單片機硬件結構知識

1、學習使用單片機就是理解單片機硬件結構，以及內部資源的應用,在匯編或C語言中學會各種功能的初始化設置，以及實現(xiàn)各種功能的程序編制。第一步：數(shù)字I/O的使用 使用按鈕輸入信號，發(fā)光二極管顯示輸出電平，就可以學習引腳的數(shù)字I/O功能，在按下某個按鈕后，某發(fā)光二極管發(fā)亮，這就是數(shù)字電路中組合邏輯的功能，雖然很簡單，但是可以學習一般的單片機編程思想，例如，必須設置很多寄存器對引腳進行初始化處理，才能使引腳具備有數(shù)字輸入和輸出輸出功能。每使用單片機的一個功能，就要對控制該功能的寄存器進行設置，這就是單片機編程的特點，千萬不要怕麻煩，所有的單片機都是這樣。第二步：定時器的使用 學會定時器的使用，就可以用單片

2、機實現(xiàn)時序電路，時序電路的功能是強大的，在工業(yè)、家用電氣設備的控制中有很多應用，例如，可以用單片機實現(xiàn)一個具有一個按鈕的樓道燈開關，該開關在按鈕按下一次后，燈亮3分鐘后自動滅，當按鈕連續(xù)按下兩次后，燈常亮不滅，當按鈕按下時間超過2s，則燈滅。數(shù)字集成電路可以實現(xiàn)時序電路，可編程邏輯器件（PLD）可以實現(xiàn)時序電路，可編程控制器（PLC）也可以實現(xiàn)時序電路，但是只有單片機實現(xiàn)起來最簡單，成本最低。定時器的使用是非常重要的，邏輯加時間控制是單片機使用的基礎。第三步：中斷 單片機的特點是一段程序反復執(zhí)行，程序中的每個指令的執(zhí)行都需要一定的執(zhí)行時間，如果程序沒有執(zhí)行到某指令，則該指令的動作就不會發(fā)生，這

3、樣就會耽誤很多快速發(fā)生的事情，例如，按鈕按下時的下降沿。要使單片機在程序正常運行過程中，對快速動作做出反應，就必須使用單片機的中斷功能，該功能就是在快速動作發(fā)生后，單片機中斷正常運行的程序，處理快速發(fā)生的動作，處理完成后，在返回執(zhí)行正常的程序。中斷功能使用中的困難是需要精確地知道什么時候不允許中斷發(fā)生（屏蔽中斷）、什么時候允許中斷發(fā)生（開中斷），需要設置哪些寄存器才能使某種中斷起作用，中斷開始時，程序應該干什么，中斷完成后，程序應該干什么等等。中斷學會后，就可以編制更復雜結構的程序，這樣的程序可以干著一件事，監(jiān)視著一件事，一旦監(jiān)視的事情發(fā)生，就中斷正在干的事情，處理監(jiān)視的事情，當然也可以監(jiān)視多

4、個事情，形象的比喻，中斷功能使單片機具有吃著碗里的，看著鍋里的功能。以上三步學會，就相當于降龍十八掌武功，會了三掌了，可以勉強護身。第四步：與PC機進行RS232通信 單片機都有USART接口，特別是MSP430系列中很多型號，都具有兩個USART接口。USART接口不能直接與PC機的RS232接口連接，它們之間的邏輯電平不同，需要使用一個MAX3232芯片進行電平轉換。 USART接口的使用是非常重要的，通過該接口，可以使單片機與PC機之間交換信息，雖然RS232通信并不先進，但是對于接口的學習是非常重要的。正確使用USART接口，需要學習通信協(xié)議，PC機的RS232接口編程等等知識。試想，

5、單片機實驗板上的數(shù)據(jù)顯示在PC機監(jiān)視器上，而PC機的鍵盤信號可以在單片機實驗板上得到顯示，將是多么有意思的事情?。〉谖宀剑簩W會A/D轉換 MAP430單片機帶有多通道12位A/D轉換器，通過這些A/D轉換器可以使單片機操作模擬量，顯示和檢測電壓、電流等信號。學習時注意模擬地與數(shù)字地、參考電壓、采樣時間，轉換速率，轉換誤差等概念。使用A/D轉換功能的簡單的例子是設計一個電壓表。第六步：學會PCI、I2C接口和液晶顯示器接口 這些接口的使用可以使單片機更容易連接外部設備，在擴展單片機功能方面非常重要。第七步：學會比較、捕捉、PWM功能 這些功能可以使單片機能夠控制電機，檢測轉速信號，實現(xiàn)電機調速器

6、等控制起功能。如果以上七步都學會，就可以設計一般的應用系統(tǒng)，相當于學會十招降龍十八掌，可以出手攻擊了。第八步：學習USB接口、TCP/IP接口、各種工業(yè)總線的硬件與軟件設計 學習USB接口、TCP/IP接口、各種工業(yè)總線的硬件與軟件設計是非常重要的，因為這是當前產品開發(fā)的發(fā)展方向。到底什么是JTAG呢？JTAG(Joint Test Action Group)聯(lián)合測試行動小組)是一種國際標準測試協(xié)議（IEEE 1149.1兼容），主要用于芯片內部測試?，F(xiàn)在多數(shù)的高級器件都支持JTAG協(xié)議，如DSP、FPGA器件等。標準的JTAG接口是4線：TMS、 TCK、TDI、TDO，分別為模式選擇、時鐘

7、、數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出線。 JTAG最初是用來對芯片進行測試的，基本原理是在器件內部定義一個TAP（Test Access Port測試訪問口）通過專用的JTAG測試工具對進行內部節(jié)點進行測試。JTAG測試允許多個器件通過JTAG接口串聯(lián)在一起，形成一個JTAG鏈，能實現(xiàn)對各個器件分別測試?，F(xiàn)在，JTAG接口還常用于實現(xiàn)ISP（In-System rogrammable在線編程），對FLASH等器件進行編程。 JTAG編程方式是在線編程，傳統(tǒng)生產流程中先對芯片進行預編程現(xiàn)再裝到板上因此而改變，簡化的流程為先固定器件到電路板上，再用JTAG編程，從而大大加快工程進度。JTAG接口可對PSD芯片內部

8、的所有部件進行編程JTAG的一些說明通常所說的JTAG大致分兩類，一類用于測試芯片的電氣特性，檢測芯片是否有問題；一類用于Debug；一般支持JTAG的CPU內都包含了這兩個模塊。 一個含有JTAG Debug接口模塊的CPU，只要時鐘正常，就可以通過JTAG接口訪問CPU的內部寄存器和掛在CPU總線上的設備，如FLASH，RAM，SOC（比如4510B，44Box，AT91M系列）內置模塊的寄存器，象UART，Timers，GPIO等等的寄存器。 上面說的只是JTAG接口所具備的能力，要使用這些功能，還需要軟件的配合，具體實現(xiàn)的功能則由具體的軟件決定。 例如下載程序到RAM功能。了解SOC的

9、都知道，要使用外接的RAM，需要參照SOC DataSheet的寄存器說明，設置RAM的基地址，總線寬度，訪問速度等等。有的SOC則還需要Remap，才能正常工作。運行Firmware時，這些設置由Firmware的初始化程序完成。但如果使用JTAG接口，相關的寄存器可能還處在上電值，甚至時錯誤值，RAM不能正常工作，所以下載必然要失敗。要正常使用，先要想辦法設置RAM。在ADW中，可以在Console窗口通過Let 命令設置，在AXD中可以在Console窗口通過Set命令設置。 下面是一個設置AT91M40800的命令序列，關閉中斷，設置CS0-CS3, 并進行Remap，適用于AXD(A

10、DS帶的Debug) setmem 0xfffff124,0xFFFFFFFF,32 關閉所有中斷 setmem 0xffe00000,0xd,32 設置CS0 setmem 0xffe00004,0x,32 設置CS1 setmem 0xffe00008,0xd,32 設置CS2 setmem 0xffe0000C,0xd,32 設置CS3 setmem 0xffe00020,1,32 Remap 如果要在ADW（SDT帶的DEBUG）中使用，則要改為： let 0xfffff124=0xFFFFFFFF 關閉所有中斷 let 0xffe00000=0xd 設置CS0 let 0xffe00

11、004=0x 設置CS1 let 0xffe00008=0xd 設置CS2 let 0xffe0000C=0xd 設置CS3 let 0xffe00020=1 Remap 為了方便使用，可以將上述命令保存為一個文件config.ini, 在Console窗口輸入 ob config.ini 即可執(zhí)行。 使用其他debug，大體類似，只是命令和命令的格式不同。 設置RAM時，設置的寄存器以及寄存器的值必須和要運行程序的設置一致。一般編譯生成的目標文件是ELF格式，或類似的格式，包含有目標碼運行地址，運行地址在Link時候確定。Debug下載程序時根據(jù)ELF文件中的地址信息下載程序到指定的地址。如

12、果在把RAM的基地址設置為0x, 而在編譯的時候指定Firmware的開始地址在0x, 下載的時候，目標碼將被下載到0x，顯然下載會失敗。 通過JTAG下載程序前應關閉所有中斷，這一點和Firmware初始化時關閉中斷的原因相同。在使用JTAG接口的時候，各中斷的使能未知，尤其是 FLASH里有可執(zhí)行碼的情況，可能會有一些中斷被使能。使用JTAG下載完代碼，要執(zhí)行時，有可能因為未完成初始化就產生了中斷，導致程序異常。所以，需要先關閉中斷，一般通過設置SOC的中斷控制寄存器完成。 使用JTAG寫Flash。在理論上，通過JTAG可以訪問CPU總線上的所有設備，所以應該可以寫FLASH，但是FLA

13、SH寫入方式和RAM大不相同，需要特殊的命令，而且不同的FLASH擦除，編程命令不同，而且塊的大小，數(shù)量也不同，很難提供這一項功能。所以一般Debug不提供寫Flash功能，或者僅支持少量幾種Flash。 目前，針對 ARM，只有FlashPGM這個軟件提供寫FLASH功能，但使用也非常麻煩。AXD，ADW都不提供寫FLASH功能。我寫Flash的方法時是，自己寫一個簡單的程序，專門用于寫目標板的FLASH，利用JTAG接口，下載到目標板，再把要燒寫的目標碼裝成BIN格式，也下到目標板（地址和燒 FLASH的程序的地址不同），然后運行已經下載的燒FLASH的程序。使用這種方式，比起FlashP

14、GM的寫Flash，速度似乎要快一些。 關于簡單JTAG電纜。 目前有各種各樣簡單JTAG電纜，其實只是一個電平轉換電路，同時還起到保護作用。JTAG的邏輯則由運行在PC上的軟件實現(xiàn)，所以在理論上，任何一個簡單 JTAG電纜，都可以支持各種應用軟件，如Debug等。關于簡單JTAG電纜的速度。 JTAG 是串行接口，使用打印口的簡單JTAG電纜，利用的是打印口的輸出帶鎖存的特點，使用軟件通過I/O產生JTAG時序。由JTAG標準決定，通過JTAG 寫/讀一個字節(jié)要一系列的操作，根據(jù)我的分析，使用簡單JTAG電纜，利用打印口，通過JTAG輸出一個字節(jié)到目標板，平均需要43個打印口I/O, 在我機

15、器上（P4 1.7G)，每秒大約可進行660K次 I/O 操作，所以下載速度大約在660K/43, 約等于15K Byte/S. 對于其他機器，I/O速度大致相同，一般在600K 800K. 關于如何提高JTAG下載速度。 很明顯，使用簡單JTAG電纜無法提高速度。要提高速度，大致有兩種辦法， 1。使用嵌入式系統(tǒng)提供JTAG接口，嵌入式系統(tǒng)和微機之間通過USB/Ethernet相連，這要求使用MCU。 2。使用CPLD/FPGA提供JTAG接口，CPLD/FPGA和微機之間使用EPP接口（一般微機打印口都支持EPP模式），EPP接口完成微機和CPLD/FPGA之間的數(shù)據(jù)傳輸，CPLD/FPGA

16、完成JTAG時序。 第一個方法可以達到比較高的速度，實測超過了200KByte/S(注意：是Byte，不是Bit）；但是相對來說，硬件復雜，制造相對復雜。第二種相對來說，下載速度要慢一些，最快時達到96KByte/S，但電路簡單，制造方便，而且速度可以滿足需要。第二種方案還有一個缺點，由于進行I/O操作時，CPU不會被釋放，因此在下載程序時，微機CPU顯得很繁忙。 總的來說，對于個人愛好者來說，第二種方法更可取 電容命名、材質、規(guī)格 電容的型號命名： 1） 各國電容器的型號命名很不統(tǒng)一，國產電容器的命名由四部分組成： 第一部分：用字母表示名稱，電容器為C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分

17、：用數(shù)字表示分類。 第四部分：用數(shù)字表示序號。 2） 電容的標志方法： （1） 直標法：用字母和數(shù)字把型號、規(guī)格直接標在外殼上。 （2） 文字符號法：用數(shù)字、文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。文字符號表示其電容量的單位：P、N、u、m、F等。和電阻的表示方法相同。標稱允許偏差也和電阻的表示方法相同。小于10pF的電容，其允許偏差用字母代替：B0.1pF，C0.2pF，D0.5pF，F(xiàn)1pF。 （3） 色標法：和電阻的表示方法相同，單位一般為pF。小型電解電容器的耐壓也有用色標法的，位置靠近正極引出線的根部，所表示的意義如下表所示： 顏色 黑 棕 紅 橙 黃 綠 藍 紫 灰 耐壓 4V 6.3V

18、10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V （4） 進口電容器的標志方法：進口電容器一般有6項組成。 第一項：用字母表示類別： 第二項：用兩位數(shù)字表示其外形、結構、封裝方式、引線開始及與軸的關系。 第三項：溫度補償型電容器的溫度特性，有用字母的，也有用顏色的，其意義如下表所示： 序號 字母 顏色 溫度系數(shù) 允許偏差 字母 顏色 溫度系數(shù) 允許偏差 1 A 金 +100 R 黃 -220 2 B 灰 +30 S 綠 -330 3 C 黑 0 T 藍 -470 4 G 30 U 紫 -750 5 H 棕 -30 60 V -1000 6 J 120 W -1500 7 K 250 X

19、-2200 8 L 紅 -80 500 Y -3300 9 M 1000 Z -4700 10 N 2500 SL +350-1000 11 P 橙 -150 YN -800-5800 備注：溫度系數(shù)的單位10e -6/；允許偏差是 % 。 第四項：用數(shù)字和字母表示耐壓，字母代表有效數(shù)值，數(shù)字代表被乘數(shù)的10的冪。 第五項：標稱容量，用三位數(shù)字表示，前兩位為有效數(shù)值，第三為是10的冪。當有小數(shù)時，用R或P表示。普通電容器的單位是pF，電解電容器的單位是uF。 第六項：允許偏差。用一個字母表示，意義和國產電容器的相同。 也有用色標法的，意義和國產電容器的標志方法相同。 3 電容的主要特性參數(shù)：

20、（1） 容量與誤差：實際電容量和標稱電容量允許的最大偏差范圍。一般分為3級：I級5%，II級10%，III級20%。在有些情況下，還有0級，誤差為20%。 精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。 常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D005級0.5%；F01級1%；G02級2%；JI級5%；KII級10%；MIII級20%。 （2） 額定工作電壓：電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對于結構、介質、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。 （3） 溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內，溫度每變化1，電容量的相對變化值

21、。溫 貼片電容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材質規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應用以及采購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是敝司三巨電子公司的命名方法，其他公司的產品請參照該公司的產品手冊。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。 一 NPO

22、電容器 NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。 NPO電容器是電容量和介質損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55到+125時容量變化為030ppm/，電容量隨頻率的變化小于0.3C。NPO電容的漂移或滯后小于0.05%，相對大于2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。 二 X7R電容器 X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定

23、型的陶瓷電容器。當溫度在-55到+125時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。 X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%C，表現(xiàn)為10年變化了約5%。 X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。 三 Z5U電容器 Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境

24、和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。 盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應，使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。 Z5U電容器的其他技術指標如下: 工作溫度范圍 +10 - +85 溫度特性 +22% - -56% 介質損耗 最大 4% 四 Y5V電容器 Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30到85范圍內其容量變化可達+22%到-82%。 Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7F電容器。 Y5V電容器的其他技術指標如下: 工作溫度范圍 -30 - +85 溫度特

25、性 +22% - -82% 介質損耗 最大 5% 電容的主要特性參數(shù)： （1） 容量與誤差：實際電容量和標稱電容量允許的最大偏差范圍。一般使用的容量誤差有：J級5%，K級10%，M級20%。 精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。 常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D級0.5%；F級1%；G級2%；J級5%；K級10%；M級20%。 （2） 額定工作電壓：電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對于結構、介質、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。 （3） 溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內，溫度每變化1，電容量的

26、相對變化值。溫度系數(shù)越小越好。 （4） 絕緣電阻：用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。 （5） 損耗：在電場的作用下，電容器在單位時間內發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。 （6） 頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場頻率而變化的性質。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時比低頻時小，電容量也相應減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電容器的性

27、能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。 不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內；圓片型瓷介電容器為300MHZ；圓管型瓷介電容器為200MHZ；圓盤型瓷介可達3000MHZ；小型紙介電容器為80MHZ；中型紙介電容器只有8MHZ。測評貼片電容性能，從三個方面進行，首先是貼片電容的四個常規(guī)電性能，即容量Cap. 損耗DF，絕緣電阻IR和耐電壓DBV，一般地，X7R產品的損耗值DF500歐*法，BDV2.5Ur.其次是貼片電容的加速壽命性能，在125deg.c環(huán)境溫度和2.5Ur直流負載條件下，芯片應能耐100小時不擊穿，質量好的可耐1000小時不擊穿。再次就是

28、產品的耐熱沖擊性能，將電容浸入300deg.c錫爐10秒，多做幾粒，顯微鏡下觀察是否有表面裂紋，然后可測試容量損耗并與熱沖擊前對比判別芯片是否內部裂紋。 貼片電容在電路上出現(xiàn)問題，有可能是貼片電容本身質量不良，亦有可能是設計時選取規(guī)格欠佳或是在表面貼裝機械力熱沖擊等對貼片電容造成一定的損傷等因素造成什么是鎖相環(huán)（PLL）？ 問題: 什么是鎖相環(huán)（PLL）？鎖相環(huán)的工作原理是什么？鎖相環(huán)電路對硬件電路連接有什么要求？解答: 鎖相環(huán)是一種反饋電路，其作用是使得電路上的時鐘和某一外部時鐘的相位同步。PLL通過比較外部信號的相位和由壓控晶振（VCXO）的相位來實現(xiàn)同步的，在比較的過程中，鎖相環(huán)電路會不

29、斷根據(jù)外部信號的相位來調整本地晶振的時鐘相位，直到兩個信號的相位同步。在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，鎖相環(huán)是一種非常有用的同步技術，因為通過鎖相環(huán)，可以使得不同的數(shù)據(jù)采集板卡共享同一個采樣時鐘。因此，所有板卡上各自的本地80MHz和20MHz時基的相位都是同步的，從而采樣時鐘也是同步的。因為每塊板卡的采樣時鐘都是同步的，所以都能嚴格地在同一時刻進行數(shù)據(jù)采集。通過鎖相環(huán)同步多塊板卡的采樣時鐘所需要的編程技術會根據(jù)您所使用的硬件板卡的不同而不同。對于基于PCI總線的產品（M系列數(shù)據(jù)采集卡，PCI數(shù)字化儀等），所有的同步都是通過RTSI總線上的時鐘和觸發(fā)線來實現(xiàn)的；這時，其中一塊版板卡會作為主卡并且輸出其內部時

30、鐘，通過RTSI線，其他從板卡就可以獲得這個用于同步的時鐘信號，對于基于PXI總線的產品，則通過將所有板卡的時鐘于PXI內置的10MHz背板時鐘同步來實現(xiàn)鎖相環(huán)同步的。關于更多的不同儀器的鎖相環(huán)技術，請點擊下面相關的連接。問：A/D轉換器芯片與微處理器接口時重點應考慮哪些問題?答：AD轉換器與微處理器相連接是作為微機的一個輸入設備。AD轉換器將轉換后的數(shù)字量輸入微機，同時AD的工作還要受CPU控制，兩者之間是通過數(shù)據(jù)線、控制線和狀態(tài)線相連接的。(1)AD)轉換器具有三態(tài)緩沖器時，數(shù)據(jù)線可直接相連；無三態(tài)緩沖器的AD芯片，需外接三態(tài)緩沖器，或接并行接口8255A。 (2)AD轉換器需要一個啟動信

31、號START和一個輸出允許信號OE，這兩個信號都應由CPU產生并送人AD；AD轉換結束將產生一個轉換結束狀態(tài)信號EOC送回到CPU。(3)AD與CPU接口時，有一個時間配合問題。從啟動AD到轉換結束需幾微秒幾百微秒，只有時間匹配得好，才能得到正確轉換結果?？刹捎孟率鋈N方法讀取AD轉換結果：固定延時等待法不需應答信號，通過執(zhí)行一段程序達到延時目的，應等于或略大于AD轉換時間。此法優(yōu)點是接口簡單，缺點是CPU效率低。 查詢等待法AD轉換啟動后，反復測試轉換結束信號EOC狀態(tài)是否有效，轉換完畢EOC有效。中斷法轉換完成EOC有效，用EOC作中斷請求信號，請求CPU中斷服務。AD位數(shù)與CPU數(shù)據(jù)線位

32、數(shù)相等時，讀人一次完成；AD位數(shù)高于CPU數(shù)據(jù)線位數(shù)，需外加三態(tài)緩沖器，分2次轉換，一次讀出。2. 問：DA轉換器芯片與微處理器接口時重點應考慮哪些問題?答：DA與CPU連接時，DA相當于CPU的一個輸出設備，只有數(shù)據(jù)輸入線、片選線和寫入控制線與CPU有關。實際上就是數(shù)據(jù)線、地址線及控制線的連接問題。這其中一個重要問題就是數(shù)據(jù)鎖存問題。CPU向DA轉換器輸出，實際是通過數(shù)據(jù)總線進行的。這Vii：據(jù)在數(shù)據(jù)總線上停留的時間極短，而DA轉換器要求在轉換期間數(shù)據(jù)輸人保持穩(wěn)定，以便得到正確的模擬輸出，因此需要數(shù)據(jù)鎖存器來保持CPU輸出給DA轉換器的數(shù)據(jù)直至轉換結束。事實上多數(shù)DA轉換器內部已有鎖存器，所

33、以可以直接相連。對于內部沒有數(shù)據(jù)鎖存器的DA轉換芯片，則必須外加鎖存器，如D觸發(fā)器、接口芯片8212、8255A等。不論DA轉換器內部或外部的數(shù)據(jù)鎖存器都受地址譯碼和IO等信號的控制。 3. 問：常用的DA轉換器有哪幾種?答：常用的DA轉換器有下列4種：(1)1408DAC1408DAC是一種價格便宜，性能較低的8位DA芯片。使用這種轉換芯片時，需外加一些器件和電路，如基準電源、輸出極性選擇電路、運算放大器等。屬于這類芯片的有ADl408，SSSl408A，tos(r2等。這類芯片主要性能如下： 分辨率：8位建立時間：250ns單調性：8位功耗：157mW(2)DAC0832數(shù)字輸入端具有雙重緩沖功能，可以雙緩沖、單緩沖或直接輸入，適用于多個模擬量同時輸出的場合。主要特性為：分辨率：8位建立時間：1us功耗：20mW輸入：TTL(3)AD7522數(shù)字輸入端具有雙重鎖存，可鎖存10位并行數(shù)碼，還可接納串行信息。主要特性如下：分辨率：10位 建立時間：500ns輸出：單極性5t極性功耗：20mW(4)AD561AD561是一種高速的DA轉換芯片，雙極型器件。主要特性為：分辨率：10位建立時間：250ns輸出：單極性雙極性功耗：290mW4. 問：常用的AD轉換器有哪幾種?答：常用的AD轉換器有下列3種： (1)ADC0804ADC0