標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 35306-2017 硅單晶中碳、氧含量的測(cè)定 低溫傅立葉變換紅外光譜法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),主要規(guī)定了使用低溫傅立葉變換紅外光譜法(FTIR)來(lái)測(cè)定硅單晶材料中碳和氧元素含量的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于評(píng)估半導(dǎo)體級(jí)硅單晶中的雜質(zhì)水平,對(duì)于保證硅材料的質(zhì)量具有重要意義。

在該標(biāo)準(zhǔn)下,測(cè)試過(guò)程首先需要將樣品制備成適合測(cè)量的形式,通常為薄片狀,并確保其表面清潔無(wú)污染。隨后,在特定條件下對(duì)樣品進(jìn)行處理,包括但不限于退火等步驟,以促進(jìn)內(nèi)部原子狀態(tài)的變化,使得通過(guò)紅外光譜能夠更準(zhǔn)確地檢測(cè)到碳氧缺陷或化合物的存在。接著,利用低溫環(huán)境下的傅立葉變換紅外光譜儀收集數(shù)據(jù),分析不同波長(zhǎng)處吸收峰的位置及強(qiáng)度變化,從而定量計(jì)算出樣品中碳和氧的具體濃度值。


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  • 2017-12-29 頒布
  • 2018-07-01 實(shí)施
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GB/T 35306-2017硅單晶中碳、氧含量的測(cè)定低溫傅立葉變換紅外光譜法_第1頁(yè)
GB/T 35306-2017硅單晶中碳、氧含量的測(cè)定低溫傅立葉變換紅外光譜法_第2頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS77040

H17.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35306—2017

硅單晶中碳氧含量的測(cè)定

低溫傅立葉變換紅外光譜法

Testmethodforcarbonandoxygencontentofsinglecrystalsilicon—

Lowtemperaturefouriertransforminfraredspectrometry

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T35306—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位昆明冶研新材料股份有限公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司宜昌南玻硅材

:、、

料有限公司新特能源股份有限公司亞洲硅業(yè)青海有限公司青海黃河上游水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司

、、()、

新能源分公司陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張?jiān)茣燀n小月毛智慧趙建為劉曉霞王桃霞田洪先劉明軍銀波劉國(guó)霞

:、、、、、、、、、、

蔡延國(guó)秦榕童孟錢津旺楊紅燕

、、、、。

GB/T35306—2017

硅單晶中碳氧含量的測(cè)定

、

低溫傅立葉變換紅外光譜法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)定硅單晶中代位碳間隙氧雜質(zhì)含量的方法

、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于的型硅單晶和室溫電阻率大于的型硅

0.1Ω·cmN0.5Ω·cmP

單晶中代位碳間隙氧雜質(zhì)含量的測(cè)定

、。

本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)定碳氧含量的有效范圍從14-3到硅中代位碳和間隙氧的

、5×10atoms·cm(0.01ppma)

最大固溶度

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定

GB/T8170

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

分子光譜有關(guān)術(shù)語(yǔ)

ASTME131(Standardterminologyrelatingtomolecularspectroscopy)

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264ASTME131。

31

.

背景光譜backgroundspectrum

在紅外光譜儀中無(wú)樣品存在的情況下使用單光束測(cè)量獲得的譜線通常包括氮?dú)饪諝獾刃畔?/p>

,,、。

32

.

參比光譜referencespectrum

參比樣品的光譜對(duì)于雙光束儀器參比光譜是直接將參比樣品放置于樣品光路讓參比光路空著

。,,

獲得的對(duì)于傅立葉變換紅外光譜儀及其他單光束儀器參比光譜是將參比樣品的光譜扣除背景光譜后

,,

得到的結(jié)果

33

.

樣品光譜samplespectrum

測(cè)試樣品的光譜對(duì)于雙光束儀器樣品光譜是直接將樣品放置于樣品光路讓參比光路空著獲得

。,,

的對(duì)于傅立葉變換紅外光譜儀及其他單光束儀器樣品光譜是將樣品的光譜扣除背景光譜后得到的

,,

結(jié)果

。

34

.

基線baseline

從測(cè)量圖譜中碳氧吸收峰的兩側(cè)最小

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