化合物半導(dǎo)體20132014復(fù)習(xí)題

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上1.半導(dǎo)體固溶體是由兩種或兩種以上同一類型的半導(dǎo)體材料組成的合金，且一般都是組分連續(xù)固溶體。半導(dǎo)體固溶體的組成元素的含量可在固溶度范圍內(nèi)連續(xù)變化，其半導(dǎo)體及相關(guān)性質(zhì)也隨之變化。2.等電子雜質(zhì)等電子雜質(zhì)是一種重要的深能級(jí)雜質(zhì)，在半導(dǎo)體光電子器件中往往起著關(guān)鍵作用。例如，在GaP和GaAsP中，V族雜質(zhì)N 可取代P而成為束縛一個(gè)電子的陷阱，V族雜質(zhì)Bi也可取代P而成為束縛一個(gè)空穴的陷阱這種陷阱都稱為等電子陷阱，相應(yīng)的雜質(zhì)都稱為等電子雜質(zhì)(因?yàn)殡s質(zhì)原子與它所取代的母體原子都具有相同的價(jià)電子數(shù))。但并不是任何等電子雜質(zhì)都可以成為陷阱。而只有那些原子半徑很小的雜質(zhì)可以束縛電子，

2、而原子半徑遠(yuǎn)大于被取代的母體原子的雜質(zhì)才可以束縛空穴。3.（生長(zhǎng)后的熱處理工藝中的）退火退火處理就是將晶體加熱到其固相線以下的某個(gè)溫度(一般為固相線以下50100)，恒溫一段時(shí)間后再緩慢地降至室溫。之所以進(jìn)行退火處理是因?yàn)榫w生長(zhǎng)是一個(gè)動(dòng)態(tài)過程，不易保證溫度不波動(dòng)，而溫度波動(dòng)又可造成晶體內(nèi)成分不均勻，且會(huì)引起一定的熱應(yīng)力。4.分凝系數(shù)對(duì)于固相-液相的界面，由于雜質(zhì)在不同相中的溶解度不一樣，所以雜質(zhì)在界面兩邊材料中的濃度分布是不同的，這就是所謂雜質(zhì)的分凝現(xiàn)象。這種雜質(zhì)分凝作用的大小常常用所謂的分凝系數(shù)k來描述：即k=CS/CL。CS雜質(zhì)在固相中的濃度，CL雜質(zhì)在液相中的濃度。5.共晶反應(yīng) （以二

3、元系為例） 二元系內(nèi)一種3相共存的情況：6.電子遷移率電子遷移率是指電子在單位電場(chǎng)作用下的平均漂移速度，即電子在電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)速度的快慢的量度。半導(dǎo)體晶體中，遷移率直接與電子在晶體中碰撞間的平均自由時(shí)間相關(guān)，而平均自由時(shí)間則取決于各種散射的機(jī)制。其中最重要的兩個(gè)機(jī)制為晶格散射及雜質(zhì)散射。7.寬帶隙半導(dǎo)體材料室溫下禁帶寬度大于2.2 eV的半導(dǎo)體。主要用于短波長(zhǎng)發(fā)光器件、紫外光探測(cè)和高溫、高功率電子器件。常見的氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因?yàn)樗鼈兊慕麕挾榷荚?個(gè)電子伏以上，在室溫下不可能將價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；8.本征

4、點(diǎn)缺陷具有本征點(diǎn)缺陷的晶體，是指那些雖不含有外來雜質(zhì)，但因其結(jié)構(gòu)并不完善而形成點(diǎn)缺陷的晶體。這類晶體結(jié)構(gòu)的不完善性表現(xiàn)為以下幾種情況：(1)晶體中各組分偏離化學(xué)計(jì)量比；(2)點(diǎn)陣格位上缺少某些原子；(3)在格位間隙的地方存在間隙原子；(4)一類原子占據(jù)了另一類原子應(yīng)該占據(jù)的格位。這樣就在晶體中相應(yīng)地形成了空位缺陷、間隙原子缺陷和錯(cuò)位缺陷（反結(jié)構(gòu)缺陷、反位缺陷）等。9.均勻成核在相變或晶體生長(zhǎng)過程中，新相核的發(fā)生和長(zhǎng)大稱為成核過程。所謂均勻成核，是指晶核在母相區(qū)域內(nèi)各處的成核機(jī)率是相同的，而且須要克服相當(dāng)大的表面能位壘，即須要相當(dāng)大的過冷度才能成核10. 非均勻成核在相變或晶體生長(zhǎng)過程中，新相核

5、的發(fā)生和長(zhǎng)大稱為成核過程。在實(shí)際的體系中，新相常以某些不均勻的部位作為核心而成長(zhǎng)，例如過飽和的水蒸氣常以灰塵為核心而凝聚成水滴，這種過程稱為非均勻成核11.體系指我們所選定的研究對(duì)象，你研究什么物質(zhì)，該物質(zhì)就稱為體系。體系以外與體系有相互作用的一切物質(zhì)叫環(huán)境。例如，當(dāng)我們研究甲醇水溶液的性質(zhì)時(shí)，可以把一杯甲醇水溶液放在冰浴中，由于溶液是我們研究的對(duì)象，則溶液為體系；而燒杯和溶液上面的大氣及冰浴，則為環(huán)境。12. THM方法、布里奇曼方法、區(qū)熔晶體生長(zhǎng)方法(zone melting) 13.目前在GaAs工藝中用得最多的施主雜質(zhì)是什么？為什么？14 .SI-GaAs是如何獲得的？深能級(jí)雜質(zhì)在提高

6、材料電阻率上是如何起作用的？什么是相變驅(qū)動(dòng)力，三種系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力各是什么？15.試用類氫模型來進(jìn)行估算GaAs晶體中的淺施主和淺受主的電離能Ei。，并根據(jù)計(jì)算結(jié)果說明雜質(zhì)電離情況.Ei=13.6(1/e2)(m*/m0) 施主電離能EiD0.005eV， 受主電離能EiA 0.045eV（0.039） 因此，對(duì)n型GaAs。即使在液氮溫度(77K)下，其中的施主也將是全電離的。2分從而一般摻雜濃度的n型GaAs都將是簡(jiǎn)并的。16.指出下列材料是n型半導(dǎo)體，還是p型半導(dǎo)體；(1)GaAs中摻Zn；(2)InAs中合有稍微過量一點(diǎn)的In；(3)富Te條件下熔體生長(zhǎng)的CdTe；(4)CdTe中摻入足夠

7、多的In；(5)WO2.999 17、簡(jiǎn)述什么是組分過冷，并作圖說明。 答： 摻雜的熔體在生長(zhǎng)過程中如果有效分凝系數(shù)ke1，固相中的雜質(zhì)將不斷地排向熔體，這樣固液界面處將形成一個(gè)雜質(zhì)富集區(qū)，它的分布情況如圖中的C曲線所示。由于雜質(zhì)增加，液相線在界面附近將會(huì)下降，如圖中的TE曲線所示。如果熔體中的實(shí)際溫度分布如TA所示，則將TA與TE相交的陰影區(qū)稱為組分過冷區(qū)。處于這個(gè)區(qū)域的熔體，由于實(shí)際溫度低于其液相線(TE)，于是平坦界面的穩(wěn)定性就會(huì)破壞，并轉(zhuǎn)變?yōu)榘麪罱缑妗Ｔ谶@種條件下，生長(zhǎng)會(huì)出現(xiàn)胞狀組織、枝蔓結(jié)晶以及溶質(zhì)尾跡等嚴(yán)重破壞晶體完整性的現(xiàn)象。18、題圖為二元化合物相圖，請(qǐng)（1）指出當(dāng)體系的組分和

8、壓力處在圖中各區(qū)域（包括線）給出的條件時(shí)，體系的狀態(tài)； （2）指出共晶成分點(diǎn)和包晶成分點(diǎn)； （3）指出穩(wěn)定化合物成分點(diǎn)（位置），該化合物是否為同成分熔化化合物？ （4）假定有總組分在r點(diǎn)的物料（體系）從s點(diǎn)開始冷卻到室溫（即降溫到r點(diǎn)），說明在此過程中體系的相變歷程和各相組成變化過程；（5）體系從s點(diǎn)回到r點(diǎn)后，各相的相對(duì)含量各為多少？ （設(shè)AmBn為A2B3 ，r點(diǎn)B的含量為摩爾比80%，b點(diǎn)B的含量為摩爾比95%）（1）1：L；2：；3：；4：+L；5：L+；6：L+AmBn；7：AmBn+；8：+ Qmv為發(fā)生包晶反應(yīng)的三相共存區(qū)；(2)p為共晶成分點(diǎn)；m點(diǎn)為包晶成分點(diǎn)（這里是化合物）；

9、（3）m點(diǎn)或AmBn；（4）LL+到qmv區(qū)后發(fā)生如下包晶反應(yīng)（L+AmBn）直到液相消失AmBn+當(dāng)溫度降到t點(diǎn)后，液相成分沿tq線變化，相成分沿uv線變化；當(dāng)溫度降到w點(diǎn)后進(jìn)入到三相共存區(qū)，液相成分已變到q，相的成分已變到v，然后在恒溫下發(fā)生包晶反應(yīng)（L+AmBn）直到液相完全消失后溫度繼續(xù)下降，成為AmBn和兩相固溶體，其中相成分沿vb線變化。（5）回到r點(diǎn)后，成為AmBn和兩相固溶體，AmBn /=（95-80）/（80-60）=3/419化合物半導(dǎo)體材料，以砷化鎵（GaAs）為例，有以下幾個(gè)特點(diǎn)，一是發(fā)光效率比較高，二是電子遷移率高，同時(shí)可在較高溫度和在其它惡劣的環(huán)境下 工作，特別適

10、合于制作超高速、超高頻、低噪音的電路，它的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是可以實(shí)現(xiàn)光電集成，即把微電子和光電子結(jié)合起來，光電集成可大大的提高電路的功能和 運(yùn)算的速度。20氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因?yàn)樗慕麕挾榷荚?個(gè)電子伏以上，在室溫下不可能將價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；21什么是高電子遷移率晶體管（HEMT）22黃銅礦(CuFeS2)是典型的三元系化合物半導(dǎo)體，其原子排列的基本重復(fù)單元仍是四面體，但不再像金剛石或閃鋅礦結(jié)構(gòu)那樣具有立方對(duì)稱性。分子相當(dāng)于兩個(gè)ZnS分子的組合，只是其中的Zn分別被一個(gè)Cu和一個(gè)Fe所取代。因此，黃銅礦結(jié)構(gòu)的

11、晶胞可以用兩個(gè)相鄰的閃鋅礦晶胞組合而成，只是要按照上述法則將其中的全部Zn原子用Cu原子和Fe原子替換?？梢詫⑦@一結(jié)構(gòu)看成是兩個(gè)II-VI族化合物分子之中的II族原子被一個(gè)III族和一個(gè)I族原子取代之后的結(jié)果，例如CuInS2、AgGaS2等。同樣，如果利用一個(gè)II族原子和一個(gè)IV族原子取代兩個(gè)III-V族化合物分子中的III族原子，也會(huì)得到一系列II-IV-V2族三元化合物，例如CdGeAs2、ZnSnAs2、CdGeP2、ZnSnP2等。所有這些三元化合物都被統(tǒng)稱為黃銅礦型化合物半導(dǎo)體。以此類推，四元化合物I2-II-IV-VI4可以看作分別用一個(gè)II族原子和一個(gè)IV族原子代替兩個(gè)I-II

12、I-VI2三元化合物分子中的III族原子而構(gòu)成。例如，Cu2FeSnS4可以認(rèn)為是Fe原子和Sn原子取代了CuAlS2分子中的Al原子，Cu2CdSnTe4可以認(rèn)為是Cd原子和Sn原子取代了CuAlTe2分子中的Al原子。這些材料就是所謂的黃錫礦，也具有半導(dǎo)體性質(zhì)。23固溶體的基本特征，表現(xiàn)為其物理性質(zhì)一般會(huì)連續(xù)地隨組分比的變化而變化。其晶格常數(shù)a服從Vegard關(guān)系，對(duì)于由A、B兩種材料組成的固溶體，其晶格常數(shù)aAB=xaA+(1-x)aB 固溶體直接能隙隨組分比變化的函數(shù)關(guān)系，通常有兩種方式來進(jìn)行定量的描述。某些固溶體的直接能隙可表示為組分比x的線性函數(shù)，即 1.8式中，和分別是互溶材料A

13、和B的直接能隙寬度。但是，大多數(shù)固溶體直接能隙隨組分比的變化不符合上述線性規(guī)律，但可用以下模型統(tǒng)一表示：Eg=a+bx+cx2 1.9式中，a、b、c皆為常數(shù)。 24固溶體的基本特征，表現(xiàn)為其物理性質(zhì)一般會(huì)連續(xù)地隨組分比的變化而變化。其晶格常數(shù)a服從Vegard關(guān)系，已知CdTe和ZnTe的晶格常數(shù)分別為，試計(jì)算Cd0.9Zn0.1Te、的晶格常數(shù)25固溶體的基本特征，表現(xiàn)為其物理性質(zhì)一般會(huì)連續(xù)地隨組分比的變化而變化。試計(jì)算Cd0.9Zn0.1Te的禁帶寬度Egap(ev)=1.606+0.322x+0.463x226電子遷移率是指電子在單位電場(chǎng)作用下的平均漂移速度，即電子在電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)速度

14、的快慢的量度。半導(dǎo)體晶體中，遷移率直接與電子在晶體中碰撞間的平均自由時(shí)間相關(guān)，而平均自由時(shí)間則取決于各種散射的機(jī)制。其中最重要的兩個(gè)機(jī)制為晶格散射及雜質(zhì)散射。晶格散射歸因于在任何高于絕對(duì)零度下晶格原子的熱振動(dòng)。這些振動(dòng)擾亂了晶格的周期勢(shì)場(chǎng)，并且允許能量在載流子與晶格間相互轉(zhuǎn)移。既然晶格振動(dòng)隨溫度增加而增加，在高溫下晶格散射自然變得顯著，遷移率也因此隨著溫度的增加而減少。27如果各種缺陷在整個(gè)晶體中雜亂無序地分布著，那么就存在一定的機(jī)會(huì)，使得兩個(gè)或更多的缺陷可能會(huì)占據(jù)著相鄰的格位。這樣它們就可以互相締合，形成缺陷的締合體，可以生成二重、三重締合體。缺陷濃度低時(shí)這種相鄰缺陷的締合數(shù)就少。缺陷之間最

15、重要的吸引力是具有異性電荷缺陷之間的庫(kù)侖引力。另一方面由于熱運(yùn)動(dòng)，締合起來的缺陷也可以以一定的幾率分解為單一的缺陷。因此在低溫下以及在沒有動(dòng)力勢(shì)壘的情況下，容易產(chǎn)生締合缺陷；反應(yīng)溫度愈高，則締合缺陷的濃度也愈小。28氣相晶體生長(zhǎng)方法已經(jīng)獲得很大的發(fā)展，演變出多種晶體生長(zhǎng)技術(shù)?；旧峡梢园凑杖缦路椒w納為物理氣相生長(zhǎng)方法和化學(xué)氣相生長(zhǎng)方法兩大類：(1)物理氣相生長(zhǎng)包括升華-凝結(jié)法、物理氣相輸運(yùn)法、分子束法、陰極濺射法。(2)化學(xué)氣相沉積包括氣體分解法、氣體合成法、多元?dú)庀喾磻?yīng)法(如金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法等)、化學(xué)氣相輸運(yùn)法、氣-液-固生長(zhǎng)法(VLS)。29坩堝材料的選擇是晶體生長(zhǎng)過程能否實(shí)現(xiàn)以

16、及晶體結(jié)晶質(zhì)量?jī)?yōu)劣的控制因素之一。坩堝材料的選擇是由所生長(zhǎng)的晶體及其在熔融狀態(tài)下的性質(zhì)決定的。對(duì)給定的晶體材料，所選坩堝材料應(yīng)該滿足以下物理化學(xué)性質(zhì)：(1)有較高的化學(xué)穩(wěn)定性，不與晶體或熔體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。(2)具有足夠高的純度，不會(huì)在晶體生長(zhǎng)過程中釋放出對(duì)晶體有害的雜質(zhì)、污染晶體材料，或與晶體發(fā)生粘連。(3)具有較高的熔點(diǎn)和高溫強(qiáng)度，在晶體生長(zhǎng)溫度下仍保持足夠高的強(qiáng)度，并且在高溫下不會(huì)發(fā)生分解、氧化等。(4)具有一定的導(dǎo)熱能力，便于在加熱區(qū)對(duì)熔體加熱或在冷卻區(qū)進(jìn)行晶體的冷卻。但導(dǎo)熱能力太強(qiáng)對(duì)晶體生長(zhǎng)是不利的。坩堝的導(dǎo)熱特性對(duì)晶體生長(zhǎng)過程的影響較為復(fù)雜，通過具體的傳熱計(jì)算才能準(zhǔn)確理解。(5)具有

17、可加工性，便于根據(jù)晶體生長(zhǎng)的需要加工成不同的形狀。特別是在生長(zhǎng)高蒸氣壓或易氧化的材料時(shí)，要進(jìn)行坩堝的焊封，對(duì)其可加工性和高溫強(qiáng)度要求更高。(6)具有與晶體材料匹配的熱膨脹特性，不會(huì)在晶體生長(zhǎng)過程中對(duì)晶體形成較大的壓應(yīng)力，并在晶體生長(zhǎng)結(jié)束后易于取出。30. 在Bridgman晶體生長(zhǎng)技術(shù)的溫場(chǎng)設(shè)計(jì)中，結(jié)晶點(diǎn)溫度應(yīng)該設(shè)置在溫場(chǎng)中的哪個(gè)位置？試從對(duì)晶體質(zhì)量影響因素方面進(jìn)行分析。Bridgman晶體生長(zhǎng)技術(shù)的溫場(chǎng)分布分為高溫區(qū)（加熱區(qū)）、梯度區(qū)、低溫區(qū)（散熱保溫區(qū)）三部分。加熱區(qū)的作用是將原料加熱熔化，使原料成為高于結(jié)晶溫度并具有一定的過熱度的高溫熔體，讓高溫熔體有一定的過熱度，可以避免各種成核事件的

18、發(fā)生，有利于獲得完整單晶；保溫區(qū)的目的是使得生長(zhǎng)完成的整個(gè)“生長(zhǎng)態(tài)晶體”維持在一個(gè)低于結(jié)晶點(diǎn)溫度的恒溫區(qū)中，即使得整個(gè)熔體在結(jié)晶完成后處在一個(gè)恒溫區(qū)中這樣可以減少熱應(yīng)力的產(chǎn)生。梯度區(qū)是結(jié)晶生長(zhǎng)區(qū)，進(jìn)入該區(qū)的熔體在到達(dá)（或溫度下降到）結(jié)晶點(diǎn)溫度以下后，熔體獲得一定的過冷度后隨即成核結(jié)晶，并逐漸長(zhǎng)大，結(jié)晶溫度點(diǎn)肯定在梯度區(qū)。但是如果將結(jié)晶溫度點(diǎn)設(shè)計(jì)在梯度區(qū)中靠近高溫區(qū)的位置，勢(shì)必會(huì)使高溫區(qū)溫度接近結(jié)晶溫度，高溫熔體的過熱度不足夠大（液相部分梯度區(qū)短），容易導(dǎo)致成核事件（均勻成核和非均勻成核）的發(fā)生，不利于獲得單晶。此外由于結(jié)晶溫度點(diǎn)靠近高溫區(qū)，使得生長(zhǎng)完成的晶體要經(jīng)過很長(zhǎng)的梯度區(qū)才能進(jìn)入到保溫恒溫

19、區(qū)中，使得整個(gè)晶體長(zhǎng)時(shí)間處于溫度不一致的梯度區(qū)中（固相部分梯度區(qū)長(zhǎng)），使得晶體有較大的熱應(yīng)力產(chǎn)生。如果將結(jié)晶溫度點(diǎn)設(shè)計(jì)在梯度區(qū)中靠近低溫區(qū)的位置，似乎能避免上述缺點(diǎn)，但是根據(jù)對(duì)Bridgman晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)的熱流分布分析，在梯度區(qū)中靠近低溫區(qū)的位置，爐膛內(nèi)的等溫面是凹的。因?yàn)橹挥性跔t膛加熱區(qū)和散熱區(qū)分界面（即梯度區(qū)1/2處）是平的等溫面，該面的上方（即靠近加熱區(qū)部分）是凸的等溫面，下方（散熱區(qū)部分）是凹的等溫面。而為了生長(zhǎng)質(zhì)量良好的晶體，在晶體生長(zhǎng)過程中希望結(jié)晶界面是平界面或微凸界面。即如果將結(jié)晶溫度點(diǎn)設(shè)計(jì)在梯度區(qū)中靠近低溫區(qū)的位置，將得到凹陷的等溫面或固液界面。所以綜上考慮，結(jié)晶溫度點(diǎn)應(yīng)該選擇

20、在梯度區(qū)的中間點(diǎn)或略上的位置，這樣既可以獲得微凸的結(jié)晶界面，同時(shí)又可以使高溫熔體有足夠的過熱度，同時(shí)完成結(jié)晶的晶體也能盡快進(jìn)入恒溫區(qū)。31. 設(shè)計(jì)采用移動(dòng)溶劑熔區(qū)法制備CdZnTe晶體的工藝方案，并說明理由。采用該方法有何優(yōu)點(diǎn)？生長(zhǎng)工藝的步驟為：分別配制多晶原料棒和富Te合金圓塊以及準(zhǔn)備直徑與原料棒合金圓塊一致的籽晶；然后按次序?qū)⒆丫?、富Te合金以及多晶原料棒裝入石英坩堝；將坩堝抽高真空后用氫氧焰將坩堝熔封密閉；隨后就可以放入晶體生長(zhǎng)爐進(jìn)行生長(zhǎng)。多晶原料棒配制按化合物成分配制，如果生長(zhǎng)Cd0.9Zn0.1Te晶體，則Cd/Zn按9:1摩爾比稱量，Te按與（Cd+Zn）量1:1摩爾比配。配料完成

21、后先真空封入合料石英管，并放入搖擺爐進(jìn)行合料，將Te、Zn、Cd三元素加熱到熔點(diǎn)以上反應(yīng)形成多晶原料棒。富Te合金的配料根據(jù)晶體生長(zhǎng)溫度按相圖中液相Te和CdTe兩相區(qū)的液相線配制，與多晶棒類似方法，放入搖擺爐內(nèi)合成合金塊。籽晶采用切、磨、拋方式獲得，并清洗干凈待用，籽晶晶向采用（111）方向。從相圖上看，液相Te和CdTe固相的兩相區(qū)的液相線在4491099之間，所以理論上在該溫度區(qū)間內(nèi)都是可以進(jìn)行溶劑法生長(zhǎng)的，建議采用900，該生長(zhǎng)溫度下獲得的晶體具有較好完整性，但是溶解其中的Te的含量也是最高的。所以為了避免晶體在從生長(zhǎng)溫度降低到室溫時(shí)因Te的脫溶而在晶體中形成微沉淀。晶體生長(zhǎng)完成后可采

22、用快速降溫的方法，避免微沉淀的產(chǎn)生。同時(shí)為了消除快速降溫在晶體內(nèi)部造成的熱應(yīng)力的產(chǎn)生，可在相對(duì)較低的溫度下進(jìn)行一定時(shí)間的退火處理。如果晶體生長(zhǎng)溫度采用800或更低，則由于晶體 中Te含量較低，從相圖上看降溫時(shí)就不會(huì)有脫溶形成微沉淀的現(xiàn)象，此時(shí)生長(zhǎng)完成后的降溫就可以采用慢速降溫的方式，以消除熱應(yīng)力。該方法的優(yōu)點(diǎn)：生長(zhǎng)溫度低 移動(dòng)溶劑法可以在比準(zhǔn)化學(xué)計(jì)量比晶體的熔點(diǎn)低得多的溫度下進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，所以可以減少來自石英安瓿的沾污，并能有效減少晶體中的結(jié)構(gòu)缺陷，生長(zhǎng)應(yīng)力也可以改善； 提純作用 移動(dòng)溶劑法存在區(qū)熔的過程，所以有提純作用，碲溶劑有吸收CZT晶體中的雜質(zhì)的作用，當(dāng)結(jié)束晶體生長(zhǎng)后，雜質(zhì)將富集到作為溶劑的碲中，這些因素都將有利于獲得高純CZT晶體。32試從CdTe相圖的精細(xì)結(jié)構(gòu)來分析，在富Te熔體中生長(zhǎng)CdTe晶體時(shí)采用布里奇曼方法與采用移動(dòng)溶劑法（也稱移動(dòng)加熱器法）對(duì)晶體中夾雜或沉淀的影響，從熔體或溶液中生長(zhǎng)晶體時(shí)減少Te夾雜出現(xiàn)的關(guān)鍵是什么？用傳統(tǒng)Bridgman法生長(zhǎng)CdTe時(shí)難以消除Te夾雜的困難是什么？用傳統(tǒng)Bridgman法生長(zhǎng)在富Te熔體中生長(zhǎng)CdTe晶體時(shí)，結(jié)晶完成后晶體中的Te含量什么有關(guān)？富余的Te將以何種形式方