中國(guó)集成電路制造產(chǎn)業(yè)

1、中國(guó)芯片制造產(chǎn)業(yè)為改變集成電路制造技術(shù)嚴(yán)重滯后的局面，我國(guó)在1997年啟動(dòng)了“909工程”，1999年上海華虹NEC的我國(guó)第一條8英寸生產(chǎn)線建成投產(chǎn)。2000年在18號(hào)文的鼓勵(lì)下出現(xiàn)了集成電路產(chǎn)業(yè)投資熱潮，各地紛紛投資建設(shè)芯片生產(chǎn)線。2002年中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司的8英寸生產(chǎn)線(Fab1)投入運(yùn)營(yíng)。2003年上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司與和艦科技(蘇州)有限公司的8英寸生產(chǎn)線分別投產(chǎn)。2004年臺(tái)積電(上海)有限公司和上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司分別啟動(dòng)8英寸生產(chǎn)線建設(shè)。同年，做了5年DRAM制造的上海華虹NEC轉(zhuǎn)向芯片代工。2005年4月，中芯國(guó)際(北京)建成了我國(guó)第一條12英寸

2、生產(chǎn)線。韓國(guó)海力士半導(dǎo)體公司(Hynix)和意法半導(dǎo)體微電子公司(STMicroelectronics)合資，于2006年10月在蘇州無(wú)錫建成12英寸生產(chǎn)線和8英寸生產(chǎn)線。中芯國(guó)際(上海)在上海浦東的12英寸生產(chǎn)線啟動(dòng)建設(shè)，并于2007年12月正式運(yùn)營(yíng)。2006年后我國(guó)集成電路芯片生產(chǎn)線建設(shè)逐步由長(zhǎng)三角地區(qū)和京津地區(qū)向中、西部地區(qū)和其他地區(qū)擴(kuò)展。中芯國(guó)際與四川成都合作組建成都成芯半導(dǎo)體制造有限公司，建成西部第一條8英寸生產(chǎn)線。中芯國(guó)際受武漢市政府委托，由湖北省和武漢市出資建設(shè)新芯集成電路制造有限公司的12英寸生產(chǎn)線，由中芯國(guó)際負(fù)責(zé)運(yùn)營(yíng)。除建設(shè)新的生產(chǎn)線，原有生產(chǎn)線也在不斷擴(kuò)建。海力士從2007

3、年3月開(kāi)始進(jìn)行12英寸生產(chǎn)線的擴(kuò)建，2008年5月又進(jìn)一步增加投資，將月產(chǎn)能提高到到8萬(wàn)片。從2007年起，上海華虹NEC著手?jǐn)U建8英寸生產(chǎn)線，另一方面，上海華虹NEC二廠的8英寸生產(chǎn)線也開(kāi)工建設(shè)，2007年10月進(jìn)入試生產(chǎn)。上海宏力半導(dǎo)體也計(jì)劃將8英寸生產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)至3.5萬(wàn)片/月。2007年12月底，中芯國(guó)際(上海)的12英寸生產(chǎn)線竣工，2008年正式投產(chǎn)。同時(shí)，中芯國(guó)際放棄DRAM制造，全部轉(zhuǎn)向邏輯電路代工，這對(duì)中芯國(guó)際改善經(jīng)濟(jì)效益起到了明顯的作用。2008年9月，武漢新芯半導(dǎo)體公司投資近100億元建成12英寸生產(chǎn)線，并與閃存制造商飛索公司(Spansion)合作，接受Flash工藝轉(zhuǎn)移，開(kāi)

4、展Flash代工。2008年11月大唐微電子投資1.72億美元，入主中芯國(guó)際，并與中芯國(guó)際聯(lián)手開(kāi)發(fā)3G移動(dòng)通信產(chǎn)品。上海貝嶺(600171，股吧)把芯片制造部門(mén)獨(dú)立出來(lái)，成立上海貝嶺微電子制造有限公司，上海貝嶺股份有限公司則專注于集成電路設(shè)計(jì)。2008年鄭州晶誠(chéng)科技有限公司投資10億美元建設(shè)的8英寸模擬電路生產(chǎn)線竣工投產(chǎn)。深圳比亞迪(002594，股吧)股份有限公司則以1.71億美元收購(gòu)寧波中緯積體電路有限公司6英寸生產(chǎn)線，成立寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司，著重發(fā)展電源管理產(chǎn)品和功率半導(dǎo)體器件。在此期間，華潤(rùn)上華(無(wú)錫)二廠的8英寸生產(chǎn)線建成并投產(chǎn)。2009年由于受全球金融危機(jī)和全球半導(dǎo)體市場(chǎng)深度

5、衰退的影響，我國(guó)沒(méi)有新建和擴(kuò)建芯片生產(chǎn)線。進(jìn)入2010年，“909工程”升級(jí)改造項(xiàng)目上海華力微電子有限公司正式成立，并啟動(dòng)12英寸90-65-45nm生產(chǎn)線建設(shè)。該項(xiàng)目總投資約145億元，注冊(cè)資金66億元。2011年4月第一臺(tái)光刻機(jī)正式進(jìn)入，計(jì)劃2013年底全部建成，產(chǎn)能達(dá)到3.5萬(wàn)片/月。我國(guó)集成電路制造業(yè)技術(shù)水平不斷提升和產(chǎn)能穩(wěn)定增長(zhǎng)，為我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的快速發(fā)展提供了技術(shù)基礎(chǔ)和保障，對(duì)完善產(chǎn)業(yè)鏈、提高國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平發(fā)揮了積極作用。集成電路制造業(yè)規(guī)模在國(guó)內(nèi)外兩個(gè)市場(chǎng)的帶動(dòng)下，2000-2010年增長(zhǎng)近9倍。在這期間，受金融危機(jī)影響，2008、2009年連續(xù)兩個(gè)年度負(fù)增長(zhǎng)。2010年市

6、場(chǎng)需求明顯好轉(zhuǎn)，制造業(yè)取得了31%的增長(zhǎng)，甚至一度出現(xiàn)產(chǎn)能緊張、供不應(yīng)求的局面。 圖1.282000-2010年中國(guó)集成電路制造業(yè)銷(xiāo)售收入及增長(zhǎng)率目前國(guó)內(nèi)已建成的6英寸以上的晶圓生產(chǎn)線有41條，其中包括6條12英寸生產(chǎn)線和15條8英寸生產(chǎn)線，國(guó)內(nèi)已成為近年開(kāi)工建設(shè)晶圓生產(chǎn)線最多的地區(qū)之一。近10年間，我國(guó)集成電路生產(chǎn)線的主流技術(shù)已由5英寸、6英寸，0.5微米以上工藝水平提升到8英寸0.18微米0.25微米，12英寸110納米、90納米和65納米、55納米/45納米。以中芯國(guó)際、華潤(rùn)微電子、華虹NEC、上海宏力、上海先進(jìn)等為代表的本土集成電路企業(yè)迅速崛起。中芯國(guó)際在先進(jìn)技術(shù)制程方面的技

7、術(shù)進(jìn)步令人矚目，其規(guī)模已位居世界第5位，技術(shù)水平正向28納米提升;華潤(rùn)微電子在特殊加工技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)步明顯，其模擬和高壓技術(shù)制程在業(yè)內(nèi)獨(dú)樹(shù)一幟，處于領(lǐng)先地位。據(jù)CSIP和SICA的初步統(tǒng)計(jì)，截止2012年，我國(guó)集成電路芯片生產(chǎn)線數(shù)量及分布見(jiàn)表1、表2。 表1，2012年我國(guó)集成電路芯片生產(chǎn)線數(shù)量 數(shù)據(jù)來(lái)源：SICA，電子工業(yè)年鑒，信息產(chǎn)業(yè)年鑒表2，中國(guó)主要集成電路芯片生產(chǎn)線的分布 表2，中國(guó)主要集成電路芯片生產(chǎn)線的分布 數(shù)據(jù)來(lái)源：SICA數(shù)據(jù)來(lái)源：SICA通過(guò)引進(jìn)、消化、吸收、再創(chuàng)新，我國(guó)集成電路制造業(yè)的工藝技術(shù)水平不斷提升，與國(guó)際先進(jìn)水平的差距逐步縮小。尤其是制造業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)中

8、芯國(guó)際一直走在國(guó)內(nèi)企業(yè)的前列，2008年該公司90nm低功耗CMOS工藝投入生產(chǎn)，自主開(kāi)發(fā)的65nmCMOS工藝在2009年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2008年接受IBM技術(shù)轉(zhuǎn)讓的45nmBulKCMOS工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)取得顯著進(jìn)展，當(dāng)年研制出第一批45nmBulKCMOS晶圓樣品并通過(guò)IBM的驗(yàn)證測(cè)試，將在2011年投入量產(chǎn)。在北京市委市政府的支持下，中芯國(guó)際在2012年前投資18億美元將北京12英寸生產(chǎn)線的產(chǎn)能由2萬(wàn)片/月擴(kuò)充至4.5萬(wàn)片/月，在2015年前繼續(xù)投資45億美元將產(chǎn)能繼續(xù)擴(kuò)充至10萬(wàn)片/月，生產(chǎn)制造工藝也將由目前的65納米提升至32納米22納米，基本與世界先進(jìn)水平同步。和艦科技(蘇州)在2008年將0.18微米CMOS工藝提升至0.16微米，后繼開(kāi)發(fā)成功的0.13微米高壓器件已投入生產(chǎn)。上海華虹NEC以0.18微米CMOS技術(shù)為基礎(chǔ)，開(kāi)發(fā)成功多種產(chǎn)品工藝和0.35微米BCD工藝。上海宏力自主開(kāi)發(fā)的0.12微米Flash/eFlash工藝和0.18微