應用可靠性2-元器件選用

1、2.1元器件質量等級國產元賽件質量相關棟準 # #2.1元器件質量等級國產元賽件質量相關棟準 元器件可靠性應用與電路可靠性設計第2章電子兀器件的選用主講：莊奕琪本章概要2.1元器件質量等級2.2元器件選擇通則2.3常用元器件的選用2.4特殊環(huán)境下的元器2.5降額選用件選用按級別分國家標準GB、國家軍用標準GJB行業(yè)標準、行業(yè)軍用標準企業(yè)標準、企業(yè)軍用標準七專技術條件QZT（專批、專技、專人、專機、專料、專檢、?？?，QZJ8406）按類型分規(guī)范：元器件的總規(guī)范和詳細規(guī)范，統(tǒng)稱產品規(guī)范標準：試驗和測嵐標準、質呈保證大綱和生產線認證標準、元器件材料和寥件標準、型號命名標準、文字和圖形符號標準等指導性

2、技術文件：指導正確選擇和使用元器件的指南、用丁電子設備可靠性預計的手冊、元器件系列型譜等2.1元器件質量等級元薜件規(guī)范舉例國軍標/國標編號國軍標/國標名稱等效采用的美軍標編號GJB33A-1997半導體分立器件總規(guī)范MIL-S-19500HGJB597A-1996半導體集成電路總規(guī)范MIL.M38510GGJB2438A-2002混合集成電路通用規(guī)范MIL-H-38534CGJB63B-2001有可縊性指標的固體電解質但電容器總規(guī)范MILC39003GJB65B-1999有可縊性指標的電磁繼電器總規(guī)范MIL-R-39016GB/T4589.1-2006半導體器件分立器件和集成電路總規(guī)范NAGB

3、/T89764996膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范NA元器件的產品規(guī)范是元器件生產線認證和元器件鑒定的依據(jù)之一.也是使用方選擇、采購元器件的主要依據(jù)2.1元器件質量等級元薜件標準舉例2.1元器件質量等級元薜件標準舉例 #國軍標/田標編號國軍標/國標名稱等效采用的美軍標編號GJB128A-1997半導體分立器件試駿方法MIL-SrD-750HGJB360A-1996電子及電氣元件試駿方法MIL.rD-202FGJB548B-2005微電了器件試驗方法和程序MIL-STD-SSSDGB-T1772-1979電子元器件失效率試臉方法N/AGJB2649-1996軍用電子元件失效率抽樣方案和程序NA

4、GJB1217-1991電連接器試驗方法MIL-STD-1344AGJB3157-1998半導體分立器件失效分析方法和程序N/AGJB3233-1998半導體集成電路失效分析程序和方法N/AGJB4027A-2006軍用電子元器件破壞性物理分析方法MIL-STD-1580A元器件使用者充分了解上述元器件試驗方法的標準，有助丁深入地學握元器件承受各種應力的能力，并為正確制訂二次篩選或失效分析的規(guī)則提供了參考依據(jù)2.1元器件質量等級國產軍用元賽件的質量認證認證名稱認證依據(jù)認證單位認證通過標志七專審査七專協(xié)議電子五所列入七專目錄質雖:認證國軍標中國軍用電子元器件質量認證委員會列入合格產品目錄(QPL

5、)或合格生產廠目錄(QML)質量認定行業(yè)軍標或法規(guī)性文件行業(yè)制訂的認證單位列入行業(yè)合格產品目錄 2.1元器件質量等級電子元采件央數(shù)率等級失效率等級名稱失效率等級代號最大失效率(1/h)GB/T1772GJB2649亞五級YL3X10-5五級WM105六級LP2七級QRio-7八級BSio-8九級J10汨十級S10譏用失效率來表征可靠性的不足之處：一是貴重、高單價器件難以獲得失效率數(shù)據(jù)，二是失效率不能反映抗惡劣環(huán)境等其它可靠性特性2.1元器件質量等級質量與質量等級質量：元器件在設計、制造、篩選過程中形成的品質特征，可通過質量認證試驗確定質量等級：元器件品質的量化狀態(tài)或水平質量系數(shù)：表征元器件質量

6、等級的定量參數(shù)指標質量保證等級：元器件總規(guī)范規(guī)定的質量等級，用于表征元器件的固有可靠性，亦簡稱質量等級2.1元器件質量等級美軍標g規(guī)范質量分級2.1元器件質量等級美軍標g規(guī)范質量分級 #2.1元器件質量等級質量等級體糸 元器件總規(guī)范體系一質量保證等級國軍標總規(guī)范規(guī)定的器件的質嵐保證等級和有可靠性指標元件的失效率等級不同元器件，等級分法及符號不同用丁元器件生產控制、選擇和采購，與失效率不一定有一一對應的關系元器件可靠性預計體系一質量等級GJB299C-2006（MIL-HDBK-217F）電子設備可靠性預計手冊和GJB/Z108A電子設備非工作狀態(tài)可靠性預計手冊規(guī)定的質呈等級，用質呈系數(shù)刃q表征

7、，反映了同類元器件不同質戢等級的相對質呈差異分為A級、B級、C級（可細分為A1、B2之類的子級）用丁電子設備可靠性預計，與失效率有一一對應的關系2.1元器件質量等級國軍棟g規(guī)范質量分級元器件類別依據(jù)標準質戢分級（從低到高）半導體分立器件GJB33A-L997質雖保證等級：JP（普軍級）、JT（特軍級）.JCT（超特軍級）、JY（宇航級）半導體集成電路GJB597A-1996質呈保證等級：B1級、B級、S級混合集成電路GJB2438A-2002質呈保證等級：H1級、H級、K級仃可靠性指標的元件相應的元件總規(guī)范失效率等級：L（亞五級）.M（五級）.P（六級）.R（七級.S（八級）元器件類別依據(jù)標準

8、質戢分級（從低到高）半導體分立器件MIL-S-19500質雖保證等級：JAN（普軍級）、JANTX（特軍級、JANTXV（超特軍級）、JANS（宇航級）微電路MIL-M-38510質雖保證等級：883級及B級、S級混合集成電路MIL-PRF-38534質雖保證等級：D級.E級、G級、H級、K級半導體集成電路MIL-I-38535質雖保證等級：M級、Q級、V級有可靠性指標的元件相應的元件總規(guī)范失效率等級：L（亞五級）.M（五級）、P（六級）、R（七級）.S（八級）2.1元器件質量等級GJB299C質量分級:單片IC質雖等級質呈要求說明質呈要求補充說明A符合GJB597A列入質雖認證合格產品目錄的

9、S級產品-符合GJB597A列入質雖認證合格產品目錄的B級產品-符合GJB597A列入質雖認證合格產品目錄的B1級產品-符合GB4589.1的III類產品，或經中國電子元器件質雖認證合格的11類產品按QZJ840614840615“七專技術條件組織生產的I、g產品：符合SJ331RI、g類產品B按GJB597A的篩選要求進行篩選的B、質雖等級產品，符合GB4589.1的II類產品按七九0五”七專質雖控制技協(xié)議組織生產的產品：符合SJ33L的II類產品b2符合GB4589.1的I類產品符合SJ331的III類產品iZi*Lj.g2910V5.D2.1元器件質量等級GJE299C質量分級:電阻薜2

10、.1元器件質量等級GJE299C質量分級:電阻薜 2.1元器件質量等級GJE299C質量分級:屁合IC 質盤等級質雖要求說明質呈要求補充說明A符合GJB2438列入鑒定合格制造廠一覽表的K級產品鳥符合GJB2438列入鑒定合格制造廠一覽表的H級產品-A3符合GJB2438列入鑒定合格制造廠一覽表的H1級產品-符合GB8976和GBL1493質雖評定水平為K級產品按QZJ840616混合集成電路“七?！奔夹g條件組織生產的產品BBi符合GB8976和GBL1493質雖評定水平為匚級產品按“七九0五”七專質雖控制技術協(xié)議組織生產的產品；符合SJ820的產品b2符合GB8976和GBL1493質戢評定

11、水平為M級產品2.1兀器件質量等級GJB299C質量分級站體管及二極管質戢等級質雖要求說明質量要求補充說明A符合GJB33A列入質雖認證合格產品目錄的JCT級產品A,符合GJB33A列入質雖認證合格產品13錄的JT級產品A3符合GJB33A列入質雖認證合格產品13錄的JP級產品按QZJ8406LLV七?！奔夹g條件組織生產的產品符合GB45891且經中國電子器件質雖認證委員會認證合格的I【類產品；符合GB45891III類的產品按QZJ8406ir七專技術條件組織生產的產品BBi符合GB45891II類產品，按軍用標準篩選要求等進行篩選的民質雖等級產品按“七九0五”七專質雖控制技術協(xié)議組織生產的

12、產品b2符合GB45891I類產品符合SJ614的產品C低檔產品質城等級質蜃要求說明質蜃要求補充說明AAQ符介GJB244列入質顯認證合格產品目錄的Q級產品Ajl符介GJB244列入質顯認證合格產品目錄的L級產品A*符介GJB244、GJB601、GJB920列入質錨:認證合格產品目錄的產品A.符介GB/T5729、GB7153.GB6663.GB/T10193xGB.T13189.GB/T15654且經中國電子元器件質劇認證委員會認證合格的產品按QZJ840629、QZJ84063(T七?！奔夹g條件組織生產的產品BB.有附加質顯要求的禺質蜃等級的產品按匕九0五”七專質雖控制技術協(xié)議組織生產的

13、產品b2符介GB/T5729、GB6663.GB7153.GB10193、GB/T13189.GB；T15654.SJ1156、SJ1553、SJ1557.SJ1559、SJ2028.SJ2307.SJ2309.SJ2742的產品符合SJ75xSJ904.SJ1329、SJ2308的產品C低檔產品2.1元器件質量等級GJB299C質量分級:瓷介電彖彖質蛋等級質st要求說明質量要求補充說明A%符介GJB924列入質晁認證合格產品目錄的B級產品AQ符介GJB924列入質晁認證合格產品目錄的B級產品Ail符介GJB924列入質晁認證合格產品目錄的L級產品Ajw符介GJB924列入質量認證合格產品目錄

14、的軒級產品符介GJB1314列入質蜃認證合格產品11錄的產品-a2按質量認證標準,經中國電子元器件質員認證委員會認證合格的產品符介QZJ840624”七專技術條件的產品BBj有附加質顯要求的B,質貴等級的產品符合七九0五”七專質量控制技術協(xié)議的產品：b2符合GB2693、GB5968、GB9322、GB9324的產品-C低檔產品2.1元器件質量等級軍用微電路的優(yōu)選等級2.1元器件質量等級軍用微電路的優(yōu)選等級 #2.1元器件質量等級GJBg砒與299C的對比 2.1元器件質量等級質量等級的選擇依據(jù)元器件質量等級選用依據(jù)（產品的用途和特點IA產品在系統(tǒng)中的重要性A產品可靠性分配的指標高低i在電路中

15、失效率較高的元器件GJB/Z299C規(guī)定的質匡等級國軍標總規(guī)范規(guī)定的質顯等級（金七專）單片IC混介IC半導體分立器件有可靠性措標的電容器有可靠性指標的繼電器無可靠性指標的元件AAjSKJCTS(B)sR(Q)、P(L)sM(W)M(五級真)與有可靠性折標的最低一個級別同，例如対干電容器同糾“對于繼電器同A.同其他依次類推A：BHJTGL（亞五級Y）或GGB1H1JP或G無此種表示GGGBBl七九0五”有附加質昴要求的禺質彊等級的產品B2無相應的國軍標等級.執(zhí)行國標或行標的產品CCl無相應的國軍標等級.執(zhí)行行標的產品C2低檔產品，無相應的國軍標等級使用時應依據(jù)III-iii順序選用：I：建立了相

16、應的軍用規(guī)范，并列入軍用電子元器件QPL、QML表的產品，屬于高可靠產品，如美軍S級和B級產品II：已通過軍標要求的部分或全部試驗和檢驗要求（包括100%篩選、質量一致性檢驗等）的產品，屬丁-準高可靠產品，如美軍883級產品III：由各個廠家H行認定、沒有經過高可靠性試驗的一般產品，屈于非高可靠產品2.1元器件質量等級彖易混請的概念舉例工作溫度范圍-軍用：-55+125C工業(yè)用：40+85匕商業(yè)用：+70匕質量等級B1：產品總規(guī)范質雖保證等級，適用丁國產微電路：可靠性預計質厳等級，適用于幾乎所有國產元器件B-1：可靠性預計質嵐等級，適應于美國產集成電路軍品認證J級公：“軍標認證”后所賦予產品的

17、一個質戢等級軍級：口語化表示，可能通過了軍標認證或者某些考核，但也可能是自封的2.2元器件選擇通則寓可霜元器件的特征2.2元器件選擇通則寓可霜元器件的特征 #2.2元器件選擇通則易產生應用可需性問題的器件 對外界應力敏感的器件CMOS電路：對靜電.閂鎖.浪涌嫩感小信號放大器：對過電壓、噪聲、干擾敏感塑料封裝器件：對濕氣、熱沖擊、溫度循環(huán)敏感工作應力接近電路最大應力的器件功率器件：功率接近極限值高壓器件：電壓接近極限值電源電路：電壓和電流接近極限值高頻器件：頻率接近極限值超大規(guī)模芯片：功耗接近極限值無線收發(fā)電路中的發(fā)射機：功率和頻率接近極限值Ccpyng/.ib/2010V5.92.2元器件選擇

18、通則選用元彖件要考慮的十大要素工作溫度范圍：元器件的額定丁作溫度范朗應等丁或寬丁所要經受的匸作溫度范圍電特性：元器件除了滿足裝備功能要求之外，要能經受最大施加的電應力工藝質量與可制造性：元器件工藝穩(wěn)定可控，成品率應高丁規(guī)定值，封裝應能與設備組裝工藝條件相容穩(wěn)定性：在溫度、濕度、頻率、老化等變化的悄況下，參數(shù)變化在允許的范闈內壽命：工作壽命或貯存壽命應不短丁使用它們的設備的預計壽命環(huán)境適應性：應能良好地丁作丁各種使用壞境，特別是如潮熱.鹽霧、沙塵.酸雨、霉菌.輻射.高海拔等特殊壞境失效模式：對元器件的典型失效模式和失效機理應有充分了解可維修性：應考慮安裝、拆卸.更換是否方便以及所需要的工具和熟練

19、等級可用性：供貨商多丁J個，供貨周期滿足設備制造計劃進度.能保證元器件失效時的及時更換要求等1成本：在能同時滿足所要求的性能、壽命和環(huán)境制約條件下，考慮采用性價比高的元器件ftr.tCi7ii.-rt.ciMH制造商認證：生產廠商通過了權威部門的合格認證生產線認證：產品只能在認證合格的專用生產線上生產可靠性檢驗：產品進行并通過了一系列的性能和可靠性試驗，100%篩選和質量一致性檢驗工藝控制水平：產品的生產過程得到了嚴格的控制，能隨時提供全面的統(tǒng)計工藝控制（SPC）數(shù)據(jù)，成品率高標準化程度：產品的生產和檢驗符合國際、國家或行業(yè)通用規(guī)范及詳細規(guī)范要求2.2元器件選擇通則品種型號的優(yōu)丸選用規(guī)則優(yōu)先選

20、用標準的、通用的、系列化的元器件，憤重選用新品種和非標準器件，最大限度地壓縮元器件的品種規(guī)格和承制單位的數(shù)量示例：根抑;MIL-HDBK-217FN2,同等條件F.64位CPU的失效率7j57fit.32位CPU的失效率為28fit優(yōu)先選用列入推薦日錄（合格產品淸單QPL、推薦產品淸單PPL、合格制造商淸單QML等）中的元器件優(yōu)先選用器件制造技術成熟的產品，選用能長期、連續(xù)、穩(wěn)定、大批量供貨且成品率高的定點供貨單位優(yōu)先選用能提供完善的工藝控制數(shù)據(jù)、可靠性應用指南或使用規(guī)范的廠家產品在質量等級相當?shù)脑兲嵯拢瑑?yōu)先選用集成度高的器件，少選用分立器件2.2元器件選擇通則示例:考疾cmos慫片工藝氷平2

21、.2元器件選擇通則示例:考疾cmos慫片工藝氷平 2.2元器件選擇通則元薜件優(yōu)選目錄的制訂 元器件名稱、型號、規(guī)格元器件生產單位A元器件采用標準元器件質量等級元器件主要性能參數(shù)元器件使用環(huán)境元器件封裝形式元器件新舊型號與國內外型號對比元器件錄內容元器件優(yōu)選日錄是根據(jù)不同類型電子設備的可靠性指標要求和使用環(huán)境條件的要求，確定該設備所需的電子元器件的質量等級，擬制該設備的元器件優(yōu)選淸單。在應用時根據(jù)產品各研制階段的實際需要，對元器件優(yōu)選目錄實施動態(tài)管理。/ZiiUiJ.g202.2元器件選擇通則供貨商應提供的可菲性估息詳細規(guī)范及符合的標準（國軍標、國標、行標、企標）認證情況（QPL、QML、PPL

22、、IECQ）質量等級與可靠性水平（失效率、壽命等）可靠性試驗數(shù)據(jù)（加速與現(xiàn)場，環(huán)境與壽命，近期及以往）成品率、工藝控制水平（SPC）和批量生產情況采用的工藝和材料（最好能提供關鍵工藝數(shù)據(jù)和材料參數(shù)指標）使用手冊與操作規(guī)范（典型應用電路、可靠性防護方法等）3別:即b/2010V5.9以集成電路為例：最小線條:0.350.250.180.13um襯底材料:CMOSSOISiGeGaAsSiC互連材料：CuAI（國外先進工藝）AICu（國內現(xiàn)有工藝）3OLD工一殳UJH1.S無機有機ALUMNUM鈍化材料：SiNPSG聚烯亞胺2.2元器件選擇通則示例:考疾cmos慫片工藝氷平2.2元器件選擇通則示例

23、:考疾cmos慫片工藝氷平 #2.2元器件選擇通則元薜件優(yōu)選目錄的制訂 #TIME鏈合材料與引線機械強度的關系Zi.ULJ.g218*汪！t鍵合材料：AuCuAI（Si）電路形式：數(shù)/模分離數(shù)/模合一RF/BB分離RF/BB合一CMOS芯片成壯率與可靠性的01關糸005成品率（有時稱為質雖）：出廠或老化篩選中在批雖器件發(fā)現(xiàn)的合格器件數(shù)可靠性：經歷一年以上的上機時間后的失效器件數(shù)-一般而言，器件的質量與成品率越高，可靠性越好。但質量與成品率相同的器件，可靠性并非完全相同 2.2元器件選擇通則元薜件優(yōu)選目錄的制訂 #2.3常用元器件的選用電阻器電位器電容器二極管晶體管晶閘管VDMOS管集成電路繼電

24、器電池231電阻器示例1：電阻薜引發(fā)失效sPD放大SS-_-lOOOppm*1/週用倆用小于1便碳令成將2.2D-10MQ0.25-1.0W10%+400-900pfW：肚沖低電於金展1（標妙）in-10MH0.125-2.5W/50200ppm代通川/工業(yè)及軍用13便士僉厲膜（離RD1MQ-100m0.5-1W5%*/-3(300ppnT応壓及令用5-N)便fe金,城釉1Q-1(X)MO0.25W2%.5%/-75400ppm/T小尺寸3便土統(tǒng)繞0.1n-33KH2-20W5%.10%大功卒15-15便士(0.0110W-100W.ifi)50使士金幅除（fl!密）5O-iMH0.125-0

25、.4W0.()51%*/-SCjipin/r10-50便上戲統(tǒng)（精密）icig0.1-0.5W0.0!0.1%+/-3I0ppZP：2-20英鎊體金朋（梢甯）1n-200KQ0.33-1W0.0051%/5pjxn/乞電阻利絡及陣列ion-1Mn0.125-0.3W2%/-1003(多電阻10-35便上（毎個元件）4/-50ppmT(*KK)片狀IR電陰OQ-IOMQ0.1-0.5U1%.2%,5%/-!00200ppET：農面安裝SJ合0-2-2便士2.3.1電阻器液誦電路的電阻選用（續(xù)）2.3.1電阻器液誦電路的電阻選用（續(xù)） #2.3.1電阻器綜合比較 失效率金局膜V碳實芯V碳膜V線繞V

26、片式溫度穩(wěn)定性金朋箔線繞金屈膜碳膜抗浪涌能力（電喩兼容性及高頻特性）線繞（存在線圈電感）軸向引線型（存山螺旋切割溝楷電感）片狀（無引線,外形小高阻值（圈數(shù)或槽數(shù)多低阻值（圈數(shù)或槽數(shù)少）K引線短引線無引線外形尺寸大.功率大外形尺寸小.功率小承受過功率能力水泥線繞金屬膜碳膜片式自身噪聲碳膜（不連續(xù)性大）金屬膜線繞片狀金局箔2.3.1電阻器液涌電路的電阻選用可能出現(xiàn)浪涌的電路類型：采用電感負載的開關電路（如開關電源，采用電容負載的開關電路（如CMOS驅動器），晶閘管電路特點：瞬時高電壓（浪涌）.有效值很小.峰峰值很大，平均功率很小，峰值功率很大實例：用RC支路町限制晶閘管開關斷開時出現(xiàn)的浪涌電壓，但

27、電阻本身會承受一個接近于電源電壓的浪涌電壓（見右圖）電阻的選用慎重選用：螺旋切割碳膜或金屬膜電阻（寄生電感大），小型片狀電阻（承受過功率能力?。?，線繞電阻（即使是髙功率的）推薦選用：合成碳實心電阻，金屬釉電阻電阻功率的確定單脈沖電路：電阻允許的最大連續(xù)電壓（LEV,極限發(fā)熱電壓）應高于實際可能產生的脈沖電壓最大值重復脈沖電路：電阻的額定功率應大于脈沖的平均功率Pavge矩形脈沖：Pmv=送（堤脈沖持續(xù)期）RT指數(shù)脈沖：P嚇=是在0.37B勺時間常數(shù)）R2T式中，W是峰值脈沖電壓，/?是電阻的標稱值，T是脈沖周期。231電阻器精確電路的電阻選用電阻網絡輸出（b）同相放大器電阻網絡（a）反相放大器

28、2.3.1電阻器液誦電路的電阻選用（續(xù)）2.3.1電阻器液誦電路的電阻選用（續(xù)） # #2.3.1電阻器綜合比較 #2.3.1電阻器液誦電路的電阻選用（續(xù)）2.3.1電阻器液誦電路的電阻選用（續(xù)） # 2.3.1電阻器綜合比較 #比例放大器：精確的電阻比決定了精確的放大器增益0.5VrwfI0.25ViRR-10V分壓器：精確的電阻比決定了精確的輸出分壓比Ctr./電阻排的特點（與分立電阻比）優(yōu)點：生產加工成本低，組裝容易，一致性好，精度髙，溫度穩(wěn)定性好（如單個電阻的溫度系數(shù)為250,電阻排的溫度系數(shù)為50,電阻排中各個電阻之間的溫度系數(shù)差只有5）缺點：耐壓和功耗相對較低，PCB布局難度和布線

29、長度增加公共型二:;分立型（內邯笛的（b）外疫by何20需要更低阻值JO11OQ:低電阻型金屬般電阻線繞電阻001-100Q:金屈板電阻（低精度.功率用金屈箔電IB（髙粘度）需要更高阻值100MQ:超高電阻型金厲膜電阻（高壓），玻璃電阻（微小電荷檢測）i5W：金厲板電阻（低阻）.金屈輒化膜電阻（高阻）需要更大額定功率520W:水泥電阻20W:電乩金堀佬裝電肌25-100V:片狀電阻(1/161/10W)需要更高耐展V300V:碳膜電陸金履膜電阻&碳槪電阻6*1/4旳300VlkV:絕緣涂層電阻llkV：高用金履膜電阻卜10%:普通碳膜及金屁膜電阻色阻器選用指南5%:氣化金屬膜電阻礙要更髙粘度1

30、士12%:閃膜及薄膜金厲膜電狙.片狀電阻0.10.5%:薄膜金屬膜電阻,高精度線繞電阻200ppmC:普通碳膜及金厲般電阻，金屬板電陽疸10020ppC:氧化金以膜電阻.功率線繞電阻,耳膜金屬膜電阻需翌更小溫度系數(shù)225100ppmeC:薄膜金屈膜電阻線繞電阻4*W/jlIII9ZIW/J0090801706050403020102.3.2電位器預防滑動點開路導玫器件損壞 # #2.3.1電阻器綜合比較 # # #2.3.1電阻器綜合比較 #電阻比方式V。不受&的粘度及溫度系數(shù)的影響.滑動點開路不會影響u但較難用丁高頻電路，肉存在阻抗匹配.相位特性等諸多限制絕對值方式V。受&的梢度及溫度系數(shù)的

31、影響，滑動點開路會使V。達到最大值，有可能使U損壞CGpf；gj.ibyO.XZig,g202.3.2電位器預防滑動點接紐不良導敷器件損壞2.3.2電位器預防滑動點接紐不良導敷器件損壞 #2.3.1電阻器綜合比較 #絕對值方式將電阻調整方式山電阻比方式改為絕對值方式，使問題得以解決D】I0D1電阻比方式可變電阻器滑動點接觸不良f輸出電壓從+5V上升到近+12V-導致耐壓僅為7V的TTL電路全部報廢2.3.2電位器預防滑動點接紐不良導敷器件損壞2.3.2電位器預防滑動點接紐不良導敷器件損壞 # #2.3.1電阻器綜合比較 #2.3.2電位器預防滑動點接紐不良導敷器件損壞2.3.2電位器預防滑動點

32、接紐不良導敷器件損壞 # #2.3.1電阻器綜合比較 #232電位器預防滑動點接紐不良導致性能劣化R=RJkAAAAAAk.輸入場/?!R2輸出r山R/R3決宦放大器增益可變電阻器的滑動片接觸電阻r=0滑動片接觸電陰彫響增益由R2/R1決定放大器増益可變電阻器的滑動片接觸電阻r0但不影響增益較好2.3.2電位器預卩方動噪拓的彩響2.3.2電位器預卩方動噪拓的彩響 # #2.3.2電位器延長弧刷的壽令 作為可變電阻用時，電位器的滑動點要與一端短接，使得流過滑動點（弧刷）的直流電流盡可能地少，從而延長弧刷的壽命正確錯誤2.3.2電位器預防振動或溫度變化劇鬼的環(huán)蛻影響（a）反相放大器（增益為OdB）

33、（b）同相放大器附為20畫2.3.2電位器預卩方動噪拓的彩響2.3.2電位器預卩方動噪拓的彩響 # #2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #2.3.2電位器預卩方動噪拓的彩響2.3.2電位器預卩方動噪拓的彩響 #2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #在振動環(huán)境或者溫度變化劇烈的壞境中，盡獻不要使用町變電阻。如必須使用，也應盡雖減少阻值變化范閑（如上例）。Ccuf；gi.tb/rtdZimzj.g201盡可能將電位器用在大信號一側盡可能將電位器的滑動節(jié)點遠離輸入端（C）合理用法（d）不合理用法2.3.3電容器與電阻彖的不同電容器的種類遠比電阻器多電容器容量的容差比電阻器阻值的容差大，通用電容一般為5%2

34、0%,高介電常數(shù)陶瓷電容器可達-20%+80%電容器的溫度系數(shù)通常高于電阻器的溫度系數(shù)電容器的容量有可能隨工作頻率、工作電壓而變化有的電容器（如電解電容器）具有極性在直流和交流工作狀態(tài)下的額定電壓不同，通常后者低于前者 2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #2.3.3電容器可帶性相關特性:額定電壓與圾性AC儀加KIOOVDCBT定電樂AC電電圧16V12V25V20V50V40V1OOV75V2ODVIOOV25OV150V4OOV200V(30(600V)25OV1000V400V2000VW*Cl(SO/60H)電容器的交流額定電壓V直流額定電壓電解電容器具有極性（C）濕式鉗2.3.3電容器可

35、靠性相關特性:彖量建工作電壓的變化20&特止50溫#補償型）1、B特性測（?子介H備城型）Lku、卜電?0-一、生50V(高;a測莖條牛:B；S1F內1kHz,CH;為1叫Hz.0-20-40-60-801040502030直流電壓/VdcTOOq # 2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #233電谷器可帶性相關特性:彖量陋溫度的變化溫度系數(shù)：每變化單位溫度時阻值的變化比例，單位為ppm/C,或者在操作溫度范圍內電容的百分比變化208020n00118060 # #2.3.2電位器延長弧刷的壽令 # # #2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #彖值稔主性問題2.3.3電容器Gm、=CgxU+最人止容差

36、）x（1+最人止溫度系數(shù)）x（1+最人止電壓系數(shù)）x（l+最人止頻率系數(shù)）x（1+最人止老化系數(shù)）q訶小=5x（l+最人負容差）x（l+掖人負溫度系數(shù)）x（1+掖人負電壓系數(shù)）xd+IiiX負頻率系數(shù)）x（1+巌人負老化系數(shù)） # #2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #實際電容值隨容差、溫度.電壓.頻率和時間的變化鼓大可以達到10倍以上，故不能忽視.尤其是在定時.調諧.振蕩器等對電容值的粘度及穩(wěn)定性要求高的電路中對于不同類型的電容容差和漂移的影響程度是不一樣的。在此例中，聚碳酸酣鼓好.而Z5U多層陽遼電容掖差對于不同類型的電容決定容值變化的關鍵因索是不一樣的.如聚碳酸屬主要受初始容 # #2.3

37、.2電位器延長弧刷的壽令 #差支配而但珠電容在高頻段農現(xiàn)川了址壞的性能乙/Zi*L2.3.3電容器旨諧振問題（續(xù)） 2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #2.3.3電容器自諧振問題捂06BS0.40.10060.040.020.010.2fKM)丿呈容性：理想電容器，乙二X廣丿呈感性：寄生電感L取所致,乙=Xl=j2刃jC切6/億iZi.Lu.g2010V5.92.3.3電容器旨諧振問題（續(xù)） #2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #2.3.3電容器旨諧振問題（續(xù)） # #2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #233電容器不同性質的電彖并朕自諧振頻率若接近或者低于電路的匚作頻率.就會嚴垂影響電容的使用效果

38、（如去耦不同電容器的零區(qū)位置及其變化尖銳程度不一樣。如47uF袒電容的零區(qū)叫能在500Hz而且十分平坦SolOOpFCOG電容的零區(qū)可能會在100MHz而且十分尖銳電容尺寸越小.引線越短，則自感越小，自諧振頻率越高.因此小的.無引線的片狀電容器的自諧振頻率遠高于大的.有引線的電容辭。寄生串聯(lián)電阻越大則零區(qū)底部越平坦.因此電解電容頻率特性的底部較平滑Ctpyncir.ib/Ziiu.g20IOV5.92.3.3電容器旨諧振問題（續(xù)） # #2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #2.3.3電容器旨諧振問題（續(xù)） # #2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #、r%-Zi/、%V%、2-X/Z/川/作用擴大應

39、用頻率范圍避開自諧振頻率所在區(qū)域實例WuFifi電解電容自諧振頻率為1MH乙故不適用于4020MHz時鐘頻率電路的去耦，但可將其與10nF且自諧振頻率為10100MHz的陶瓷或膜電容并聯(lián)使用2.3.3電容器旨諧振問題（續(xù)） # 2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #233電容器可需性相關特性:功鴕電容器的損失部分乙損耗因素（也稱電介質損耗角正切）：tanX電容器阻抗的電阻分雖/電抗分顯，用來表征電容器的損耗2.3.3電容器旨諧振問題（續(xù)） # #2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #2.3.3電容器旨諧振問題（續(xù)） # #2.3.2電位器延長弧刷的壽令 #電彖的串朕233電容器好處：降低單個電容耐受的

40、實際供電電壓，從而增加其性能和壽命問題：即使各個電容的標稱容量相同，但其直流漏電阻也可能有明顯差別，導致各個電容實際承受電壓有較大不同，有可能使個別電容因過壓而損壞對策：給每個電容并接一個泄漏電阻，其阻值小于電容中最小的漏電阻，可使電容的工作電壓額定最大電壓，同時可縮短電源關斷時的放電時間，對安全有利。副作用是會増加整個電路的漏電流，但對于大部分應用（特別是高壓濾波器）是可以接受的RRdc12.3.3電容器非固體電鮮電彖的可帶性問題2.3.3電容器非固體電鮮電彖的可帶性問題 2.3.3電容器電壓記憶效應 二此效應來源于電容器的介質吸收.即介質分子中的偶極子需要時間在電場中排列自己対采樣保持電路

41、影響城大.會導致采樣高電平一采用低電平一保持低電平之后，低電平保持不住不同類型的電容器電壓記憶效應的強弱不同其中聚苯乙烯和聚丙烯電容的介質吸收系數(shù)鼓低.約為0.01%002%“ft2.3.3電容器禽用非電鮮電彖采的特點塑料介質電容聚酯膜電容：容值的溫度系數(shù)小，介質損耗絞大口明顯地隨溫度和丁作頻率變化聚碳酸酯電容，溫度系數(shù)小，介質損耗低，耐熱性好聚丙烯和聚苯乙烯電容：介質損耗極低，溫度系數(shù)為負口不低，耐熱性筮（軟化溫度較75-100X?）陶瓷介質電容COG（NPO）電容：品質最高，溫度系數(shù)接近寥，電容值和損耗因數(shù)（0.001）幾乎不隨電壓或頻率而變化，適丁高穩(wěn)定性應用，但介電常數(shù)較低，電容值范憎

42、受限X5F1X7R電容：介電常數(shù)較高.可以在合理的封裝尺寸內達到1UF,穩(wěn)定性不如COG,損耗也較大，電容值和損耗因索隨電壓和頻率的變化可高達10%。X5R的最高工作溫度為85C,而X7R為125COY5V和Z5U電容：品質最峑溫度系數(shù)高，額定溫度范邯I窄，損耗也大，但介電常數(shù)報高，可做較大容雖電容金屬化紙介電容：溫升小,過功率能力強,與犁料相比，不易H燃.但易吸刪i*iftr./|z.i：v!jfill）漏電大估算公式：漏電流=（0.01-0.03）CVuA,C、V是額定電容.工作電壓與電壓有關：丁作電壓=40%額定電壓f漏電流=10%額定漏電流與溫度有關：最高溫度下的漏電流=10X259下

43、的漏電流功耗大作為濾波器電容時的交變電流IR.通過電容器阻抗的電阻部分ESR會形成功耗f電容器內部的溫升t等效串聯(lián)電PJIESR會隨著工作溫度降到0C以下而急劇增加功耗ftESR最小=ESR2.3.3電容器非固體電鮮電彖的可帶性問題2.3.3電容器非固體電鮮電彖的可帶性問題 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 #2.3.3電容器非固體電鮮電彖的可帶性問題2.3.3電容器非固體電鮮電彖的可帶性問題 # 2.3.3電容器電壓記憶效應 #2.3.3電容器非固體電鮮電彖的可菲性問題（續(xù)1）工作溫度范圍較窄電容隨溫度/而J,工作溫度范刖約為-40C85C（電容變化疑20%損耗隨溫度降低和頻率增高而變得更

44、差壽命有限工作壽命和儲存壽命都有限，因為電介質終會干枯，是少數(shù)兒種不使用就會退化的電子元件之一。長期存放而不極化，AI2O3介質膜有可能退化，導致漏電增加2.3.3電容器可需性的綜合比較 #2.3.3電容器電壓記憶效應 #2.3.3電容器非固體電鮮電彖的可靠性問題（續(xù)2）體積重量大通常是電路中體積最大和質呈最大的元件，抗振動能力較薄弱，因此需小心選擇固定安裝方式，保證其連接端的機械強度（貞覘.0氣ISMftW）盹冷析出亙J濕式祀電解電容器b/C/.tZiiLLJ.g291075.92.3.3電容器可需性的綜合比較 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 #2.3.3電容器可需性的綜合比較 # 2.

45、3.3電容器電壓記憶效應 #燒結型固體鈕電容器結構233電容器固體擔電鮮電彖的好處基本結構：銹二氧化物作為電介質，燒結的袒粉作為陽極與鋁電解電容器相比的特點溫度范I制寬：可達55C125X?漏電流?。杭s為0.01CVUA,可與品質最好的鋁電解電容相比損耗因數(shù)低：0.04-0.1,約比鋁電解電容好兩倍溫度系數(shù)低：電容值在工作溫度范I制內的變化3士15%有可能反極性使用：在某些工作電壓范國內體積?。嚎梢宰龀善瑺铍娙菘煽啃愿撸撼３Ｗ鳛檐娛掠猛緝r格高：肉為袒屬丁稀有金屈失效率：云母V滌綸V聚苯乙烯V玻璃釉V瓷片V密封紙介V金屬化紙介V固體鋰電解V液體袒電解V鋁電解容量穩(wěn)定性與低漏電：固體題電解液體鈕電

46、解鋁電解抗過流過壓能力：無機介質高分子有機介質電解2.3.3電容器主要類型81SSVWSBBlffM1nF*l$jdP50-1500V5%,10%.20%車線性憊用構合5-50ff八5%以上,-55lOOX100pF-15pF631000Vsq&.io編.20%I0QXfic.5EWfnitlose士、3英待丙艸100pF-10j以上,-55im離功*.Mff10便士-1.50奐鎊it苯乙烯10pFFnF30V-630V-125pprnC按近7-50金屬化紙1nF-0.47沙250VAC/20幺-RRMM勿便-1.00英悔M：104220“12V-50V-20%80%(HH通用與HV3便-1.

47、50英鎊1p*47rf*50V-5KV取決十電介質卸hftie.M*30住七-2英的00C/NPO1pF-2?nF50-300V2%.5%.10%O*/-3OWWT敏$與定時(SHC)X7R1460nF50-.200V5%,10%20件10ft七1.50英擁通用甥含與去斤/-15%以上55I25T()Y5V.Z51lrf-1010VJ6V.mn：422.-56%3S便士50V.IOOVJO%以.*iQ85T(Htt)1;J-4700hF6.3*100Vf/-20%-辺用存?zhèn)悶?ft1:-3英鉗埶化檢(0.1產（450V以上）10%30%)與去補(10便t*io英)68000pF)I80體鉗0.

48、1pF-68兩6.3-40V420保島件能20僅上2英傍0.1pF-150kF6.3-35V20%-血用小尺*6便2.3.3電容器可需性的綜合比較 #2.3.3電容器電壓記憶效應 #234硅二極管可帶性相關特性：iv曲線的非理想性理想二極它10V漏電流対溫度皺感：毎升島iocTi倍離散性人：達1個數(shù)址級以上最人正向電流巾可靠性決定：最大允許結溫n最大允許功耗=*喚可承受最大浪涌電流=3070應（浪涌時間833皿）實際二極笹正向壓降耳擊穿電爪創(chuàng)缶基本與溫度無關可承受反向浪涌電壓與正向電流打相關：/fhA時耳.=0：。100mA時V7=L0V與溫度丁右關：變化速率-2mC2.3.3電容器可需性的綜

49、合比較 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 #2.3.3電容器可需性的綜合比較 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 #2.3.4二極管可霜性相關特性:反向漏電流0255075100saacc)2.3.3電容器可需性的綜合比較 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 #2.3.3電容器可需性的綜合比較 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 #反向漏電流隨溫度上升而呈指數(shù)型上升對丁同種型號不同廠商生產的二極管，漏電流可能也會有明顯的差異整流二極管（IN4004）的漏電流甚至可能比小信號二極管IN4148還低漏電流是可靠性敏感參數(shù)之一“：川:f.23.4二極管可需性相關特性:反向恢復數(shù)應23.4二極管可需

50、性相關特性:反向恢復數(shù)應 # 2.3.3電容器電壓記憶效應 #當二極管所加電壓從正偏*轉為反偏Vr時，需要一段時間產生功耗：在反向恢復期間，VrIr形成了一個相當大的功耗，為此專門研制了“快速恢復”二極管，將反向恢復時間從120us減少到0.15-0.2US形成浪涌：在反向恢復期間，極高的di/dt會如果通過電感負載，會在電路中形成很大的浪涌電壓,為此專門研制了di/dt較小的軟恢復”二極管（反向恢復時間）的反向電流Ir來清除結內所有導電的載流子2.3.4二極管有特基二極管優(yōu)點（與pn結二極管相比）正向壓降低：0.40.5V,而pn結二極管為0.6TV,故功耗低，常用在髙效率開關電源或整流器中

51、速度快：無少數(shù)載流子的電荷存儲效應，無反向恢復效應，故常在RF混頻器或髙速轉換器中缺點（與pn結二極管相比）反向漏電流大：比pn結二極管髙一個數(shù)量級左右擊穿電壓做不大：額定值為30-100V,而pn結二極管可以達到1kV以上易受靜電、浪涌而被破壞常規(guī)二極管制肖特基二極管 #2.3.3電容器電壓記憶效應 #溫度系敷ppmV2/*C5mA（在27V以上為2mA）2.43.33.94.75.15.66.28.2101520243339475175686256234二極菅可律性相關特性：穩(wěn)壓二極管溫度糸數(shù)I-1000 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 # # 2.3.3電容器電壓記憶效應 #正溫度系

52、數(shù)區(qū)：以雪刖擊穿為主負溫度系數(shù)區(qū)：以齊納擊穿為主通常在4.75.6V附近具有最低的溫度系數(shù)，故對溫度要求很高的場合可選用該穩(wěn)壓值的器件通常在5.659V附近具有最接近普通二極管正偏電壓的溫度系數(shù)（+2mV/C）,故常用作將密基準二極管3網力灼紅叨也2912.3.5晶閘管誤融發(fā)陽極和陰極之間出現(xiàn)的不期望的dV/dt脈沖，通過陽極與柵極之間不期望的寄生電容C及其柵到陰極的輸入阻抗，在柵極引入總外的電流脈沖i=CdV/dt,有可能導致晶閘管誤觸發(fā)。因此，最大允許的dV/dt是晶閘管的參數(shù)指標之一 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 # # #2.3.3電容器電壓記憶效應 #2.3.5晶I閘管緩沖技術

53、 #2.3.3電容器電壓記憶效應 #晶閘管的負載（如電爐或燈泡的常溫電阻.電機或變壓器的繞組電阻）多為感性，因此希望晶閘管的正向電流變化速率di/dt不能太大，否則可能會燒毀器件在陽極陰極之間并聯(lián)一個C-R-D支路，用丁抑制dV/dt的影響。晶閘管正向電壓不夠高時,D截止，C抑制dV/dt,R限制di/dt：正向電壓較高時,D導通,消除過大的R的不利影響（RRl時，可去除D）Ctpf；gr.iL/r：dZi.Lj.g2010V5.9236晶體管彩響玖極晶體管可需性的因素環(huán)境類別：GB地血艮好.GN1S導邨發(fā)姑井GF1般地面固定.GF2惡劣地面固定.GM1T隱地面移動.GM2WJ烈地而移動.MP

54、fT負NSB潛艇.NS1L船良好艙中.NS1W船普通艙中,NU規(guī)船舲外,AIF匕機用艙.AUFE機無人艙.AIC運輸機用艙.ADC運輸機無人胳SFF宙飛行.ML導彈發(fā)射應用類別：線性放大.邏輯開關島頻.微波工作功率/額定功率T作失效率壞境系數(shù)應用系數(shù)功率系數(shù)結構系數(shù)雙極晶體管2p=九b元E兀00S2兀加C皋木失效率質劇系數(shù)/電氏應力系數(shù)HT+273+A7S|1兀丿J工作電壓丿襲定電壓結構類別:不匹配或互補對.匹配對.達林頓對.雙發(fā)射極.復式發(fā)射極2.3.6晶體管玖極晶體管的安全工作區(qū)最大集電極電流（由電流容量決定）100b邊界10UA)女全作區(qū)二次擊穿邊界最大耗散功率（由最大允許結溫和熱阻決定

55、）二次擊穿功率（由二次擊穿耐量決定）100VCE(V)10最大集電極發(fā)射極電壓（由擊穿電壓決定）3恥叫：WW236晶體管雙極晶體管的電澆增益236晶體管雙極晶體管的電澆增益 # 2.3.3電容器電壓記憶效應 #標準的力圧與集電極電流的關系（歸化值）直流或小信號電流增益隨集電極電流和溫度而變化，設計時不能作為一個穩(wěn)定參數(shù)進入高電流區(qū)或者進入低電流區(qū)，電流增益均要下降，中間的平坦區(qū)的范國對丁不同類型的管子會有所不同電流增益會隨溫度的上升而增加，溫度的下降而減少，最大變化幅度可達23倍2.3.6晶體管JFET優(yōu)點輸入阻抗髙，漏電流小，固有噪聲低，傳輸電壓損失小缺點漏電流隨溫度變化大，70C比室溫大2

56、0倍，125C則要大1000倍，故較少用于軍用電路對輸入電壓的極性及大小有限制，驅動電路的電源電壓必須比輸入信號電壓大幾伏特柵源開啟電壓隨器件可能會有16倍的變化，給偏置電路設計（尤其是低電壓電路設計）帶來困難 2.3.3電容器電壓記憶效應 #2.3.7VDMOSW功率晶體管特性VD(LD)MOSFET功率雙極晶體管IGBT最大額定電壓1kV1kV1.2kV最大額定電流100A500A500A丿咲延遲時間0時導通，使R被短路.從而減少了功耗237VDMOS管液誦電壓的吸收方法:驅動端237VDMOS管液誦電壓的吸收方法:驅動端 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 #237VDMOS管液誦電壓的

57、吸收方法:驅動端237VDMOS管液誦電壓的吸收方法:驅動端 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 #液涌電壓的吸收方法：負栽端3b)并接電阻：但增加功耗并接RC支路：易產生共振并接二極管：可能影響電路速度齊納二極管：箝位電壓應適當237VDMOS管液誦電壓的吸收方法:驅動端237VDMOS管液誦電壓的吸收方法:驅動端 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 #237VDMOS管液誦電壓的吸收方法:驅動端237VDMOS管液誦電壓的吸收方法:驅動端 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 #237VDMOS管自保護VDMOS管237VDMOS管自保護VDMOS管 # 2.3.3電容器電壓記憶效應 #j；

58、gEijjZi*Lj.g22.3.8集成電路可靠性相關特性:想片有嫄區(qū)溫度K是與元器件類型有關的常數(shù)，d是激活能，失效率兄=Kexp-亠“1燈丿L38xl（rUK是玻爾茲曼常數(shù)，卩址絕對溫度有源區(qū)工作溫度每上升10C,多數(shù)元器件的失效率增加1倍（10C規(guī)則，a0.5eV）,因此降低溫度可以提高元器件的可靠性使用功率降低到額定功率的1/2,多數(shù)元器件失效率降低為額定失效率的1/4丄空乂度器件類方72200175C150C100*C金屬殼密対小功率管1005010.1參料封裝小功率管/101密封型運算放大器2051.50.05功率放大集成電路500100200.5TTL集成電路21.20.50.0

59、6 # 2.3.3電容器電壓記憶效應 #2.3.8集成電路可霜性相關特性:功耗與熱阻元器件的溫度T=PD-R+Ta熱阻幾耗散功率&環(huán)境溫度Tk從表面向外對流和輻射從引線傳導在T溫度下因功率消耗PD而產生的熱駅Re是熱源與周圍環(huán)境之間傳熱路徑的有效總電阻周圍環(huán)境溫度 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 # # #2.3.3電容器電壓記憶效應 #熱阻越大，功耗越大，環(huán)境溫度越高，則器件的溫度越高熱阻由元器件散熱能力決定，散熱方式有通過引線或管殼傳導.通過周邊空氣對流.空間輻射s # #2.3.3電容器電壓記憶效應 # #2.3.3電容器電壓記憶效應 #可靠性相關特性:環(huán)境溫度238集成電路外殼溫度

60、（C）垠高允許結溫功率晶體管的最大耗散功率與外殼溫度的關系CGpyf.gr.!l/r.c.iZi.t7*.額逛耗散功率001斜率=熱阻80604020跚806040200 2.3.3電容器電壓記憶效應 #2.3.8集成電路可靠性相關特性:對鐘頻率時鐘頻率越高，動態(tài)功耗越大，同時諧波頻率及幅度也就越高，電磁發(fā)射能力越強，因此在滿足技術指標要求的前提下，應選用最低的時鐘頻率數(shù)字IC能用低速的就不用高速的，高速器件只用在關鍵的地方。如CMOS通用邏輯電路的選用次序為4000系列HC系列AC系列mGOEscnaslope-20dB/decadecornerfrequency(dependsonlltl