第5章場(chǎng)效應(yīng)管放大電路

掌握內(nèi)容：FET特性的比較理解內(nèi)容：FET的特性及參數(shù)了解內(nèi)容：JFET的結(jié)構(gòu)、工作原理；重點(diǎn)：NMOSFET及其共源放大電路（CS電路）難點(diǎn)：N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理本章學(xué)時(shí)：55場(chǎng)效應(yīng)管（Fieldeffecttransistor）放大電路

引言場(chǎng)效應(yīng)管

FET

(FieldEffectTransistor)類型：結(jié)型

JFET

(JunctionFieldEffectTransistor)定義：一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的半導(dǎo)體。金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET(MetalOxideSemiconductortypeFieldEffectTransistor)。(a)

輸入電阻高，可達(dá)107~1015W。(b)

起導(dǎo)電作用的是多數(shù)（一種,電子或空穴）載流子，又稱為單極型晶體管。(c)

體積小、重量輕、耗電省、壽命長(zhǎng)。(d)

噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)和制造工藝簡(jiǎn)單。(e)

在大規(guī)模集成電路制造中得到了廣泛的應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管的主要特點(diǎn)

JFET的直流輸入電阻雖然一般可達(dá)106∽109Ω，由于這個(gè)電阻從本質(zhì)上說(shuō)是PN結(jié)的反向電阻，PN結(jié)反向偏置時(shí)總會(huì)有一些反向電流存在，這就限制了輸入電阻的進(jìn)一步提高。與JFET不同，MOSFET是利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)進(jìn)行工作的，也稱為表面場(chǎng)效應(yīng)器件。由于它的柵極處于不導(dǎo)電（絕緣）狀態(tài)，所以輸入電阻大為提高，可達(dá)1015

Ω。

N（電子型）溝道

P（空穴型）溝道N溝道P溝道MOSFET耗盡型D型增強(qiáng)型E型分類：按導(dǎo)電溝道形成機(jī)理不同

5.1

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場(chǎng)效應(yīng)管

(Metal-Oxide-SemiconductortypeFET)

5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFETgsdN+N+

SiO2絕緣層AlB（襯底引線）P結(jié)構(gòu)示意圖1.結(jié)構(gòu)

1、結(jié)構(gòu)與符號(hào)P型襯底(摻雜濃度低)N+N+用擴(kuò)散的方法制作兩個(gè)N區(qū)在硅片表面生一層薄SiO2絕緣層SD用金屬鋁引出源極S和漏極DG在絕緣層上噴金屬鋁引出柵極GB耗盡層S—

源極

SourceG—

柵極

Gate

D—漏極

DrainSGD襯底由于柵極與源極、漏極均無(wú)電接觸，故稱絕緣柵極，N溝道增強(qiáng)符號(hào)如右圖，箭頭方向表示由P指向N。垂直短線代表溝道，短畫線表明在未加適當(dāng)柵壓之前漏極和源極之間無(wú)導(dǎo)電溝道。2.工作原理

電路連接圖PN+sgdN+–++–（1）vGS

=0,vDS≠0

沒(méi)有導(dǎo)電溝道此時(shí)不管vDS極性如何，始終有一個(gè)PN結(jié)反偏，iD=0PN+sgN+iD=0d–++–漏極和襯底間PN結(jié)反偏，漏源之間的電阻很大，沒(méi)有形成導(dǎo)電溝道，iD=0。PN+sgN+iD=0d–++–(2)vGS

>0,vDS

=0,出現(xiàn)N型溝道在正的柵源電壓作用下，產(chǎn)生垂直向下的電場(chǎng)PN+sgN+iD=0g–++–電場(chǎng)排斥空穴，留下不能移動(dòng)的負(fù)離子吸引P型硅表面的電子形成耗盡層PN+sgN+iD=0d–++–這種在VGS=0時(shí)沒(méi)有導(dǎo)電溝道，依靠sg電壓的作用，形成感生溝道的FET稱為增強(qiáng)型FET。當(dāng)vGS

=VT時(shí)電子在柵極附近的P型硅的表面形成一個(gè)N型薄層稱為反型層是柵源正電壓感應(yīng)產(chǎn)生的，也稱感生溝道PN+sgN+iD=0d–++–把在漏源電壓作用下開始導(dǎo)電時(shí)的柵源電壓叫做開啟電壓VT。一旦出現(xiàn)感生溝道，兩個(gè)N型區(qū)連在一起，在正的漏源電壓VDS作用下，產(chǎn)生漏極電流iDPN+sgN+iD>0d–++–vDS(d)溝道反型層呈楔形(b)由于沿溝道有電位梯度溝道厚度源端厚，漏端薄(3)當(dāng)vGS

>VT,vDS>0時(shí)(c)絕緣層內(nèi)不同點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度不同,左高右低(a)外加較小的vDS

時(shí)，

iD隨vDS迅速增大，可變電阻區(qū)。a.vDS繼續(xù)增加溝道變窄PN+sgN+iD>0d–++–vDS反型層變窄b.當(dāng)vGD

=vGS–vDS=VT時(shí)PN+sgN+iD>0d–++–uDS溝道在漏極端夾斷(b)管子預(yù)夾斷(a)iD達(dá)到最大值，飽和區(qū)。c.當(dāng)vDS進(jìn)一步增大PN+SGN+iD>0D–++–uDSPN+sgN+d–++–vDS溝道夾斷區(qū)延長(zhǎng)管子進(jìn)入恒流區(qū)溝道電阻增加，但iD基本不變3．特性曲線

(a)．輸出特性

在柵源電壓VGS一定的情況下，漏極電流iD與漏源電壓VDS之間的關(guān)系。

vDS對(duì)溝道的控制作用vDS和vGS同時(shí)作用時(shí)

vGS一定，vDS變化時(shí)給定一個(gè)vGS

，就有一條不同的iD

–vDS

曲線。3.

V-I特性曲線及大信號(hào)特性方程（1）輸出特性及大信號(hào)特性方程①截止區(qū)當(dāng)vGS＜VT時(shí)，導(dǎo)電溝道尚未形成，iD＝0，為截止工作狀態(tài)。②可變電阻區(qū)

vDS≤（vGS－VT）由于vDS較小，可近似為rdso是一個(gè)受vGS控制的可變電阻

②可變電阻區(qū)

n：反型層中電子遷移率Cox：柵極（與襯底間）氧化層單位面積電容本征電導(dǎo)因子其中Kn為電導(dǎo)常數(shù)，單位：mA/V2③飽和區(qū)（恒流區(qū)又稱放大區(qū)）vGS

>VT

，且vDS≥（vGS－VT）是vGS＝2VT時(shí)的iD

V-I特性：2．轉(zhuǎn)移特性在漏源電壓vDS下，柵源電壓vGS對(duì)漏極電流iD的控制特性。轉(zhuǎn)移特性可以直接從輸出特性上用作圖法求得。

(1)對(duì)于不同的vDS，對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線不同。曲線特點(diǎn)(2)當(dāng)管子工作于恒流區(qū)時(shí)，轉(zhuǎn)移特性曲線基本重合。5.1.2N溝道耗盡型MOSFET

1.

MOS管結(jié)構(gòu)示意圖sgdN+N+SiO2Alb耗盡層（導(dǎo)電溝道）反型層P二氧化硅絕緣層中滲入了大量正離子PN+sdN+VGS=0時(shí)，由于正離子的作用，源區(qū)和漏區(qū)的中間P型襯底上感應(yīng)出較多的負(fù)電荷（電子）形成N型導(dǎo)電溝道g在溝道中感應(yīng)出更多的負(fù)電荷，導(dǎo)電溝道增寬，在vDS的作用下，iD具有更大的數(shù)值。a.PN+sdN++–g在溝道中感應(yīng)的負(fù)電荷減少，導(dǎo)電溝道變窄，漏極電流減小。當(dāng)VGS達(dá)到某值時(shí)，感應(yīng)的負(fù)電荷消失，耗盡區(qū)擴(kuò)展到整個(gè)溝道，溝道完全被夾斷。即使有漏源電壓vDS，也不會(huì)有漏極電流iD，此時(shí)的柵源電壓稱為夾斷電壓（截止電壓）VP(負(fù)值)。b.PN+sdN++–g耗盡型MOS管可以在vGS為正或負(fù)下工作,基本上無(wú)柵流。PN+sdN++–g2.V-I特性曲線及大信號(hào)特性方程

同樣有三個(gè)區(qū)，電流方程和增強(qiáng)型一樣，必須用VP代替VT。輸出特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線飽和區(qū)：

零柵壓的漏極電流，稱為飽和漏極電流。第二個(gè)S表示柵源間短路的意思。5.1.3P溝道MOSFETPMOS管外加的VDS必須是負(fù)值，開啟電壓VT也是負(fù)值。增強(qiáng)型溝道產(chǎn)生條件：

VGS≤VT可變電阻區(qū)與飽和區(qū)的界限：

VDS=VGS-VT5.1.4溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)理想情況下，當(dāng)MOSFET工作于飽和區(qū)時(shí)，漏極電流iD與漏源電壓VDS無(wú)關(guān)。實(shí)際MOS管在飽和區(qū)的輸出特性曲線還應(yīng)考慮VDS對(duì)溝道長(zhǎng)度L的調(diào)制作用。當(dāng)VGS固定，VDS增加時(shí)，iD會(huì)有所增加，輸出特性的每根曲線會(huì)向上傾斜。飽和區(qū)的曲線并不是平坦的.L的單位為m當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時(shí)，＝0，曲線是平坦的。

修正后用溝道長(zhǎng)度調(diào)制參數(shù)λ對(duì)輸出特性的公式進(jìn)行修正。5.1.5MOSFET的主要參數(shù)

一、直流參數(shù)

1、開啟電壓VT(增強(qiáng)型參數(shù))實(shí)際測(cè)試時(shí)，通常令vDS為某一固定值（10v），使iD等于一個(gè)微小的電流（50uA）時(shí)，柵源之間所加的電壓。實(shí)際測(cè)試時(shí)，通常令vDS為某一固定值，使iD等于一個(gè)微小的電流時(shí)，柵源之間所加的電壓。由vGD=vGS

-vDS=VP一、直流參數(shù)

2、夾斷電壓VP(耗盡型參數(shù))

3.飽和漏電流IDSS(耗盡型參數(shù)）通常令vDS=10V,vGS=0V時(shí)測(cè)出的iD就是IDSS，在轉(zhuǎn)移特性上，就是Vgs=0時(shí)的漏極電流。在vGS=0的情況下，當(dāng)|vDS|

>|VP|時(shí)的漏極電流，

4.直流輸入電阻RGS在漏源之間短路的條件下，柵源之間加一定電壓時(shí)的柵源直流電阻。二、交流參數(shù)

1、輸出電阻rds

說(shuō)明了vDS對(duì)于iD的影響，是輸出特性某一點(diǎn)上切線斜率的倒數(shù)。在飽和區(qū)，iD隨vDS改變很小，因此rds的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間。

2.低頻互導(dǎo)（跨導(dǎo)）gm

在vDS等于常數(shù)時(shí)，漏極電流的微小變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓的微變量之比稱為互導(dǎo)（跨導(dǎo)）。反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，相當(dāng)于轉(zhuǎn)移特性上工作點(diǎn)的斜率。當(dāng)管子工作在放大區(qū)時(shí)得管子的跨導(dǎo)它是JFET小信號(hào)建模的重要參數(shù)之一。1.最大漏極電流IDM管子正常工作時(shí)漏極電流允許的上限值。三、極限參數(shù)

2.最大耗散功率PDM

耗散在管子中的功率將變?yōu)闊崮?，使管子的溫度升高。因此受最高工作溫度的限制?/p>

3.最大漏源電壓V（BR）DS指柵源間反向電流開始急劇增加時(shí)的vGS值。V（BR）DS指發(fā)生雪崩擊穿、iD開始急劇上升時(shí)的vDS值。(4)最大柵源電壓V（BR）GS其余參數(shù)見表5.1.1。5.2MOSFET放大電路5.2.1MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算2.圖解分析3.小信號(hào)模型分析1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算（1）簡(jiǎn)單的共源極放大電路（N溝道）共源極放大電路直流通路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算假設(shè)工作在飽和區(qū)，即驗(yàn)證是否滿足如果不滿足，則說(shuō)明假設(shè)錯(cuò)誤須滿足VGS>VT

，否則工作在截止區(qū)再假設(shè)工作在可變電阻區(qū)即假設(shè)工作在飽和區(qū)滿足假設(shè)成立，結(jié)果即為所求。解：例：設(shè)Rg1=60k，Rg2=40k，Rd=15k，試計(jì)算電路的靜態(tài)漏極電流IDQ和漏源電壓VDSQ。VDD=5V，VT=1V，（2）帶源極電阻的NMOS共源極放大電路飽和區(qū)需要驗(yàn)證是否滿足2.圖解分析ＶＧＧ＞ＶＴ，為使場(chǎng)效應(yīng)管工作于飽和區(qū)，VDD足夠大.Rd的作用將漏極電流iD的變化轉(zhuǎn)換成電壓vDS的變化，從而實(shí)現(xiàn)電壓放大．令vi=0,vGS=VGG,在場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線上找出由于負(fù)載開路，交流負(fù)載線與直流負(fù)載線相同實(shí)現(xiàn)放大3.小信號(hào)模型分析如果輸入信號(hào)很小,場(chǎng)效應(yīng)管工作在飽和區(qū)時(shí),和BJT一樣,將場(chǎng)效應(yīng)管也看成一個(gè)雙口網(wǎng)絡(luò),柵極與源極看成入口,漏極與源極看成出口.以N溝道增強(qiáng)型MOS管為例,,柵極電流為零,柵源之間只有電壓VGS存在.設(shè)在飽和區(qū)內(nèi),可近似看成iD不隨vDS變化。3.小信號(hào)模型分析工作在飽和區(qū)的漏極電流：靜態(tài)值（直流）動(dòng)態(tài)值（漏極信號(hào)電流）非線性失真項(xiàng)當(dāng)，vgs<<2(VGSQ-VT)時(shí)，小信號(hào)條件。忽略第三項(xiàng)。（1）低頻小信號(hào)模型考慮到ＮＭＯＳ管的iG=0,柵極－源極間的電阻很大，可看成開路，因此共源極ＮＭＯＳ管的低頻小信號(hào)模型如右圖所示．共源極ＮＭＯＳ管=0，rds＝∞時(shí)的低頻小信號(hào)模型（1）低頻小信號(hào)模型0，rds為有限值的低頻小信號(hào)模型直流分析已求得：

（2）放大電路分析（例5.2.5）小信號(hào)模型ss源電壓增益：（2）放大電路分析（例5.2.6）共漏共漏5.3結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）結(jié)構(gòu)與符號(hào)在一塊N型半導(dǎo)體材料兩邊擴(kuò)散高濃度的P型區(qū)（用P+表示），形成兩個(gè)PN結(jié)。兩邊的P型區(qū)引出兩個(gè)歐姆接觸電極并連在一起稱為柵極。N型本體材料兩端各引出一個(gè)歐姆接觸電極，分別稱為源極和漏極。兩個(gè)PN結(jié)中間的N型區(qū)域稱為導(dǎo)電溝道。箭頭的方向表示柵結(jié)正向偏置時(shí)柵極電流方向由P指向N，所以從符號(hào)上就可識(shí)別d、s之間是N溝道。N溝道JFET

P溝道JFET結(jié)構(gòu)與符號(hào)P溝道JFET工作原理N溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作條件：

在柵極與源極之間加負(fù)電壓(VGS<0)，柵極與溝道之間的PN結(jié)為反偏，柵極電流iG≈0。在漏極、源極之間加一定正電壓(VDS>0)，使N溝道中的多數(shù)載流子(電子)由源極向漏極漂移，形成電流iD。iD的大小受vGS控制。vGS對(duì)iD的控制作用vDS對(duì)iD的影響（1）vGS對(duì)iD的控制作用

a．當(dāng)vGS=0時(shí)NP+P+N型導(dǎo)電溝道sd=0溝道無(wú)變化g為討論方便，先假設(shè)vDS=0

b．vGS由0向負(fù)向增大時(shí)NP+P+N型導(dǎo)電溝道sd=0P+–+(a)在反偏電壓vGS作用下，PN結(jié)的耗盡層加寬(b)導(dǎo)電溝道變窄(c)導(dǎo)電溝道電阻增大gNP+P+N型導(dǎo)電溝道sd=0P+P+(a)PN結(jié)合攏(b)導(dǎo)電溝道夾斷c.vGS增大到某一定值|VP|時(shí)VP——柵源截止電壓或夾斷電壓–+g(c)漏源電阻無(wú)窮大以上分析表明，改變vGS<0的大小，可以有效地控制溝道電阻的大小。若在漏極、源極之間加上固定的正向電壓VDS，則由漏極流向源極的電流iD將受vGS

的控制，|vGS|增大時(shí)，溝道電阻增大，iD

減小。（2）vDS對(duì)iD的影響

NP+P+N型導(dǎo)電溝道sd=0–+ga．vDS=0時(shí)iD=0先從vGS

=0時(shí)開始討論NP+P+N型導(dǎo)電溝道sd=0–+b．0<vDS<|VP|(b)沿溝道有電位梯度，離源極越遠(yuǎn)，柵極與溝道之間的電位差越大,PN結(jié)反偏電壓越大,耗盡層最寬(a)隨著vDS增大，電場(chǎng)強(qiáng)度加大,iD增大vDS(c)耗盡層向N型半導(dǎo)體中心擴(kuò)展，溝道PN結(jié)呈楔形gNP+P+N型導(dǎo)電溝道sd=0–+P+c．vDS=|VP|（b）iD達(dá)到最大值,稱為飽和漏極電流IDSS。第二個(gè)S表示柵源極間短路。

?g耗盡層相遇

稱為預(yù)夾斷vGD=-vDS=VPvGD=vGS-vDS=VPd．vDS>|VP|NP+N型導(dǎo)電溝道sd=0P+–+(a)溝道夾斷區(qū)延長(zhǎng)g(C)

從源極到夾斷處的溝道上，溝道內(nèi)電場(chǎng)基本上不隨VDS改變而變化。iD幾乎不隨vDS的增大而變化，達(dá)到飽和。(b)

夾斷處場(chǎng)強(qiáng)也增大，仍能將電子拉過(guò)夾斷區(qū)形成漏極電流，3．當(dāng)vDS

≥0時(shí)，vGS(〈0）對(duì)溝道的控制作用

a.vDS和vGS將一起改變溝道的寬度c.當(dāng)vGD=|VP|時(shí)溝道出現(xiàn)預(yù)夾斷b.PN結(jié)在漏極端的反偏電壓vGD=

vGS–vDSNP+N型導(dǎo)電溝道sdP+–++–g(1)JFET是利用vGS

所產(chǎn)生的電場(chǎng)變化來(lái)改變溝道電阻的大小。(2)場(chǎng)效應(yīng)管為一個(gè)電壓控制電流器件，iD受VGS控制。(5)在N溝道JFET中，vGS和VP均為負(fù)值。小結(jié)在P溝道JFET中，vGS和VP均為正值。(3)場(chǎng)效應(yīng)管柵極、溝道之間的PN結(jié)是反向偏置的，因此iD≈0,

輸入電阻高。(4)預(yù)夾斷前iD與vGS呈近似線性關(guān)系，預(yù)夾斷后，iD趨于飽和。

4.1.2JFET的特性曲線及參數(shù)1.輸出特性在柵源電壓vGS一定的情況下，漏極電流iD與漏源電壓vDS之間的關(guān)系。(1)

可變電阻區(qū)a.

vDS較小c.

柵源電壓愈負(fù)，輸出特性愈傾斜，漏源間的等效電阻愈大，管子相當(dāng)于受vGS

控制的可變電阻b.

溝道尚未夾斷N溝道JFET輸出特性(2)恒流區(qū)放大區(qū)也稱為飽和區(qū)、線性放大區(qū)。b.vDS≥

|VP|+vGSa.

溝道預(yù)夾斷c.iD幾乎與vDS無(wú)關(guān)d.

iD只受vGS的控制(3)擊穿區(qū)當(dāng)漏源電壓增大到（最大漏源電壓）時(shí)，漏端PN結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，iD

迅速上升。進(jìn)入雪崩擊穿后管子不能正常工作，甚至很快被燒毀。所以管子不允許工作在這個(gè)區(qū)域。a.

vGS＜VP

(4)

截止區(qū)(夾斷區(qū))b.溝道完全夾斷c.

iD≈02．轉(zhuǎn)移特性在一定漏源電壓vDS下，柵源電壓vGS對(duì)漏極電流iD的控制特性。轉(zhuǎn)移特性可以直接從輸出特性上用作圖法求得。管子工作于恒流區(qū)時(shí)函數(shù)表達(dá)式（b）轉(zhuǎn)移特性曲線

式中，O轉(zhuǎn)移特性曲線4．參數(shù)JFET的參數(shù)與耗盡型MOSET與基本相同（見表5.1.1）。4.4場(chǎng)效應(yīng)管放大電路4.4.1FET的直流偏置電路及靜態(tài)分析常用的偏置方式自偏壓電路分壓器式自偏壓電路直流偏置電路由FET組成的放大電路和BJT一樣，要建立合適的Q點(diǎn)。不同的是：FET是電壓控制器件，需要有合適的柵極電壓。1．自偏壓電路和BJT的射極偏置電路相似，在源極接入電阻R，就組成了自偏壓電路。對(duì)耗盡型FET即使在vGS=0時(shí)，也有漏源電流流過(guò)，電容C對(duì)R起旁路作用，稱為源極旁路電容。自偏壓電路靜態(tài)工作點(diǎn)的確定公式法：當(dāng)管子工作于放大區(qū)時(shí)輸入回路方程兩式聯(lián)立可求得。2．分壓器式自偏壓電路在自偏壓電路的基礎(chǔ)上加接分壓電阻后組成的。漏極電源VDD經(jīng)分壓電阻Rg1和Rg2分壓后，通過(guò)Rg3供給柵極電壓VG=Rg2VDD/(Rg1+Rg2)，同時(shí)漏極電流在源極電阻上也產(chǎn)生壓降VS=IDR。2．分壓器式自偏壓電路靜態(tài)工作點(diǎn)的確定VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2)VS=IDRVGS=VG－VS=VG－IDRID=IDSS[1－(VGS/VP)]2VDS=VDD－ID(R+Rd

)

由此可以解出VGS、ID和VDS。[例]在圖示電路中，Rg1

=2kΩ，Rg2

=2kΩ

，VDD=18V，Rd=30kΩ，R=2kΩ，F(xiàn)ET的IDSS=0.5mA、VP=－1V。試確定Q點(diǎn)。[解]當(dāng)管子工作于放大區(qū)時(shí)將有關(guān)數(shù)據(jù)代入上式，得vGSQ

=－0.22ViDQ=0.31mA4.3.3各種FET的特性比較及使用注意事項(xiàng)

見表4.3.1耗盡型增強(qiáng)型當(dāng)時(shí)當(dāng)時(shí)MOSFET符號(hào)增強(qiáng)型耗盡型gsdsgdP溝道gsdN溝道gsd場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)（與雙極型晶體管比較）(1)場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件，即通過(guò)vGS來(lái)控制iD；雙極型晶體管是一種電流控制器件，即通過(guò)iB來(lái)控制iC。(2)場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流幾乎為零，輸入電阻非常高;雙極型晶體管的發(fā)射結(jié)始終處于正向偏置，有一定的輸入電流，基極與發(fā)射極間的輸入電阻較小。(3)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)（一種極性）載流子導(dǎo)電的;在雙極型晶體管中二種極性的載流子（電子和空穴）同時(shí)參與了導(dǎo)電。(4)場(chǎng)效應(yīng)管具有噪聲小、受輻射的影響小、熱穩(wěn)定性較好，且存在零溫度系數(shù)工作點(diǎn)。(5)

場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)對(duì)稱，有時(shí)（除了