晶科能源晶硅組件技術(shù)白皮書

1、品科能源發(fā)布晶硅組件技術(shù)白皮書目錄一：多品較單晶的普遍比努一：多品較單晶的普遍比努二：晶科多晶特有的優(yōu)勢(shì)二：晶科多晶特有的優(yōu)勢(shì)三：三：晶科多晶用發(fā)展舞線晶科多晶用發(fā)展舞線四：有關(guān)基芟晶常見(jiàn)運(yùn)題四：有關(guān)基芟晶常見(jiàn)運(yùn)題多晶VS單晶一多晶的優(yōu)勢(shì)1 .LID.LID 衰減LID(LightlnducedDegradation)LID(LightlnducedDegradation):即光致功率衰減，一般組件運(yùn)行初始階段 LIDLID 較高，之后隨電池片硼氧復(fù)合體的逐年平穩(wěn)下降，但理論數(shù)據(jù)和電站歷史實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)都證實(shí)多晶無(wú)論是第一年的初始光衰，第 1 15 5 年的光率，還是以后的穩(wěn)定光率都要明顯低于單晶。

2、所以單多晶提供的功率衰減質(zhì)保和實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)都是多晶更具優(yōu)勢(shì)。行業(yè)功率衰減線性質(zhì)保：多晶功率衰減質(zhì)保就較單晶低 0.5%,0.5%,同樣功率組件，多晶壽命周期內(nèi)保障的發(fā)電量就高于單晶。LIDLID 衰減實(shí)測(cè)：?jiǎn)尉С跏?LIDLID 光率較多晶高 1.0%,1.0%,光衰后單晶組件功率與標(biāo)稱功率差距顯著大于多晶，導(dǎo)致單晶出廠后經(jīng)光衰導(dǎo)致的發(fā)電量損失高于多晶，由此帶來(lái)的發(fā)電收益損失局于多晶。初始光率變化范圍初始光率變化范圍初始光率平均值初始光率平均值單晶單晶2.5-3%25%多品多品05-196L5%初始 LIDLID 越高，則穩(wěn)定后組件功率與標(biāo)稱功率差距越大，則組件發(fā)電損失越多，發(fā)電收益損失越大。從圖

3、 1 1 和圖 2 2 顯示，同樣輻照量下，無(wú)論電池端，還是組件端，單晶較多晶衰減均高 1.00%,1.00%,即單晶比多晶光盤率更局。圖圖1單晶與多晶電池衰減單晶與多晶電池衰減L匕較匕較圉圉2單晶與多晶曲件衰虛卜國(guó)單晶與多晶曲件衰虛卜國(guó)穩(wěn)定衰減：?jiǎn)味嗑С跏脊馑サ牟町愂怯捎诠杵再|(zhì)決定的，而之后的穩(wěn)定衰減主要根據(jù)組件封裝材料、工藝決定組件老化速度，所以和是單晶還是多晶的硅片關(guān)系不大，穩(wěn)定衰減方面，單多晶一線品牌都提供線性質(zhì)保 0.7%0.7%。線性質(zhì)保穩(wěn)定光率線性質(zhì)保穩(wěn)定光率單晶單晶多晶多晶07%2.CTM.CTM 封裝損失CTM(Cell-to-Module)CTM(Cell-to-Modu

4、le):即從電池到組件的功率封裝損失，電池片在封裝成為組件的過(guò)程中，封裝前后發(fā)電功率會(huì)變化，通常稱為 CTMCTMCTMCTM 實(shí)測(cè)：?jiǎn)尉л^多晶高 2.0%2.0%以上，同樣效率電池封裝成組件，單晶功率低于多晶。3晶封裝損失：2-5%2-5%4晶封裝損失：-11%-11%圖 3 3 顯示，單晶 CTMCTM 均在 2.0%2.0%以上，甚至高達(dá) 5%5%而多晶則在 0.5%0.5%以內(nèi)，甚至封裝后功率有提升。5.5LP：5jOOft4.531JOH.f-L5ALgl.SJHtiJDCfhU.nL：OHO*-1.00%-1.5CWT.g這就是為什么單多晶最終組件效率的差異要小于電池片效率差異，

5、在主流量產(chǎn)的功率輸出上單多晶相差不多， 以晶科和某品牌為例，其 6060 片多晶的量產(chǎn)主流功率檔 265-275W,265-275W,而某品牌單晶同樣在 270-275W270-275W。CTMCTM 差異原因：從電池到組件，由于電池與組件發(fā)電面積與光學(xué)反射原理差異，單晶光學(xué)利用率的降低及有效發(fā)電面積的減少，均較多晶更高，導(dǎo)致單晶 CTMCTM 高于多晶。1 1）電池與組件反射率的巨大差異：?jiǎn)尉Ч杵瓷渎始s 10%10%電池片反射率約 2%2%多晶硅片反射率約 20%20%電池片反射率約 6%6%就電池片而言反射率多晶不如單晶，這是常規(guī)多晶效率低于單晶的主要原因；但當(dāng)電池封裝成為組件以后，組件

6、的反射基本發(fā)生在玻璃表面，玻璃反射率約 4%4%這樣單晶電池片原本在反射率上的優(yōu)勢(shì)就被犧牲掉了。 這也是為什么多晶的封裝損失可能甚至出現(xiàn)負(fù)值， 是因?yàn)槎嗑щ姵乇环庋b以后，電池表面反射率大幅下降，電池實(shí)際接受到的光線獲得了增益，所以效率可能不降反升。2 2）外量子效率 EQEEQE 多晶，短波區(qū)域（380-560nm380-560nm 區(qū)域），組件較電池更高，即該波段區(qū)域，組件對(duì)光子的利用率更高；而單晶，整個(gè)波段，組件較電池均有顯著降低，即整個(gè)波段組件對(duì)光子的利用率均小于電池。此外，多晶，長(zhǎng)波區(qū)域（900-1200nm900-1200nm）, ,組件較電池更低，即該波段區(qū)域，組件反射的光少于電池

7、；而單晶，在該長(zhǎng)波區(qū)域，組件與電池反射率相當(dāng)，組件反射的光與電池相當(dāng)。從圖 4 4 的單多晶電池到組件一外量子效率 EQEEQE 及反射率 Ref-Ref-變化圖可以清楚得看到短波區(qū)域（380-560nm380-560nm 區(qū)域）和長(zhǎng)波區(qū)域（900-1200nm900-1200nm）, ,多晶組件較多晶電池對(duì)光的利用更好，而單晶組件較單晶電池對(duì)光的利用差，如此導(dǎo)致單晶電池到組件的 CTMCTM 更高，而多晶更低。所以就封裝以后的光學(xué)損失方面，單晶顯著高于多晶。圉圉3羋晶與多品羋晶與多品CTM封裝報(bào)失二小封裝報(bào)失二小圖圖4單多晶電池到組彳卜量子效率單多晶電池到組彳卜量子效率EQE及反射率及反射率

8、Ref-變佛變佛3 3）發(fā)電面積利用率：?jiǎn)尉щ姵仄菇切螤顚?dǎo)致當(dāng)封裝到組件上，組件實(shí)際的有效接受太陽(yáng)光的受光面積要小于方形多晶電池片的組件，再加上電池片上的柵線是不發(fā)電的，所以其占居的這部分面積也不能發(fā)揮效能。組件中單多晶有效發(fā)電面積利用率一單晶組件有效發(fā)電面積的利用率較多晶更低，致使其 CTMCTM 女善的空間不及多晶?？偨Y(jié)：?jiǎn)尉щ姵乜鄢娣e損失、封裝損失、光衰的話，最終的組件效率與多晶的組件效率相差不大。jVavewrgthtnmi.-.-.tjuft.tjuftt t咫LIULOUJLIULOUJ單晶單晶Wavelength(nmi1 1 . .量產(chǎn)多晶自晶科量產(chǎn)多晶開(kāi)始，組件功率保持

9、5-10W/5-10W/年的速度提升，并始終引領(lǐng)行業(yè)的發(fā)展。量產(chǎn)功率：晶科多晶以 5-10W/5-10W/年的速度提升，當(dāng)前量產(chǎn)多晶主流功率 265-275W265-275W 及最高功率 280W280W 高出行業(yè)平均水平 1-21-2 個(gè)檔，而與單晶量產(chǎn)功率僅差 1 1 個(gè)檔。量產(chǎn)技術(shù)：行業(yè)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)四主柵技術(shù)的全面量產(chǎn)，并融合自主研發(fā)的低位錯(cuò)高純度 J J硅片/低電阻焊接技術(shù)/IQE/IQE 匹配封裝技術(shù)，助力晶科多晶功率行業(yè)領(lǐng)先。發(fā)電性能 vsvs 行業(yè)單晶：晶科量產(chǎn)多晶較行業(yè)量產(chǎn)單晶具有更低的電流，戶外發(fā)電時(shí)線纜損耗更低，組件發(fā)熱更小，因而工作溫度更低，發(fā)電性能更優(yōu)，發(fā)電量損失也更少圖

10、 5 5 和圖 6 6 顯示的是晶科多晶電池和組件量產(chǎn)效率與行業(yè)平均水平及其他一線主流品牌的比較，晶科在多晶電池和組件量產(chǎn)功率方面遙遙領(lǐng)先行業(yè)和其他一線品牌。圖圖5晶科晶科多晶電多晶電池和組件量產(chǎn)效率與行業(yè)平均水平比較池和組件量產(chǎn)效率與行業(yè)平均水平比較早產(chǎn)早產(chǎn)名帚相名帚相件就率與行業(yè)平均水平比就件就率與行業(yè)平均水平比就帚芹名帚芹名晶電池故座與行業(yè)平均水平比較晶電池故座與行業(yè)平均水平比較圖 7 7 是晶科多晶產(chǎn)品量產(chǎn)功率路線圖，晶科多晶量產(chǎn)功率始終處于行業(yè)前沿。Muti-60P行業(yè)主流功率r-一-Muti-60P-晶科量產(chǎn)功率I-*J2902011201220132014201520162017

11、2018圖圖7晶科系晶產(chǎn)品量產(chǎn)功率路建圖晶科系晶產(chǎn)品量產(chǎn)功率路建圖晶科多晶量產(chǎn)主流功率 （265-275W265-275W） 及量產(chǎn)最高功率 （280W280W） 較行業(yè)多晶平均水平高 1-21-2 個(gè)檔位 （行業(yè)多晶量產(chǎn)主流功率 255-265W,255-265W,多晶量產(chǎn)最高功率 270-275W270-275W）, ,而較行業(yè)單晶量產(chǎn)功率僅低 1 1 個(gè)檔位。晶科多晶產(chǎn)品功率當(dāng)前在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先水平。軍品瑁軍品瑁書上流功率書上流功率Jw普證期品普證期品組科最組科最高由率高由率,W高效多高效多晶阻制晶阻制量產(chǎn)最高必率量產(chǎn)最高必率ZW段 6 晶科臥靠甲獷內(nèi)如.牛星產(chǎn)蟲灣網(wǎng)生彘效率與一汽晶群的

12、水平310290270250230圖圖8晶科當(dāng)前多晶量晶科當(dāng)前多晶量產(chǎn)功率行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先產(chǎn)功率行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先2 2. .融合多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)的量產(chǎn)多晶產(chǎn)品低位錯(cuò)高純度的晶科 J J 硅片四主柵技術(shù)-業(yè)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)低電阻焊接技術(shù)285280275270265260255量產(chǎn)星高功率IQEIQE 封裝匹配技術(shù)3 3. .晶科較行業(yè)量產(chǎn)單晶發(fā)電性能更優(yōu)組件電流越高，則電站中線路損耗越高，且組件工作時(shí)發(fā)熱也越高，即組件工作溫度更高，從而組件發(fā)電量損失越大。從電性能參數(shù)列表可以看出，同檔位組件(280W)(280W), ,某品牌-單晶較晶科- -多晶具有更高的 Is(Is(高 0.05A0.05A, ,0.2

13、5%)c0.25%)c 和 Imp0.05A(Imp0.05A(高 0.09A0.09A,1.08%);,1.08%);更高檔位的某品牌- -單晶-285W-285W 與晶科-多晶-280W-280W 的 Isc(Isc(高0.05A0.05A,0.55%),0.55%)和 ImpImp(高 0.13A,0.13A,1.50%)1.50%)差值更大。因而，戶外發(fā)電時(shí)，晶科-多晶產(chǎn)品較某品牌-單晶產(chǎn)品具有更低的線路損耗和工作溫度，實(shí)際發(fā)電損失更小，發(fā)電性能更優(yōu)。電性能參數(shù)電性能參數(shù)里品牌量產(chǎn)最高功里品牌量產(chǎn)最高功率單晶率單晶60片以片以asw桌品牌量產(chǎn)宣功率型晶桌品牌量產(chǎn)宣功率型晶60片片J8O

14、W晶科量產(chǎn)最高功率多晶晶科量產(chǎn)最高功率多晶60K-280W功率功率PEW)2852802B0開(kāi)路電開(kāi)路電壓壓Voc(V,WSVAA39.26392239.68短路電流短路電流IK(A)93339.3059.282,大例也哪)323631,9532.26鼠大電流鼠大電流1口中依口中依) )8.B05氏百氏百9區(qū)區(qū)676轉(zhuǎn)換效率轉(zhuǎn)換效率6網(wǎng)網(wǎng)17.52%17.21%17.11%4 4.晶科多晶行業(yè)排名- -光伏領(lǐng)跑者中領(lǐng)頭羊證書編號(hào):CQC1602413S4861/1淮供裳甯產(chǎn)且淮供裳甯產(chǎn)且! !者者“UttitM，cqci4Lj.ueK科搜狀日低科搜狀日低薦淮和氟薦淮和氟/，STC) )TF明轉(zhuǎn)

15、附明轉(zhuǎn)附17.81%圖件面理圖件面理【含【含跡也跡也. .J)1.64k)黑舞功軍黑舞功軍(f)290ff、電池什希、電池什希, ,(M)60片片, ,的甚效率方的甚效率方產(chǎn)品名靴產(chǎn)品英期產(chǎn)需型號(hào)制造商Z附及M情生件上晶更JUDW-MiJMEfflfP-U晶科拄源有限公司此附錄與證書同時(shí)使用時(shí)有寸此附錄與證書同時(shí)使用時(shí)有寸h5 5 家企業(yè)獲得光伏領(lǐng)跑者一級(jí)能效證書，而晶科是唯一取得多晶一級(jí)能效證書的企業(yè);晶科一級(jí)能效多晶產(chǎn)品較行業(yè)平均水平高 10-15W10-15W。則證書的單晶企獨(dú)能效型&0P組件功率茍恒中利料伸姥伏箱慢有限公可一切29S東葉光伏科豉自限公司T兇兇G無(wú)錫性需大陽(yáng)旭電力有甩公司

16、一雙29S上海熱泡本的能粕伏科蒞育聞公司T邱邱阿州億品妣電科愣有限聳的Z2班吸B5/29O上海航天:汽車機(jī)電股的將跟公司二第海江臺(tái)友X陽(yáng)鹿*1搜宥陶公司二煙樂(lè)葉哪科技自限公同二部tplfe1榻江）XIBNt陶鼓高唱金日二維匏內(nèi)錮S?挑伏棹發(fā)有限公司二融山西造舞#即照只控肖陽(yáng) F 任公司二梆275獲潮E書的多品企亞能效等級(jí)6口P組件功率檔位|昆鈍鐮匍艮公司昆鈍鐮匍艮公司鍛290匚利騰輝兄在矛斗技萼限公司匚利騰輝兄在矛斗技萼限公司無(wú)震尚德太旭能電力有限公司無(wú)震尚德太旭能電力有限公司常州化勖萍科技耕艮公司常州化勖萍科技耕艮公司270/275上海航天汽與機(jī)電匿聳有限公司上海航天汽與機(jī)電匿聳有限公司浙江

17、合太太陽(yáng)母版有限公司浙江合太太陽(yáng)母版有限公司中三曾第能中三曾第能D太陽(yáng)螂技有太陽(yáng)螂技有限公司限公司 辦鑫集成科技般情有限公司辦鑫集成科技般情有限公司詈詈1器葡耗國(guó)器葡耗國(guó)5科技有限公司科技有限公司海質(zhì)電力有限公司海質(zhì)電力有限公司的漸能源印艮公司的漸能源印艮公司二領(lǐng)二領(lǐng)中電投蜂邢中電投蜂邢 能電力有限公司能電力有限公司u u 幻居限公司幻居限公司東方日用瑋熊殿份奔眼公司東方日用瑋熊殿份奔眼公司浙江正豪就浙江正豪就ea荊技有艱公司荊技有艱公司領(lǐng)跑者是什么？根據(jù) 20152015 年 1 1 月 8 8 日發(fā)改委等八部門發(fā)布的能效領(lǐng)跑者制度實(shí)施方案，所謂“能效領(lǐng)跑者”是指同類可比范圍內(nèi)能源利用效率最

18、高的產(chǎn)品、企業(yè)或單位。發(fā)改委將同有關(guān)部門制定激勵(lì)政策，鼓勵(lì)能效“領(lǐng)跑者”產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)、宣傳和推廣。光伏領(lǐng)跑者又是怎么一回事？“光伏領(lǐng)跑者”則是與“能效領(lǐng)跑者”并行的一種促進(jìn)先進(jìn)光伏技術(shù)產(chǎn)品應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)升級(jí)，加強(qiáng)光伏產(chǎn)品和工程質(zhì)量管理的專項(xiàng)方案。國(guó)家能源局從 20152015 年開(kāi)始實(shí)行光伏扶持專項(xiàng)計(jì)劃，“領(lǐng)跑者”計(jì)劃將通過(guò)建設(shè)先進(jìn)技術(shù)光伏發(fā)電示范基地、新技術(shù)應(yīng)用示范工程等方式實(shí)施光伏領(lǐng)跑者對(duì)晶硅光伏企業(yè)有何要求？晶硅光伏組件企業(yè)要成為領(lǐng)跑者，其組件產(chǎn)品必須達(dá)到相應(yīng)效率等級(jí)對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)化效率的要求（如下表）。效率等鉞效率等鉞單晶電池組件單晶電池組件亮晶電池組件亮晶電池組件its1S.0%（含）以上（

19、含）以上17.5%（含（含）L壯壯2娠娠17.0%含）男含）男16.5%C含含77.5%3魄魄（含（含）77. .口口, ,155%-155%5.5.晶科的圖效多晶-創(chuàng)造多項(xiàng)行業(yè)世界記錄20.13%-20.13%-量產(chǎn)多晶電池效率世界記錄（經(jīng)國(guó)家光伏質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心 CPVTCPVT 認(rèn)證）334.5W-60334.5W-60 片多晶最高功率世界記錄保持者（經(jīng) TUVTUV 萊茵認(rèn)證）6.6.高功率溫度系數(shù)特性優(yōu)勢(shì)和實(shí)際發(fā)電效能比較晶科量產(chǎn)多晶 vsvs 行業(yè)量產(chǎn)單多晶-晶科多晶功率溫度系數(shù)更高，戶外實(shí)際發(fā)電性能更優(yōu)組件功率隨工作溫度的升高而降低，組件功率溫度系數(shù)越低，表明組件溫度升高時(shí)，組件

20、功率降低幅度越大，組件實(shí)際發(fā)電量損失越多。晶科量產(chǎn)多晶功率溫度系數(shù)較行業(yè)量產(chǎn)多晶和量產(chǎn)單晶均更高，戶外實(shí)際發(fā)電過(guò)程中，組件溫度升高時(shí)，晶科多晶功率的降低幅度來(lái)的更小，因而實(shí)際發(fā)電量損失來(lái)的更低更低的溫度系數(shù)，表示隨著溫度升高，每上升一度，晶科多晶組件功率下降 0.40%,0.40%,而某品牌單晶組件功率下降 0.42%0.42%。與 STCSTC 實(shí)驗(yàn)室條件下(1000W/m2,250GAM1.5)1000W/m2,250GAM1.5)的額定功率相比，PTCPTC 的值(1000W/m2,200C,AM1.5)(1000W/m2,200C,AM1.5)更能說(shuō)明組件在實(shí)際工作環(huán)境中的真實(shí)功率。晶

21、科 6060 片多晶的 PTCPTC值約在 919192%92%而單晶一般在 87-90%87-90%。效率等領(lǐng)某品牌單品晶科費(fèi)品畦值功率溫度恭數(shù)-0.42-0.40PTCRating51-92%技術(shù)發(fā)展路線和時(shí)間節(jié)點(diǎn)晶科將利用光學(xué)二次利用技術(shù)，電路優(yōu)化增效技，組件新結(jié)構(gòu)技術(shù)，2 2 年內(nèi)實(shí)現(xiàn) 60P60P 多晶組件 300W300W 量產(chǎn)，5 5 年內(nèi)實(shí)現(xiàn) 60P60P 多晶組件 330W330W 量產(chǎn)。發(fā)展黑硅技術(shù)，通過(guò)特殊的表面陷光處理，電池絨面結(jié)構(gòu)接近單晶，反射率和光學(xué)吸收率也優(yōu)于單晶。較傳統(tǒng)多晶光譜響應(yīng)波段更寬（拓展至紅外波段），具有更高的光學(xué)利用率。晶科研發(fā)的黑硅電池量產(chǎn)效率已經(jīng)達(dá)

22、到 20.13%20.13%。IIII 代多晶技術(shù)，效率堪比單晶，但 CTM/LIDCTM/LID 等較單晶更低；可采用傳統(tǒng)多晶原料及鑄錠工藝制備，生產(chǎn)成本遠(yuǎn)比拉晶而成的單晶低廉。內(nèi)部缺陷及雜質(zhì)更少，量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率較傳統(tǒng)1 1 .未來(lái)單晶市場(chǎng)份額會(huì)超越多晶嗎?多晶提升約1.0%1.0%。單晶電池成本降低迅速主要是因?yàn)樯狭私饎偩€切割，一旦多晶克服一些工藝問(wèn)題，也從砂線切割改成金剛線，成本將進(jìn)一步下降，再次拉大與單晶成本差距，再加多晶效率提升有較大空間，所以未來(lái)較長(zhǎng)一段時(shí)間多晶仍將占據(jù)大部分市場(chǎng)份額。2 2. .單晶組件的功率真的比多晶組件高很多嗎？單晶電池的效率是要比多晶電池效率高，但由于封裝損失

23、，光衰特別是初始光衰，發(fā)電有效面積損失，單晶的輸出功率與多晶相差不大，晶科的多晶組件量產(chǎn)功率檔在 260-275260-275瓦，某品牌單晶在 265-275265-275 瓦。3 3. .單多晶電站投資收益對(duì)比？目前 6060 片封裝的高功率組件，晶科的多晶組件量產(chǎn)功率檔在 260-275260-275 瓦，某品牌單晶在 265-280265-280 瓦。雖然單晶高出 5 5 瓦檔，但晶科多晶 1500V1500V 高壓組件能讓每個(gè)陣列增加 50%50%勺組件數(shù)量，有效節(jié)約了支架、夾具、匯流箱、光伏電纜、基礎(chǔ)工程、安裝工程等，因此在總的投資成本上，晶科多晶系統(tǒng)將比某品牌單晶系統(tǒng)具有更好的成本

24、優(yōu)勢(shì)。在電站營(yíng)運(yùn)層面，由于晶科多晶的光衰特別是初始光衰要大大低于單晶，所以每瓦發(fā)電量至少比單晶高1-2%,1-2%,電站造價(jià)多晶也要低于單晶，那么在 25%25%資本金比例、1515年貸款年限的融資結(jié)構(gòu)下，我國(guó)中部地區(qū)投資多晶電站的資本金內(nèi)部收益率 IRRIRR 會(huì)比投資多晶電站高出至少 2%A2%A 上。4 4. .單多晶電站運(yùn)行實(shí)際效能比較？全世界范圍內(nèi)，就已經(jīng)運(yùn)行的電站來(lái)看，單多晶電站的比率是 9:1,9:1,也就是多晶電站有更多、更久的實(shí)際的電站發(fā)電數(shù)據(jù)來(lái)證明多晶技術(shù)的可靠度和數(shù)據(jù)的可信度，多晶技術(shù)和多晶電站已經(jīng)經(jīng)歷過(guò)長(zhǎng)期在不同地區(qū)，不同地理氣候環(huán)境下運(yùn)行的考驗(yàn)。5 5. .單晶硅片是否比多晶硅片有更高的機(jī)械強(qiáng)度？這是個(gè)概念誤區(qū)，組件機(jī)械強(qiáng)度主要取決于封裝材料和封裝工藝及品質(zhì)，目前主流單多晶組件都通