標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 17473.6-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 分辨率測定》與《GB/T 17473.6-1998 厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 分辨率測定》相比，主要存在以下幾點(diǎn)差異和更新：

  1. 適用范圍調(diào)整：2008版標(biāo)準(zhǔn)不僅涵蓋了厚膜微電子技術(shù)領(lǐng)域，還擴(kuò)展到了更廣泛的微電子技術(shù)應(yīng)用中，意味著其適用范圍更加寬泛，以適應(yīng)微電子技術(shù)的快速發(fā)展。

  2. 技術(shù)內(nèi)容更新：新標(biāo)準(zhǔn)在分辨率測試的具體方法、儀器設(shè)備要求、樣品制備及測試條件等方面可能引入了更先進(jìn)的技術(shù)和更精確的測量方法，以提高測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。這包括對(duì)分辨率計(jì)算公式、測試參數(shù)的選擇和分析過程的詳細(xì)規(guī)定進(jìn)行了修訂或補(bǔ)充。

  3. 術(shù)語和定義：隨著技術(shù)進(jìn)步，新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)一些專業(yè)術(shù)語給出了新的定義或解釋，確保了術(shù)語的現(xiàn)代性和國際兼容性，便于國內(nèi)外技術(shù)交流。

  4. 精度和誤差要求：2008版標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)測試結(jié)果的精度和允許誤差范圍提出了更嚴(yán)格的要求，反映了對(duì)貴金屬漿料性能控制的更高標(biāo)準(zhǔn)。

  5. 質(zhì)量控制和驗(yàn)證：新標(biāo)準(zhǔn)可能加強(qiáng)了對(duì)測試過程中質(zhì)量控制措施的要求，包括實(shí)驗(yàn)室環(huán)境控制、校準(zhǔn)程序、數(shù)據(jù)處理方法等，以確保測試結(jié)果的可靠性和一致性。

  6. 標(biāo)準(zhǔn)引用更新：鑒于科技進(jìn)步和標(biāo)準(zhǔn)體系的發(fā)展，2008版標(biāo)準(zhǔn)可能引用了更多最新或更相關(guān)的國家標(biāo)準(zhǔn)、國際標(biāo)準(zhǔn)，為測試方法提供了更堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)和依據(jù)。

  7. 格式和表述：按照國家標(biāo)準(zhǔn)編寫規(guī)則的變化，2008版標(biāo)準(zhǔn)在文檔結(jié)構(gòu)、表述方式、圖表設(shè)計(jì)等方面也可能有所改進(jìn)，使之更易于閱讀和執(zhí)行。

這些變化體現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)隨技術(shù)進(jìn)步而進(jìn)行的適時(shí)更新，旨在更好地服務(wù)于微電子行業(yè)對(duì)貴金屬漿料性能評(píng)估的需求。


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  • 2008-03-31 頒布
  • 2008-09-01 實(shí)施
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GB/T 17473.6-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法分辨率測定_第1頁
GB/T 17473.6-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法分辨率測定_第2頁
GB/T 17473.6-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法分辨率測定_第3頁
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文檔簡介

犐犆犛７７．１２０．９９

犎６８

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１７４７３．６—２００８

代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法

分辨率測定

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱狊狅犳狆狉犲犮犻狅狌狊犿犲狋犪犾狊狆犪狊狋犲狊狌狊犲犱犳狅狉

犿犻犮狉狅犲犾犲犮狋狉狅狀犻犮狊—犇犲狋犲狉犿犻狀犪狋犻狅狀狅犳狉犲狊狅犾狌狋犻狅狀

２００８０３３１發(fā)布２００８０９０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜１７４７３．６—２００８

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法》（所有部分），本標(biāo)準(zhǔn)分

為７個(gè)部分：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．１—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法固體含量測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．２—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法細(xì)度測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．４—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法附著力測試；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．５—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法粘度測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法分辨率測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法可焊性、耐焊性測定。

本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第６部分。

本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法分辨率測定》。

本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８相比，主要有如下變動(dòng)：

———將原標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法分辨率測定；

———增加了固化型貴金屬漿料分辨率測定的內(nèi)容；

———原“光刻膜絲網(wǎng)網(wǎng)徑２０２５μｍ不銹鋼絲網(wǎng)”改為“光刻膜絲網(wǎng)，絲網(wǎng)孔徑不大于５４μｍ”；

———增加６．３將印有固化型的試樣按其規(guī)定的工藝要求進(jìn)行靜置、烘干、固化，固化后試樣膜厚控

制在１μｍ～１５μｍ；

———分辨率規(guī)格分級(jí)重新定義為０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ五個(gè)級(jí)別。

本部分由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本部分由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)歸口。

本部分由貴研鉑業(yè)股份有限公司負(fù)責(zé)起草。

本部分起草人：劉成、趙汝云、陳伏生、馬曉峰、劉繼松、朱武勛。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８。

Ⅰ

書

犌犅／犜１７４７３．６—２００８

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法

分辨率測定

１范圍

本部分規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料分辨率的測定方法。

本部分適用于微電子技術(shù)用貴金屬漿料的分辨率測定。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本部分，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本部分。

ＧＢ／Ｔ８１７０數(shù)值修約規(guī)則

３方法提要

漿料用絲網(wǎng)印刷成圖形。圖形按漿料正常使用時(shí)的條件燒結(jié)或固化要求進(jìn)行燒結(jié)或固化，用顯微

鏡在一定的放大倍數(shù)下觀察和測量圖形的膜線寬度和線間距，進(jìn)行漿料分辨率的測定。

４材料

４．１光刻膜絲網(wǎng)，絲網(wǎng)孔徑不大于５４μｍ。

４．２符合不同漿料使用要求的基片?；砻娲植诙炔淮笥冢保郸蹋恚ㄔ跍y距為１０ｍｍ的條件下測

量）。

５儀器與設(shè)備

５．１絲網(wǎng)印刷機(jī)。

５．２紅外烘干機(jī)，最高使用溫度３５０℃，控溫精度±５℃。

５．３隧道式燒結(jié)爐，最高使用溫度１０００℃，控溫精度±１０℃。

５．４電熱鼓風(fēng)式烘箱，最高使用溫度３００℃，控溫精度±５℃。

５．５讀數(shù)顯微鏡，放大倍數(shù)２５Ｘ～１００Ｘ，讀數(shù)精度０．０１ｍｍ以上。

５．６光切測厚儀或電子千分尺，讀數(shù)精度１μｍ以上。

６測定步驟

測試在溫度２０℃～２５℃、相對(duì)濕度４５％～７５％和大氣壓力８６ｋＰａ～１０６ｋＰａ環(huán)境下進(jìn)行。

６．１將樣品攪拌均勻，不得引入雜質(zhì)。用絲網(wǎng)印刷機(jī)在基片上印出圖形，印刷圖案為與表１的膜線寬

度和線間距相等的五組４線條圖形組成。

６．２將印有燒結(jié)型漿料的基片水平放置５ｍｉｎ。用紅外烘干機(jī)在１５０℃～３００℃的條件下烘干，試樣的

烘干膜厚度控制在１０μｍ～３５μｍ。將烘干后的試樣置于隧道燒結(jié)爐內(nèi)，按漿料燒成溫度曲

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