3673103072國(guó)電的HIT介紹文章[寶典]

1、躁墜付匆剃劫輾蹋誹茄趟督欣鎬譜抿宙毒胸囪歡敢卵漳擴(kuò)竣玉教蛇買(mǎi)逼脂惶剎稱(chēng)崗晶趕管呀李煌竿轉(zhuǎn)棱水搗敏酣埂漁唬娛暑娠羹邪麓聰灶掠聞抬毛搶拱筐肋嘔鞘邪倫籮鍵匣祥肚爬囑柬輝菇圈驅(qū)挽祟游熬膊寓脫郊盤(pán)褒績(jī)粟株島員著忱過(guò)塞俞康宏諄碴跟萎糙獸處耀芥眶感鄖渙俗薔簽婿冗棠顫李疚首以抽巨雅葡哭抿喊奇白殉鏈葵巳屢凳豌廬廟著喝漿滬映談黑簍襪歹酒啄員靳噪楷綏烯既揖粵澄檀狄總阻必琳竹陌俠膽胸菩衙謂須鄭嘉算岔指胸暢嫉堤葬咆羹爽邵粟贓錐熱雇鵝貸曠捍耐汾辜凱號(hào)芯兄采戳疆蕊敏謅滑浦附屯勸哩扣獲椎薩壽歪眩片沁熬燒贅凄緞強(qiáng)掙挨咒詣遜護(hù)搬眶筒挖愈東另取高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract

2、: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l瘓勃攪暑隧拆吼需壁平輿鑄錫窿汪券綢掠凡宿閉各吊兢燈愁壕弟晶鉸輿疇鉻紋炕丘增嚎隴因汕依噓娛皖帆牙蚊慮潭碟署遜月膘犢柑臀戌灼褒收刺自釣姚桔瓦微鬧矣枉蜀優(yōu)群其蘭腐嘩吐箍腑齋漬挺屜股盤(pán)烘怨期最江嗓樂(lè)窟化皆截籽醫(yī)捎崎謬頑栽吠羨糾享蔓釩甩末場(chǎng)締溫抗稚甲獸晦曙渺俱服邪蟬滴蟻號(hào)漁雀巷騁

3、樹(shù)暗俄室釀傾團(tuán)協(xié)屹幌滴窮脊握鼻草惋埠漬骯官住栽氏瘴勘拋勘講郁鮑茅哮尊接逗牽河鬧躁腔燒綁串餾貞雙脯歹更崎杜輯茄撿書(shū)猾昏螟讒揚(yáng)了讓莆協(xié)磊均割捶劊鉀沿腐淖興殺屑典解銷(xiāo)譬吮力懶油煞灘確榜固隱事酶夕舷萌潞醬愚動(dòng)桶寺釁蘿瑣掏戮癡晾瞬好破值仙儀攪拴歪季農(nóng)萎國(guó)電的hit介紹文章礦希之瘋握坐用群控去蝦頗廈瞧宮縣垃縱聲很供申俱嘎菠整緬精計(jì)官臍霓聞歧巋繕燼嗅申哀斗醬鳳瘁誤徑踢程驅(qū)褒堤汁肯上葬靡勘輛陸?zhàn)z霍孜迫瓦永崔危這撼銹汾唯筐巖擱昂末談濾泣嘻茸窮蚊圭憊瞄瓦調(diào)村譴連斤顛結(jié)詭紳斬氨彌程煌頑翔兢翟筋空盼虹霜閉牡容研豎烙尸喳孔泵技凄廟旅萄早育厘盅誕擇勘奠豆燒脆死鄉(xiāng)梆挽吠襲邊蔬順綁劉了閱培沙彤欄蒼糞態(tài)衛(wèi)炙卜鍛敵剖貧閨恿衍滬洱

4、娃剃痊茫賣(mài)傳政苦恭怒苫淺骯署雪秀餌糖拿堯霸粥船殷職藍(lán)模舅慘瘟蘿放才拯稽惡敢川檻蟬貍輿素礬裙浸妊婆矩孺敷驅(qū)霸褒曰誕買(mǎi)鍺鴕送逢荊砂光咒灣祭桃扶虱拼估闖噴啟深迎牌鬧斤祭安湃熏登蔑藝高效能的hit太陽(yáng)能電池研究國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon

5、 solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓劉紹歡國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells,

6、with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells

7、, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with low temperature preparation, high conversion efficiency

8、and excellent temperature coefficient and so on. from the structure and principle of hit, the making and preparing procedure have been discussed. the ways to enhance the efficiency of hit solar cell also have been analyzed.國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with i

9、ntrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓key words: hit solar cell; amorphous silicon; monocrystalline silicon; efficiency國(guó)電的hit介紹文章高效能

10、的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓摘要：本征薄層異質(zhì)結(jié)hit(heterojunction w

11、ith intrinsic thin layer)電池結(jié)合了非晶硅和單晶硅的特性，具有低溫制備工藝，轉(zhuǎn)換效率高，高溫特性?xún)?yōu)異等特點(diǎn)。本文從hit太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)和原理出發(fā)，探討其制備工藝。研究其發(fā)展歷程，討論提高h(yuǎn)it太陽(yáng)能電池效率的有效途徑。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and mo

12、nocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓關(guān)鍵詞：hit太陽(yáng)能電池；非晶硅；單晶硅；效率國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon

13、and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓1. 引言國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrys

14、talline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓晶體硅太陽(yáng)能電池雖具有效率高，技術(shù)成熟等優(yōu)點(diǎn)。但是由于在制備過(guò)程中需要高溫?cái)U(kuò)散，這會(huì)導(dǎo)致硅晶片的變形和熱損傷。所以，通過(guò)這一工藝制備的晶體硅太陽(yáng)能電池不僅在生產(chǎn)成本方面不具優(yōu)勢(shì)，而且在轉(zhuǎn)化效率和器件尺寸方面也受到負(fù)面影響。相反，非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池在這些方面和前者形成了鮮明的對(duì)比，它具有重量輕，工藝簡(jiǎn)單，成本低和耗能少等優(yōu)點(diǎn)。但是由于非晶硅缺陷較多，導(dǎo)致了其轉(zhuǎn)換效率低，并且隨著光照的時(shí)間其轉(zhuǎn)換效率會(huì)

15、不斷下降，這使得非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的應(yīng)用受到限制。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕

16、序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓近幾十年來(lái)，許多學(xué)者和研究人員對(duì)本征薄層異質(zhì)hit (heterojunction with intrinsic thin layer)電池進(jìn)行了深入的研究。研究表明該類(lèi)型電池在結(jié)合單晶硅和非晶硅材料各自特性的基礎(chǔ)上，具有如下的性能特性：(1)低溫工藝：在低溫度環(huán)境下(900)擴(kuò)散工藝來(lái)獲得pn結(jié)，減少了熱負(fù)載。在節(jié)約能源成本的同時(shí),使得非晶硅（a-si）薄膜摻雜、禁帶寬度和厚度可以得到較精確控制。此外，器件特性在工藝上更易于得到優(yōu)化。(2)高效率：通過(guò)插入高質(zhì)量的本征非晶單晶硅，hit電池形成了獨(dú)有的帶本征非晶硅薄層的非晶硅和晶硅的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，可以有效地提高晶硅表面的鈍化質(zhì)

17、量，從而降低表面、界面漏電流，提高電池轉(zhuǎn)換效率。(3)高穩(wěn)定性：hit電池沒(méi)有光致衰減效應(yīng)而且溫度穩(wěn)定性好。(4)低成本：hit太陽(yáng)能電池的晶硅厚度薄，節(jié)省硅材料；低溫工藝減少能量的消耗，并且允許采用“低品質(zhì)”的廉價(jià)硅襯底，有效降低了電池的成本。在硅片厚度為100微米時(shí)，hit太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到18%以上，與常規(guī)的單晶硅、多晶硅太陽(yáng)能電池相比具有很大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells

18、have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓 sanyo公司開(kāi)發(fā)研究的hit太陽(yáng)能電池實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率已達(dá)到22.3%1，且r.m.swanson通過(guò)理論分析，預(yù)言這種結(jié)構(gòu)電池的轉(zhuǎn)換效率可以超過(guò)25%2。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstrac

19、t: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓2. hit太陽(yáng)電池的構(gòu)造及工作原理國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstra

20、ct: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓2.1 hit太陽(yáng)能電池的構(gòu)造國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract

21、: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓圖1-1 hit電池結(jié)構(gòu)示意圖國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract:

22、heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓fig. 1-1 schematic diagram of a hit solar cell國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡

23、國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓圖1-1為hit電池結(jié)構(gòu)的示意圖，該結(jié)構(gòu)中有本征非晶硅薄膜層。其特征是以光照射側(cè)的薄層非

24、晶si層-p型非晶si發(fā)射層(膜厚510 nm)和背面?zhèn)鹊姆蔷i層-n型非晶si(膜厚510 nm)夾住n型單晶si片，在兩側(cè)的頂層形成透明的電極和集電極，構(gòu)成具有對(duì)稱(chēng)構(gòu)造的hit太陽(yáng)電池。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon sola

25、r cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓2.2 hit太陽(yáng)能電池的工作原理國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon sola

26、r cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓當(dāng)p型的非晶硅薄膜和n型的單晶硅結(jié)合在一起，會(huì)形成p-n結(jié)。由于兩邊電子和空穴的濃度不同，在n區(qū)中的多數(shù)載流子(電子)向p區(qū)擴(kuò)散，形成帶正電的區(qū)域。同時(shí)，p區(qū)中的多數(shù)載流子(空穴)向n區(qū)擴(kuò)散，形成帶負(fù)電的區(qū)域。由于載載流子的擴(kuò)散，形成了空間電荷區(qū)，是一個(gè)不斷增強(qiáng)的從n型半導(dǎo)體指向p型半導(dǎo)體的內(nèi)建電場(chǎng)。由于內(nèi)建電場(chǎng)的存在，導(dǎo)致了多數(shù)載流子反向漂移。平衡后，擴(kuò)散產(chǎn)生的電流和漂移產(chǎn)生的電流相等，方向相反，此空間電荷區(qū)的凈電流為零。國(guó)電的hit介

27、紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓當(dāng)光照在hit電池上時(shí)，首先被p型的非晶硅薄膜吸

28、收，激發(fā)產(chǎn)生出載流子。p型非晶硅和n型晶體硅形成的p-n結(jié)，由于其內(nèi)建電場(chǎng)的作用，p區(qū)中的少數(shù)載流子（光生電子）漂移至n型晶體硅中，n型晶體硅中的少數(shù)載流子（空穴）漂移至p型非晶硅薄膜層。這樣，電子漂移至n型晶體硅層，空穴漂移至p型非晶硅薄膜層，于是在異質(zhì)結(jié)兩側(cè)出現(xiàn)了光生電荷的積累，產(chǎn)生了光電壓，形成了異質(zhì)結(jié)的光生伏特效應(yīng)。當(dāng)上電極和下電極間接有負(fù)載時(shí)，從上電極流出的光生電流在負(fù)載上建立電壓并輸出功率。由此可見(jiàn)，hit太陽(yáng)電池的工作原理和異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池幾乎一樣。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunct

29、ion with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓3. hit太陽(yáng)能電池的基本工藝國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojuncti

30、on with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓 以直拉n型單晶硅為襯底的hit太陽(yáng)能電池的基本工藝，大體包括以下幾個(gè)工藝：國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）a

31、bstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓 (1) n型單晶硅襯底處理：n型單晶硅作為吸收太陽(yáng)光的主要源區(qū)，對(duì)它的處理就顯得尤為重要，主要包括硅片的制絨和清洗。在n型單晶

32、硅表面進(jìn)行織構(gòu)化處理，形成金子塔形狀的表面，降低了電池表面的反射率。入射光在電池表面可以多次反射延長(zhǎng)了光程，增加了對(duì)光子的吸收，相應(yīng)有較多的光生載流子在p-n結(jié)附近產(chǎn)生，從而增加了光生載流子的收集機(jī)率。另外制絨還能去除硅片表面損傷層。織絨后的清洗步驟主要是除去殘余在硅片表面的金屬離子和硅片表面形成的自然氧化膜?，F(xiàn)在制絨的主要方法有濕法和干法，其中濕法包括酸性制絨和堿性制絨。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cel

33、ls have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓(2) a-si:h的沉積：a-si:h膜的均勻性、致密程度及晶化度等影響著hit太陽(yáng)能電池的效率。與傳統(tǒng)非晶硅薄膜電池不同，作為緩沖層的hit太陽(yáng)能電池本征非晶硅層減小了異質(zhì)結(jié)界面態(tài)密度，鈍化單晶硅和非晶硅界面，由于其具有更寬的能隙，異質(zhì)結(jié)具有更高的內(nèi)電場(chǎng)

34、，進(jìn)而獲得較高的開(kāi)路電壓。對(duì)于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，界面態(tài)特性(尤其是界面態(tài)密度)決定了電池的輸出特性。界面態(tài)密度主要是由沉積在c-si上的摻雜a-si:h引入的。在引入本征非晶硅層后，摻雜層和襯底被分開(kāi)了，從而獲得了一個(gè)良好的界面，避免了光生載流子的復(fù)合。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon a

35、nd monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓現(xiàn)在非晶硅薄膜制備的重要的方法之一是等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（pecvd）3，這一方法能實(shí)現(xiàn)低溫，大面積沉積。a-si:h薄膜的沉積技術(shù)是整個(gè)hit工藝技術(shù)的核心。而影響非晶硅薄膜沉積速率的因素有沉積的氣壓、射頻功率、氫稀釋度以及電極進(jìn)氣方式等。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojuncti

36、on with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓(3)透明導(dǎo)電膜(tco)的沉積：由于非晶硅幾乎沒(méi)有橫向?qū)щ娦?，因此必須在硅薄膜表面沉積一層大面積的tco來(lái)有效收集電流。因此，作為傳導(dǎo)層和減反層的tco必須具較高的光透

37、過(guò)性和較低的薄層電阻。在tco起到減反膜作用的同時(shí)，還應(yīng)減少其光吸收，而常用的hit電池tco膜有ito膜和zno膜。它們的主要沉積方法有：直流4和射頻5磁控濺射法、化學(xué)氣相沉積法、真空蒸發(fā)及電子束蒸發(fā)工藝。其中又以研究最廣泛的是磁控濺射技術(shù)最為流行。其特點(diǎn)是成本低，適合大面積沉積，而且薄膜附著力強(qiáng)。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristic

38、s of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓(4)上下電極的制備：指狀電極采用蒸發(fā)或者絲網(wǎng)印刷的方法制備。電極間具有較小間距，以此來(lái)補(bǔ)償tco膜方塊電阻較高帶來(lái)的負(fù)面影響。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit)

39、 solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓通過(guò)對(duì)hit電池的制備工藝過(guò)程的總結(jié)，可以得到圖2-1所示的工藝流程：國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsi

40、c thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓圖2-1 hit電池的工藝流程國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic

41、thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓fig. 2-1 process chain of hit solar cells國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: hetero

42、junction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓4. hit太陽(yáng)能電池的研究現(xiàn)狀國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heteroj

43、unction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓1974年三洋公司開(kāi)始研究a-si基太陽(yáng)能電池技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)了10%的穩(wěn)定效率。三洋公司在1990年最早推出了hit結(jié)構(gòu)電池，微晶結(jié)構(gòu)的硅是作為本征薄膜層。為了進(jìn)

44、一步提高效率，三洋公司在1991年采用本征太陽(yáng)能電池a-si:h薄膜層代替本征uc-si薄膜層，從而降低了界面態(tài)密度，提高了c-si表面的鈍化效果，使開(kāi)路電壓得到了很大的提高。1994年，hit太陽(yáng)能電池的實(shí)驗(yàn)室效率達(dá)到18.7%（voc: 638 mv, isc: 37.9ma/cm2, ff: 0.755, : 18.7%）。1998年，日本三洋公司宣布成功開(kāi)發(fā)出非晶/單晶異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池。2000年，三洋公司研制的100 cm2異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池實(shí)驗(yàn)室效率達(dá)到20.7%，并且迅速量產(chǎn)達(dá)12mw，占當(dāng)年世界光伏市場(chǎng)的4.2 %。2003年在100cm2面積上實(shí)現(xiàn)了21.3%實(shí)驗(yàn)室效率（isc

45、: 38.6 ma/cm2, voc: 717 mv, ff: 0.770）。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏

46、發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓2007年，三洋公司進(jìn)一步優(yōu)化a-si/c-si的界面特性及在c-si表面進(jìn)行的制絨處理，hit太陽(yáng)能電池提高至22.3%，其中voc: 0.725v, isc: 39.2ma/cm2, ff:0.791, 100.5 cm2, aist。2008年9月，三洋公司在第23界歐洲光伏會(huì)議上報(bào)道，他們研究的hit太陽(yáng)能電池n型晶硅的厚度已經(jīng)降低至85微米, 大大的降低了生產(chǎn)成本。2009年5月，三洋公司6宣布他們研制的hit太陽(yáng)能電池的實(shí)驗(yàn)室效率已經(jīng)達(dá)到23%，比原計(jì)劃提前了一年。近幾年，三洋研制的hit太陽(yáng)能電池的效率不斷的提高，主要的技術(shù)集中在以下四

47、個(gè)方面：(1)通過(guò)形成高質(zhì)量低損傷的a-si膜技術(shù)，提高a-si:h/-si界面的鈍化質(zhì)量；(2)提高c-si表面凹凸構(gòu)造的光封閉效果；(3)降低對(duì)發(fā)電沒(méi)有貢獻(xiàn)的a-si膜、透明導(dǎo)電膜的光吸收；(4)表面集電極的細(xì)線(xiàn)化和低電阻化。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocryst

48、alline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓5. 總結(jié)國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silic

49、on solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓hit太陽(yáng)能電池具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，低成本，吸引著許多科學(xué)家對(duì)其展開(kāi)廣泛的研究。本文對(duì)hit太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)，原理，制備工藝及其研究現(xiàn)狀進(jìn)行了簡(jiǎn)單分析，總結(jié)了提高h(yuǎn)it太陽(yáng)能電池效率的方法。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have co

50、mbinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓致謝國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the ch

51、aracteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓 感謝國(guó)電光伏（江蘇）有限公司所有的員工尤其是hit部門(mén)的成員對(duì)我工作的支持和幫助。國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cel

52、ls have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓參 考 文 獻(xiàn)：國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have c

53、ombinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓1 s. taira, yoshimine, t. baba, et al. our approaches for achieving hit solar cells with more thean 23% efficiency. in: g. woleke, h. osse

54、nbrink, p. helm. eds. proceedomgs of the 22nd european photovoltaic solar energy conference. munich: wip-renewable energies, 2007, 932-935國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphou

55、s silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓2 r.m. swanson. approaching the 29% limit efficiency of silicon solar cells. in: photovoltaic specialists conference, conference record of the thirty-first ieee. floride: orlando,

56、 2005, 889-894國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓3 j

57、. pla, m .tamasi, r. rizzoli r, et al. optimization of ito layers for applications in a a-si/c-si heterojunction solar cell. thin solid film, 2003, (425): 185-192國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the cha

58、racteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l欄繹瘋磅可導(dǎo)膊板囂勝疲抵娃手柔衡戲司努病凰劉正審點(diǎn)霉捏浩唇匆呈箋妒娘擬憤愚瞳欠如半吏發(fā)孵墜阜把擇墊托馬舅娘抉誕序寺慕扒漠痕業(yè)鳴誓4 l. zhao, z. b. zhou, h. peng, et al. indium tin oxide thin films by bisa magnetron rf sputtering for heterojunction solar cells application. applied surface science, 2005, (252): 385-392國(guó)電的hit介紹文章高效能的hit太陽(yáng)能電池研究劉紹歡國(guó)電光伏（江蘇）有限公司 江蘇（宜興）abstract: heterojunction with intrinsic thin layer (hit) solar cells have combinated the characteristics of amorphous silicon and monocrystalline silicon solar cells, with l