01常用半導(dǎo)體器件練習(xí)題

1、第1章常用半導(dǎo)體器件一選擇題1、半導(dǎo)體導(dǎo)電的載流子是C，金屬導(dǎo)電的載流子是A_。電子B.空穴C.電子和空穴D.原子核2、在純凈半導(dǎo)體中摻入微量3價(jià)元素形成的是_A型半導(dǎo)體。A.PB.NC.PND.電子導(dǎo)電3、純凈半導(dǎo)體中摻入微量5價(jià)元素形成的是B型半導(dǎo)體。A.PB.NC.PND.空穴導(dǎo)電4、N型半導(dǎo)體多數(shù)載流子是B，少數(shù)載流子是A；P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是1，少數(shù)載流子是。A.空穴B.電子C.原子核D.中子5、雜質(zhì)半導(dǎo)體中多數(shù)載流子濃度取決于D，少數(shù)載流子濃度取于B。A.反向電壓的大小B.環(huán)境溫度C.制作時(shí)間D.摻入雜質(zhì)的濃度6、PN結(jié)正向?qū)〞r(shí)，需外加一定的電壓U,此時(shí)，電壓U的正端應(yīng)接PN

2、結(jié)的A,負(fù)端應(yīng)接PN結(jié)B。A.P區(qū)B.N區(qū)7、二極管的反向飽和電流主要與_有關(guān)。（當(dāng)溫度一定時(shí)，少子濃度一定，反向電流幾乎不隨外加電壓而變化，故稱為反向飽和電流。）A.反向電壓的大小B.環(huán)境溫度C.制作時(shí)間D.摻入雜質(zhì)的濃度8、二極管的伏安特性曲線反映的是二極管A的關(guān)系曲線。A.VD-IDB.VD-rDC.ID-rDD.f-ID9、用萬(wàn)用表測(cè)量二極管的極性，將紅、黑表筆分別接二極管的兩個(gè)電極，若測(cè)得的電阻很小（幾千歐以下），則黑表筆所接電極為二極管的C_。A.正極B.負(fù)極C.無(wú)法確定10、下列器件中，B不屬于特殊二極管。A.穩(wěn)壓管B.整流管C.發(fā)光管D.光電管11、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓，利用的是穩(wěn)壓

3、二極管的C。A正向特性B反向特性C.反向擊穿特性12、穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓VZ是指其D。A.反向偏置電壓B.正向?qū)妷篊.死區(qū)電壓D.反向擊穿電壓13、光電二極管有光線照射時(shí)，反向電阻A。（反壓下，光照產(chǎn)生光電流）14、15、16、A.減少B.增大C.基本不變D.無(wú)法確定三極管的主要特征是具有C作用。A.電壓放大B單向?qū)щ奀.電流放大D.電流與電壓放大三極管處于放大狀態(tài)時(shí)AA.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏NPN三極管工作在放大狀態(tài)時(shí)，B.發(fā)射結(jié)正偏,D.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏集電結(jié)正偏其兩個(gè)結(jié)的偏置為A。A.UBE0、UBEUCEB.UBE0、UBE0、UBEUCE.對(duì)于PN

4、P型三極管，為實(shí)現(xiàn)電流放大，D.UBE0各極電位必須滿足_BA.UCUBUEB.UCUBUCUED.UBUCUBUEB.UCUBUCUED.UBUCUE19、輸入特性曲線反映三極管_D關(guān)系的特性曲線。A.UCE與iBB.uCE與iCC.uBE與iCD.uBE與iB20、輸出特性曲線反映三極管B關(guān)系的特性曲線。A.uCE與iBB.uCE與iCC.uBE與iCD.uBE與iB21、場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)電極中，用D表示的電極稱為，用S表示的電極稱為22、場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線反映的是D之間的關(guān)系。B，用G表示的電極稱為AB.源極A.柵極C.基極D.漏極B.BE與BA.vDS與iDviviC.CE與CD.GS

5、與D23、場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線反映的是B之間的關(guān)系A(chǔ).vGS與B。vDS與24、251.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.CviDS與CD。viCE與C圖3.4(a)、(b)分別代表DP溝道增強(qiáng)型與N溝道耗盡型N溝道增強(qiáng)型與N溝道耗盡型N溝道耗盡型與P溝道增強(qiáng)型P溝道耗盡型與N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo)表征C_絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。的控制作用。A.C.ds對(duì)vigs對(duì)dvvB。gs對(duì)dsivD。g對(duì)ds填空題半導(dǎo)體具有熱敏特性、光敏特性和摻雜特性。溫度_升高將使半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力大大增加。TOC o 1-5 h z半導(dǎo)體材料中有兩種載流子，即和。雜質(zhì)半導(dǎo)體按導(dǎo)電類型分為P型半

6、導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體多子是一自由電子：P型半導(dǎo)體多子是空穴PN結(jié)的基本特點(diǎn)是具有單向?qū)щ娦?PN結(jié)正向偏置時(shí)導(dǎo)通，反向偏置時(shí)截止二極管的伏安特性有：正向、反向和反向擊穿特性。二極管的反向電流隨外界溫度的升高而:反向電流越小，說(shuō)明二極管的單向?qū)щ娦栽胶谩Ｒ话愎瓒O管的反向電流比鍺管小很多。二極管處于反偏時(shí)，呈現(xiàn)電阻_無(wú)限大。二極管反向飽和電流IS會(huì)隨溫度升高而增大。二極管的最高反向工作電壓URM的含義是二級(jí)管工作時(shí)允許外加的最大反向電RM壓。穩(wěn)壓二極管通常是工作在反向擊穿狀態(tài)下的特殊二極管，發(fā)光二極管的PN結(jié)工作在正向偏置狀態(tài)時(shí)會(huì)發(fā)光。光電二極管又稱紅遠(yuǎn)外線接收二極管,其PN結(jié)工作在一反

7、向偏置狀態(tài),它的反向電流會(huì)隨光照強(qiáng)度的增加而增加。14.三極管是一種電流控制器件；而場(chǎng)效應(yīng)管是一種_電壓控制器件。三極管具有電流放大作用的外部條件是：發(fā)射結(jié)正向偏置：集電結(jié)反向偏置。三極管起放大作用時(shí)的內(nèi)部要求是：基區(qū)很薄，參雜濃度低；發(fā)射區(qū)參雜濃度高；集電。三極管具有電流放大作用的實(shí)質(zhì)，它是利用基極電流的變化控制集電極電流的變化。三極管輸出特性曲線分為截止區(qū)、飽和區(qū)和放大區(qū)。TOC o 1-5 h z三極管的三個(gè)管腳電流關(guān)系是ie=Ir_+ic，直流電流放大系數(shù)的定義式B=（ic_二匕BCCICEO）/IB，交流電流放大系數(shù)的定義式氏=i/。CEOBCb場(chǎng)效應(yīng)管屬于_壓控流型控制元件。絕緣柵

8、場(chǎng)效應(yīng)管分為_增強(qiáng)型和耗盡_型兩類，各類又有_N_溝道和_P_溝道兩種。場(chǎng)效應(yīng)管可分為可變電阻區(qū)、夾斷區(qū)、_恒流區(qū)、截?cái)鄥^(qū)四個(gè)區(qū)域。作為放大器件使用時(shí)，應(yīng)工作在_恒流區(qū)。場(chǎng)效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo)，表征_柵源電壓對(duì)_漏極電流控制能力的重要參數(shù)。N溝道增強(qiáng)型MOS管的柵源電壓為正時(shí)能控制漏極電流，耗盡型MOS管的柵源電壓為正或?yàn)開負(fù)時(shí)均能控制漏極電流。開啟電壓UT是指Vds為定值時(shí)，使增強(qiáng)型MOS管使漏極電流大于零所需的最小的柵源電壓。夾斷電壓Up是指Vds為定值時(shí)，使耗盡型MOS管使漏極電流為規(guī)定的微小電流時(shí)的柵源電壓。三問答題1畫出二極管的電路符號(hào)和文字符號(hào)，并說(shuō)明二極管的主要特性。2.已知三極管的

9、B=60，在放大電路中測(cè)得IC=8mA，求IB,IE。CBE3二極管電路如圖所示，假設(shè)二極管為理想二極管，判斷圖中的二極管是導(dǎo)通還是截止，4并求出AO兩端的電壓UAOVD1VD2一KA3EQ12V=8V0管電路如所示，設(shè)輸入電壓u(t)波形如圖b所示，在0t5ms的時(shí)間間隔內(nèi)，試?yán)L出uo(t)的波形，設(shè)二極管是理想的。i電路如圖a所示，設(shè)二極管是理想的。(1)畫出它的傳輸特性；(2)若輸入電壓u.=20sinet(V)如圖b所示，試根據(jù)傳輸特性繪出一周期的輸出電壓uOiO的波形。.v電路如圖（a）、（b）所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ=3V,R的取值合適，u的波形如圖（c）所示。試分別畫出uoi和uO2的波形。已知兩只晶體管的電流放大系數(shù)0分別為50和100,現(xiàn)測(cè)得放大電路中這兩只管子兩個(gè)電極的電流如圖P1.14所示。分別求另一電極的電流，標(biāo)出其實(shí)際方向，并在圓圈中畫出