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文檔簡介

1、半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體-導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì) (如硅 Si、鍺 Ge)。特性-光敏、熱敏和摻雜特性。本征半導(dǎo)體 純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。兩種載流子 帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。 體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素 (多子是空穴,少子是電 子)。*N 型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素(多子是電子,少子是 空穴)。雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性* 載流子的濃度 -多子濃度決定于雜質(zhì)濃度,少子濃度與溫度有關(guān)。 *體電阻 -通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自

2、身的電阻稱為體電阻。PN 結(jié)* PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?- 正偏導(dǎo)通,反偏截止。* PN 結(jié)的導(dǎo)通電壓 - 硅材料約為 0.60.8V,鍺材料約為 0.20.3V。PN結(jié)的伏安特性. 半導(dǎo)體二極管* 單向?qū)щ娦?正向?qū)?,反向截止? 二極管伏安特性 同結(jié)。* 正向?qū)▔航?硅管 0.60.7V,鍺管 0.20.3V。 *死區(qū)電壓 硅管 0.5V,鍺管 0.1V。分析方法 將二極管斷開,分析二極管兩端電位的高低 :若 V 陽 V 陰( 正偏 ),二極管導(dǎo)通 (短路 );若 V 陽 V 陰( 正偏 ),二極管導(dǎo)通 (短路 );若 V 陽 u-時, uo=+ U om當(dāng) u+u-時, uo=- U

3、om 兩輸入端的輸入電流為零 :i+=i -=0放大電路中的反饋一.反饋概念的建立 開環(huán)放大倍數(shù) 閉環(huán)放大倍數(shù) 反饋深度 環(huán)路增益 : 1當(dāng)時,下降,這種反饋稱為負(fù)反饋。2當(dāng) 時,表明反饋效果為零。3當(dāng) 時, 升高,這種反饋稱為正反饋。 4當(dāng)時, 。放大器處于 “自 激振蕩”狀態(tài)。 二反饋的形式和判斷1. 反饋的范圍 本級或級間。2. 反饋的性質(zhì) 交流、直流或交直流。直流通路中存在反饋則為直流反饋,交流通路中存 在反饋則為交流反饋,交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。反饋的取樣 電壓反饋:反饋量取樣于輸出電壓;具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。(輸出短路時反饋消失) 電流反饋:反饋量取樣于輸出電

4、流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。(輸出短路時反饋不消失)反饋的方式 并聯(lián)反饋:反饋量與原輸入量在輸入電路中以電流形式相疊加。 Rs越大反饋效果越好。 反饋信號反饋到輸入端。串聯(lián)反饋:反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。 Rs越小反饋效果越好。反饋信號反饋到非輸入端。反饋極性 瞬時極性法:(1)假定某輸入信號在某瞬時的極性為正(用 +表示),并設(shè)信號的頻率在中頻 段。(2)根據(jù)該極性,逐級推斷出放大電路中各相關(guān)點的瞬時極性 (升高用 + 表示, 降低用表示)。(3)確定反饋信號的極性。(4)根據(jù) Xi 與 X f 的極性,確定凈輸入信號的大小。 Xid 減小為負(fù)反 饋;Xid 增大為正反

5、饋。三. 反饋形式的描述方法某反饋元件引入級間(本級)直流負(fù)反饋和交流電壓(電流)串 聯(lián)(并聯(lián))負(fù)反饋。四. 負(fù)反饋對放大電路性能的影響1.2.3.提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性擴(kuò)展頻帶減小非線性失真及抑制干擾和噪聲改變放大電路的輸入、輸出電阻串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加 1+AF 倍 并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小 1+AF 倍 電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小 1+AF 倍 電流負(fù)反饋使輸出電阻增加 1+AF 倍. 自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件1. 產(chǎn)生自激振蕩的原因 附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。2. 產(chǎn)生自激振蕩的條件 若表示為幅值和相位的條件則為:信號的運算與處理分析依據(jù) “虛斷 ”和“虛短一 . 基本運算電路1.

6、 反相比例運算電路R2 =R1/Rf2. 同相比例運算電路R2=R1/Rf反相求和運算電路R4=R1/R2/R3/Rf同相求和運算電路R1/R2/R3/R4=Rf/R5加減運算電路R1/R2/Rf=R3/R4/R5二 . 積分和微分運算電路1. 積分運算2. 微分運算信號發(fā)生電路一 . 正弦波振蕩電路的基本概念1. 產(chǎn)生正弦波振蕩的條件 (人為的直接引入正反 饋)自激振蕩的平衡條件 :即幅值平衡條件:相位平衡條件:2. 起振條件 :幅值條件 :相位條件 :正弦波振蕩器的組成、分類正弦波振蕩器的組成放大電路 建立和維持振蕩。正反饋網(wǎng)絡(luò) 與放大電路共同滿足振蕩條件。選頻網(wǎng)絡(luò) 以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩

7、。穩(wěn)幅環(huán)節(jié) 使波形幅值穩(wěn)定,且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類(1) RC振蕩器振蕩頻率較低 ,1M 以下;(2) LC 振蕩器振蕩頻率較高 ,1M 以上;(3)石英晶體振蕩器 振蕩頻率高且穩(wěn)定。二. RC正弦波振蕩電路1. RC 串并聯(lián)正弦波振蕩2. RC 移相式正弦波三 . LC 正弦波振蕩電路1. 變壓器耦合式 LC 判斷相位的方法: 斷回路、引輸入、看相2. 三點式 LC 振蕩器電路*相位條件的判斷 “射同基反 ”或 “三步曲法 ”(1) 電感反饋三點式振蕩器 (哈特萊電路 )(2) 電容反饋三點式振蕩器 (考畢茲電路 )(3) 串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點式振蕩器(克拉潑電路)(4)

8、 并聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點式振蕩器(西勒電路)(5) 四 . 石英晶體振蕩電路1. 并聯(lián)型石英晶體振蕩器2. 串聯(lián)型石英晶體振蕩器直流電源振蕩電路振蕩電路2341234一. 直流電源的組成框圖? 電源變壓器:將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓 ? 整流電路:將正負(fù)交替的交流電壓整流成為單方向的脈動電壓。? 濾波電路:將交流成分濾掉,使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。 ? 穩(wěn)壓電路:自動保持負(fù)載電壓的穩(wěn)定。? 二 . 單相半波整流電路 1輸出電壓的平均值 UO(AV) 輸出電壓的脈動系數(shù) S 正向平均電流 ID(AV) 最大反向電壓 URM . 單相全波整流電路 輸出電壓的平均值 UO(AV) 輸出電壓的脈動系數(shù) S 正向平均電流 I D(AV) 最大反向電壓 URM四 . 單相橋式整流電路 UO(AV)、S、ID(AV) 與全波整流電路相同, URM 與半波整流電路相同。 五 . 電容濾波電路 1 放電時間常數(shù)的取值 2.輸出電壓的平均值 UO(AV)輸出電壓的脈動系數(shù) S4 . 整流二極管的平均電流 I D(AV). 三種單相整流電容濾波電路的比較七. 并聯(lián)型穩(wěn)壓電路1. 穩(wěn)壓電路及其工作原理 *當(dāng)負(fù)載不變,電網(wǎng)電壓變化時的穩(wěn)

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