Nicu膜的制備及光學(xué)性質(zhì)的研究畢業(yè)論文

1、ni-cu膜的制備及光學(xué)性質(zhì)的研究 摘 要橢偏測量的基本原理是起偏器產(chǎn)生的線偏振光經(jīng)取向一定的1/4波片后成為特殊的橢圓偏振光，把它投射到待測樣品表面反射出來的將是線偏振光。根據(jù)偏振光在反射前后的狀態(tài)變化（包括振幅和相位的變化），便可測定樣品表面的許多光學(xué)特性。關(guān)鍵詞：橢偏法；ni-cu膜；真空鍍膜abstractthe measurement of the basic principle is a polarization of light through the orientation of the 1/ 4 after wave of a particular sphere of the

2、 polarization of light ,and put it on to the surface of the test samples of reflections line will be polarization. according to the polarization of light at the back of the state changes(including amplitude and phase change), it can determine the samples. keywords：partial method；membrane of ni-cu；va

3、cuum coating目 錄1 引言 51.1真空鍍膜技術(shù) .51.1.1真空鍍膜技術(shù). . 51.1.2常用的真空鍍膜技術(shù)簡介 .51.1.3真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中真空度對蒸發(fā)的影響 .51.1.4真空蒸發(fā)鍍膜中應(yīng)注意的幾個問題 .71.2薄膜材料 .71.2.1薄膜材料發(fā)展 .71.2.2薄膜的應(yīng)用 .81.3 橢偏法 .81.3.1橢偏法的簡單介紹 .81.3.2橢偏法的基本原理 .81.3.3橢偏法的發(fā)展與應(yīng)用 9 2 實(shí)驗(yàn) .92.1實(shí)驗(yàn)原理.92.1.1橢偏法基本原理.92.1.2光度法的基本理論.112.2實(shí)驗(yàn)裝置.132.3薄膜樣品制備過程.132.4實(shí)驗(yàn)內(nèi)容.142.5實(shí)驗(yàn)結(jié)果

4、與分析.143 小結(jié).17參考文獻(xiàn). 18致謝.191 引言1.1真空鍍膜技術(shù)1.1.1真空鍍膜技術(shù)早在一個多世紀(jì)以前，人們從輝光放電管壁上就觀察到了濺射的金屬薄膜。根據(jù)這一現(xiàn)象，后來逐步發(fā)展起真空鍍膜的方法。真空鍍膜技術(shù)，在現(xiàn)代工業(yè)和科學(xué)方面有著廣泛的應(yīng)用。例如，光學(xué)儀器上的各種反射膜，增透膜，濾光片等，都是真空鍍膜的產(chǎn)物；電子器件中用的薄膜電阻，特別是平面型晶體管和超大規(guī)模集成電路也有賴于薄膜技術(shù)來制造；硬質(zhì)保護(hù)膜可使各種經(jīng)常磨損的器件表面硬化，大大增強(qiáng)耐磨程度；磁性薄膜具有記憶功能，在電子計(jì)算機(jī)中用作存儲記錄介質(zhì)而占有重要地位。因此，真空鍍膜技術(shù)目前正在向各個重要的科學(xué)領(lǐng)域中延伸，引起了

5、人們廣泛的注意1。1.1.2常用的真空鍍膜技術(shù)簡介真空鍍膜中常用的方法是真空蒸發(fā)和離子濺射。真空蒸發(fā)鍍膜是在一定真空度下，把要蒸發(fā)的材料加熱到一定溫度，使大量分子或原子蒸發(fā)和升華，并直接淀積在基片上形成薄膜。離子濺射鍍膜是利用氣體放電產(chǎn)生的正離子在電場的作用下高速轟擊作為陰極的靶，使靶材中的分子或原子逸出而淀積到被鍍工件的表面，形成所需要的薄膜。真空蒸發(fā)鍍膜最常用的是電阻加熱法。其優(yōu)點(diǎn)是加熱源的結(jié)構(gòu)簡單，造價低廉，操作方便；缺點(diǎn)是不適合用于難熔金屬和耐高溫的介質(zhì)材料。此外還有電子束加熱法，它是利用聚焦電子束直接對被轟擊材料加熱，電子束的動能變成熱能，使材料蒸發(fā)。陰極濺射技術(shù)與真空蒸發(fā)技術(shù)有所不

6、同。充有稀薄氣體的放電管的兩極上加有直流電壓時，開始只有很小的電流，即只有少數(shù)電子和離子形成電流。隨著電壓升高，電子和離子的能量變大，與氣體分子碰撞使之電離，產(chǎn)生更多的離子。正離子在電場中以很高的速度轟擊陰極靶，使靶的中性原子濺射出來，穿過工作空間而淀積到基片上2。1.1.3真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中真空度對蒸發(fā)的影響固體物質(zhì)在常溫和常壓下，蒸發(fā)量極微。蒸發(fā)離開固體表面的分子因周圍氣體壓強(qiáng)高又易于回到該物質(zhì)中去，如果將固體材料放置于真空中，由于周圍氣體壓強(qiáng)很低，將該物質(zhì)加熱至熔化溫度，被加熱材料的分子易于離開表面向四周散射。熱蒸發(fā)材料的分子在散射途中如遇障礙物或真空室四壁，就積淀成一層該材料的薄膜。電

7、阻加熱蒸發(fā)鍍膜屬于pvd（物理氣相淀積）工藝。在這里，薄膜是由飛抵基片的原子或分子在基片上凝聚而成的。在真空蒸鍍中，薄膜的形成過程是：飛抵基片的氣化分子或原子，初一部分被反射外，其余的被吸附在基片的表面上；被吸附的原子或分子在基片表面上進(jìn)行擴(kuò)散運(yùn)動，一部分在運(yùn)動中因相互碰撞而結(jié)合成聚團(tuán)；另一部分經(jīng)過一段時間的滯留后，被再蒸發(fā)而離開基片表面。聚團(tuán)可能會與表面擴(kuò)散原子分子發(fā)生碰撞時捕獲原子分子而增大，也可能因單個分子原子脫離而變小。當(dāng)聚團(tuán)增大到一定程度時，便會形成穩(wěn)定的核；核再捕獲到飛抵的原子分子或表面擴(kuò)散原子分子時會生長。在生長過程中核與核合成而形成的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)；網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)被填實(shí)即生成連續(xù)的膜。蒸發(fā)

8、淀積薄膜的厚度和質(zhì)量與氣體壓強(qiáng)的大小、基片放置的位置、加熱蒸發(fā)源溫度等多種因素有關(guān)。真空室內(nèi)的殘余氣體分子越少，固體物質(zhì)蒸發(fā)的分子與氣體分子碰撞的概率也就越小，反之越大。當(dāng)真空度低到一定程度，由于碰撞概率大蒸鍍就很難進(jìn)行。例如以上的真空度時蒸鍍zns，不會出現(xiàn)由于剩余氣體分子的碰撞而使zns膜發(fā)生明顯變化。但是，真空度在0.1pa一下時，蒸鍍的zns膜便呈灰白色并趨于不透明；真空度降到10pa時，淀積物就便成為白色粉末了。為使蒸發(fā)物質(zhì)的分子順利到達(dá)基片的表面，必須盡可能減少與分子碰撞的機(jī)會，及應(yīng)使真空室內(nèi)氣體分子的平均自由程 式中n為單位體積內(nèi)的氣體分子數(shù)，為分子有效直徑。對空氣分子，其有效直

9、徑可取=0.37nm。由理想氣體狀態(tài)方程可得壓強(qiáng)的表達(dá)式為 式中p為壓強(qiáng)，k為玻爾茲曼常量（），t為熱力學(xué)溫度。根據(jù)以上兩式，氣體的平均自由程決定于單位體積內(nèi)的分子數(shù)n，而在t一定是n正比于壓強(qiáng)p，即。取溫度t為293k，并將其他量代入以上兩式，可得式中p的單位用pa，的單位為m。當(dāng)p=0.1pa時，=0.066m，當(dāng)時，=1.32m。當(dāng)平均自由程等于蒸發(fā)源到基片的距離時，約有63%的分子會在途中發(fā)生碰撞，當(dāng)平均自由程10倍于蒸發(fā)源到基片的距離時，就只有9%左右的分子在途中發(fā)生碰撞?？梢娭挥挟?dāng)d時，蒸發(fā)物質(zhì)分子才能沿途無阻擋的、直線達(dá)到被鍍基片或零件的表面。蒸發(fā)時一般要選擇比d噠23倍，因?yàn)樵?/p>

10、蒸發(fā)過程中，真空室內(nèi)溫度升高后要放出大量氣體，會使真空度降低。要得到足夠大的，就要求p足夠小。1.1.4真空蒸發(fā)鍍膜中應(yīng)注意的幾個問題為了蒸鍍到質(zhì)量比較好的薄膜，還應(yīng)該注意一下幾個問題：（1）注意基片表面保持良好的清潔度。被鍍基片表面的清潔程度直接影響薄膜的牢固性和均勻性。基片表面的任何微粒、塵埃、油污及雜質(zhì)都會大大降低薄膜的附著力，改變薄膜的特性?；仨氃谳^大的溫度范圍內(nèi)與薄膜有很強(qiáng)的附著力。為了使薄膜有較好的反射光的性能，基片表面應(yīng)該平整光滑，鍍膜前基片必須經(jīng)過嚴(yán)格的清洗和烘干；基片放入鍍膜室后，在蒸鍍前有條件時應(yīng)進(jìn)行離子轟擊，以去除表面上吸附的氣體分子和污染物，增加基片表面的活性，提高

11、基片與膜的結(jié)合力。（2）蒸鍍前采取“預(yù)熔”的方法對蒸發(fā)物質(zhì)進(jìn)行提純，預(yù)熔時用活動擋板擋住蒸發(fā)源，使蒸發(fā)材料中的雜質(zhì)不能蒸發(fā)到被鍍零件的表面。預(yù)熔時有大量的吸附在蒸發(fā)材料和電極上的氣體放出，真空度會降低，故不能馬上蒸發(fā)，影測量真空度并繼續(xù)抽氣，待真空度恢復(fù)后，方可移開擋板，加大蒸發(fā)電極加熱電流，進(jìn)行蒸鍍。（3）注意使膜層厚度分布均勻。均勻性不好會造成膜的某些特征隨表面位置的不同而變化。讓蒸發(fā)源與工作的距離適當(dāng)遠(yuǎn)些，如有條件還可以使工件在蒸鍍時慢速轉(zhuǎn)動，同時使工件盡量靠近轉(zhuǎn)動軸線放置。1.2薄膜材料1.2.1薄膜材料發(fā)展隨著光電技術(shù)以及微電子技術(shù)的快速發(fā)展，薄膜的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣，各種厚度只有幾百

12、甚至數(shù)十納米的單層或多層功能薄膜成為當(dāng)前材料研究的熱點(diǎn)。薄膜的厚度d，以及光學(xué)常數(shù)( 折射率n 和消光系數(shù)k)決定了薄膜的透射、反射和吸收等各種光學(xué)特性，對于光學(xué)薄膜而言，折射率和消光系數(shù)的精確測定是進(jìn)行光學(xué)設(shè)計(jì)的前提條件。對于半導(dǎo)體材料和器件，薄膜的吸收光譜() (吸收系數(shù)= 4k /)可用來研究電子能帶結(jié)構(gòu)、光學(xué)躍遷、聲子行為等重要物理性質(zhì)。尤其是諸如薄膜晶體管、太陽能電池和圖像傳感器等現(xiàn)代電子器件的性能，很大程度上取決于薄膜的光學(xué)性質(zhì).。因此，精確確定厚度與光學(xué)常數(shù)對于研究薄膜的性質(zhì)具有重要意義。1.2.2薄膜的應(yīng)用薄膜的應(yīng)用非常廣泛，下面簡要介紹幾種薄膜的應(yīng)用。鍍鋁薄膜，它既有塑料薄膜

13、的特性，又具有金屬的特性。鍍鋁薄膜表面鍍鋁的作用是遮光、防紫外線照射，既延長了內(nèi)容物的保質(zhì)期，又提高了薄膜的亮度，從一定程度上代替了鋁箔，也具有價廉、美觀及較好的阻隔性能。因此，鍍鋁薄膜在復(fù)合包裝中的應(yīng)用十分廣泛，目前主要應(yīng)用于餅干等干燥、膨化食品包裝以及一些醫(yī)藥、化妝品的外包裝上。薄膜開關(guān)是觸點(diǎn)開關(guān)的一種。薄膜開關(guān)有平面型、多層組合、密封式結(jié)構(gòu)，是集按鍵開關(guān)，面板功能標(biāo)記，讀數(shù)顯示透明窗，指示燈窗孔及電路為一體的電子整機(jī)操縱系統(tǒng)的總成。此外常見的薄膜還有：超薄高消光膜、tpu透明膜、高壓聚乙烯微薄薄膜、扭結(jié)膜、標(biāo)簽?zāi)?、吸管包裝膜、離型膜、低靜電薄膜、抗紫外線膜、抗菌膜、耐溫阻燃膜、磁性膜等。

14、1.3 橢偏法1.3.1橢偏法的簡單介紹橢圓偏振( 簡稱橢偏) 光譜測量是一種非接觸、非破壞性的光學(xué)分析技術(shù)，是研究材料光學(xué)性質(zhì)的重要手段。橢偏光譜測量技術(shù)自問世以來已有100多年歷史，1887年，drude 發(fā)現(xiàn)光與物質(zhì)相互作用將導(dǎo)致光的偏振態(tài)發(fā)生改變，偏振態(tài)在相互作用前后所發(fā)生的變化與物質(zhì)的屬性、厚度和結(jié)構(gòu)有關(guān)。drude以此提出了橢圓偏振光測量的理論并建立了第1套實(shí)驗(yàn)裝置，測量了18種金屬的光學(xué)常數(shù)。隨后，橢偏測量研究一直陷于停滯，直到tronstad 將其應(yīng)用于電化學(xué)的研究中，橢偏測量所具有的高精確度與非破壞性的優(yōu)點(diǎn)才得以重視并廣泛地應(yīng)用在各個研究領(lǐng)域中3。自從1945年rothen首

15、次提出ellipsometry (橢偏) ，將此測量技術(shù)從傳統(tǒng)的偏振測量方法獨(dú)立出來，至今橢偏測量技術(shù)已獲得極大的發(fā)展，不論是測量理論的研究還是測量儀器的研發(fā)均取得大量的有價值成果。1.3.2橢偏法的基本原理橢偏測量的基本原理是起偏器產(chǎn)生的線偏振光經(jīng)取向一定的1/4波片后成為特殊的橢圓偏振光，把它投射到待測樣品表面反射出來的將是線偏振光。根據(jù)偏振光在反射前后的狀態(tài)變化（包括振幅和相位的變化），便可測定樣品表面的許多光學(xué)特性。應(yīng)用最廣的是反射式橢偏儀，即測量反射光相對于入射光偏振態(tài)的變化，其中依據(jù)測量方式又可分為消光式橢偏儀與光度式橢偏儀，消光式橢偏儀以尋找輸出最小光強(qiáng)的位置為測量手段，光度式橢

16、偏儀則以測定分析光強(qiáng)的輸出變化為測量手段。1.3.3橢偏法的發(fā)展與應(yīng)用隨著橢偏測量理論的研究與實(shí)驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)代橢偏儀已獲得巨大的技術(shù)進(jìn)步，典型的現(xiàn)代橢偏光譜儀其發(fā)展演化主要有如下3 個方向： 測量的光譜范圍越來越寬，以滿足各種不同材料的測量需求，尤其對于寬禁帶的材料，廣闊的波長范圍才能獲得完整的分析數(shù)據(jù)，同時對于一些特殊材料必須在紫外與紅外波段進(jìn)行測量，因而也出現(xiàn)相應(yīng)波長范圍的專用橢偏儀。 測量的自動化程度越來越高。這主要得益于計(jì)算機(jī)技術(shù)的進(jìn)步并在橢偏技術(shù)中的應(yīng)用。橢偏儀除被用于研究用途之外，又被大量、廣泛地應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)當(dāng)中，產(chǎn)量與產(chǎn)能上的需求促使橢偏儀技術(shù)向測量自動化、數(shù)據(jù)分析自動化的

17、方向發(fā)展，當(dāng)今知名的橢偏儀廠商均以自動化與系統(tǒng)集 成作為產(chǎn)品研發(fā)的重要方向。 測量的速度越來越快，以面陣ccd 探測器為主流的多通道探測技術(shù)以及并行測試模式使橢偏儀的響應(yīng)時間越來越短，原來只能對樣品進(jìn)行離位測量的橢偏測量技術(shù)發(fā)展為可以實(shí)時監(jiān)控的在線測量技術(shù)，極大地拓展了該技術(shù)在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展空間。橢偏測量技術(shù)以其高精度、快速、簡易以及對測量對象限制少等特點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于科研與工業(yè)生產(chǎn)當(dāng)中，其主要應(yīng)用的領(lǐng)域包括： 材料的光學(xué)性質(zhì)測量。被測的材料可以是固體或是液體，可以是各向同性也可以是各向異性，橢偏測量優(yōu)點(diǎn)在于不用通過kramers-kronig 關(guān)系而直接獲得材料的光學(xué)常數(shù)與介電函數(shù)譜。 界

18、面及表面應(yīng)用。橢偏測量技術(shù)可用于不同材料交界面的分析。 微電子與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。橢偏測量技術(shù)常用于半導(dǎo)體加工或微電子研究中薄膜生長的監(jiān)控與分析，現(xiàn)代新材料的研究開發(fā)也常常使用橢偏技術(shù)作為研究手段。 生命科學(xué)。橢偏測量技術(shù)可用于細(xì)胞表面膜相互作用、蛋白質(zhì)等大分子的測量。國內(nèi)科研教學(xué)以及工業(yè)生產(chǎn)中也有多種型號的橢偏儀獲得應(yīng)用4。2實(shí)驗(yàn)2.1實(shí)驗(yàn)原理2.1.1橢偏法基本原理圖1 橢偏測量的光路示意圖(a)襯底背面為光學(xué)平面，(b)襯底背面為粗糙表面光線以一定角度入射到薄膜樣品上，考慮光線在空氣/薄膜界面和薄膜/襯底界面的多次反射，p偏振光和s 偏振光的復(fù)數(shù)反射系數(shù)(分別用和表示)可由光的干涉原理計(jì)算得到

19、。定義反射系數(shù)比 = /，也是一個復(fù)數(shù)，它由空氣的折射率，薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù)，以及襯底光學(xué)常數(shù)，決定，可表示成 (1)式中， 和 為橢偏參數(shù)，由橢偏儀實(shí)際測量得到的，可表示為 （2） （3）其中，和分別為p 和s 偏振光的位相。方程(2)和(3)一般稱為橢偏方程。因空氣的折射率和襯底光學(xué)常數(shù)已知，橢偏方程實(shí)際只有三個未知數(shù)。傳統(tǒng)單波長橢偏儀只能測量某一波長下的橢偏參數(shù)，此時有薄膜厚度、折射率和消光系數(shù)三個量未知，但僅有 和 的兩個方程，顯然無法解得光學(xué)常數(shù)。即使是k = 0 的理想無吸收薄膜，由于橢偏方程是復(fù)雜的超越方程，仍舊無法得到解析解，只能借助于計(jì)算機(jī)擬合的方法求解。光譜型橢偏儀(sp

20、ectroscopic ellipsometry，se) 能同時測量多個波長下的橢偏參數(shù)，可以得到光學(xué)常數(shù)隨波長的色散關(guān)系。假設(shè)可同時測量n 個波長，則可得到2n 個橢偏方程，未知參數(shù)有n 個波長下的和，以及薄膜厚度，共2n + 1 個，仍然大于方程個數(shù)。如果薄膜在一部分波段是透明的，則可先用該波段的數(shù)據(jù)擬合來確定薄膜厚度，繼而推得整個波長范圍內(nèi)的光學(xué)常數(shù)；否則，若薄膜無透明區(qū)域，要想直接得到光學(xué)常數(shù)會十分困難。擬合時，首先要建立物理模型，然后軟件根據(jù)建立的模型計(jì)算出 和，并與測量值比較。采用均方誤差(mean square error，mse) 來評價模型計(jì)算值與實(shí)驗(yàn)測量值的符合程度。 橢偏

21、參數(shù)的反演擬合實(shí)際上就是尋找 最小值的過程，越小，計(jì)算值與實(shí)驗(yàn)值誤差越小，所得結(jié)果越可信. 定義為， （4）其中，n 為橢偏儀同時測量的波長數(shù)量，即獲得的和 總對數(shù);m 為所選取擬合參數(shù)的數(shù)目;和，和分別為測量和根據(jù)模型計(jì)算的 和 值; ;和;，為 與 值的測量誤差，由儀器精度決定。用不同方法擬合時，參數(shù)個數(shù)m 可能不同，對有一定的影響，為了統(tǒng)一比較標(biāo)準(zhǔn)，我們定義 （5）評價一種擬合方法的好壞，主要標(biāo)準(zhǔn)是用該方法能否快速收斂得到最小的，所以的絕對大小并不是最重要的，還要考察擬合過程中不同假定厚度時的值相對于最小的大小，因此我們定義“歸一化” (normalized )的概念，它等于除以最小值，

22、顯然1. 越接近1，該擬合與最佳擬合相差越小6。2.1.2光度法的基本理論 具有具有復(fù)折射率，位相厚度的薄膜，鍍制在折射率為的襯底上，光從薄膜一側(cè)的空氣垂直入射時總反射率r 和透射率t可表示為：（6）（7）其中和分別是從空氣側(cè)入射和從襯底側(cè)入射時薄膜的強(qiáng)度反射率，是薄膜的強(qiáng)度透射率( 均不計(jì)襯底背反射)。與其對應(yīng)的振幅反射系數(shù)，以及振幅透射系數(shù)可由下列公式算得：（8）（9）（10）則強(qiáng)度反射率和透射率為，（11） （12）（13）(6)和(7)式中的rb和tb是襯底/空氣界面的強(qiáng)度反射率和透射率，計(jì)算公式為（14）由此我們看出，r 和t 同樣決定于薄膜的厚度與光學(xué)常數(shù)。2.2實(shí)驗(yàn)裝置該實(shí)驗(yàn)是利

23、用橢偏儀的透射式進(jìn)行的， 所用橢偏儀是uvisel橢偏儀。結(jié)構(gòu)如圖所示：圖2 uvisel橢偏儀的結(jié)構(gòu)其中光源是150w的氙燈發(fā)出的自然光；單色儀的波長范圍是190nm至1700nm。掃描間隔最小為0.01nm；精度優(yōu)于0.050。該裝置具有長期高效的準(zhǔn)確度和可靠性5。2.3薄膜樣品制備過程真空蒸發(fā)鍍膜過程如下：1）清洗和烘干基片。2）清洗鍍膜室。3）開機(jī)械泵，對鐘罩抽真空，達(dá)到一定的真空度后，開擴(kuò)散泵預(yù)熱一段時間，借助機(jī)械泵和擴(kuò)散泵，將鍍膜室抽到的真空度時，進(jìn)行預(yù)熔。4）預(yù)熔完畢移開擋板，加大電流進(jìn)行蒸發(fā)，待蒸發(fā)材料完全蒸發(fā)后，轉(zhuǎn)動擋板擋住蒸發(fā)源，迅速將電流減到零，斷開蒸發(fā)電路。5）將低真空

24、閥置于適當(dāng)位置，停機(jī)械泵，對鐘罩充氣，開鐘罩取出鍍好的零件，清洗鍍件，扣下鐘罩，開機(jī)械泵，對鐘罩抽低真空35分鐘，維持機(jī)械泵對擴(kuò)散泵抽氣約30分鐘。最后關(guān)機(jī)械泵、總電源和冷卻水。最終得到ni-cu膜7。2.4實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1）橢偏儀的調(diào)節(jié)，自然光經(jīng)反射鏡反射會聚成為平行光束，經(jīng)起偏器得到線偏振光。光通過樣品偏振狀態(tài)將會發(fā)生改變，經(jīng)調(diào)制器調(diào)制后通過檢偏器，然后利用光纖把光束引入單色儀，在單色儀中分光后用探測器探測到光強(qiáng)變化，探測到的信號送入計(jì)算機(jī)處理，最后得到相位延遲量。整個系統(tǒng)調(diào)制由計(jì)算機(jī)控制。2）對樣品的折射率n、復(fù)折射率k、反射率r進(jìn)行測量. 測量時先旋轉(zhuǎn)起偏器確定起偏零位，在后面加一檢偏器，調(diào)

25、整檢偏器消光。然后把待測樣品放置在兩者之間的溫控裝置中，調(diào)節(jié)樣品使光束垂直通過，旋轉(zhuǎn)波片樣品再次消光。這時，樣品的快軸或慢軸就和起偏器的光軸平行或垂直。然后旋轉(zhuǎn)起偏器的光軸為45，拿掉后面的檢偏鏡，打開橢偏儀的控制軟件，設(shè)定參數(shù)進(jìn)行測量。3)由計(jì)算機(jī)導(dǎo)出不同波長下的樣品的折射率n、復(fù)折射率k、反射率r數(shù)組8。2.5實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析由實(shí)驗(yàn)得出的數(shù)據(jù)如下：wavelength n k r7000 1.7484 0.3980 0.0932 6900 1.7298 0.4467 0.0957 6800 1.7514 0.4073 0.0944 6700 1.7635 0.3807 0.0935 6600

26、 1.7756 0.3667 0.0939 6500 1.7862 0.3661 0.0952 6400 1.7702 0.3822 0.0945 6300 1.7769 0.4040 0.0974 6200 1.8046 0.4228 0.1027 6100 1.8217 0.3139 0.0960 6000 1.8014 0.3605 0.0968 5900 1.8614 0.2587 0.0980 5800 1.8600 0.2812 0.0991 5700 1.8694 0.2937 0.1012 5600 1.8804 0.2669 0.1011 5500 1.8715 0.3438

27、 0.1049 5400 1.8440 0.4508 0.1104 5300 1.8353 0.4233 0.1067 5200 1.8479 0.3750 0.1042 5100 1.8577 0.3642 0.1046 5000 1.8600 0.3791 0.1061 4900 1.8620 0.4091 0.1089 4800 1.8697 0.3888 0.1082 待添加的隱藏文字內(nèi)容24700 1.8719 0.4106 0.1104 4600 1.8781 0.4221 0.1122 4500 1.8546 0.4952 0.1162 4400 1.8484 0.5365 0.1199 4300 1.8014 0.6406 0.1275 4200 1.7848 0.6570 0.1280 4100 1.7646 0.6550 0.1256 4000 1.7717 0.6426 0.1246 3900 1.7809 0.5009 0.1078 3800 1.7524 0.5068 0.1051 3700 1.7267 0