帶有48字節(jié)RAM的日歷時(shí)鐘芯片的設(shè)計(jì)

1、帶有48字節(jié)RAM的日歷時(shí)鐘芯片的設(shè)計(jì)        摘要：介紹了一種帶有48字節(jié)RAM的日歷時(shí)鐘芯片的設(shè)計(jì)，該芯片具有振蕩、分頻、可編程的計(jì)時(shí)計(jì)數(shù)、定時(shí)鬧響和中斷輸出等功能。該芯片基于Verilog HDL描述，采用模塊化設(shè)計(jì)，可擴(kuò)展性好；并利用Synopsys公司的VCS和DC工具分別對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行了成功的系統(tǒng)仿真和綜合；同時(shí)還簡(jiǎn)單介紹了ASIC設(shè)計(jì)的整個(gè)流程。 關(guān)鍵詞：Verilog HDL 系統(tǒng)仿真 邏輯綜合 數(shù)字電子系統(tǒng) 日歷時(shí)鐘芯片應(yīng)用非常廣泛，例如在IC卡電子門(mén)鎖中，可利用日歷時(shí)鐘芯片的定時(shí)時(shí)鐘

2、計(jì)數(shù)功能，在IC卡內(nèi)輸入客人住房時(shí)的時(shí)間段，只有當(dāng)時(shí)間段所包含的時(shí)間與日歷時(shí)鐘所記錄的時(shí)間一致時(shí)，方可開(kāi)門(mén)，否則IC卡為無(wú)效卡。 利用Synopsys公司提供的集成電路設(shè)計(jì)工具VCS和DC，設(shè)計(jì)了一個(gè)帶有48字節(jié)RAM的日歷時(shí)鐘芯片，包括該芯片RTL級(jí)代碼的編寫(xiě)、功能仿真和綜合，達(dá)到了預(yù)期的目標(biāo)。該芯片的具體性能指標(biāo)是：工作電源電壓為2.56V；日歷時(shí)鐘工作電源和RAM數(shù)據(jù)保持電源電壓為16V；工作電流最大為50A；四年日歷時(shí)鐘，24或12小時(shí)格式，32.768kHz時(shí)基；48字節(jié)RAM，自動(dòng)字節(jié)地址增量；具有可編程的鬧鐘、定時(shí)和中斷功能。 1 ASIC設(shè)計(jì)概述 

3、隨著深亞微米技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字集成電路的規(guī)模已經(jīng)發(fā)展到上百萬(wàn)門(mén)。未來(lái)的二十多年里，一塊ASIC芯片中將會(huì)達(dá)到上千萬(wàn)門(mén)的規(guī)模。這樣的電路規(guī)模，仿真和綜合優(yōu)化在開(kāi)發(fā)過(guò)程中發(fā)函來(lái)發(fā)函重要。較復(fù)雜的數(shù)字電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)往往采用自頂向下(Top-Down)的方法，設(shè)計(jì)流程可以分為以下幾個(gè)主要的部分：系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、設(shè)計(jì)驗(yàn)證和流片封裝。深亞微米工藝下的ASIC設(shè)計(jì)流程2如圖1所示。        本文主要介紹芯片的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)和所有邏輯設(shè)計(jì)，生成可供物理設(shè)計(jì)的經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的門(mén)級(jí)網(wǎng)表文件。 2 芯片的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì) 系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)是芯片設(shè)計(jì)的

4、第一步，也是關(guān)鍵的一步。首先根據(jù)設(shè)計(jì)要求提出設(shè)計(jì)構(gòu)想，然后再對(duì)這一構(gòu)想進(jìn)行細(xì)化。本設(shè)計(jì)把整個(gè)系統(tǒng)分成幾大模塊，即產(chǎn)生32.768kHz的振蕩器（這個(gè)模塊不用設(shè)計(jì)）、256分頻器、48字節(jié)RAM和地址寄存器。設(shè)計(jì)構(gòu)想如圖2所示。 RAM中的000FH單元是一些帶有特殊功能的寄存器，00H單元是控制芯片所有功能和操作的狀態(tài)寄存器，通過(guò)設(shè)置狀態(tài)寄存器，可以選擇32.768kHz時(shí)鐘模式或計(jì)數(shù)模式。在日歷時(shí)鐘模式中，1/128秒、秒、分、小時(shí)、年/日期、星期/月都是以BCD碼分別存放在01H06H單元的寄存器中；而在事件計(jì)數(shù)模式中，則對(duì)輸入到振蕩器輸入端（OSCI）的脈沖計(jì)數(shù)，事件計(jì)數(shù)器為6

5、位BCD碼。07H單元是能存儲(chǔ)最大數(shù)為99天的定時(shí)器。08H是控制定鬧、定時(shí)和中斷輸出功能的鬧鐘控制寄存器。09H0FH單元用于儲(chǔ)存用戶(hù)信息。 對(duì)于這樣的設(shè)計(jì)，傳統(tǒng)的方法是使用中小規(guī)模集成電路來(lái)構(gòu)成，本文則用Verilog HDL描述來(lái)實(shí)現(xiàn)。整個(gè)芯片采用模塊化設(shè)計(jì)方式和Top-Down設(shè)計(jì)方法，根據(jù)寄存器的不同劃分成模塊，然后用測(cè)試程序TestBench對(duì)頂層模塊進(jìn)行仿真；仿真通過(guò)后利用廠(chǎng)家提供的工藝庫(kù)及時(shí)序約束腳本文件對(duì)其進(jìn)行綜合；綜合通過(guò)后生成門(mén)級(jí)網(wǎng)表文件，然后再用廠(chǎng)家提供的仿真庫(kù)對(duì)門(mén)級(jí)網(wǎng)表進(jìn)行綜合后仿真。本文設(shè)計(jì)用到的工藝庫(kù)是臺(tái)灣旺宏公司（Macronix,MXIC）提供的基本

6、單元庫(kù)（slow.db和fast.db）、基本符號(hào)單元庫(kù)（slow.sdb）和用于綜合后仿真的庫(kù)文件仿真庫(kù)（models.v）。    這是一個(gè)同步時(shí)序電路的設(shè)計(jì)，所以保證正確的時(shí)序是設(shè)計(jì)的關(guān)鍵，本設(shè)計(jì)中有四個(gè)時(shí)鐘： （1）系統(tǒng)時(shí)鐘clksys,是外部微控制器提供的時(shí)鐘信號(hào)，用作寄存器讀、寫(xiě)時(shí)鐘信號(hào)； （2）測(cè)試時(shí)鐘clktest，是整個(gè)芯片的測(cè)試時(shí)鐘信號(hào)，一般限于廠(chǎng)家使用。 （3）時(shí)基時(shí)鐘clk32，定時(shí)方式時(shí)，外部石英晶振提供的32.768kHz振蕩信號(hào)經(jīng)過(guò)256分頻后得到時(shí)鐘信號(hào)（evt128），作為RAM前16字節(jié)特殊寄存器的

7、同步時(shí)鐘信號(hào)。 （4）計(jì)數(shù)時(shí)鐘clkevt，計(jì)數(shù)模式時(shí)的外部計(jì)數(shù)脈沖信號(hào)。 圖3是日歷時(shí)鐘頂層模塊端口示意圖，讀選通信號(hào)w、寫(xiě)選通信號(hào)r、片選信號(hào)csn和RAM地址控制信號(hào)addr5:0是由外部微處理器提供的。當(dāng)寫(xiě)信號(hào)w為真時(shí)，將輸入數(shù)據(jù)datin7:0寫(xiě)入存儲(chǔ)器被選中的地址；當(dāng)讀信號(hào)r為真時(shí)，將從存儲(chǔ)器被選中的地址中輸出數(shù)據(jù)datu7:0。當(dāng)滿(mǎn)足下面兩個(gè)條件之一時(shí)，中斷請(qǐng)求信號(hào)intz輸出低電平：00H單元中的第0位為1，并且08H單元的第3位為1。 由于篇幅有限，在這里只寫(xiě)出頂層模塊rtc的部分設(shè)計(jì)程序，具體如下： timescale 10ns/10

8、ps /模擬時(shí)間定標(biāo)； module rtc (clktest,clksys,clk32,clkevt,csn,rstz,w,r, addr,datin, datu, intz); input clktest,clkysy,clk32,clkevt,csn,rstz,w,r; /輸入輸出端口說(shuō)話(huà) input7:0 datin; input5:0 addr; output7:0 datu; output intz; reg7:0 datu; /設(shè)定變量的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)； ctl_status c0 ( clksys,evt

9、128,rstz,w,cs00,); /調(diào)用00H單元子模塊； sec128 c1 (clksys, clktest, evt128, rstz,)； /調(diào)用01H單元子模塊； sec c2 (clksys, evt128, clktest,rstz,)； /調(diào)用02H單元子模塊；  int c20 ( timer_flag,alarm_flag,)； /調(diào)用產(chǎn)生中斷模塊； always ( addr or stop_soft or ) begin if(cs & r) begin /根據(jù)控制地址信號(hào)而輸出RAM中各寄存器的數(shù)據(jù)；

10、60;case (addr) 0:datu=stop_soft,hold_flag,func_mode,mask_flag,alarm_en,alarm_flag,time_flag; 1:datu=data_latch15:8;  47:datu=data_ram255:248; default:datu=8h00;endcase endelse datu=8h00; end endmodule 在頂層模塊中調(diào)用了根據(jù)不同功能而編寫(xiě)的20個(gè)子模塊，如ctl_status.v、sec.v和ram

11、.v等。其中RAM存儲(chǔ)器的1F2FH單元是模擬電路，要用全定制的方法生成。而在數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中，仿真時(shí)經(jīng)常要用到存儲(chǔ)器的行為模型，這里給出的行為模型ram.v用于仿真。3 利用EDA工具進(jìn)行系統(tǒng)仿真 設(shè)計(jì)人員利用先進(jìn)的EDA工具作為測(cè)試平臺(tái)，以驗(yàn)證數(shù)字電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)模塊的邏輯功能和時(shí)序功能。雖然不同的EDA工具提供的平臺(tái)不同，但都可以對(duì)被測(cè)試對(duì)象加載激勵(lì)信號(hào)，并通過(guò)波形輸出、文件記錄輸出等方式觀察和比較仿真結(jié)果。加載激勵(lì)信號(hào)需要設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)測(cè)試程序（TestBench）3，對(duì)于較大規(guī)模的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，測(cè)試程序的設(shè)計(jì)有時(shí)比本身的程序設(shè)計(jì)還要復(fù)雜。 在本文的設(shè)計(jì)中，首先對(duì)每一個(gè)子模

12、塊設(shè)計(jì)一個(gè)測(cè)試程序，單獨(dú)進(jìn)行邏輯仿真，然后再設(shè)計(jì)一個(gè)測(cè)試程序?qū)φ麄€(gè)設(shè)計(jì)進(jìn)行邏輯仿真。由于篇幅有限，在這里僅寫(xiě)出sec.v的部分測(cè)試程序，具體如下： timescale 10ns/10ps module sec_test; reg clksys,evt128,clktest,carry_sec128,rstz,datin,datoout,w; reg7:0datin,datout; reg1:0func_mode; sec c2 (clksys,evt128,clktest,carry_sec128,rstz,datin, datout

13、,func_mode,w,); always #10 clksys = clksys; always #30 evt128 = evt128; always #50 clktest = clktest; always #80 carry_sec128 = carry_sec128; /產(chǎn)生輸入激勵(lì)； initial begin rstz = 0; #90 rstz = 1; end /產(chǎn)生復(fù)位信號(hào) initial begin w = 0; #100 w = 1;&#

14、160;#5 w = 0; #1100 w = 1; #5 w = 0; end /產(chǎn)生寫(xiě)信號(hào) initial begin func_mode= 0 ;#1000 func_mode = 1; end /功能模式的選擇； initial begin datin= 0 ; #20 datin = 00100101h; #1000 datin = 00010010; end /輸入數(shù)據(jù)； always (func_mode or datin of datout

15、)  display ("At time %t,func_mode=%b,datin is %b% b,datout is %b",time,func_mode,datin,datout); /輸出模擬結(jié)果。 利用Synopsys公司的仿真工具VCS進(jìn)行仿真，無(wú)論在功能上還是在時(shí)序上，都完全符合要求。 4 利用EDA工具進(jìn)行綜合和優(yōu)化 綜合是利用芯片制造商提供的基于電路單元（綜合庫(kù)）實(shí)現(xiàn)用硬件描述語(yǔ)言描述的電路功能?，F(xiàn)在許多優(yōu)秀的綜合工具都能借助現(xiàn)有的綜合庫(kù)將Verilog HDL源代碼進(jìn)行綜合，轉(zhuǎn)化成門(mén)級(jí)電路圖，并且可以根

16、據(jù)設(shè)計(jì)者施加的約束條件對(duì)電路進(jìn)行優(yōu)化，產(chǎn)生面積或者速度達(dá)到最優(yōu)的結(jié)構(gòu)，并生成相應(yīng)的邏輯網(wǎng)表以供后端設(shè)計(jì)使用。 綜合時(shí)要進(jìn)行延時(shí)計(jì)算和設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，需要設(shè)置的相關(guān)內(nèi)容主要包括：操作環(huán)境、導(dǎo)線(xiàn)負(fù)載模型、設(shè)計(jì)約束、設(shè)計(jì)規(guī)則約束。通常情況，設(shè)計(jì)者要先編輯一個(gè)包括這些設(shè)置的腳本文件（例如本文編輯的腳本文件rtc.tcl），啟動(dòng)邏輯綜合工具DC后就可，執(zhí)行文件中的各條指令了。綜合的過(guò)程如圖4所示。下面利用日歷時(shí)鐘實(shí)例簡(jiǎn)單介紹這一過(guò)程。 （1）建立設(shè)計(jì)環(huán)境 臺(tái)灣旺宏公司的0.35m CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元綜合庫(kù)slow.db和fast.db包含了與非、或非、非門(mén)等基本邏輯單元，還有選

17、擇器、與或非、或與非等較復(fù)雜的組合邏輯以及DFF（D觸發(fā)器）等時(shí)序邏輯單元。利用該庫(kù)可以這樣來(lái)建立環(huán)境： set target_library slow.db fast.db set link_library *slow.db fast.db set search_path "/home/tools/synopsys/library" (2)讀入HDL描述 如果讀入多個(gè)模塊，首先應(yīng)該讀入的是頂層模塊。要將當(dāng)前的設(shè)計(jì)設(shè)置為頂層模塊，可以這樣來(lái)設(shè)置： read_verilog "home/design/rtl

18、/rtc.v" read_verilog "home/design/rtl/see.v" current_design rtc (3)定義環(huán)境變量 環(huán)境變量輸出網(wǎng)表和輸出報(bào)告等路徑設(shè)置可以這樣來(lái)定義： netlist_path = "home/design/netlist" report_path = "home/design/report" (4)定義性能約束、時(shí)序約束和面積約束 性能約束主要包括創(chuàng)建時(shí)鐘、輸入延遲和輸出延遲等；綜合的目標(biāo)是得到最小的面積。可以這樣來(lái)設(shè)置： creat_clock-period 70-name my_clock get_ports clksys set ex_clkremove_from_collectionall_inputsget_ports clksys set_input_delay 4 -clock my_clock ex_clk set_output_delay 3 -clock my_clock all_outputs set_max_area 1 (5)編譯 用co