fù)載。A 電阻性， B 電感性， C 反電動勢。61.直流電動機由晶閘管供電與由直流發(fā)電機供電相比較，其機械特性（。A 一樣， B 要硬一些， C 要軟一些。62.帶平衡電抗器的雙反星型可控整流電

12、路適用于（）負(fù)載。A 大電流， B 高電壓， C 電動機。63.晶閘管在電路中的門極正向偏壓（）愈好。A 愈大， B 愈小， C 不變64.晶閘管兩端并聯(lián)一個RC電路的作用是（ ）。A 分流， B 降壓， C 過電壓保護， D 過電流保護。65.壓敏電阻在晶閘管整流電路中主要是用來（ ）。A 分流， B 降壓， C 過電壓保護， D 過電流保護。66.變壓器一次側(cè)接入壓敏電阻的目的是為了防止（C）對晶閘管的損壞。A 關(guān)斷過電壓， B 交流側(cè)操作過電壓， C 交流側(cè)浪涌。67.晶閘管變流裝置的功率因數(shù)比較（ ）。A 高， B 低， C 好。68.晶閘管變流器接直流電動機的拖動系統(tǒng)中，當(dāng)電動機在輕

13、載狀況下，電樞電流較小時，變流器輸出電流是（）的。A 連續(xù)， B 斷續(xù)， C 不變。69.普通晶閘管的通態(tài)電流（額定電流）是用電流的（）來表示的。A 有效值 B 最大賽值 C 平均值70.普通的單相半控橋可整流裝置中一共用了（）晶閘管。A 一只， B 二只， C 三只， D 四只。71在某放大電路中，測的三極管三個電極的靜態(tài)電位分別為0 V，-10 V，-9.3 V，則這只三極管是（ ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型鍺管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型鍺管72某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，該管為（ ）。AP溝道增強型MOS管 B、P溝道結(jié)型場效應(yīng)管 C、N溝道增強型MOS管 D、N溝道

14、耗盡型MOS管73通用型集成運放的輸入級采用差動放大電路，這是因為它的（ ）。A輸入電阻高 B.輸出電阻低 C.共模抑制比大 D.電壓放大倍數(shù)大74.在圖示電路中,Ri 為其輸入電阻，RS 為常數(shù)，為使下限頻率fL 降低，應(yīng) ）。A 減小C，減小Ri B. 減小C，增大Ri C. 增大C，減小 Ri 75.RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成,即RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)和（ ）。A. 基本共射放大電路 B.基本共集放大電路 C.反相比例運算電路 D.同相比例運算電路76.已知某電路輸入電壓和輸出電壓的波形如圖所示,該電路可能是（ ）。A.積分運算電路 B.微分運算電路 C.過零比較器 D.滯回比較

15、器77正弦電壓u(t)=(V),則正弦電壓的有效值等于（）ABCD78為使放大電路的輸出電壓穩(wěn)定、輸入電阻增大，需引入的交流負(fù)反饋是（）A電壓串聯(lián)B電壓并聯(lián)C電流串聯(lián)D電流并聯(lián)79（）ABCD80集成運放作為線性應(yīng)用時，電路形式一般是（）A開環(huán)B正反饋C開環(huán)或正反饋D深度負(fù)反饋81單相橋式整流電路，為變壓器副邊電壓有效值，則二極管承受的最高反壓為）ABCD82開關(guān)型集成穩(wěn)壓器與普通線性集成穩(wěn)壓器相比較，前者的突出特點是（）A穩(wěn)壓效果好B效率高C濾波電容大D輸出紋波小83卡諾圖中，把8個相鄰項合并，能夠消除的變量數(shù)為（）A1個B2個C3個D4個84在下列各圖中，使輸出F=1的電路是（）85兩個一

16、位二進制數(shù)A和B的數(shù)據(jù)比較器，表示AB的輸出G表達式為（）ABCD86在下列各圖中,能實行的電路是（）87三極管值是反映（ ）能力的參數(shù)。A電壓控制電壓B電流控制電流C電壓控制電流D電流控制電壓88N溝道絕緣柵增強型場效應(yīng)管的電路符號是（ ）89互補對稱功率放大器是（ ）A共發(fā)射極電路B共基極電路C共集電極電路D差動電路90振蕩頻率較低，一般在1MHz以內(nèi)的電路是（ ）A變壓器耦合振蕩器B文氏橋振蕩器C電感三點式振蕩器D電容三點式振蕩器91橋式整流電容濾波電路輸出電壓平均值U0(AV)= （ ）A0.45U2B0.9U2C1.1U2D1.2U292用三端穩(wěn)壓器組成穩(wěn)壓電路，要求U0=5V I0

17、=0.5A應(yīng)選用的穩(wěn)壓器是（ ）ACW7805 BCW7905CCW78M05 DCW78L0593三位二進制代碼可以編出的代碼有（ ）A3種B4種C6種D8種94發(fā)光二極管的工作電流為（ ）A幾幾十(微安)B幾十幾百(微安)C幾十幾(毫安)D幾安培95在CP有效的情況下，當(dāng)輸入端J=l、K=0時，則J-K觸發(fā)器的輸出Qn+1=（ ）A1B0CQnD 96已知邏輯函數(shù)則根據(jù)邏輯關(guān)系可等效為（ ）97用555定時器構(gòu)成的施密特觸發(fā)器當(dāng)5腳經(jīng)電容接地時，兩個閾值電壓是（ ）98通常情況下，ADC和DAC從速度上比較（ ）ADAC比ADC快BDAC比ADC慢C一樣快D無法確定99.PN結(jié)在外加正向電

18、壓的作用下，擴散電流（ ）漂移電流。a.大于 b. 小于 c. 等于100、當(dāng)環(huán)境溫度降低時，二極管的反向電流（ ）a.不變 b. 增大 c.減小101、測得BJT各極對地電壓為VB=4V，VC=36V，VE=34V，則該BJT工作在（ ）狀態(tài)。a.截止 b.飽和 c.放大102、NPN管工作在放大區(qū)時，三個極的電位特征是（ ）。a.VCVBVE b.VCVBVE c.VEVBVC d.VEVBVC103、為了減小輸出電阻，集成運放的輸出級多采用（ ）電路。a.共射或共源 b.差分放大 c.互補對稱104、運放的共模抑制比越大越好，因為它越大，表明運放的（ ）a.放大倍數(shù)越穩(wěn)定 b.交流放大倍

19、數(shù)越大 c.抑制溫漂能力越強105、希望接上負(fù)載RL后，VO基本不變，應(yīng)引入 ）負(fù)反饋。a.電壓 b.電流 c.串聯(lián) d.并聯(lián)106、要求得到一個由電流控制的電壓源，應(yīng)引入（ ）負(fù)反饋。a.電壓串聯(lián) b.電壓并聯(lián) c.電流串聯(lián) d.電流并聯(lián)107、某放大電路，當(dāng)輸入電壓為10mV時，輸出電壓為7V，輸入電壓為15mV時，輸出電壓為6.5V，則AV=（ ）a.700 b.100 c.-100108、某BJT的IE=1mA，IB=20A，則IC=（ ）mAa.0.98 b.1.02 c.0.8 d.1.2109.PN結(jié)外加反向電壓時，其內(nèi)電場（ C ）。a.減弱 b.不變 c.增強110.鍺二極管

20、的死區(qū)電壓為（ ）V。a.0.5 b.0.2 c.0.3111.測得BJT各極對地電壓為VB =1.8V，VE =0V，VC=12V，則該管工作在（ ）狀態(tài)。a.截止 b.飽和 c.放大 d.已損壞112.測得BJT三個管腳1、2、3對地電位分別為0V，0.2V，3V，則1、2、3腳對應(yīng)的三個極是（ ）。 a、ebc b、ecb c、cbe d、bec113.OTL功放電路的輸出端通過耦合電容與負(fù)載相聯(lián)。靜態(tài)時，該電容上的電壓為（ ）。a.VCC b.VCC c.2VCC114.FET用于放大時，應(yīng)工作在（ ）區(qū)。a.可變電阻 b.飽和 c.擊穿115.為了提高輸入電阻，減小溫漂，集成運放的輸

21、入級大多采用（ ）電路。a.共射或共源 b.共集或共漏 c.差放電路116.希望靜態(tài)時，元件參數(shù)改變時對放大器靜態(tài)工作點的影響較小，應(yīng)引入（ ）負(fù)反饋。117.要求得到一個由電流控制的電流源，應(yīng)引入（ ）負(fù)反饋。a.電壓串聯(lián) b.電壓并聯(lián) c.電流串聯(lián) d.電流并聯(lián) 118.測得BJT的IB=30A時，IC=2.4mA；IB=40A時，IC=3mA，則它的值為（ ）。a、80 b、60 c、75 d、100119.PN結(jié)外加正向電壓時，其空間電荷區(qū)（ ）。a.不變 b.變寬 c.變窄120.測得BJT各電極對地電壓為：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，則該BJT工作在（ ）狀態(tài)。 a

22、.截止 b.飽和 c.放大121. 測得放大電路中的BJT各電極對地電壓為：VB=2.7V，VE=2V，VC=6V，則該BJT為（ ）。a.NPN硅管 b.NPN鍺管 c.PNP鍺管 d.PNP硅管122.OCL功放電路的輸出端直接與負(fù)載相聯(lián) ，靜態(tài)時，其直流電位為（ ）。 a.VCC b.(1/2)VCC c. 0 d. 2VCC123.FET是（ ）控制器件。（ ） a. 電流 b.電壓 c.電場124.通常要求運算放大器帶負(fù)載能力強，在這里，負(fù)載的大小是指負(fù)載（ ）。 a.電阻大 b. 功率大 c. 電壓高125.希望放大器輸入端向信號源索取的電流比較小，應(yīng)引入（ ）負(fù)反饋。a.電壓 b

23、. 電流 c. 串聯(lián) d.并聯(lián)126.要求輸入電阻Ri大，輸出電流穩(wěn)定，應(yīng)引入（ ）負(fù)反饋。 a.電壓串聯(lián) b. 電壓并聯(lián) c.電流串聯(lián) d. 電流并聯(lián)127.工作在放大區(qū)的BJT，IB從20A增大到40A時，IC從1mA變?yōu)?mA則它的值為（ ）。 a.10 b. 50 c.100128.若差分電路兩輸入電壓分別為Vi1=10 mV，Vi2=6mV，則Vid和Vic分別為（ ）mV。a.4 8 b.2 8 c. 4 2 d.2 4129在某放大電路中，測的三極管三個電極的靜態(tài)電位分別為0 V，-10 V，-9.3 V，則這只三極管是（ ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型鍺管 C.PNP 型

24、硅管 D.PNP 型鍺管130某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，該管為（ ）。AP溝道增強型MOS管 B、P溝道結(jié)型場效應(yīng)管 C、N溝道增強型MOS管 D、N溝道耗盡型MOS管131通用型集成運放的輸入級采用差動放大電路，這是因為它的（ ）。A輸入電阻高 B.輸出電阻低 C.共模抑制比大 D.電壓放大倍數(shù)大132.RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成,即RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)和（ ）。A. 基本共射放大電路 B.基本共集放大電路 C.反相比例運算電路 D.同相比例運算電路133與甲類功率放大方式相比，乙類互補對稱功放的主要優(yōu)點是( )。a不用輸出變壓器 b不用輸出端大電容 c效率高 d無交越失真13

25、4穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時，其工作在( )，發(fā)光二極管發(fā)光時，其工作在( )。a正向?qū)▍^(qū) b反向截止區(qū) c反向擊穿區(qū)135為使PN結(jié)正向偏置，就使P區(qū)接電源（ ），N區(qū)接電源（ ）A正極、負(fù)極 B。負(fù)極、正極C正極、正極 D。負(fù)極、負(fù)極136在下圖所示電路中，穩(wěn)壓管Dw1和Dw2的穩(wěn)壓值分別為6V和7V，且工作在穩(wěn)壓狀態(tài)，由此可知輸出電壓UO為（ ）。A6V B。7V C。0V D。1V137若分別測得放大電路中的NPN型硅管各極電位如下圖所示，則管腳分別為電極（ ）Ac、b、e B.e、c、b C.b、c、e D.b、e、c138如下圖所示各電路中，處于放大狀態(tài)的三極管是（ ）139為了消除基本共

26、射放大電路的飽和失真，應(yīng)（ ） A減小基極偏置電阻 B。增大基極偏置電阻 C減小集電極偏置電阻 D。增大集電極偏置電阻140溫度升高時，三極管的部分參數(shù)的變化規(guī)律是（ ）A、ICEO、UBE B。、ICEO、UBEC、ICEO、UBE D。、ICEO、UBE141. 以下哪些不屬于引入負(fù)反饋后對電路的影響（ ）A 使放大電路的放大倍數(shù)減小B 使放大電路通頻帶展寬C 改變放大電路的輸入輸出電阻D 使放大電路放大倍數(shù)增大142. 由NPN管組成的基本共射放大電路，輸入信號為正弦波，輸出電壓出現(xiàn)頂部被削平的失真這種失真是（ ） A 飽和失真 B。頻率失真 C。截止失真 D。以上均不定143表征場效應(yīng)

27、管放大能力的重要參數(shù)是（ ） A夾斷電壓Up B。低頻互導(dǎo)（跨導(dǎo)）gm C飽和漏極電流IDSS D。最大柵源電壓BUGS144源極輸出器類似于（ ） A共發(fā)射極放大電路 B。共基極放大電路 C共集電極放大電路 D。共漏極放大電路145N溝道結(jié)型場效應(yīng)管處于放大狀態(tài)要求（ ） AUGS0 B。UGS=0 C。UGS0 D。UDS=0146LC正弦波振蕩電路起振的振幅條件是（ ） AAF=0 B.AF=1 C.AF1147采用石英晶體振蕩電路的主要目的是（ ） A提高輸出信號幅度 B。抽調(diào)輸出信號的頻率 C提高輸出信號的穩(wěn)定性 D。增大輸出信號的頻率范圍148雙端輸入雙端輸出差動放大器用成倍的元件

28、來換?。?） A對零點漂移的抑制 B. 較大的電壓放大倍數(shù) C. 較高的頻率穩(wěn)定度 D. 較大的輸出信號幅度149. 與乙類功放器比較,甲乙類功放器的主要優(yōu)點是( ) A. 放大倍數(shù)大 B. 頻率高 C. 無交越失真 D. 輸出信號幅度大150. 與甲類功放器比較,乙類功放器的主要優(yōu)點是( ) A. 放大倍數(shù)大 D. 頻率高 C. 無交越失真 D. 輸出信號幅度大二、多選題1. 穩(wěn)壓二極管是一個可逆擊穿二極管，穩(wěn)壓時工作在_狀態(tài)，但其兩端電壓必須_，它的穩(wěn)壓值Uz才有導(dǎo)通電流，否則處于_狀態(tài)。 （ ）A、 正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、導(dǎo)通 F、截止2. 用直流電壓表測得放大電路中某

29、三極管各極電位分別是2V、6V、2.7V，則三個電極分別是_，該管是_型。 ( )A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP）3. 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為_，此時應(yīng)該_偏置電阻。A、飽和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、減小 ( )4. 分析運放的兩個依據(jù)是_、_。 ( )i. A、U-U+ B、I-I+0 C、U0=Ui D、Au=15. 用直流電壓表測得放大電路中某三極管各管腳電位分別是2V、6V、2.7V，則三個電極分別是_，該管是_型。( )A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（

30、PNP） E、（NPN）6. 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為_失真，下半周失真時為_失真。( )A、飽和 B、截止 C、交越 D、頻率7. 當(dāng)集成運放線性工作時，有兩條分析依據(jù)_。 ( )A、U-U+ B、I-I+0 C、U0=Ui D、Au=18. 測某電路中三極管各極電位分別是0V、-6V、0.2V則三極管的三個電極分別是_，該管是_。( )A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)9. 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為_失真。共射極放大電路的交流輸出波形下半周失真時為_失真。( )A 飽和 B 截止 C交越 D頻率10. 對功

31、率放大器的主要要求有_ _ _( )A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真11. 當(dāng)集成運放線性工作時，在兩條分析依據(jù)_。( )A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=112. 測得某電路中三極管各極電位分別是3V、2.3V、12V則三極管的三個電極分別是_，該管是_型。A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)13. 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為_失真。共射極放大電路的交流輸出波形下半周失真時為_失真。A 飽和 B 截止 C交越 D頻率14. 當(dāng)集成運放線性工作時，在兩條分析依據(jù)_。()A U-

32、=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=115. 用直流電壓表測得放大電路中某三極管各極電位分別是2V、6V、2.7V，則三個電極分別是_，該管是_型。A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP）16. 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為_，此時應(yīng)該_偏置電阻。A、飽和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、減小17. 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為_失真，下半周失真時為_失真。 A、飽和 B、截止 C、交越 D、頻率 18. 測得某電路中三極管各極電位分別是3V、2.3V、12V則三極管的三個電極分別是_

33、，該管是_型。A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)19. 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為_失真。共射極放大電路的交流輸出波形下半周失真時為_失真。A 飽和 B 截止 C交越 D頻率20. 為了減小輸出電阻，應(yīng)在放大電路中引入 ；A、 為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點，應(yīng)在放大電路中引入 。（A） 電流負(fù)反饋（B）電壓負(fù)反饋（C）直流負(fù)反饋（D）交流負(fù)反饋21. 在（A）、（B）、（C）三種電路中輸出電阻最小的電路是 ；（A） 既能放大電流，又能放大電壓的電路是 。（B） （A）共基放大電路 （B）共集放大電路 （C）共射放大電路 22. 當(dāng)NPN型晶

34、體管工作在放大區(qū)時，各極電位關(guān)系為uC uB uE 。（A） （A） （B） （B） （C） = （D）三、判斷題1. 在運算電路中，同相輸入端和反相輸入端均為“虛地”。 ()2. 電壓負(fù)反饋穩(wěn)定輸出電壓，電流負(fù)反饋穩(wěn)定輸出電流。 ()3. 使輸入量減小的反饋是負(fù)反饋，否則為正反饋。 ()4. 產(chǎn)生零點漂移的原因主要是晶體管參數(shù)受溫度的影響。 ()5. 利用兩只NPN型管構(gòu)成的復(fù)合管只能等效為NPN型管。 (6. 本征半導(dǎo)體溫度升高后兩種載流子濃度仍然相等。 )7. 未加外部電壓時，PN結(jié)中電流從P區(qū)流向N區(qū)。 ()8. 集成運放在開環(huán)情況下一定工作在非線性區(qū)。 ()9. 只要引入正反饋，電路

35、就會產(chǎn)生正弦波振蕩。 ()10. 直流穩(wěn)壓電源中的濾波電路是低通濾波電路。 ()11. 只要滿足相位平衡條件，電路就會產(chǎn)生正弦波振蕩。 ()12. 引入直流負(fù)反饋可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點。 13. 負(fù)反饋越深，電路的性能越穩(wěn)定。 ()14. 零點漂移就是靜態(tài)工作點的漂移。 ()15. 放大電路采用復(fù)合管是為了增大放大倍數(shù)和輸入電阻。 () 16. 鏡像電流源電路中兩只晶體管的特性應(yīng)完全相同。 ()17. 半導(dǎo)體中的空穴帶正電。 ()18. P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。 ()19. 實現(xiàn)運算電路不一定非引入負(fù)反饋。 ()20. 凡是引入正反饋的集成運放，一定工作在非線性區(qū)。 ()21. yD/

36、A轉(zhuǎn)換器的位數(shù)越多，轉(zhuǎn)換精度越高。（ ） 22. A/D轉(zhuǎn)換器的二進制數(shù)的位數(shù)越多，量化單位越小。（） 23. A/D轉(zhuǎn)換過程中，必然會出現(xiàn)量化誤差。（ ） 24. 同步時序電路由組合電路和存儲器兩部分組成。（ ） 25. 組合電路不含有記憶功能的器件。（ ） 26. 時序電路不含有記憶功能的器件。（ ） 27. 同步時序電路具有統(tǒng)一的時鐘CP控制。（ ） 28. 異步時序電路的各級觸發(fā)器類型不同。（ ） 29. 環(huán)形計數(shù)器在每個時鐘脈沖CP作用時，僅有一位觸發(fā)器發(fā)生狀態(tài)更新。（ ） 30. 邏輯變量的取值，比大。（ ）。 31. 異或函數(shù)與同或函數(shù)在邏輯上互為反函數(shù)。（ ）32. 若兩個函數(shù)

37、具有相同的真值表，則兩個邏輯函數(shù)必然相等。（ ） 33. 因為邏輯表達式 A+B+AB=A+B 成立，所以 AB=0 成立。（ ） 34. 若兩個函數(shù)具有不同的邏輯函數(shù)式，則兩個邏輯函數(shù)必然不相等。（ ） 35. 邏輯函數(shù)兩次求反則還原，邏輯函數(shù)的對偶式再作對偶變換也還原為它本身。（ ）36. 方波的占空比為 0 . 5 。（ ） 37. 數(shù)字電路中用“ 1 ”和“ 0 ”分別表示兩種狀態(tài) , 二者無大小之分。（ ） 38. 在時間和幅度上都斷續(xù)變化的信號是數(shù)字信號，語音信號不是數(shù)字信號。（ ） 39. 運算電路中一般均引入負(fù)反饋。（ ）40. 在運算電路中，集成運放的反相輸入端均為虛地。（

38、）41. 凡是運算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運算關(guān)系。 （ ）42. 各種濾波電路的通帶放大倍數(shù)的數(shù)值均大于1。（ ）43. 若放大電路的放大倍數(shù)為負(fù)，則引入的反饋一定是負(fù)反饋。（ ）44. 負(fù)反饋放大電路的放大倍數(shù)與組成它的基本放大電路的放大倍數(shù)量綱相同。（ ）45. 若放大電路引入負(fù)反饋，則負(fù)載電阻變化時，輸出電壓基本不變。（ ）46. 阻容耦合放大電路的耦合電容、旁路電容越多，引入負(fù)反饋后，越容易產(chǎn)生低頻振蕩。（ ）47. 只要在放大電路中引入反饋，就一定能使其性能得到改善。（ ）48. 放大電路的級數(shù)越多，引入的負(fù)反饋越強，電路的放大倍數(shù)也就越穩(wěn)定。（ ）49. 反饋量僅

39、僅決定于輸出量。（ ）50. 既然電流負(fù)反饋穩(wěn)定輸出電流，那么必然穩(wěn)定輸出電壓。（ ）51. 現(xiàn)測得兩個共射放大電路空載時的電壓放大倍數(shù)均為100，將它們連成兩級放大電路，其電壓放大倍數(shù)應(yīng)為10000。( )52. 阻容耦合多級放大電路各級的Q點相互獨立,它只能放大交流信號。( )53. 直接耦合多級放大電路各級的Q點相互影響，它只能放大直流信號。( )54. 只有直接耦合放大電路中晶休管的參數(shù)才隨溫度而變化。( )55. 互補輸出級應(yīng)采用共集或共漏接法。( )56. 在功率放大電路中，輸出功率愈大，功放管的功耗愈大。( )57. 功率放大電路的最大輸出功率是指在基本不失真情況下，負(fù)載上可能獲

40、得的最大交流功率。( )58. 當(dāng)OCL電路的最大輸出功率為1W時，功放管的集電極最大耗散功率應(yīng)大于1W。( )59. 在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。（）60. 因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。（ ）61. PN結(jié)在無光照、無外加電壓時，結(jié)電流為零。（ ）62. 處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。（ ）64.普通晶閘管內(nèi)部有兩個PN結(jié)。 （）65.普通晶閘管外部有三個電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。 （）66.型號為KP507的半導(dǎo)體器件，是一個額定電流為50A的普通晶閘管。（）67.只要讓加在晶閘管兩端的電壓減小為零，晶閘

41、管就會關(guān)斷。 （）68.只要給門極加上觸發(fā)電壓，晶閘管就導(dǎo)通。 （）69.晶閘管加上陽極電壓后，不給門極加觸發(fā)電壓，晶閘管也會導(dǎo)通。（）70.加在晶閘管門極上的觸發(fā)電壓，最高不得超過100V。 ）71.單向半控橋可控整流電路中，兩只晶閘管采用的是“共陽”接法。（）72.晶閘管采用“共陰”接法或“共陽”接法都一樣。 （）73.增大晶閘管整流裝置的控制角，輸出直流電壓的平均值會增大。（）74.在觸發(fā)電路中采用脈沖變壓器可保障人員和設(shè)備的安全。 （）75.為防止“關(guān)斷過電壓”損壞晶閘管，可在管子兩端并接壓敏電阻。（）76.雷擊過電壓可以用RC吸收回路來抑制。 （）77.硒堆發(fā)生過電壓擊穿后就不能再使

42、用了。 （）78.晶閘管串聯(lián)使用須采取“均壓措施”。 （）79.為防止過電流，只須在晶閘管電路中接入快速熔斷器即可。 （）80.快速熔斷器必須與其它過電流保護措施同時使用。 （）81.晶閘管并聯(lián)使用須采取“均壓措施”。 （）82.在電路中接入單結(jié)晶體管時，若把b1、b2接反了，就會燒壞管子。（）83.單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路也可以用在雙向晶閘管電路中。 （）84.單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路輸出的脈沖比較窄。 （）85.單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路不能很好地滿足電感性或反電動勢負(fù)載的要求。 （）86、PN結(jié)中的空間電荷區(qū)是由帶電的正負(fù)離子形成的，因而它的電阻率很高。（ ）87、集電結(jié)處于正偏的BJT，它一定工作在飽和區(qū)。（ ）88.BJT的值越大，放大能力越強，但在選用BJT時，并不是值越大越好。（ ）89.集電極電阻RC的作用是將集電極電流的變化轉(zhuǎn)換成電壓的變化，實現(xiàn)電壓放大。因此，RC的值越大，輸出電壓越高。（ ）90只要將晶體管的靜態(tài)工作點設(shè)置在BJT特性曲線的線性放大區(qū)，則不論輸入什么信號，都不會產(chǎn)生非線性失真。（ ）91.分壓偏置電路的發(fā)射極電阻Re越大，工作點穩(wěn)定性越好。但Re過大，會使BJT的VCE減小，影響放大器的正常工作。（ ）92.射極輸出器的輸入電流是IB，輸出