帶有48字節(jié)RAM的日歷時鐘芯片的設(shè)計

1、帶有48字節(jié)RAM的日歷時鐘芯片的設(shè)計        摘要：介紹了一種帶有48字節(jié)RAM的日歷時鐘芯片的設(shè)計，該芯片具有振蕩、分頻、可編程的計時計數(shù)、定時鬧響和中斷輸出等功能。該芯片基于Verilog HDL描述，采用模塊化設(shè)計，可擴展性好；并利用Synopsys公司的VCS和DC工具分別對設(shè)計進行了成功的系統(tǒng)仿真和綜合；同時還簡單介紹了ASIC設(shè)計的整個流程。 關(guān)鍵詞：Verilog HDL 系統(tǒng)仿真 邏輯綜合 數(shù)字電子系統(tǒng) 日歷時鐘芯片應用非常廣泛，例如在IC卡電子門鎖中，可利用日歷時鐘芯片的定時時鐘

2、計數(shù)功能，在IC卡內(nèi)輸入客人住房時的時間段，只有當時間段所包含的時間與日歷時鐘所記錄的時間一致時，方可開門，否則IC卡為無效卡。 利用Synopsys公司提供的集成電路設(shè)計工具VCS和DC，設(shè)計了一個帶有48字節(jié)RAM的日歷時鐘芯片，包括該芯片RTL級代碼的編寫、功能仿真和綜合，達到了預期的目標。該芯片的具體性能指標是：工作電源電壓為2.56V；日歷時鐘工作電源和RAM數(shù)據(jù)保持電源電壓為16V；工作電流最大為50A；四年日歷時鐘，24或12小時格式，32.768kHz時基；48字節(jié)RAM，自動字節(jié)地址增量；具有可編程的鬧鐘、定時和中斷功能。 1 ASIC設(shè)計概述 

3、隨著深亞微米技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字集成電路的規(guī)模已經(jīng)發(fā)展到上百萬門。未來的二十多年里，一塊ASIC芯片中將會達到上千萬門的規(guī)模。這樣的電路規(guī)模，仿真和綜合優(yōu)化在開發(fā)過程中發(fā)函來發(fā)函重要。較復雜的數(shù)字電子系統(tǒng)設(shè)計往往采用自頂向下(Top-Down)的方法，設(shè)計流程可以分為以下幾個主要的部分：系統(tǒng)級設(shè)計、設(shè)計實現(xiàn)、設(shè)計驗證和流片封裝。深亞微米工藝下的ASIC設(shè)計流程2如圖1所示。        本文主要介紹芯片的系統(tǒng)級設(shè)計和所有邏輯設(shè)計，生成可供物理設(shè)計的經(jīng)過驗證的門級網(wǎng)表文件。 2 芯片的系統(tǒng)級設(shè)計 系統(tǒng)級設(shè)計是芯片設(shè)計的

4、第一步，也是關(guān)鍵的一步。首先根據(jù)設(shè)計要求提出設(shè)計構(gòu)想，然后再對這一構(gòu)想進行細化。本設(shè)計把整個系統(tǒng)分成幾大模塊，即產(chǎn)生32.768kHz的振蕩器（這個模塊不用設(shè)計）、256分頻器、48字節(jié)RAM和地址寄存器。設(shè)計構(gòu)想如圖2所示。 RAM中的000FH單元是一些帶有特殊功能的寄存器，00H單元是控制芯片所有功能和操作的狀態(tài)寄存器，通過設(shè)置狀態(tài)寄存器，可以選擇32.768kHz時鐘模式或計數(shù)模式。在日歷時鐘模式中，1/128秒、秒、分、小時、年/日期、星期/月都是以BCD碼分別存放在01H06H單元的寄存器中；而在事件計數(shù)模式中，則對輸入到振蕩器輸入端（OSCI）的脈沖計數(shù)，事件計數(shù)器為6

5、位BCD碼。07H單元是能存儲最大數(shù)為99天的定時器。08H是控制定鬧、定時和中斷輸出功能的鬧鐘控制寄存器。09H0FH單元用于儲存用戶信息。 對于這樣的設(shè)計，傳統(tǒng)的方法是使用中小規(guī)模集成電路來構(gòu)成，本文則用Verilog HDL描述來實現(xiàn)。整個芯片采用模塊化設(shè)計方式和Top-Down設(shè)計方法，根據(jù)寄存器的不同劃分成模塊，然后用測試程序TestBench對頂層模塊進行仿真；仿真通過后利用廠家提供的工藝庫及時序約束腳本文件對其進行綜合；綜合通過后生成門級網(wǎng)表文件，然后再用廠家提供的仿真庫對門級網(wǎng)表進行綜合后仿真。本文設(shè)計用到的工藝庫是臺灣旺宏公司（Macronix,MXIC）提供的基本

6、單元庫（slow.db和fast.db）、基本符號單元庫（slow.sdb）和用于綜合后仿真的庫文件仿真庫（models.v）。    這是一個同步時序電路的設(shè)計，所以保證正確的時序是設(shè)計的關(guān)鍵，本設(shè)計中有四個時鐘： （1）系統(tǒng)時鐘clksys,是外部微控制器提供的時鐘信號，用作寄存器讀、寫時鐘信號； （2）測試時鐘clktest，是整個芯片的測試時鐘信號，一般限于廠家使用。 （3）時基時鐘clk32，定時方式時，外部石英晶振提供的32.768kHz振蕩信號經(jīng)過256分頻后得到時鐘信號（evt128），作為RAM前16字節(jié)特殊寄存器的

7、同步時鐘信號。 （4）計數(shù)時鐘clkevt，計數(shù)模式時的外部計數(shù)脈沖信號。 圖3是日歷時鐘頂層模塊端口示意圖，讀選通信號w、寫選通信號r、片選信號csn和RAM地址控制信號addr5:0是由外部微處理器提供的。當寫信號w為真時，將輸入數(shù)據(jù)datin7:0寫入存儲器被選中的地址；當讀信號r為真時，將從存儲器被選中的地址中輸出數(shù)據(jù)datu7:0。當滿足下面兩個條件之一時，中斷請求信號intz輸出低電平：00H單元中的第0位為1，并且08H單元的第3位為1。 由于篇幅有限，在這里只寫出頂層模塊rtc的部分設(shè)計程序，具體如下： timescale 10ns/10

8、ps /模擬時間定標； module rtc (clktest,clksys,clk32,clkevt,csn,rstz,w,r, addr,datin, datu, intz); input clktest,clkysy,clk32,clkevt,csn,rstz,w,r; /輸入輸出端口說話 input7:0 datin; input5:0 addr; output7:0 datu; output intz; reg7:0 datu; /設(shè)定變量的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)； ctl_status c0 ( clksys,evt

9、128,rstz,w,cs00,); /調(diào)用00H單元子模塊； sec128 c1 (clksys, clktest, evt128, rstz,)； /調(diào)用01H單元子模塊； sec c2 (clksys, evt128, clktest,rstz,)； /調(diào)用02H單元子模塊；  int c20 ( timer_flag,alarm_flag,)； /調(diào)用產(chǎn)生中斷模塊； always ( addr or stop_soft or ) begin if(cs & r) begin /根據(jù)控制地址信號而輸出RAM中各寄存器的數(shù)據(jù)；

10、60;case (addr) 0:datu=stop_soft,hold_flag,func_mode,mask_flag,alarm_en,alarm_flag,time_flag; 1:datu=data_latch15:8;  47:datu=data_ram255:248; default:datu=8h00;endcase endelse datu=8h00; end endmodule 在頂層模塊中調(diào)用了根據(jù)不同功能而編寫的20個子模塊，如ctl_status.v、sec.v和ram

11、.v等。其中RAM存儲器的1F2FH單元是模擬電路，要用全定制的方法生成。而在數(shù)字集成電路設(shè)計中，仿真時經(jīng)常要用到存儲器的行為模型，這里給出的行為模型ram.v用于仿真。3 利用EDA工具進行系統(tǒng)仿真 設(shè)計人員利用先進的EDA工具作為測試平臺，以驗證數(shù)字電子系統(tǒng)設(shè)計模塊的邏輯功能和時序功能。雖然不同的EDA工具提供的平臺不同，但都可以對被測試對象加載激勵信號，并通過波形輸出、文件記錄輸出等方式觀察和比較仿真結(jié)果。加載激勵信號需要設(shè)計人員設(shè)計測試程序（TestBench）3，對于較大規(guī)模的系統(tǒng)設(shè)計，測試程序的設(shè)計有時比本身的程序設(shè)計還要復雜。 在本文的設(shè)計中，首先對每一個子模

12、塊設(shè)計一個測試程序，單獨進行邏輯仿真，然后再設(shè)計一個測試程序?qū)φ麄€設(shè)計進行邏輯仿真。由于篇幅有限，在這里僅寫出sec.v的部分測試程序，具體如下： timescale 10ns/10ps module sec_test; reg clksys,evt128,clktest,carry_sec128,rstz,datin,datoout,w; reg7:0datin,datout; reg1:0func_mode; sec c2 (clksys,evt128,clktest,carry_sec128,rstz,datin, datout

13、,func_mode,w,); always #10 clksys = clksys; always #30 evt128 = evt128; always #50 clktest = clktest; always #80 carry_sec128 = carry_sec128; /產(chǎn)生輸入激勵； initial begin rstz = 0; #90 rstz = 1; end /產(chǎn)生復位信號 initial begin w = 0; #100 w = 1;&#

14、160;#5 w = 0; #1100 w = 1; #5 w = 0; end /產(chǎn)生寫信號 initial begin func_mode= 0 ;#1000 func_mode = 1; end /功能模式的選擇； initial begin datin= 0 ; #20 datin = 00100101h; #1000 datin = 00010010; end /輸入數(shù)據(jù)； always (func_mode or datin of datout

15、)  display ("At time %t,func_mode=%b,datin is %b% b,datout is %b",time,func_mode,datin,datout); /輸出模擬結(jié)果。 利用Synopsys公司的仿真工具VCS進行仿真，無論在功能上還是在時序上，都完全符合要求。 4 利用EDA工具進行綜合和優(yōu)化 綜合是利用芯片制造商提供的基于電路單元（綜合庫）實現(xiàn)用硬件描述語言描述的電路功能。現(xiàn)在許多優(yōu)秀的綜合工具都能借助現(xiàn)有的綜合庫將Verilog HDL源代碼進行綜合，轉(zhuǎn)化成門級電路圖，并且可以根

16、據(jù)設(shè)計者施加的約束條件對電路進行優(yōu)化，產(chǎn)生面積或者速度達到最優(yōu)的結(jié)構(gòu)，并生成相應的邏輯網(wǎng)表以供后端設(shè)計使用。 綜合時要進行延時計算和設(shè)計規(guī)則檢查，需要設(shè)置的相關(guān)內(nèi)容主要包括：操作環(huán)境、導線負載模型、設(shè)計約束、設(shè)計規(guī)則約束。通常情況，設(shè)計者要先編輯一個包括這些設(shè)置的腳本文件（例如本文編輯的腳本文件rtc.tcl），啟動邏輯綜合工具DC后就可，執(zhí)行文件中的各條指令了。綜合的過程如圖4所示。下面利用日歷時鐘實例簡單介紹這一過程。 （1）建立設(shè)計環(huán)境 臺灣旺宏公司的0.35m CMOS標準單元綜合庫slow.db和fast.db包含了與非、或非、非門等基本邏輯單元，還有選

17、擇器、與或非、或與非等較復雜的組合邏輯以及DFF（D觸發(fā)器）等時序邏輯單元。利用該庫可以這樣來建立環(huán)境： set target_library slow.db fast.db set link_library *slow.db fast.db set search_path "/home/tools/synopsys/library" (2)讀入HDL描述 如果讀入多個模塊，首先應該讀入的是頂層模塊。要將當前的設(shè)計設(shè)置為頂層模塊，可以這樣來設(shè)置： read_verilog "home/design/rtl

18、/rtc.v" read_verilog "home/design/rtl/see.v" current_design rtc (3)定義環(huán)境變量 環(huán)境變量輸出網(wǎng)表和輸出報告等路徑設(shè)置可以這樣來定義： netlist_path = "home/design/netlist" report_path = "home/design/report" (4)定義性能約束、時序約束和面積約束 性能約束主要包括創(chuàng)建時鐘、輸入延遲和輸出延遲等；綜合的目標是得到最小的面積?？梢赃@樣來設(shè)置： creat_clock-period 70-name my_clock get_ports clksys set ex_clkremove_from_collectionall_inputsget_ports clksys set_input_delay 4 -clock my_clock ex_clk set_output_delay 3 -clock my_clock all_outputs set_max_area 1 (5)編譯 用co