標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 17473.3-1998 是一項(xiàng)中國國家標(biāo)準(zhǔn)，專注于厚膜微電子技術(shù)領(lǐng)域中使用的貴金屬漿料的測試方法，特別是對方阻（也稱方形電阻）的測定進(jìn)行了規(guī)定。該標(biāo)準(zhǔn)旨在為行業(yè)內(nèi)貴金屬漿料的質(zhì)量控制和性能評估提供統(tǒng)一的測試流程與評價(jià)依據(jù)。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽

  1. 范圍：標(biāo)準(zhǔn)明確了其適用對象為厚膜微電子技術(shù)中使用的各類貴金屬漿料，如金、銀、鉑等材料的漿料。重點(diǎn)在于規(guī)定了這些漿料在印刷、燒結(jié)后形成的導(dǎo)電膜的方阻測量方法。

  2. 術(shù)語和定義：對方阻及相關(guān)的專業(yè)術(shù)語進(jìn)行明確定義，確保測試過程中的概念清晰無誤。

  3. 原理：簡述了方阻測定的基本物理原理，即通過測量導(dǎo)體的電阻值并結(jié)合其幾何尺寸（通常是面積和長度）來計(jì)算電阻率的一種方法。這對于評估導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性能至關(guān)重要。

  4. 試驗(yàn)條件：詳細(xì)規(guī)定了進(jìn)行方阻測試時(shí)所需的環(huán)境條件，如溫度、濕度等，以及試樣制備的具體要求，包括漿料的印刷方式、燒結(jié)條件等，以保證測試結(jié)果的可重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

  5. 試驗(yàn)設(shè)備與儀器：列舉了實(shí)施方阻測試所需的各種設(shè)備和儀器，如四探針測試儀、精密電阻計(jì)等，并對這些設(shè)備的精度和校準(zhǔn)要求做出了說明。

  6. 試驗(yàn)步驟：詳細(xì)描述了從試樣制備到方阻測量的全過程，包括但不限于試樣的裁剪、清潔、接觸探針的放置、電阻的測量以及數(shù)據(jù)處理方法。

  7. 結(jié)果計(jì)算與表達(dá)：提供了方阻計(jì)算公式，并對方阻值的表示方式、單位及精度要求進(jìn)行了規(guī)范，確保測試結(jié)果的標(biāo)準(zhǔn)化表達(dá)。

  8. 試驗(yàn)報(bào)告：規(guī)定了試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包含的信息內(nèi)容，如樣品信息、測試條件、所用設(shè)備、測試結(jié)果及任何偏離標(biāo)準(zhǔn)操作程序的說明，以確保測試的透明度和可追溯性。

實(shí)施意義

該標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施有助于提升厚膜微電子行業(yè)中貴金屬漿料質(zhì)量的一致性和可靠性，為制造商、用戶及第三方檢測機(jī)構(gòu)提供了統(tǒng)一的測試基準(zhǔn)，促進(jìn)技術(shù)交流與產(chǎn)品互認(rèn)，同時(shí)也有助于推動(dòng)該領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 17473.3-2008
  • 1998-08-19 頒布
  • 1999-03-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 17473.3-1998厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定_第1頁
GB/T 17473.3-1998厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定_第2頁
GB/T 17473.3-1998厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定_第3頁
GB/T 17473.3-1998厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定_第4頁
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文檔簡介

!CS77.040.01H21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T17473.3-1998厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定Testmethodsofpreciousmetalpastesusedforthickfilmnmicroelectronicseterminationoffsheetresistance1998-08-19發(fā)布1999-03-01實(shí)施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國園家標(biāo)準(zhǔn)厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料試方法方阻測定GB/T17473.3-1998中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：10X45電話：63787337、637874471999年3月第一版2005年1月電子版制作書號：155066·115491版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：（010）68533533

GB/T17473.3-1998前方阻是貴金屬漿料的一個(gè)重娶參數(shù)，也是漿料在產(chǎn)品生產(chǎn)、科研和使用中質(zhì)世控制的一個(gè)重要指標(biāo)。目前我國尚未制定出漿料方阻的測試方法標(biāo)準(zhǔn)，也沒有查閱到有關(guān)該測試方法的國際標(biāo)準(zhǔn)或國外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)主要參照有關(guān)的技術(shù)資料,結(jié)合對漿料的方阻測最實(shí)際情況而制定的。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A是標(biāo)準(zhǔn)的附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由昆明貴金屬研究所負(fù)責(zé)起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：陳一、金勿毀。

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定GB/T17473.3-1998Testmethodsofpreciousmetalpastesusedforthickfilmmicroelectronics-Determinationofsheetresistance1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了貴金屬漿料方阻的測試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于貴金屬燒結(jié)型漿料方阻的測定。非貴金屬漿料亦可參照使用2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí).所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。GB/T2421—1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總則GB/T8170—1987數(shù)值修約規(guī)則3原理將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片上，經(jīng)燒成后，膜層在一定溫度及其厚度、寬度不變的情況下，其電阻與膜層帶的長度成正比。通過測量規(guī)定膜層長度下的電阻，可計(jì)算出方阻，4材料4.1試樣基片為Al.O），含量不少于95%的陶瓷基片，其表面粗糙度范圍為0.5～1.5m(在測量距離為10mm的條件下測量)。5儀器與設(shè)備5.1數(shù)字式電阻/電壓多用表，范圍為100g0～100M0,分牌率為6→位有效數(shù)字，可四線量測。5.2超高值絕緣電阻測量儀：范圍為1×10°～1×10"0,精度為±2%。5.3光切顯微測厚儀:最程為0～5mm,精度為0.001mm.5.4厚膜印刷機(jī)。5.5紅外干燥箱:溫度范圍為室溫～300C，控溫精度為士1C。5.6S隧道燒結(jié)爐：溫度范圍為室溫～1000℃，控溫精度為士2

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