太陽(yáng)電池量子效率課件

R&DCenterYANTAOGAO太陽(yáng)電池量子效率R&DCenter太陽(yáng)電池量子效率提綱量子效率的基本概念量子效率測(cè)試儀的基本結(jié)構(gòu)量子效率的分析與用途

a太陽(yáng)光譜b單晶硅對(duì)光的吸收特性c量子效率曲線的定性分析

d外量子效率和電池短路電流密度e偏置光在量子效率中應(yīng)用

f偏壓在量子效率中應(yīng)用d各種太陽(yáng)電池的量子效率對(duì)比4.物理實(shí)驗(yàn)室量子效率測(cè)試儀的功能

提綱量子效率的基本概念廣義的量子效率：光敏器件產(chǎn)生的電荷載流子數(shù)目與外部入射到光敏性表面的一定能量的光子數(shù)目之比外量子效率(ExternalQuantumEfficiency,EQE)，太陽(yáng)能電池的電荷載流子數(shù)目與外部入射到太陽(yáng)能電池表面的一定能量的光子數(shù)目之比。內(nèi)量子效率(InternalQuantumEfficiency,IQE)，太陽(yáng)能電池的電荷載流子數(shù)目與外部入射到太陽(yáng)能電池表面的沒(méi)有被太陽(yáng)能電池反射回去的，沒(méi)有透射過(guò)太陽(yáng)能電池的，一定能量的光子數(shù)目之比。

量子效率的基本概念廣義的量子效率：光敏器件產(chǎn)生的電荷載流子數(shù)光源斬波器濾光片光路電路量子效率測(cè)試儀的基本結(jié)構(gòu)Xe燈光譜與太陽(yáng)光譜斬波器的作用其實(shí)是為鎖相放大器提供一個(gè)參比信號(hào)，以便于鎖相能夠識(shí)別出微弱的光電流光源斬波器濾光片光路電路量子效率測(cè)試儀的基本結(jié)構(gòu)Xe燈光譜與單晶硅電池的吸收波段（200nm到1200nm)太陽(yáng)光譜單晶硅電池的吸收波段（200nm到1200nm)太陽(yáng)光譜波長(zhǎng)小于400nm的光在厚度0.01um的硅中，就被全部吸收；波長(zhǎng)大于1000nm的光在175um的硅中沒(méi)有被完全吸收；單晶硅對(duì)光的吸收特性波長(zhǎng)小于400nm的光在厚度0.01um的硅中，就被全部吸Si單晶硅對(duì)光的吸收過(guò)程透射光成為反射光的一部分反射光Si單晶硅對(duì)光的吸收過(guò)程透射光成為反射光的一部分反射光在175um厚度電池波長(zhǎng)小于1000nm的光基本沒(méi)有透射，IQE和EQE的差別反映的是前表面減反射膜和硅表面陷光結(jié)構(gòu)狀況波長(zhǎng)大于1000nm的光有透射，IQE和EQE的差別反映的是前表面減反射膜，硅表面陷光結(jié)構(gòu)狀況，電池背表面的鈍化情況沒(méi)有透射光譜有透射光譜尾巴翹曲程度反映背表面的鈍化和增反射情況量子效率的定性分析在175um厚度電池沒(méi)有透射光譜有透射光譜尾巴翹曲程度反映背外量子效率和電池短路電流密度短路電流密度電流與QE的關(guān)系公式外量子效率和電池短路電流密度短路電流密度電流與QE的關(guān)系公式QE應(yīng)用實(shí)例分析Figure5:Internalquantumefficienciesforthelong-wavelengthrangeofhigh-efficiencyLFC-PERC-typecellsapplyingdifferentrearsurfacepassivationlayers.QE應(yīng)用實(shí)例分析Figure5:Internalqu偏置光在量子效率中的應(yīng)用實(shí)例鈍化偏置光過(guò)剩載流子偏置光在量子效率中的應(yīng)用實(shí)例鈍化偏置光過(guò)剩載流子偏壓在量子效率中的應(yīng)用實(shí)例非晶硅薄膜電池實(shí)例偏壓在量子效率中的應(yīng)用實(shí)例非晶硅薄膜電池實(shí)例不同種類(lèi)的太陽(yáng)電池光譜響主要不同：光譜響應(yīng)波段相同波段利用率不同種類(lèi)的太陽(yáng)電池光譜響主要不同：實(shí)驗(yàn)室量子效率測(cè)試儀功能IQEEQE反射率波長(zhǎng)范圍：300nm-1400nm最短測(cè)量步長(zhǎng)：5nm偏置光：0到3太陽(yáng)偏壓：-2.5V到2.5V實(shí)驗(yàn)室量子效率測(cè)試儀功能IQEEQE反射率ThankYouThankYouR&DCenterYANTAOGAO太陽(yáng)電池量子效率R&DCenter太陽(yáng)電池量子效率提綱量子效率的基本概念量子效率測(cè)試儀的基本結(jié)構(gòu)量子效率的分析與用途

a太陽(yáng)光譜b單晶硅對(duì)光的吸收特性c量子效率曲線的定性分析

d外量子效率和電池短路電流密度e偏置光在量子效率中應(yīng)用

f偏壓在量子效率中應(yīng)用d各種太陽(yáng)電池的量子效率對(duì)比4.物理實(shí)驗(yàn)室量子效率測(cè)試儀的功能

提綱量子效率的基本概念廣義的量子效率：光敏器件產(chǎn)生的電荷載流子數(shù)目與外部入射到光敏性表面的一定能量的光子數(shù)目之比外量子效率(ExternalQuantumEfficiency,EQE)，太陽(yáng)能電池的電荷載流子數(shù)目與外部入射到太陽(yáng)能電池表面的一定能量的光子數(shù)目之比。內(nèi)量子效率(InternalQuantumEfficiency,IQE)，太陽(yáng)能電池的電荷載流子數(shù)目與外部入射到太陽(yáng)能電池表面的沒(méi)有被太陽(yáng)能電池反射回去的，沒(méi)有透射過(guò)太陽(yáng)能電池的，一定能量的光子數(shù)目之比。

量子效率的基本概念廣義的量子效率：光敏器件產(chǎn)生的電荷載流子數(shù)光源斬波器濾光片光路電路量子效率測(cè)試儀的基本結(jié)構(gòu)Xe燈光譜與太陽(yáng)光譜斬波器的作用其實(shí)是為鎖相放大器提供一個(gè)參比信號(hào)，以便于鎖相能夠識(shí)別出微弱的光電流光源斬波器濾光片光路電路量子效率測(cè)試儀的基本結(jié)構(gòu)Xe燈光譜與單晶硅電池的吸收波段（200nm到1200nm)太陽(yáng)光譜單晶硅電池的吸收波段（200nm到1200nm)太陽(yáng)光譜波長(zhǎng)小于400nm的光在厚度0.01um的硅中，就被全部吸收；波長(zhǎng)大于1000nm的光在175um的硅中沒(méi)有被完全吸收；單晶硅對(duì)光的吸收特性波長(zhǎng)小于400nm的光在厚度0.01um的硅中，就被全部吸Si單晶硅對(duì)光的吸收過(guò)程透射光成為反射光的一部分反射光Si單晶硅對(duì)光的吸收過(guò)程透射光成為反射光的一部分反射光在175um厚度電池波長(zhǎng)小于1000nm的光基本沒(méi)有透射，IQE和EQE的差別反映的是前表面減反射膜和硅表面陷光結(jié)構(gòu)狀況波長(zhǎng)大于1000nm的光有透射，IQE和EQE的差別反映的是前表面減反射膜，硅表面陷光結(jié)構(gòu)狀況，電池背表面的鈍化情況沒(méi)有透射光譜有透射光譜尾巴翹曲程度反映背表面的鈍化和增反射情況量子效率的定性分析在175um厚度電池沒(méi)有透射光譜有透射光譜尾巴翹曲程度反映背外量子效率和電池短路電流密度短路電流密度電流與QE的關(guān)系公式外量子效率和電池短路電流密度短路電流密度電流與QE的關(guān)系公式QE應(yīng)用實(shí)例分析Figure5:Internalquantumefficienciesforthelong-wavelengthrangeofhigh-efficiencyLFC-PERC-typecellsapplyingdifferentrearsurfacepassivationlayers.QE應(yīng)用實(shí)例分析Figure5:Internalqu偏置光在量子效率中的應(yīng)用實(shí)例鈍化偏置光過(guò)剩載流子偏置光在量子效率中的應(yīng)用實(shí)例鈍化偏置光過(guò)剩載流子偏壓在量子效率中的應(yīng)用實(shí)例非晶硅薄膜電池實(shí)例偏壓在量子效率中的應(yīng)用實(shí)例非晶硅薄膜電池實(shí)例不同種類(lèi)的太陽(yáng)電池光譜響主要不同：