BGA封裝技術(shù)介紹

1、第二章第二章 BGA 封裝技術(shù)封裝技術(shù)ContentsBGA簡(jiǎn)介簡(jiǎn)介1BGA分類(lèi)分類(lèi)2BGA工藝流程工藝流程vBGA技術(shù)簡(jiǎn)介技術(shù)簡(jiǎn)介 BGABGA（Ball Grid ArrayBall Grid Array）封裝，即）封裝，即球柵陣球柵陣列（或焊球陣列）封裝列（或焊球陣列）封裝； 其其外引線為焊球或焊凸點(diǎn)外引線為焊球或焊凸點(diǎn)，它們成陣列分，它們成陣列分布于封裝基板的底部平面上布于封裝基板的底部平面上 在基板上面裝配大規(guī)模集成電路（在基板上面裝配大規(guī)模集成電路（LSILSI）芯片，是芯片，是LSILSI芯片的一種芯片的一種表面組裝封裝類(lèi)型表面組裝封裝類(lèi)型。vBGABGA技術(shù)特點(diǎn)技術(shù)特點(diǎn) 成品率

2、高成品率高, ,可將窄間距可將窄間距QFPQFP焊點(diǎn)失效率降低兩個(gè)數(shù)量級(jí)焊點(diǎn)失效率降低兩個(gè)數(shù)量級(jí) 芯片引腳間距大芯片引腳間距大貼裝工藝和精度貼裝工藝和精度 顯著增加了引出端子數(shù)與本體尺寸比顯著增加了引出端子數(shù)與本體尺寸比互連密度高互連密度高 BGABGA引腳短引腳短- -電性能好、牢固電性能好、牢固- -不易變形不易變形 焊球有效改善了共面性，有助于改善散熱性焊球有效改善了共面性，有助于改善散熱性 適合適合MCMMCM封裝需要，實(shí)現(xiàn)高密度和高性能封裝封裝需要，實(shí)現(xiàn)高密度和高性能封裝vBGABGA的分類(lèi)的分類(lèi) 根據(jù)焊料球的排列方式分為：根據(jù)焊料球的排列方式分為： 周邊型周邊型 交錯(cuò)型交錯(cuò)型 全陣

3、列型全陣列型 根據(jù)基板不同主要有：根據(jù)基板不同主要有： PBGAPBGA（塑封（塑封BGABGA） CBGACBGA（陶瓷（陶瓷BGABGA） TBGATBGA（載帶（載帶BGABGA）此外，還有此外，還有CCGACCGA（陶瓷焊柱陣列）、（陶瓷焊柱陣列）、MBGAMBGA（金屬（金屬BGABGA）FCBGAFCBGA（細(xì)間距（細(xì)間距BGABGA或倒裝或倒裝BGABGA）和）和EBGAEBGA（帶散熱器（帶散熱器BGABGA）等。）等。塑料封裝塑料封裝BGA BGA （PBGAPBGA） 塑料封裝塑料封裝BGABGA采用采用塑料材料塑料材料和和塑封工藝塑封工藝制作，是最制作，是最常用的常用的B

4、GABGA封裝形式。封裝形式。 PBGA PBGA采用的基板類(lèi)型為采用的基板類(lèi)型為PCBPCB基板材料（基板材料（BTBT樹(shù)脂樹(shù)脂/ /玻璃玻璃層壓板），裸芯片經(jīng)過(guò)粘結(jié)和層壓板），裸芯片經(jīng)過(guò)粘結(jié)和WBWB技術(shù)連接到基板頂部及技術(shù)連接到基板頂部及引腳框架后采用注塑成型（環(huán)氧模塑混合物）方法實(shí)現(xiàn)引腳框架后采用注塑成型（環(huán)氧模塑混合物）方法實(shí)現(xiàn)整體塑模。整體塑模。 焊球材料為低熔點(diǎn)共晶焊料合金焊球材料為低熔點(diǎn)共晶焊料合金63Sn37Pb63Sn37Pb，直徑約，直徑約1mm1mm，間距范圍間距范圍1.27-2.54mm1.27-2.54mm，焊球與封裝體底部的連接不需要另外，焊球與封裝體底部的連接不

5、需要另外使用焊料。組裝時(shí)焊球熔融，與使用焊料。組裝時(shí)焊球熔融，與PCBPCB表面焊盤(pán)接合在一起，呈表面焊盤(pán)接合在一起，呈現(xiàn)桶狀?，F(xiàn)桶狀。PBGAPBGA特點(diǎn)特點(diǎn) 制作成本低，性?xún)r(jià)比高 焊球參與再流焊點(diǎn)形成，共面度要求寬松 與環(huán)氧樹(shù)脂基板熱匹配性好、裝配至PCB時(shí)質(zhì)量高、性能好 對(duì)潮氣敏感，PoPCorn effect嚴(yán)重，可靠性存在隱患，且封裝高度之QFP高也是一技術(shù)挑戰(zhàn)。CBGACBGA 是將裸芯片安裝在陶瓷多層基板載體頂部表面形是將裸芯片安裝在陶瓷多層基板載體頂部表面形成的，金屬蓋板用密封焊料焊接在基板上，用以成的，金屬蓋板用密封焊料焊接在基板上，用以保護(hù)芯片、引線及焊盤(pán)，連接好的封裝體經(jīng)

6、過(guò)氣保護(hù)芯片、引線及焊盤(pán)，連接好的封裝體經(jīng)過(guò)氣密性處理可提高其可靠性和物理保護(hù)性能。密性處理可提高其可靠性和物理保護(hù)性能。 CBGACBGA采用的是多層陶瓷布線基板，采用的是多層陶瓷布線基板，CBGACBGA焊球焊球材料高熔點(diǎn)材料高熔點(diǎn)90Pb10Sn90Pb10Sn共晶焊料，焊球和封裝體共晶焊料，焊球和封裝體的連接使用低溫共晶焊料的連接使用低溫共晶焊料63Sn37Pb63Sn37Pb，采用封蓋，采用封蓋+ +玻璃封接，屬于氣密封裝范疇。玻璃封接，屬于氣密封裝范疇。CBGACBGA技術(shù)特點(diǎn)技術(shù)特點(diǎn) 【對(duì)濕氣不敏感，可靠性好、電、熱性能優(yōu)良對(duì)濕氣不敏感，可靠性好、電、熱性能優(yōu)良】 【與陶瓷基板與

7、陶瓷基板CTECTE匹配性好匹配性好】 【連接芯片和元件可返修性較好連接芯片和元件可返修性較好】 【裸芯片采用裸芯片采用FCBFCB技術(shù)，互連密度更高技術(shù)，互連密度更高】 【封裝成本高封裝成本高】 【與環(huán)氧樹(shù)脂等基板與環(huán)氧樹(shù)脂等基板CTECTE匹配性差匹配性差】CBGACBGA的焊接特性的焊接特性 CBGACBGA焊接過(guò)程不同于焊接過(guò)程不同于PBGAPBGA，采用的是高溫合金焊球，采用的是高溫合金焊球，在一般標(biāo)準(zhǔn)再流焊溫度（，在一般標(biāo)準(zhǔn)再流焊溫度（220220）下，）下，CBGACBGA焊料球不熔焊料球不熔化，起到剛性支座作用?；鸬絼傂灾ё饔?。PCBPCB上需要印刷的焊膏量需多于上需要印

8、刷的焊膏量需多于PBGAPBGA，形成的焊點(diǎn)形狀也不同于，形成的焊點(diǎn)形狀也不同于PBGAPBGA。CCGACCGA技術(shù)技術(shù) CCGA CCGA封裝又稱(chēng)圓柱焊料載體封裝又稱(chēng)圓柱焊料載體, ,是是CBGACBGA技術(shù)的擴(kuò)展，技術(shù)的擴(kuò)展，不同之處在于采用焊球柱代替焊球作為互連基材，是當(dāng)不同之處在于采用焊球柱代替焊球作為互連基材，是當(dāng)器件面積大于器件面積大于3232平方毫米時(shí)平方毫米時(shí)CBGACBGA的替代產(chǎn)品的替代產(chǎn)品. CCGA CCGA承受封裝體和承受封裝體和PCBPCB基板材料之間熱失配應(yīng)基板材料之間熱失配應(yīng)力的能力較好力的能力較好, ,因此其可靠性要優(yōu)于因此其可靠性要優(yōu)于CBGACBGA器件

9、器件, ,特別特別是大器件尺寸應(yīng)用領(lǐng)域，此外清洗也較容易。是大器件尺寸應(yīng)用領(lǐng)域，此外清洗也較容易。 CCGA CCGA焊料柱直徑約焊料柱直徑約0.508mm0.508mm，高度約，高度約1.8mm1.8mm，間，間距約距約1.27mm1.27mm，由于焊柱高度太大，目前應(yīng)用的較少。，由于焊柱高度太大，目前應(yīng)用的較少。CCGACCGA技術(shù)特點(diǎn)技術(shù)特點(diǎn)TBGATBGA技術(shù)技術(shù) 載帶球柵陣列（TBGA）又稱(chēng)陣列載帶自動(dòng)鍵合，是一種相對(duì)較新穎的BGA封裝形式，采用的基板類(lèi)型為PI多層布線基板，焊料球材料為高熔點(diǎn)焊料合金，焊接時(shí)采用低熔點(diǎn)焊料合金。TBGATBGA技術(shù)特點(diǎn)技術(shù)特點(diǎn)n與環(huán)氧樹(shù)脂PCB基板熱

10、匹配性好n最薄型BGA封裝形式，有利于芯片薄型化n成本較之CBGA低n對(duì)熱和濕較為敏感n芯片輕、小，自校準(zhǔn)偏差較之其他BGA類(lèi)型大TBGA適用于高性能、多I/O引腳數(shù)場(chǎng)合。帶散熱器的帶散熱器的FCBGA-EBGAFCBGA-EBGA FCBGA通過(guò)FCB技術(shù)與基板實(shí)現(xiàn)互連，與PBGA區(qū)別在于裸芯片面朝下，發(fā)展最快的BGA類(lèi)型芯片。v金屬基板金屬基板BGABGA（MBGAMBGA） 采用表面陽(yáng)極氧化鋁基板，單層或雙層薄膜金采用表面陽(yáng)極氧化鋁基板，單層或雙層薄膜金屬實(shí)現(xiàn)封裝內(nèi)互連。屬實(shí)現(xiàn)封裝內(nèi)互連。BGA封裝工藝流程封裝工藝流程v引線鍵合引線鍵合PBGA封裝工藝流程封裝工藝流程 PBGA基板的制備

11、基板的制備 在在BT樹(shù)脂玻璃芯板的兩面層壓極薄樹(shù)脂玻璃芯板的兩面層壓極薄(1218m厚厚)的銅箔；的銅箔； 進(jìn)行鉆通孔和通孔金屬化（鍍通孔），通孔一般位于進(jìn)行鉆通孔和通孔金屬化（鍍通孔），通孔一般位于基板的四周；基板的四周； 用常規(guī)的用常規(guī)的PWB工藝（壓膜、曝光、顯影、蝕刻等）在工藝（壓膜、曝光、顯影、蝕刻等）在基板的兩面制作圖形（導(dǎo)帶、電極以及安裝焊球的焊基板的兩面制作圖形（導(dǎo)帶、電極以及安裝焊球的焊區(qū)陣列）；區(qū)陣列）； 然后形成介質(zhì)阻焊膜并制作圖形，露出電極和焊區(qū)。然后形成介質(zhì)阻焊膜并制作圖形，露出電極和焊區(qū)。功能：功能：1.1.去除表面氧化物；去除表面氧化物；2.2.減小銅面厚度以利于

12、減小銅面厚度以利于細(xì)線電路形成細(xì)線電路形成。銅箔銅箔BT鉆孔：鉆孔：1.1.作為上下層導(dǎo)通的通路作為上下層導(dǎo)通的通路 2.2.定位孔定位孔、ToolingTooling孔孔在孔壁上鍍銅，導(dǎo)通上下層通路在孔壁上鍍銅，導(dǎo)通上下層通路前處理前處理壓掩膜壓掩膜水洗水洗蝕蝕刻刻水洗水洗酸洗酸洗剝剝膜膜水洗水洗曝光曝光顯影顯影黃光區(qū)上底片上底片線路形成：線路形成：Mylar壓掩膜壓掩膜、上底片、曝光、上底片、曝光顯影顯影CopperBT掩膜掩膜底片底片UVCopperBT掩膜掩膜蝕刻蝕刻剝膜剝膜CopperBTCopperBT掩膜掩膜前處理前處理網(wǎng)印網(wǎng)印Pre - cure網(wǎng)印網(wǎng)印Pre - cure曝光

13、曝光UV顯影顯影Post - cureUV cure阻焊膜阻焊膜 (Solder Mask)油墨油墨+硬化劑硬化劑黃光室黃光室底底片片蝕刻蝕刻金金鎳鎳鍍鎳、金鍍鎳、金綠漆綠漆CopperBT功能：功能：1.1. 保護(hù)銅層，防止銅層氧化保護(hù)銅層，防止銅層氧化。2.2. 鎳作為金和銅結(jié)合的介質(zhì)，防止金與鎳作為金和銅結(jié)合的介質(zhì)，防止金與銅彼此擴(kuò)散銅彼此擴(kuò)散。3. 3. 利于打金線利于打金線。BGA封裝工藝流程封裝工藝流程封裝工藝流程封裝工藝流程 圓片減薄圓片減薄圓片切削圓片切削芯片粘結(jié)芯片粘結(jié)清洗清洗引線鍵合引線鍵合清洗清洗模塑封裝模塑封裝裝配焊料球裝配焊料球回流焊回流焊打標(biāo)打標(biāo)分離分離檢查及測(cè)試檢

14、查及測(cè)試包裝包裝 芯片粘結(jié)：采用充銀環(huán)氧樹(shù)脂粘結(jié)劑（導(dǎo)電膠）將芯片粘結(jié)：采用充銀環(huán)氧樹(shù)脂粘結(jié)劑（導(dǎo)電膠）將IC芯片粘結(jié)在鍍有芯片粘結(jié)在鍍有Ni-Au薄層的基板上；薄層的基板上； 引線鍵合：粘接固化后用金絲球焊機(jī)將引線鍵合：粘接固化后用金絲球焊機(jī)將IC芯片上的焊芯片上的焊區(qū)與基板上的鍍區(qū)與基板上的鍍Ni-Au的焊區(qū)以金線相連；的焊區(qū)以金線相連； 模塑封裝：用填有石英粉的環(huán)氧樹(shù)脂模塑料進(jìn)行模塑模塑封裝：用填有石英粉的環(huán)氧樹(shù)脂模塑料進(jìn)行模塑包封，以保護(hù)芯片、焊接線和焊盤(pán)；包封，以保護(hù)芯片、焊接線和焊盤(pán)； 裝配焊料球裝配焊料球/回流焊：固化之后，使用特殊設(shè)計(jì)的吸拾回流焊：固化之后，使用特殊設(shè)計(jì)的吸拾工

15、具（焊球自動(dòng)拾放機(jī)）將浸有焊劑的熔點(diǎn)為工具（焊球自動(dòng)拾放機(jī)）將浸有焊劑的熔點(diǎn)為183、直、直徑為徑為30mil（0.75mm）的焊料球的焊料球Sn62Pb36Ag2或或Sn63Pb37放置在焊盤(pán)上，在傳統(tǒng)的回流焊爐內(nèi)在放置在焊盤(pán)上，在傳統(tǒng)的回流焊爐內(nèi)在N2氣氛氣氛下進(jìn)行回流焊接（最高加工溫度不能夠超過(guò)下進(jìn)行回流焊接（最高加工溫度不能夠超過(guò)230），焊），焊球與鍍球與鍍Ni-Au的基板焊區(qū)焊接。的基板焊區(qū)焊接。 BGA封裝工藝流程封裝工藝流程 裝配焊球有兩種方法：裝配焊球有兩種方法：“球在上球在上”和和“球在下球在下” 球在上：在基板上絲網(wǎng)印制焊膏，將印有焊膏的基球在上：在基板上絲網(wǎng)印制焊膏，將

16、印有焊膏的基板裝在一個(gè)夾具上，用定位銷(xiāo)將一個(gè)帶篩孔的頂板與基板裝在一個(gè)夾具上，用定位銷(xiāo)將一個(gè)帶篩孔的頂板與基板對(duì)準(zhǔn)，把球放在頂板上，篩孔的中心距與陣列焊點(diǎn)的板對(duì)準(zhǔn)，把球放在頂板上，篩孔的中心距與陣列焊點(diǎn)的中心距相同，焊球通過(guò)孔對(duì)應(yīng)落到基板焊區(qū)的焊膏上，中心距相同，焊球通過(guò)孔對(duì)應(yīng)落到基板焊區(qū)的焊膏上，多余的球則落入一個(gè)容器中。取下頂板后將部件送去再多余的球則落入一個(gè)容器中。取下頂板后將部件送去再流，再流后進(jìn)行清洗流，再流后進(jìn)行清洗 “球在下球在下”：過(guò)程與：過(guò)程與“球在上球在上”相反，先將一個(gè)帶相反，先將一個(gè)帶有以所需中心距排列的孔（直徑小于焊球）的特殊夾有以所需中心距排列的孔（直徑小于焊球）的

17、特殊夾具放在一個(gè)振動(dòng)具放在一個(gè)振動(dòng)/ /搖動(dòng)裝置上，放入焊球，通過(guò)振動(dòng)搖動(dòng)裝置上，放入焊球，通過(guò)振動(dòng)使球定位于各個(gè)孔，在焊球位置上印焊膏，再將基板使球定位于各個(gè)孔，在焊球位置上印焊膏，再將基板對(duì)準(zhǔn)放在印好的焊膏上，送去再流，之后進(jìn)行清洗。對(duì)準(zhǔn)放在印好的焊膏上，送去再流，之后進(jìn)行清洗。 焊球的直徑是焊球的直徑是0.76mm(30mil)0.76mm(30mil)或或0.89mm(35mil)0.89mm(35mil)，PBGAPBGA焊球的成分為低熔點(diǎn)的焊球的成分為低熔點(diǎn)的63Sn37Pb(62Sn36Pb2Ag)63Sn37Pb(62Sn36Pb2Ag)。真空吸盤(pán)真空吸盤(pán)真空吸球真空吸球 滴助

18、焊劑滴助焊劑放球放球 N2氣中回流氣中回流 助焊劑清洗、分離、打標(biāo)機(jī)助焊劑清洗、分離、打標(biāo)機(jī)氮?dú)庠倭骱笭t氮?dú)庠倭骱笭t助焊劑滴涂和置球機(jī)助焊劑滴涂和置球機(jī) BGABGA植球工藝流程植球工藝流程 v引線鍵合引線鍵合TBGA的封裝工藝流程的封裝工藝流程 TBGA載帶載帶 載帶制作：載帶制作：TBGA的載帶是由聚酰亞胺的載帶是由聚酰亞胺PI材料制成的。材料制成的。 在制作時(shí)，先在載帶的兩面進(jìn)行覆銅，在制作時(shí)，先在載帶的兩面進(jìn)行覆銅， 接著沖通孔和通孔金屬化及制作出圖形。接著沖通孔和通孔金屬化及制作出圖形。 然后鍍鎳和鍍金然后鍍鎳和鍍金 將帶有金屬化通孔和再分布圖形的載帶分割成單體。將帶有金屬化通孔和再

19、分布圖形的載帶分割成單體。 封裝熱沉又是封裝的加固體，也是管殼的芯腔基底，因此在封裝熱沉又是封裝的加固體，也是管殼的芯腔基底，因此在 封裝前先要使用壓敏粘結(jié)劑將載帶粘結(jié)在熱沉上。封裝前先要使用壓敏粘結(jié)劑將載帶粘結(jié)在熱沉上。 封裝工藝流程封裝工藝流程 圓片減薄圓片減薄圓片切割圓片切割芯片粘結(jié)芯片粘結(jié)清洗清洗引線鍵合引線鍵合等離子清洗等離子清洗液態(tài)密封劑灌封液態(tài)密封劑灌封裝配焊料球裝配焊料球回流焊回流焊打標(biāo)打標(biāo)分離分離最終檢查最終檢查測(cè)試測(cè)試包裝包裝 裝配焊料球：用微焊技術(shù)把焊球裝配焊料球：用微焊技術(shù)把焊球（10Sn90Pb）焊接到載焊接到載帶上，焊球的頂部熔進(jìn)電鍍通孔內(nèi)。帶上，焊球的頂部熔進(jìn)電鍍

20、通孔內(nèi)。 芯片互連：面陣型芯片，用芯片互連：面陣型芯片，用C4工藝；周邊型金凸點(diǎn)芯片，工藝；周邊型金凸點(diǎn)芯片，熱壓鍵合。熱壓鍵合。 焊接后用環(huán)氧樹(shù)脂將芯片包封。焊接后用環(huán)氧樹(shù)脂將芯片包封。 TBGATBGA是適于高是適于高I/OI/O數(shù)應(yīng)用的一種封裝形式，數(shù)應(yīng)用的一種封裝形式，I/OI/O數(shù)可為數(shù)可為200-1000200-1000，芯片的連接可以用倒裝芯片焊料再流，也，芯片的連接可以用倒裝芯片焊料再流，也可以用熱壓鍵合?？梢杂脽釅烘I合。 TBGATBGA的安裝使用標(biāo)準(zhǔn)的的安裝使用標(biāo)準(zhǔn)的63Sn37Pb63Sn37Pb焊膏。焊膏。vFC-CBGAFC-CBGA的封裝工藝流程的封裝工藝流程 陶瓷

21、基板陶瓷基板 FC-CBGAFC-CBGA的基板是多層陶瓷基板?；宓牟季€密度高、的基板是多層陶瓷基板?；宓牟季€密度高、間距窄、通孔也多，基板的共面性要求較高。間距窄、通孔也多，基板的共面性要求較高。 主要過(guò)程是：將多層陶瓷片高溫共燒成多層陶瓷金主要過(guò)程是：將多層陶瓷片高溫共燒成多層陶瓷金屬化基片，再在基片上制作多層金屬布線，然后進(jìn)行電屬化基片，再在基片上制作多層金屬布線，然后進(jìn)行電鍍等。鍍等。 在在CBGACBGA的組裝中，基板與芯片、的組裝中，基板與芯片、PCBPCB板的板的CTECTE失配失配是是造成造成CBGACBGA產(chǎn)品失效的主要因素。要改善這一情況，除采產(chǎn)品失效的主要因素。要改善

22、這一情況，除采用用CCGACCGA結(jié)構(gòu)外，還可使用另外一種陶瓷基板結(jié)構(gòu)外，還可使用另外一種陶瓷基板-HITCE-HITCE陶瓷陶瓷基板。基板。HITCEHITCE-high thermal coefficient of expansionhigh thermal coefficient of expansion 封裝工藝流程封裝工藝流程 圓片凸點(diǎn)的制備圓片凸點(diǎn)的制備圓片切割圓片切割芯片倒裝及回流焊芯片倒裝及回流焊底部填充底部填充導(dǎo)熱脂、密封焊料的分配導(dǎo)熱脂、密封焊料的分配封蓋封蓋裝配裝配焊料球焊料球回流焊回流焊打標(biāo)打標(biāo)分離分離最終檢查最終檢查測(cè)試測(cè)試包裝包裝 倒裝焊接倒裝焊接 特點(diǎn)：倒裝焊技術(shù)

23、克服了引線鍵合焊盤(pán)中心距極限的問(wèn)題；特點(diǎn)：倒裝焊技術(shù)克服了引線鍵合焊盤(pán)中心距極限的問(wèn)題； 在芯片的電源地線分布設(shè)計(jì)上提供了更多的便利；在芯片的電源地線分布設(shè)計(jì)上提供了更多的便利； 為高頻率、大功率器件提供更完善的信號(hào)。為高頻率、大功率器件提供更完善的信號(hào)。 優(yōu)點(diǎn)：焊點(diǎn)牢固、信號(hào)傳輸路徑短、電源地分布、優(yōu)點(diǎn)：焊點(diǎn)牢固、信號(hào)傳輸路徑短、電源地分布、IO 密度高、封裝體尺寸小、可靠性高等密度高、封裝體尺寸小、可靠性高等缺點(diǎn)：由于凸點(diǎn)的制備是在前工序完成的，因而成本較高。缺點(diǎn)：由于凸點(diǎn)的制備是在前工序完成的，因而成本較高。 倒裝焊的凸點(diǎn)是在圓片上形成的。在整個(gè)加工過(guò)程中，工倒裝焊的凸點(diǎn)是在圓片上形成的

24、。在整個(gè)加工過(guò)程中，工藝處理的是以圓片、芯片和基片方式進(jìn)行的，它不是單點(diǎn)藝處理的是以圓片、芯片和基片方式進(jìn)行的，它不是單點(diǎn)操作，因而處理效率較高。操作，因而處理效率較高。u基板技術(shù)基板技術(shù) 基板選擇的關(guān)鍵因素在于材料的熱膨脹系數(shù)（基板選擇的關(guān)鍵因素在于材料的熱膨脹系數(shù)（CTE）、）、介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、電阻率和導(dǎo)熱率等。介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、電阻率和導(dǎo)熱率等。 基板與芯片（一級(jí)互連）之間或基板與基板與芯片（一級(jí)互連）之間或基板與PCB板（二級(jí)板（二級(jí)互連）之間的互連）之間的CTE失配是造成產(chǎn)品失效的主要原因。失配是造成產(chǎn)品失效的主要原因。CTE失配產(chǎn)生的剪切應(yīng)力將引起焊接點(diǎn)失效。失配產(chǎn)生的剪切應(yīng)

25、力將引起焊接點(diǎn)失效。 封裝體的信號(hào)的完整性與基片的絕緣電阻、介電常數(shù)、封裝體的信號(hào)的完整性與基片的絕緣電阻、介電常數(shù)、介質(zhì)損耗有直接的關(guān)系。介電常數(shù)、介質(zhì)損耗與工作頻率介質(zhì)損耗有直接的關(guān)系。介電常數(shù)、介質(zhì)損耗與工作頻率關(guān)系極大，特別是在頻率關(guān)系極大，特別是在頻率1GHz時(shí)。時(shí)。有機(jī)物基板是以高密度多層布線和微通孔基板技術(shù)為基礎(chǔ)制造的。有機(jī)物基板是以高密度多層布線和微通孔基板技術(shù)為基礎(chǔ)制造的。 特點(diǎn)：低的互連電阻和低的介電常數(shù)。特點(diǎn)：低的互連電阻和低的介電常數(shù)。 局限性：在芯片與基板之間高的局限性：在芯片與基板之間高的CTE差會(huì)產(chǎn)生大的熱失配；差會(huì)產(chǎn)生大的熱失配； 可靠性較差，其主要原因是水汽的

26、吸附?？煽啃暂^差，其主要原因是水汽的吸附。 現(xiàn)有的現(xiàn)有的CBGA、CCGA封裝采用的基板為氧化鋁陶瓷基板。封裝采用的基板為氧化鋁陶瓷基板。 局限性：熱膨脹系數(shù)與局限性：熱膨脹系數(shù)與PCB板的熱膨脹系數(shù)相差較大，而熱失配容板的熱膨脹系數(shù)相差較大，而熱失配容易引起焊點(diǎn)疲勞。易引起焊點(diǎn)疲勞。 它的高介電常數(shù)、電阻率也不適用于高速、高頻器件。它的高介電常數(shù)、電阻率也不適用于高速、高頻器件。HITCE陶瓷基板陶瓷基板 特點(diǎn)：特點(diǎn)：CTE 是是12.2ppm； 低的介電常數(shù)低的介電常數(shù)5.4； 低阻的銅互連系統(tǒng)。低阻的銅互連系統(tǒng)。 綜合了氧化鋁陶瓷基板和有機(jī)物基板的最佳特性，其封裝產(chǎn)品的可靠綜合了氧化鋁陶瓷基板和有機(jī)物基板的最佳特性，其封裝產(chǎn)品的可靠性和電性能得以提高。性和電性能得以提高。u凸點(diǎn)技術(shù)凸點(diǎn)技術(shù) 常用的凸點(diǎn)材料為常用的凸點(diǎn)材料為金凸點(diǎn)金凸點(diǎn)，95Pb5Sn、90Pb10Sn焊焊料球（回流焊溫度約料球（回流焊溫度約350），有的也采用），有的也采用63Pb37Sn焊焊料球（回流焊溫度約料球（回流焊溫度約220）。）。 焊料凸點(diǎn)技術(shù)的關(guān)鍵在于當(dāng)節(jié)距縮小時(shí)，必須保焊料凸點(diǎn)技術(shù)的關(guān)鍵在于當(dāng)節(jié)距縮小時(shí)，必須保持凸點(diǎn)尺寸的穩(wěn)定性。焊料凸點(diǎn)尺寸的一致性及其共持凸點(diǎn)尺寸的穩(wěn)定性。焊料凸點(diǎn)尺寸的一致性及其共面性對(duì)倒裝焊的合格率有極