半導(dǎo)體器件物理II必背公式+考點(diǎn)摘要_第1頁
半導(dǎo)體器件物理II必背公式+考點(diǎn)摘要_第2頁
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文檔簡(jiǎn)介

文檔半二復(fù)習(xí)筆記1.1 MOS結(jié)構(gòu)費(fèi)米勢(shì)：禁帶中心能級(jí)(EFi)與費(fèi)米能級(jí)(EF)之差的電勢(shì)表示2. 表面勢(shì)：半導(dǎo)體表面電勢(shì)與體電勢(shì)之差，體 EFi和表面EFi之差的電勢(shì)表示金半功函數(shù)差P溝道閾值電壓文檔注意faifn是個(gè)負(fù)值1.3MOS原理1.MOSFET非飽和區(qū)IV公式跨導(dǎo)定義：VDS一定時(shí)，漏電流ID隨VGS變化率，反映了VGS對(duì)ID的控制能力提高飽和區(qū)跨導(dǎo)途徑文檔襯底偏置電壓VSB>0，其影響背柵定義：襯底能起到柵極的作用。VSB變化，使耗盡層寬度變化，耗盡層電荷變化；若VGS不變，則反型溝道電荷變化，漏電流變化1.4頻率特性MOSFET頻率限制因素：①溝道載流子的溝道運(yùn)輸時(shí)間（通常不是主要的限制因素）②柵電容充放電需要時(shí)間截止頻率：器件電流增益為1時(shí)的頻率高頻等效模型如下：文檔柵極總電容 CG看題目所給條件。若為理想，CgdT為0，CgsT約等于Cox，即CG=Cox；非理想情況即柵源、柵漏之間有交疊，產(chǎn)生寄生電容：①

CgdT的

L為交疊部分長(zhǎng)度②CgsT的L為L(zhǎng)+交疊部分長(zhǎng)度（ CgsT=Cgs

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