電力電子技術(shù)第3章習(xí)題單相部分

第3章習(xí)題3-1.單相半波可控整流電路對(duì)電感負(fù)載供電，L＝20mH，U2＝100V，求當(dāng)a＝0和60時(shí)的負(fù)載電流Id，并畫出ud與id波形。晶閘管VT導(dǎo)通時(shí)，以下方程成立：解：通解為分段線性化3-1.單相半波可控整流電路對(duì)電感負(fù)載供電，L＝20mH，U2＝100V，求當(dāng)a＝0和60時(shí)的負(fù)載電流Id，并畫出ud與id波形。向負(fù)載輸出的直流電流平均值為考慮初始條件：假設(shè)當(dāng)wt＝0時(shí)，id＝0，解方程，得：①當(dāng)a＝0ud與id波形如下3-1.單相半波可控整流電路對(duì)電感負(fù)載供電，L＝20mH，U2＝100V，求當(dāng)a＝0和60時(shí)的負(fù)載電流Id，并畫出ud與id波形。向負(fù)載輸出的直流電流平均值為考慮初始條件：假設(shè)當(dāng)wt＝60時(shí)，id＝0，解方程，得：②當(dāng)a＝60？ud與id波形如下3-2．圖3-10為具有變壓器中心抽頭的單相全波可控整流電路，問該變壓器還有直流磁化問題嗎？試說明：①晶閘管承受的最大正反向電壓為

；②當(dāng)負(fù)載是電阻或電感時(shí)，其輸出電壓和電流的波形與單相全控橋時(shí)相同。解：

因?yàn)閱蜗嗳煽卣麟娐纷儔浩饕淮蝹?cè)繞組中，正負(fù)半周繞組中電流的方向相反，波形對(duì)稱，一個(gè)周期內(nèi)的平均電流為零，故不會(huì)有直流磁化的問題。最大正向電壓為

。試說明：①晶閘管承受的最大正反向電壓為

；（1）電阻負(fù)載：最大反向電壓為

。最大正反向電壓均為

。試說明：①晶閘管承受的最大正反向電壓為

；（2）電感負(fù)載或阻感（假設(shè)L極大）：②當(dāng)負(fù)載是電阻或電感時(shí)，其輸出電壓和電流的波形與單相全控橋時(shí)相同。電阻負(fù)載：輸出電壓和電流的波形如右圖②當(dāng)負(fù)載是電阻或電感時(shí)，其輸出電壓和電流的波形與單相全控橋時(shí)相同。電感負(fù)載（假設(shè)L極大）：輸出電壓和電流的波形如右圖所示解：3-3．單相橋式全控整流電路，U2＝100V，負(fù)載中R＝2Ω，L值極大，當(dāng)a＝30°時(shí)，要求：①作出ud、id、和i2的波形；②求整流輸出平均電壓Ud、電流Id，變壓器二次電流有效值I2；

③考慮安全裕量，確定晶閘管的額定電壓和額定電流。①ud、id、和i2的波形如右圖所示3-3．單相橋式全控整流電路，U2＝100V，負(fù)載中R＝2Ω，L值極大，當(dāng)a＝30°時(shí)，要求：②求整流輸出平均電壓Ud、電流Id，變壓器二次電流有效值I2；輸出直流平均電壓Ud、電流Id，變壓器二次電流有效值I2分別為晶閘管承受的最大反向電壓為：③考慮安全裕量，確定晶閘管的額定電壓和額定電流。考慮安全裕量，晶閘管的額定電壓為：具體數(shù)值可按晶閘管產(chǎn)品系列參數(shù)選取。③考慮安全裕量，確定晶閘管的額定電壓和額定電流。流過晶閘管的電流有效值為：晶閘管的額定電流為：具體數(shù)值可按晶閘管產(chǎn)品系列參數(shù)選取。解：4．單相橋式半控整流電路，電阻性負(fù)載，畫出整流二極管在一周內(nèi)承受的電壓波形。

二極管的特點(diǎn)：承受正偏電壓時(shí)為低阻狀態(tài)，承受反偏電壓時(shí)為高阻狀態(tài)。解：3-5．單相橋式全控整流電路，U2=200V，負(fù)載中R=2Ω，L值極大，反電勢(shì)E=100V，當(dāng)a=45時(shí)，要求：

①畫出ud、id和i2的波形；

②求整流輸出平均電壓Ud、電流Id，變壓器二次側(cè)電流有效值I2；③考慮安全裕量，確定晶閘管的額定電壓和額定電流。①ud、id和i2的波形為整流輸出平均電壓Ud、電流Id，變壓器二次側(cè)電流有效值I2分別為3-5．單相橋式全控整流電路，U2=200V，負(fù)載中R=2Ω，L值極大，反電勢(shì)E=100V，當(dāng)a=45時(shí)，要求：

②求整流輸出平均電壓Ud、電流Id，變壓器二次側(cè)電流有效值I2。③考慮安全裕量，確定晶閘管的額定電壓和額定電流。晶閘管承受的最大反向電壓為：考慮安全裕量，晶閘管的額定電壓為：具體數(shù)值可按晶閘管產(chǎn)品系列參數(shù)選取。流過晶閘管的電流有效值為：晶閘管的額定電流為：具體數(shù)值可按晶閘管產(chǎn)品系列參數(shù)選取。解：3-6.晶閘管串聯(lián)的單相半控橋（橋中VT1、VT2為晶閘管），電路如圖3-12所示，U2=100V，電阻電感負(fù)載，R=2Ω，L值很大，當(dāng)a=60時(shí)求流過器件電流的有效值，并作出ud、id、iVT、iVD的波形。ud、id、iVT、iD的波形如下圖已知：U2=100V，電阻電感負(fù)載