武漢理工大學《材料科學基礎(chǔ)》2009-2013年期末試卷及詳細答案

1、武漢理工大學2009年材料科學基礎(chǔ)期末考試試卷一. 圖1是Na2O的 理想晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，試回答： 1晶胞分子數(shù)是多少； 2結(jié)構(gòu)中何種離子做何種密堆積；何種離子填充何種空隙，所占比例是多少； 3結(jié)構(gòu)中各離子的配位數(shù)為多少，寫出其配位多面體； 4計算說明O2-的電價是否飽和； 5畫出Na2O結(jié)構(gòu)在（001）面上的投影圖。二. 圖2是高嶺石(Al2O3·2SiO2·2H2O)結(jié)構(gòu)示意圖，試回答： 1請以結(jié)構(gòu)式寫法寫出高嶺石的化學式； 2高嶺石屬于哪種硅酸鹽結(jié)構(gòu)類型； 3分析層的構(gòu)成和層的堆積方向； 4分析結(jié)構(gòu)中的作用力； 5根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點推測高嶺石具有什么性質(zhì)。  

2、三. 簡答題： 1.晶體中的結(jié)構(gòu)缺陷按幾何尺寸可分為哪幾類？ 2.什么是負擴散？ 3燒結(jié)初期的特征是什么？ 4.硅酸鹽晶體的分類原則是什么？ 5.燒結(jié)推動力是什么？它可憑哪些方式推動物質(zhì)的遷移？ 6.相變的含義是什么？從熱力學角度來劃分，相變可以分為哪幾類？ 四. 出下列缺陷反應式： 1.NaCl形成肖特基缺陷； 2.AgI形成弗侖克爾缺陷（Ag+進入間隙）； 3.TiO2摻入到Nb2O3中，請寫出二個合理的方程，并判斷可能成立的方程是哪一種？再寫出每個方程的固溶體的化學式。 4.NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶體 五. 表面力的存在使固體表面處于高能量狀態(tài)，然而，能量愈高系統(tǒng)愈不穩(wěn)定，

3、那么固體是通過何種方式降低其過剩的表面能以達到熱力學穩(wěn)定狀態(tài)的。 六.粒徑為1的球狀Al2O3由過量的MgO微粒包圍，觀察尖晶石的形成，在恒定溫度下，第一個小時有20%的Al2O3起了反應，計算完全反應的時間：用楊德方程計算；用金斯特林格方程計算。 七.請分析熔體結(jié)構(gòu)中負離子團的堆積方式、聚合度及對稱性等與玻璃形成之關(guān)系。 八.試從結(jié)構(gòu)和能量的觀點解釋為什么D晶界>D晶內(nèi)？ 九.試分析二次再結(jié)晶過程對材料性能有何影響？工藝上如何防止或延緩二次再結(jié)晶的發(fā)生？ 十.圖3是A-B-C三元系統(tǒng)相圖，根據(jù)相圖回答下列問題：1寫出點P，R，S的成分；2設(shè)有2kgP，問需要多少何種成分的合金Z才可混熔

4、成6kg成分為R的合金。   十一.圖4是A-B-C三元系統(tǒng)相圖，根據(jù)相圖回答下列問題：1在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條線上溫度下降方向及界線的性質(zhì)；2判斷化合物D、F的性質(zhì)；3寫出各三元無變量點的性質(zhì)及其對應的平衡關(guān)系式；4寫出組成點G在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程；5寫出組成點H在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程，寫出當液相組成點剛剛到達E4點和結(jié)晶結(jié)束時各物質(zhì)的百分含量（用線段比表示）。  參考答案 一、1：4； 2：O2-離子做面心立方密堆積，Na+填全部四面體空隙； 3：=4CN O2-=8 NaO4ONa8； 4：O2-電價飽和，因為O2-的電價=（Na+的電價

5、/Na+的配位數(shù)）×O2的配位數(shù)； 5： 二、1：Al4Si4O10(OH)8；2：單網(wǎng)層狀結(jié)構(gòu)；3：一層硅氧層一層水鋁石層且沿C軸方向堆積；4：層內(nèi)是共價鍵，層間是氫鍵；5：片狀微晶解理。三、1：點缺陷，線缺陷，面缺陷；2：由低濃度向高濃度的擴散；3：坯體間顆粒重排，接觸處產(chǎn)生鍵合，大氣孔消失，但固-氣總表面積變化不大；4：按硅氧比值分類或按硅氧聚和體的大小分類；5：表面能的降低，流動傳質(zhì)、擴散傳質(zhì)、氣相傳質(zhì)和溶解-沉淀傳質(zhì)；6：隨自由能的變化而發(fā)生的相的結(jié)構(gòu)的變化，一級相變、二級相變和三級相變。四、 1：OVNa +VCl 2：AgAgAgi+VAg 3：3TiO23T

6、iNb+VNb+6OO2TiO22TiNb+Oi+3O0Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x 4：NaClNaCa+ClCl+VCl五、一是通過表面質(zhì)點的極化、變形、重排來降低表面能，二是通過吸附來降低表面能。 1：t=195h2：t=68h七、當O/Si由24時，熔體中負離子團的堆積形式由三維架狀轉(zhuǎn)化為孤立的島狀，負離子團的聚合度相應的降至最低。一般情況下，熔體中負離子團的聚合度越高，特別是形成三維架狀的空間網(wǎng)絡(luò)時，這些大的聚合離子團位移、轉(zhuǎn)動、重排都比較困難，故質(zhì)點不易調(diào)整成規(guī)則排列的晶體結(jié)構(gòu)，易形成玻璃。熔體中負離子團的對稱性越好，轉(zhuǎn)變成晶體越容易，則形成玻璃愈難，

7、反之亦然。八、晶界上質(zhì)點排列結(jié)構(gòu)不同于內(nèi)部，較晶體內(nèi)疏松，原子排列混亂，存在著許多空位、位錯、鍵變形等缺陷，使之處于應力畸變狀態(tài)，具有較高能量，質(zhì)點在晶界遷移所需活化能較晶內(nèi)為小，擴散系數(shù)為大。九、二次再結(jié)晶出現(xiàn)后，由于個別晶粒異常長大，使氣孔不能排除，坯體不在致密，加之大晶粒的晶界上有應力存在，使其內(nèi)部易出現(xiàn)隱裂紋，繼續(xù)燒結(jié)時坯體易膨脹而開裂，使燒結(jié)體的機械、電學性能下降。工藝上常采用引入適當?shù)奶砑觿?，以減緩晶界的移動速度，使氣孔及時沿晶界排除，從而防止或延緩二次再結(jié)晶的發(fā)生。十、  PRSZA2010455B10604585C70301010十一、略武漢理工大學2010年材料科學

8、基礎(chǔ)期末考試試卷一、(1)（12分）根據(jù)CaTiO3晶胞圖（見圖1）回答下列問題： 1.晶面BCGF、DEG的晶面指數(shù)；晶向DF、HA的晶向指數(shù)。 2.結(jié)構(gòu)中各離子的配位數(shù)為多少，寫出其配位多面體； 3.晶胞分子數(shù)是多少？何種離子添何種空隙，空隙利用率是多少？ 4.結(jié)構(gòu)中是否存在TiO32-離子，為什么？(2)（11分）圖2是鎂橄欖石(Mg2SiO4)結(jié)構(gòu)示意圖，試回答： 1鎂橄欖石屬于哪種硅酸鹽結(jié)構(gòu)類型； 2計算說明O2-的電價是否飽和； 3結(jié)構(gòu)中有幾種配位多而體，各配位多面體間的連接方式怎樣? 4鎂橄欖石是否容易形成玻璃，為什么？   圖1圖2 二、（10分）寫出下列缺

9、陷反應式： 1.NaCl形成肖脫基缺陷。2.AgI形成弗倫克爾缺陷（Ag+進入間隙） 3.TiO2摻入到Nb2O3中，請寫出二個合理的方程，寫出固溶體的化學式，并判斷可能成立的方程是哪一種？ 三、（10分）判斷下列敘述是否正確？若不正確，請改正。 1.Na2O-SiO2系統(tǒng)中隨SiO2含量的增加，熔體的粘度將降低。 2.擴散的推動力是濃度梯度，所有擴散系統(tǒng)中，物質(zhì)都是由高濃度處向低濃度處擴散。 3.晶粒正常長大是小晶粒吞食大晶粒，反常長大是大晶粒吞食小晶粒。 4.固溶體是在固態(tài)條件下，一種物質(zhì)以原子尺寸溶解在另一種物質(zhì)中形成的單相均勻的固體。 5.在熱力學平衡條件下，二元凝聚系統(tǒng)最多可以3相平

10、衡共存，它們是一個固相、一個液相和一個氣相。四、（6分）什么叫弛豫表面？NaCl單晶表面具有什么樣的結(jié)構(gòu)特點？五、（6分）巳知Zn2+和Cr2+在尖晶石ZnCrO4中的自擴散系數(shù)與溫度的關(guān)系分別為 1.試求1403K時Zn2+和Cr2+在尖晶石ZnCrO4中的擴散系數(shù)。2.將細鉑絲涂在兩種氧化物ZnO和Cr2O3的分界線上，然后將這些壓制成型的樣品進行擴散退火。（標記物鉑絲非常細，不影響離子在不同氧化物之間的擴散）。根據(jù)所得數(shù)據(jù)判斷鉑絲將向哪一方向移動？六、（6分）為什么在成核一生成機理相變中，要有一點過冷或過熱才能發(fā)生相變?什么情況下需過冷，什么情況下需過熱，各舉一個例子。七、（6分）粒徑為

11、1球狀Al2O3由過量的MgO微粒包圍，觀察尖晶石的形成，在恒定溫度下，第一個小時有20%的Al2O3起了反應，分別用揚德方程、金斯特林格方程計算完全反應的時間，對計算結(jié)果進行比較并說明為什么？八、（6分）陶瓷材料中晶粒的大小與什么有關(guān)？工藝上如何控制晶粒尺寸（請列出三種途徑）？九、（26分）圖3 是A-B-C三元系統(tǒng)相圖，根據(jù)相圖回答下列問題：1在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條界線上溫度下降方向及界線的性質(zhì)；2判斷化合物D、M的性質(zhì)；3寫出各三元無變量點的性質(zhì)及其對應的平衡關(guān)系式；4寫出組成點G在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程；5寫出組成點H在完全平衡條件下進行加熱時，開始出現(xiàn)液相的溫度和完

12、全熔融的溫度；寫出完全平衡條件下進行冷卻，結(jié)晶結(jié)束時各物質(zhì)的百分含量（用線段比表示）。   圖3參考答案 一、(1)1、（010）（111） 111101；(4分)3、1；Ti4+添八面體空隙，八面體空隙利用率1/4，四八面體空隙全；(3分)4、否，因為Ti4+和O2-間沒有明顯的共價鍵成分。(2分) (2)1、島狀結(jié)構(gòu)；(1分)；2、O2-與一個SiO4、三個 MgO6配位：4/4×1+26×3=2= O2-的電價，O2-的電價(2分)；3、結(jié)構(gòu)中有兩種配位多面體SiO4、MgO6 (2分)；SiO4呈孤立的島狀，中間被MgO6隔開，SiO4與 MgO

13、6之間共頂或共棱連接，同層的MgO6之間共棱、不同層的MgO6之間共頂連接；(4分)4、不易，因為鎂橄欖石的Si/O=1/4，最低，網(wǎng)絡(luò)連接程度弱，結(jié)構(gòu)中絡(luò)陰離子團尺寸小，遷移阻力小，熔體的粘度低，冷卻過程中結(jié)構(gòu)調(diào)整速率很快。(2分)二、寫出下列缺陷反應式（10）：1、O?VNa +VCl2、AgAgAAi+VAg3、3TiO23TiNb+VNb+6O0 2TiO22TiNb+Oi+3O0Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x三、1(2分)粘度增加；2(2分)擴散也可以從低濃度向高濃度進行；3(2分)都是晶界移動的結(jié)果。正常長大是晶粒平均尺寸增加，反常長大是個別大晶粒尺寸異

14、常增加。4(2分)正確5(2分)兩個固相和一個液相四、表面上的原子產(chǎn)生相對于正常位置的上、下位移，稱為表面弛豫。(2分)NaCl單晶中處于表面層的負離子只受到上下和內(nèi)側(cè)正離子的作用，而外側(cè)是不飽和的。電子云將被拉向內(nèi)側(cè)的正離子一方而變形，使該負離子誘導成偶極子。這樣就降低了晶體表面的負電場。接著，表面層離子開始重排以使之在能量上趨于穩(wěn)定。為此，表面的負離子被推向外側(cè)，正離子被拉向內(nèi)側(cè)從而形成了表面雙電層。(4分)五、 (2分)(2分)因為<,所以鉑絲向Cr2O3方向移動。(2分)六、由熱力學可知，在等溫、等壓下有在平衡條件下，則有式中：0是相變的平衡溫度；為相變熱。若在任意溫度的不平衡條

15、件下，則有若與不隨溫度而變化，將上式代入上式得：可見，相變過程要自發(fā)進行，必須有，則。(1)若相變過程放熱（如凝聚、結(jié)晶等）。要使，必須有，即，這表明系統(tǒng)必須“過冷”。(2)若相變過程吸熱（如蒸發(fā)、熔融等），要滿足這一條件則必須，即，這表明系統(tǒng)要自發(fā)相變則必須“過熱”。七、揚德方程1（1G）1/32=K4t t=194.6h(2分)金斯特林格方程12/3G（1-G）2/3=K6t t=68.1t=68.1(2分)揚德方程假設(shè)反應過程中擴散截面不變，而金斯特林格方程考慮了反應中擴散截面的變化。隨反應的進行，反應物體積減小，擴散截面變小，所需反應時間要比揚德假設(shè)所計算出的時間短。(2分)八、陶瓷材

16、料中晶粒的大小與物料的原始粒度、燒結(jié)溫度和時間等因素有關(guān)；(3分)控制晶粒尺寸方法：控制原始粒度均勻細小，控制燒結(jié)溫度和時間，添加劑等。(3分)九、1、見圖，付三角形3分，界線性質(zhì)1分，界線上溫度降低的方向4.5分； 2、D，一致熔融二元化合物，高溫穩(wěn)定、低溫分解；(1.5分) M，不一致熔融三元化合物；（1分）3、（4分）E1，單轉(zhuǎn)熔點，E2，低共熔點，E3，單轉(zhuǎn)熔點，E4，過渡點，4、（6分）L (結(jié)晶結(jié)束)S （產(chǎn)物C+B+M）5、E2溫度（1分），H點所在溫度（1分）；過H點做副三角形BCM的兩條邊CM、BM的平行線HH1、HH2，C%=BH2/BC×100%，B%=CH1/

17、BC×100%，C%=H1H2/BC×100%（3分）。 武漢理工大學2011年材料科學基礎(chǔ)期末考試試卷一、根據(jù)CaTiO3晶胞圖（見圖1）回答下列問題（18）：1、晶面BCGF、HAC的晶面指數(shù)；晶向DF、AH的晶向指數(shù)。2、結(jié)構(gòu)中各離子的配位數(shù)為多少，寫出其配位多面體；3、晶胞分子數(shù)是多少？何種離子添何種空隙，空隙利用率是多少？4、計算說明O2-的電價是否飽和；5、結(jié)構(gòu)中是否存在TiO32-離子，為什么？   圖 1 二、下列硅酸鹽礦物各屬何種結(jié)構(gòu)類型（6）：r-Ca2Si04， KAISi3O8， CaMgSi2O6，Mg3Si4O10(

18、OH)2， Ca2AlAlSiO7， Ca2Mg5Si4O11（OH）2、 三、1、寫出下列缺陷反應式（10）：(1) CaCl2溶人NaC1中形成空位型固溶體，并寫出固溶體的化學式；(2) NaCl形成肖脫基缺陷。 2、為什么間隙型固溶體不能形成無限固溶體？ 四、硅酸鹽熔體的結(jié)構(gòu)特征是什么？從Na2OSiO系統(tǒng)出發(fā)，隨引入B2O3量的增加，系統(tǒng)的粘度如何變化，為什么？（10） 五、固體是如何降低系統(tǒng)的表面能的，為什么相同組成的固體的表面能總是高于液體的表面能？（8） 六、假定碳在Fe(體心立方)和Fe（面心立方）中進行擴散，碳在Fe中的D0和擴散活化能為0.0079、83600J/mol，碳

19、在Fe中的D0和擴散活化能為0.21和141284J/mol，計算800時各自的擴散系數(shù)并解釋其差別。（6） 七、為什么在成核一生成機理相變中，要有一點過冷或過熱才能發(fā)生相變? 什么情況下需過冷，什么情況下需過熱，試證明之。（6） 八、如果要合成鎂鋁尖晶石，可供選擇的原料為Mg(OH)2、MgO、-Al2O3、-Al2O3，從提高反應速率的角度出發(fā)，選擇什么原料較好？請說明原因。（6） 九、下列過程中哪一個能使燒結(jié)體強度增大，而不產(chǎn)生坯體宏觀上的收縮? （6分）(a)蒸發(fā)冷凝、 (b) 體積擴散、 (c)粘性流動、 (d)表面擴散、(e)溶解沉淀 十、圖2是A-B-C三元系統(tǒng)相圖，根據(jù)相圖回答

20、下列問題（24）：1在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條界線上溫度下降方向及界線的性質(zhì)；2判斷化合物S1、S2、S3的性質(zhì)；3寫出各三元無變量點的性質(zhì)及其對應的平衡關(guān)系式；4寫出組成點G在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程；5寫出組成為H的混合物在完全平衡條件下進行加熱時，開始出現(xiàn)液相的溫度和完全熔融的溫度；寫出組成H的混合物在完全平衡條件下進行冷卻，結(jié)晶結(jié)束時各物質(zhì)的百分含量（用線段比表示）。  圖 2參考答案一、1 （100） （111） 111 0-11 各1分2 CNTi4+=6 TiO6 CNCa2+=12 CaO12 CNO2-=6 OTi2Ca4 各1分3 Z=1(1

21、分) Ti4+ (1分)占據(jù)1/4八面體空隙(1分)4 因為：Z+=2/12*4+4/6*2=2=Z- 所以：飽和 (3分)5 不存在，因為是復合氧化合物。(2分)二、島狀、架狀、鏈狀、層狀、組群狀、鏈狀 各1分三、（1）CaCl2VNa+2ClCl+CaNa(2分) NaC1-2xCaxCl(1分)（2）OVNa +VCl(2分)（3）一是因為晶體中的間隙位置有限，二是因為間隙質(zhì)點超過一定的限度會不破壞晶體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。四、SiO4為基本結(jié)構(gòu)單元，四面體組成形狀不規(guī)則大小不同的聚合力子團，絡(luò)陰離子團之間依靠金屬離子連接。（4分）；從Na2OSiO2系統(tǒng)出發(fā)，隨引入B2O3量的增加， BO3與

22、游離氧結(jié)合，轉(zhuǎn)變?yōu)锽O4，使斷裂的網(wǎng)絡(luò)重新連接，系統(tǒng)粘度增加（3分）；繼續(xù)引入B2O3，B2O3以層狀或鏈狀的BO3存在，系統(tǒng)的粘度降低（3分）。五、固體表面通過表面質(zhì)點的極化、變形、重排降低固體的表面能（3分）；液體分子可自由移動，通過形成球形表面來降低表面能（2分）；固體質(zhì)點不能自由移動，只能通過表面質(zhì)點的極化、變形、重排降低表面能，因此表面能總是高于同組成的液體的表面能（3分）。六、由公式D=D0exp(-Q/RT)；（1分）計算D=6.72*10-7；（1分） D=2.7*10-8（1分）；DD；（1分）因為體心結(jié)構(gòu)較面心結(jié)構(gòu)疏松（2分）。七、由熱力學可知,在等溫、等壓下有 在平衡條件

23、下, =0，則有 式中： 0是相變的平衡溫度； 為相變熱。若在任意溫度T 的不平衡條件下，則有 若 與 不隨溫度而變化，將上式代入上式得： 可見，相變過程要自發(fā)進行，必須有<0,則<0 。（3） 若相變過程放熱（如凝聚、結(jié)晶等）<0。要使<0，必須有>0，即T0>T，這表明系統(tǒng)必須“過冷”。（4） 若相變過程吸熱（如蒸發(fā)、熔融等）>0,要滿足<0這一條件則必須<0，即T0<T，這表明系統(tǒng)要自發(fā)相變則必須“過熱”。八、選擇Mg(OH)2、-Al2O3（3分）；因為反應活性高，結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定（3分）。九、蒸發(fā)冷凝、表面擴散十、1見圖（6分）；

24、  2S1二元不一致熔融化合物，S2二元不致熔融化合物，S3三元不一致熔融化合物；（各1分）3P1：過渡點A+BS；P2：雙轉(zhuǎn)熔點L+B+S1=S3；P3：低共熔點L=B+C+S3；P4：單轉(zhuǎn)熔點L+A =S2+S1；P5單轉(zhuǎn)熔點L+S1= S2+S3；P6低共熔點 L=C+S2+S3；（各1分）4（4分）L: (結(jié)晶結(jié)束)S:（產(chǎn)物S1+ S2+S3）5P3,H,B：C：S3=CC1：BB1：B1C1 （5分）武漢理工大學2012年材料科學基礎(chǔ)期末考試試卷一、填空題（2×10=20分）1、依據(jù)（ ）之間關(guān)系的不同，可以把所有晶體的空間點陣劃歸為七類，即（ ）晶系、單斜晶系

25、、（ ）晶系、三方晶系、正方晶系、六方晶系和（ ）晶系。2、擴散的基本推動力是（ ），一般情況下以（ ）等形式（列出一種即可）表現(xiàn)出來，擴散常伴隨著物質(zhì)的（ ）。3、晶面族是指（ ）的一組晶面，同一晶面族中，不同晶面的指數(shù)的（ ）相同，只是（ ）不同。4、向MgO、沸石、TiO2、螢石中，加入同樣的外來雜質(zhì)原子，可以預料形成間隙型固溶體的固溶度大小的順序?qū)⑹牵?）。5、燒結(jié)過程可以分為（ ）三個階段，在燒結(jié)的中后期，與燒結(jié)同時進行的過程是（ ）。6、液體表面能和表面張力數(shù)值相等、量綱相同，而固體則不同，這種說法（ 是/否 ）正確，因為（ ）。7、馳豫表面是指（ ），NaCl單晶的表面是（ ）。

26、8、一般的固態(tài)反應包括（ ）兩個過程，化學動力學范圍是指（ ）。9、從熔體結(jié)構(gòu)角度，估計長石、輝石(MgO?SiO2)、鎂橄欖石三種礦物的高溫熔體表面張力大小順序（ ）。 10、刃性位錯的柏氏矢量與位錯線呈（ ）關(guān)系，而螺位錯兩者呈（ ）關(guān)系。 二、Zn2+在ZnS中擴散時，563時的擴散系數(shù)為3×10-14cm2/sec，450時的擴散系數(shù)為1.0×10-14cm2/sec,（10分） 求:(1) 擴散的活化能和D0；(2) 750時的擴散系數(shù)。 三、根據(jù)Mg2SiO4在(110)面的投影圖回答（10分）： (1) 結(jié)構(gòu)中有幾種配位多面體，各配位多面體間的連接方式怎樣?(

27、2) O2-的電價是否飽和?   (3) 晶胞的分子數(shù)是多少?(4) Si4+和Mg2+所占的四面體空隙和八面體空隙的分數(shù)是多少?  黑球：Si4+小白球：Mg2+大白球：O2- 圖 2   四、銅在過冷的液體中均勻形核，設(shè)晶胚為球狀，半徑為r。已知Gv=3.6×106J/cm3；液固界面的界面能為=0.15J/cm2；銅為面心立方結(jié)構(gòu)，其點陣常數(shù)a=0.361nm,1nm=10-7cm。（10分） 求:(1) 根據(jù)能量方程導出臨界晶核半徑r*的表達式，并計算其大??；(2) 求出臨界晶核中的原子個數(shù)。 五、熔體結(jié)晶

28、時（10分）：(1) 討論溫度對總結(jié)晶速率的影響；(2) 指出在哪一溫度范圍內(nèi)對形成玻璃有利，為什么？ 六、1寫出下列缺陷方應方程式。（5分）     1）TiO2加入到A12O3中（寫出兩種）；     2）NaCl形成肖脫基缺陷。   2畫出體心立方點陣的晶胞結(jié)構(gòu)圖，并在圖中作出(112)晶面和 晶向。（5分）   3實驗室要合成鎂鋁尖晶石，可供選擇的原料為Mg(OH)2、MgO、Al2O3·3H2O、-Al2O3、-Al

29、2O3。從提高反應速率的角度出發(fā)，選擇什么原料較好？請說明原因。（5分） 七、如圖A-B-C三元系統(tǒng)相圖，根據(jù)相圖回答下列問題（25分）：1在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條界線上溫度下降方向及界線的性質(zhì)；2判斷化合物F、G、H 的性質(zhì)；3寫出各三元無變量點的性質(zhì)及其對應的平衡關(guān)系式；4寫出組成點M1在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程；5寫出組成點M2在完全平衡條件下進行加熱時，開始出現(xiàn)液相的溫度和完全熔融的溫度；寫出完全平衡條件下進行冷卻，結(jié)晶結(jié)束時各物質(zhì)的百分含量（用線段比表示）。  圖 2參考答案一、填空題（第1題每空0.5分，其它每空1分，總計20分）1. 晶胞參數(shù)，三

30、斜，正交（斜方），立方。2. 化學位梯度，濃度梯度的，定向遷移。3. 原子排列狀況相同但位向不同，數(shù)字相同、數(shù)序和正負號不同。4. 沸石>螢石>TiO2>MgO。5. 燒結(jié)初期、燒結(jié)中期和燒結(jié)后期，再結(jié)晶和晶粒長大。6. 是，固體質(zhì)點不能自由移動。7. 在垂直于表面的方向上原子間距不同于該方向上晶格內(nèi)部原子間距的表面，馳豫表面。8. 相界面上的化學反應和反應物通過產(chǎn)物層的擴散，相界面上的化學反應速率遠小于反應物通過產(chǎn)物層的擴散速率。9. 鎂橄欖石>輝石>長石。10. 垂直 平行。二、（10分）解：(1) D=D0exp(-Q/RT) 2分  &

31、#160;                 T=563+273=836K時，D=3×10-14cm2/s 2分                    T=450+273=723K時，D=1.0×10-14cm2

32、/s 2分                    代入上式可求 Q=48875J，D0=0.34×10-11cm2/s 2分                (2) D=D0exp(-Q/RT) =1.1×10-14 cm

33、2/s 2分三、（10分）解：（1）有兩種配位多面體，SiO4，MgO6，同層的MgO6八面體共棱，如59MgO6和49MgO6共棱75O2-和27O2-，不同層的MgO6八面體共頂，如1MgO6和51MgO6共頂是22O2-，同層的MgO6與SiO4共頂，如TMgO6和7SiO4共頂22O2-，不同層的MgO6與SiO4共棱，TMgO6和43SiO4共28O2-和28O2-；2.5分（3）z=4(2.5分)；（4）Si4+占四面體空隙=1/8，Mg2+占八面體空隙=1/2。（2.5分） 四、 1、 G·GV·      &

34、#160;    令     則           已知：GV3.6×106J/cm3；0.15 J/cm2         8.33×108cm（5分） 2、個 （5分）五、1如右圖，I表示核化速率，u表示晶化速率（5分）；    2在陰影部分以外的溫度對形成玻璃有利，因為此時核化速率與晶化速率都較小或只

35、存在一種情況（5分）。六、1   1）（2分）          （2分）        2）（1分）    2   體心立方點陣的晶胞結(jié)構(gòu)圖 （2分），       (112)晶面和 晶向 （各1.5分）。    3   選擇Mg(OH)2、-Al2O3；因為反應活性高，結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。（3+2）七、1、見圖；

36、（6分）  2、G，一致熔融二元化合物； F，不一致熔融二元化合物；H，不一致熔融三元化合物 （3分）    3、E1，單轉(zhuǎn)熔點，       E2，低共熔點，        E3，低共熔點，        E4，單轉(zhuǎn)熔點，        E5，單轉(zhuǎn)熔點，        E6，多晶轉(zhuǎn)變點，

37、（6分）    4、    L：    (結(jié)晶結(jié)束)（B消失）（4分）    S： （產(chǎn)物A+F+H） （2分）    5、E2溫度，M2點所在溫度；過M2點做副三角形CGH的       兩條邊GH、GC的平行線M2X、M2Y，C%=YH/HC×100%，       H%=CX/HC×100%，G%=XY/HC×1

38、00%。（4分） 武漢理工大學2013年材料科學基礎(chǔ)期末考試試卷一、填空題（1´10=10分） 1、密排六方結(jié)構(gòu)（等徑球堆積）單位晶胞中分子數(shù)是（    ），配位數(shù)是（    ）。 2、Fick擴散第二定律的一維表達式為（         ）。 3、當晶核劑和晶核具有（         ）時，對核化最有利。 4、廣義材

39、料腐蝕是指材料由于（        ）而引起的破壞和變質(zhì)過程。 5、燒結(jié)中后期所伴隨的（       ）等，決定了材料顯微結(jié)構(gòu)的形成，也決定了材料最終的性質(zhì)或性能。 6、固態(tài)物質(zhì)的反應活性通常（    ），當反應物之一存在多晶轉(zhuǎn)變時則轉(zhuǎn)變溫度通常也是（   ）。 7、從熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化的過程是可逆的和漸變的，是在（     &

40、#160;）范圍內(nèi)完成，無固定熔點。 8、刃位錯的柏氏矢量與位錯線呈（    ）關(guān)系。 二、晶體結(jié)構(gòu)-性質(zhì)關(guān)系（20分） 1、根據(jù)下圖的螢石結(jié)構(gòu)圖回答下列問題（14分）： 1）指出螢石結(jié)構(gòu)中正負離子的堆積方式（兩種方式）； 2）寫出結(jié)構(gòu)中正負離子的配位數(shù)及其配位多面體； 3）Ca2+離子的配位多面體之間是如何連接的？ 4）在結(jié)構(gòu)圖中用和標示相互平行的同號離子層，分析螢石晶體的解理性。 2、根據(jù)Si/O比例不同劃分硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)類型。（6分）三、晶體結(jié)構(gòu)缺陷（10分） 1、晶體A屬于體心立方空間點陣，若原子B溶入A晶格的頂點位置形成置換型固溶體（全部取代）

41、，那么其成分可能是AB還是AB3？為什么？(4分) 2、Al2O3摻入到MgO中，請寫出二個合理的方程，并寫出對應的固溶體化學式(6分)。 四、從熔體結(jié)構(gòu)角度，估計長石、輝石(MgO·SiO2)、鎂橄欖石三種礦物的高溫熔體表面張力 大小順序，并分析它們形成玻璃的能力。（10分） 五、 1、氧化鋁瓷件表面上涂銀后，燒到1000時，巳知(Al2O3，固)1J/m2；(Ag，液)0.92J/m2；(Ag，液/ Al2O3，固)1.77 J/m2，試問液態(tài)銀能否潤濕氧化鋁瓷件表面？可以用什么方法改善它們之間的潤濕性？請?zhí)岢鲆环N最有可能實現(xiàn)的措施。(6分) 2、根

42、據(jù)威爾的表面雙電層理論，某些化合物表面可能由負離子組成，正離子被負離子所屏蔽。已知PbI2的表面能為1.3×105J/cm2，CaF2的表面能為2.5×104J/cm2，請判斷PbI2和CaF2的表面雙電層厚度的大小，并解釋產(chǎn)生的原因。(4分) 六、已知銅的熔點Tm1083，熔化熱H1628J/cm3，固液界面能1.77×105J/cm2，銅為面心立方晶體，點陣常數(shù)a0.3615nm。（10分） 1、當液態(tài)金屬銅過冷至853進行均態(tài)形核時，求臨界晶核半徑和每個臨界晶核的原子數(shù)（設(shè)晶核為球形）。 2、若為非均態(tài)形核，求臨界球冠的原子數(shù)。（設(shè)形成球冠的高度為h0.2R

43、，球冠體積，R為球冠半徑） 七、經(jīng)過計算可知1000下氫在面心立方鐵中的擴散系數(shù)為1.08×104cm2/s，同等條件下鎳在面心立方鐵中的擴散系數(shù)為4.27×1011cm2/s，請對這種差別進行解釋。（5分） 八、實驗室要合成鎂鋁尖晶石，可供選擇的原料為MgCO3、MgO、Al2O3、Al2O3。從提高反應速率的角度出發(fā)，選擇什么原料較好？請說明原因。（5分） 九、如圖A-B-C三元系統(tǒng)相圖，根據(jù)相圖回答下列問題（20分）： 1、在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條界線上溫度下降方向及界線的性質(zhì)； 2、判斷化合物D 的性質(zhì)； 3、寫出各三元無變量點的性質(zhì)及其對應的平

44、衡關(guān)系式； 4、寫出組成點M1在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程，結(jié)晶結(jié)束時各物質(zhì)的百分含量（用線段比表示）； 5、寫出組成點M2在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程，在M2熔體的液相組成點剛剛到達J1時，求其相組成（用線段比表示）。在J1的反應哪個晶相先消失，為什么？  參考答案一、填空題（1´10=10分）1. 6 ，12 。2. 。3. 結(jié)構(gòu)相同或相似，或具有相似的原子排列，或接觸角為0，或接觸角較小。4. 環(huán)境的作用。5. 晶粒長大和再結(jié)晶。6. 較低，速度較慢；反應開始明顯進行的溫度或較高。7.一定的溫度。8. 垂直。二、晶體結(jié)構(gòu)分析（20分）1、 1）Ca2+面心立方堆積，簡單立方堆積；（4分）2） 鈣的配位數(shù)為8，CaF8立方體；F的配位數(shù)為4，F(xiàn)Ca4四面體；（4分）3） CaF8立方體之間共棱（共用2個頂點）連接；（2分）4） 見圖（1分），平行（111）面存在同號離