電氣工程及其自動化-《電力電子技術 》復習資料

1、 一卷低頻時主要表現(xiàn)為損耗，在高頻時主要表現(xiàn)為損耗。(開關，通態(tài)，開關)一、選擇題3中頻爐的控制電源主電路一般為單相橋式電流型（并聯(lián)諧振式）逆變電路，其換流1單相半控橋電感性負載電路中，在負載兩端并聯(lián)一個續(xù)流二極管的作用是（ D ）。A、增加晶閘管導電能力；B、抑制溫漂；C、增加輸出穩(wěn)定性；D、防止失控現(xiàn)象產生。2三相橋式 PWM 逆變電路中的六個光耦需要隔離電源的個數為（ C ）方式為負載換流，輸出電流為正弦波)波，輸出電壓為波。(矩形波，4軟開關技術改善了開關的開關條件，在很大程度上解決了硬開關存在的兩個問題。(開關損耗，開關噪聲)和A6 個3三相橋式可控整流電路帶阻感負載時角 的移相范圍

2、是（ B ）A0-120 B0-90 C0-180 D0-1504對于 IGBT 為功率器件的兩電平電壓型三相逆變電路，當控制其各相對直流電源中點電壓波形為方波時，其換流方式為（ AA縱向換流 B橫向換流 C強迫換流5基本 DC-DC 斬波電路中，功率開關器件與輸入直流電源共地的是（ B ）ABUCK 斬波電路 BCuk 斬波電路 C升降壓斬波電路 DZeta 斬波電路6單相交流調壓電路，阻感負載參數為 =0.5， =2mH，其 移相范圍為（ D ）A0180 B27.62180 C30180 D51.49180B 3個C4 個 D1 個三、判斷題1電容濾波三相不可控橋式整流電路帶直流電動機負

3、載時可工作于有源逆變狀態(tài)。（）2零電壓開關準諧振電路使得開關在零電壓時開通，故可選耐壓值低的開關器件。（D電網換流）3在橋式不控整流電路的直流側加感容濾波，屬于采用了無源功率因數校正技術。RL()4當同步信號為鋸齒波的觸發(fā)電路脈沖輸出端懸空時，其輸出電壓為寬脈沖。（）7PN 結正向電流較小時表現(xiàn)為較高的歐姆電阻，正向電流較大時，由于載流子濃度驟升表現(xiàn)為很小的非線性電阻，PN 結的這種特性稱為（ C ）5由于電力 MOSFET 的柵源之間的絕緣層很薄，人手上的靜電就可以將絕緣層擊穿。（）A齊納擊穿8下列器件屬于電壓驅動型功率器件的是（ DASCR BGTO CGTR DIGBT9同步整流電路中通

4、常利用具有低導通電阻性質的（ B ）來替代高頻整流二極管。AIGBT BMOSFET C肖特基二極管 D快恢復二極管B雪崩擊穿C電導調制 D電容效應6穩(wěn)態(tài)工作一個周期，基本斬波電路中電感和電容上的平均電壓均為零。 （）7升降壓斬波電路輸入輸出直流電壓極性相反。（8三相交交直接變頻器一般應用在高速大功率的交流調速電路中。9矩陣式變頻器可獲得單位功率因數，且可使交流電動機在四象限運行。 （10理論上，SPWM 調制方法中自然采用法比規(guī)則采樣法更準確一些。（）10在 PWM 逆變電路的正弦波調制信號為鞍形波的目的在于（ B ）。題號 1答案 2345678910A、消除諧波分量； B、提高直流電壓利

5、用率； C、減少開關次數； D、削弱直流分量。二、填空題四、簡答題1請在空格內寫出下面元件的字母簡稱：晶閘管智能功率模塊 IPM ；功率因數校正 PFC 。2電力電子裝置中的電力電子器件一般工作在；絕緣柵雙極晶體管 IGBT ；狀態(tài)，其功率損耗的主要成因在SCR1、簡述 PWM 技術的理論基礎面積等效原理，SPWM 波一般是怎樣的波形？答：面積等效原理：沖量相等而形狀不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上，其效果基本 相同。SPWM 波形是一系列幅值恒定、脈沖寬度按正弦變化的脈沖波形，其基波為所要輸出的正弦波。I I 45A2d（3）I 0.707I 45AVTd2、解釋逆變失敗的概念和原因。I I

6、 /1.57 20.26T(AV)VT答：逆變失?。孀冾嵏玻耗孀儠r，一旦換相失敗，外接直流電源就會通過晶閘管電路形成短路，或使變流器的輸出平均電壓和直流電動勢變成順向串聯(lián)，形成很大短路電流。逆變失敗的原因：（1）觸發(fā)電路工作不可靠，不能適時、準確地給各晶閘管分配脈沖；（2）晶閘管發(fā)生故障，該斷時不斷，或該通時不通；（3）交流電源缺相或突然消失；（4）換相的裕量角不足，引起換相失敗。裕量系數取 2，則晶閘管的額定電流為：20.26*2=40.52A2、列寫電力變換的 4 種基本類型；每種基本類型列舉一種應用主電路并畫出主電路；詳細論述其中一種主電路的工作過程，并指出該電路存在的問題和改進的思

7、路。答：五、綜合題電力變化的 4 種基本電力電子電路分別為：整流電路，如電容濾波的不可控整流電路（圖a）；逆變電路，如交直交間接變頻器中的逆變環(huán)節(jié)（圖b）；交流變換電路，如單相調功電路（圖 c）；直流斬波電路，如升降壓變換電路等（圖 d）。U2LR1、如圖 1 所示，單相橋式全控整流電路， =200V，負載中 值極大， =2，當 =60ou i iUdId時，試求：（1）作出 、 和 的波形；（2）求輸出整流電壓 ；輸出電流平均值 ；dd2I變壓器二次電流有效值 。（3）設裕量系數為 2，確定晶閘管的額定電流。2（ a ）（ b ）（ c ）（d）實例的系統(tǒng)運行和控制過程存在的問題改進的思路二

8、卷一、單項選擇題（題四.4 圖）（題五.1 圖）（題五.2 圖）1. 為了減小門極損耗，晶閘管正常導通的方法是陽極加正向電壓，門極加（）。A. 正脈沖B. 負脈沖C. 直流解：（1）如圖所示（2）U 0.9U cos 90Vd2I U / R 45Add D. 正弦波D. 50（1-5 A B B D D）二、多項選擇題2. 按器件的可控性分類，普通晶閘管屬于（A. 全控型器件）1. 下列電路中，不可以實現(xiàn)有源逆變的有 （A. 三相半波可控整流電路）B,C,DB. 半控型器件B. 三相橋式半控整流電路C. 單相橋式整流電路C. 不控型器件D. 單相雙半波整流電路外接續(xù)流二極管D. 電壓型器件2

9、. 電壓型逆變電路特點有 （A. 直流側接大電感）B,C,D3. 在 GTR 作為開關的電路中，若在轉換的過程中出現(xiàn)從高電壓小電流到低電壓大電流的現(xiàn)象，則說明晶體管（）。B. 交流側電流接正弦波C. 直流側電壓無脈動D. 直流側電流有脈動A. 失控B. 二次擊穿3. 開關管的驅動電路采用的隔離技術有 （）A,DA. 磁隔離C. 不能控制關斷D. 不能控制開通B. 電容隔離C. 電感隔離D. 光耦隔離4. 單相半波可控整流電阻性負載電路中，控制角的最大移相范圍是4. 整流變壓器漏抗對電路的影響有 （A. 變流裝置的功率因數降低B. 輸出電壓脈沖減?。〢,C,DA. 90C. 電流變化緩和B. 1

10、20C. 150D. 180D. 引起相間短路5. 下列電路中，輸入整流變壓器不存在直流磁化的有 （A. 單相橋式整流電路）A,C,E,FB. 單相半波整流電路C. 單相雙半波整流電路5. 單相 SPWM 逆變器，若開關頻率為 20kHz，調制波頻率為 400Hz，則逆變器輸出 SPWM波形中幅值最高，影響最大的是 ( ) 次諧波含量D. 三相半波整流電路E. 三相橋式有源逆變電路F. 單相雙半波外接續(xù)流二極管三 判斷題A. 5B. 10C. 251. 正弦脈寬調制（SPWM）技術運用于電壓型逆變電路中，改變調制波可改變逆變器輸出電壓頻率 f。 （ ）2. 三相橋式不控整流電路中的共陽極組二極

11、管每隔 1200 度換相一次。 （ ）3. 電流型逆變器其中間直流環(huán)節(jié)以電容器儲能。 （ ） 4. 三相橋式可控整流電路同一相上的兩只晶閘管的觸發(fā)信號相位互差 1800。 （ ）5. 在三相全控橋式有源逆變電路中，直流側輸出電流電壓 Ud=2.34U2cos。（電路中電感 L 足夠大且電流連續(xù)，設變壓器二次側相電壓有效值為 U2）（ ）D. GTO3. 三相全控橋式變流電路工作于有源逆變狀態(tài)，其逆變角的變化范圍為（ ）A. 090B. 0120C. 90180D. 01506. 三相半波可控整流電路中的三個晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差 1800。（ ）7. 恒流驅動電路中抗飽和電路的主要

12、作用是保持在臨界飽和狀態(tài)。（ ）4. 三相全控橋式整流電路中，共陽極組的三只晶閘管的觸發(fā)脈沖相位互差（ ）A. 60oB. 90oC. 120oD. 150o（1、； 2、； 3、； 4、； 5、；6、； 7、）三卷一、 填空題5. 單相半控橋式無續(xù)流二極管帶阻感性負載的整流電路中，整流晶閘管的導通角為A. 60B. 90C. 120D. 1801. 在如下器件：門極可關斷晶閘管（GTO）、電力場效應管（電力MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），單管容量最大的是_，屬于電壓驅動的是2. 單相橋式全控整流電路中，帶純電阻負載時， 角移相范圍為_感負載時， 角移相范圍為_ _；不考慮變壓

13、器漏感的影響，該電路阻_，工作頻率最高的是_屬于電流驅動的是_。_；帶阻6. 單相全控橋式帶電阻性負載電路中，控制角的最大移相范圍是（ ）A. 60B. 90C. 120D. 180感負載且工作于有源逆變時， 角的移相范圍為_。3. 主電路和控制電路進行電氣隔離時，常采用的隔離方法通常有和兩種，其中，脈沖變壓器屬于4. 軟開關通常分為零電壓開關和零電流開關兩類，通常在開關開通時常采，開關關斷時常采用（1、GTO，電力 MOSFET，電力 MOSFET 和 IGBT，GTO；2、0-180 ，0-90 ，90 -180 ；3、。7. 三相全控橋式整流電路中同一相上、下兩只晶閘管觸發(fā)脈沖相位差（

14、）度。A. 60B. 90C. 120D. 180用。oooo光隔離，磁隔離，磁隔離；4、零電壓開關，零電流開關；）二、單項選擇題8. 單相半波可控整流電路，帶電阻負載，控制角的最大移相范圍為（ ）。A. 090B. 0180C. 0120D. 01501. 下列器件中為全控型器件的是（ ）。A. 雙向晶閘管B. 快速晶閘管C. 光控晶閘管D. 功率場效應晶體管9. 晶閘管門極觸發(fā)信號剛從斷態(tài)轉入通態(tài)即移去觸發(fā)信號，能維持通態(tài)所需要的最小陽極電流，稱為（ ）。A. 維持電流2. 下列器件中，（ ）最適合用在小功率，高開關頻率的變換器中。A. GTRB. IGBTC. MOSFETB. 擎住電流

15、 C. 浪涌電流D. 額定電流逆變失敗的原因：（1）觸發(fā)電路工作不可靠，不能適時、準確地給各晶閘管分配脈沖；（2）晶閘管發(fā)生故障，該斷時不斷，或該通時不通；（3）交流電源缺相或突然消失；（4）換相的裕量角不足，引起換相失?。┪濉⒎治鲎鲌D題1. 畫出 Boost 電路的原理圖并寫出該電路電壓的輸入輸出關系。C. 增大正弦控制電壓頻率D. 增大正弦控制電壓幅值(1-5 D C A C D 6-10 D D B B D)三、判斷題電力電子技術就是使用電力電子器件對電能進行變換和控制的技術。 （）1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.電力 MOSFET 的通態(tài)電阻具有負的溫度系數，所以并聯(lián)時比較容

16、易。RC 吸收回路可以吸收晶閘管瞬間過電壓，起到動態(tài)均壓的作用。電容濾波三相不可控橋式整流電路的負載越重電流越容易連續(xù)。（T1U E Et1o晶閘管相控整流電路中，晶閘管的開關頻率遠大于工頻電源的頻率。 （全控型電壓型逆變電路的每個功率開關器件需要反向并聯(lián)一個二極管。（off2.補畫出SPWM 規(guī)則采樣法的輸出波形圖，并推導占空比的公式（設三角波負峰滯環(huán)比較方式的 PWM 逆變電路中，開關管的開關頻率是固定的。（時刻為 tD，調制度為）。變頻器采用諧振直流環(huán)可以使所有逆變開關器件工作于零電壓開通。 （有源功率因數校正（APFC）電路可以改善開關電源輸入側功率因數。 （晶閘管直流電動機系統(tǒng)的電流不連續(xù)時，電機的機械特性變軟。（(1、； 2、； 3、； 4、； 5、； 6、； 7、； 8、