士蘭芯片技術(shù)ppt課件

1、1彩屏用藍(lán)綠光 LED可靠性及相關(guān)問(wèn)題分析 杭州士蘭明芯科技Hangzhou Silan Azure Co., Ltd.2報(bào)告主要內(nèi)容簡(jiǎn)介：杭州士蘭明芯科技 藍(lán)綠光LED常見(jiàn)的可靠性問(wèn)題可靠性問(wèn)題的緣由分析及處理的措施手段士蘭明芯現(xiàn)有產(chǎn)品的技術(shù)目的.3公司簡(jiǎn)介成立于2004年9月，位于杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)藍(lán)綠光LED芯片制造：外延和芯片處置現(xiàn)有月產(chǎn)能：外延4500片，處置芯片120kk，方案年內(nèi)擴(kuò)產(chǎn)至200kk產(chǎn)品運(yùn)用主要是彩屏管和交通燈員工115人，其中管理、技術(shù)人員約40余人.4士蘭明芯的特點(diǎn)與IC電路芯片廠共享制造平臺(tái)完善、可靠的動(dòng)力設(shè)備條件結(jié)合硅集成電路產(chǎn)業(yè)閱歷，努力于構(gòu)建一個(gè)高質(zhì)量消費(fèi)

2、管理體系.5藍(lán)綠光LED芯片封裝常見(jiàn)的可靠性問(wèn)題死燈光衰嚴(yán)重掉電極色飄太大這些問(wèn)題需求從芯片和封裝兩方面結(jié)合來(lái)看！.6問(wèn)題分析死燈短路：ESD擊打?qū)е拢笶SD程度差斷路：電極零落，封裝應(yīng)力.7問(wèn)題分析光衰嚴(yán)重環(huán)氧樹(shù)脂老化變黃、變黑，緣由主要有1、受芯片散熱的影響2、受LED輻射的光子影響其中第1個(gè)要素要求提高封裝的散熱才干第2個(gè)要素要求采用更化學(xué)性質(zhì)更穩(wěn)定的樹(shù)脂資料.8問(wèn)題分析掉電極主要緣由是電極粘附力弱，另外控制封裝應(yīng)力也是關(guān)鍵要素之一主要影響要素有：芯片處置過(guò)程外表干凈度的控制芯片處置工藝方案的選擇引線的拉力.9問(wèn)題分析色飄太大隨電流密度增大，主波長(zhǎng)發(fā)生藍(lán)移，主要是由芯片外延構(gòu)造決議的。

3、藍(lán)綠光LED的色飄問(wèn)題是由其資料物理特性決議的。它隨芯片的外延構(gòu)造變化有所差別。主要影響要素有：外延層發(fā)光量子阱的厚度發(fā)光量子阱的InN組分均勻性.10GaN-基藍(lán)綠LED根本構(gòu)造及其弱點(diǎn)金屬-半導(dǎo)體接觸 (400oC)InGaN/GaN MQW (800oC)節(jié)區(qū)漏電通道 (線位錯(cuò))A、抗ESD程度的提升B、色飄的控制C、電極的粘附力.11封裝根本構(gòu)造及弱點(diǎn)光衰控制：受熱、光輻射導(dǎo)致環(huán)氧樹(shù)脂的老化變色掉電極：熱漲冷縮封裝應(yīng)力控制散熱通道.12亮度對(duì)比-士蘭明芯與日亞.13抗大電流沖擊才干對(duì)比-士蘭明芯與日亞韓國(guó)封裝日本封裝封裝1封裝2封裝3.14士蘭明芯背金芯片的優(yōu)點(diǎn)高亮度、高可靠性.15導(dǎo)

4、電膠封裝有利于器件散熱.16藍(lán)光LED封裝老化.17綠光LED封裝老化.18芯片節(jié)溫與Vf的關(guān)系-綠光.19芯片節(jié)溫與Vf的關(guān)系-藍(lán)光.20芯片Wd與If的關(guān)系-藍(lán)光.21芯片Wd與If的關(guān)系-藍(lán)光.芯片Wd與節(jié)溫的關(guān)系結(jié)溫也會(huì)影響到LED的主波長(zhǎng)(顏色)。主波長(zhǎng)隨溫度的變化關(guān)系可以表示如下：d(T2)=d(T1)Tj 0.1(nm/ )其中d(T1)=結(jié)溫T1時(shí)主波長(zhǎng)d(T2)=結(jié)溫T2時(shí)主波長(zhǎng)有一個(gè)很容易記住的關(guān)系是結(jié)溫每升高10，主波長(zhǎng)添加1nm。22.23士蘭明芯產(chǎn)品特點(diǎn)抗ESD程度高，集中在4000V HBM以上電極粘附可靠色差隨電流變化一致( 5-20mA，藍(lán)光2nm；綠光4nm)顏色分檔細(xì)2.5nm亮度分檔細(xì)藍(lán)光10mcd；綠光20mcd電壓0.2V分檔芯片尺寸2