模擬電子技術復習試題及答案解析

7、集成運放中常用的偏置電路有電流源、電流源和電流源等。電流負反饋使輸出成一個結，這是制造半導體器件的基礎。7、集成運放中常用的偏置電路有電流源、電流源和電流源等。電流負反饋使輸出成一個結，這是制造半導體器件的基礎。避免產生嚴重的非線形性失真，應使三極管工作在區(qū)內。當三極管的靜態(tài)工作點過分靠近區(qū)性，和型兩大類。6、在本征半導體中加入價元素可形成N型半導體，加入價元素可形成P型半導體。一個RC高通電路聯在一起，可以組成帶阻濾波器。電流，而電感濾波適用于電流。在實際工作中常常將二者結合起來，以便進一步降低成半導體中中存在兩種載流子：和。純凈的半導體稱為，它的導電能力很差。摻有少時容易產生截止失真，當三極管的靜態(tài)工作點靠近區(qū)時容易產生飽和失真。用。半導體二極管工作在區(qū)時，即使流過管子的電流變化很大，管子同時，盡量保留其中的成分。一、填空題：(要求)是半導體，例如一、填空題：(要求)是半導體，例如和等。13集成運算放大器在()狀態(tài)和()條件下，得出兩個重要結論他們是：()和 單相橋式整流電路)中，若輸入電壓V2=30,則輸出電壓Vo=()V若;負載電阻RL=100Ω整,流二極管電流Id(av)=()A。二、選擇題：1、PN結外加正向電壓時，擴散電流_______漂移電流，耗盡層_______。值得擁有降為0.7V。Uo圖。V是NPN管,是硅管還是鍺管),并區(qū)分e、b、c三個電極。是NPN管,是硅管還是鍺管),并區(qū)分e、b、c三個電極。值得擁有EQ\*jc3\*"Font:Arial"\*hps27\o\ad(\s\up15(),)A.飽和失真B.截止失真C.交越失真D.頻率失真A.可能使失真消失C.可能出現波形兩頭都削平的失真。值得擁有路？路？A.共射電路B.共基電路C.共集電路2倍0.5倍4倍A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)]B.-β[(Rc||RL)/rbe]C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)]_______的_方法來解決。_______的_方法來解決。年北京理工大學研究生入學考試“模擬與數字電路”考題)年北京理工大學研究生入學考試“模擬與數字電路”考題) (答案)值得擁有D不會產生線性失真22D不會產生線性失真22某電路有用信號頻率為2KHz，可選用()24與甲類功率放大方式比較，乙類OCL互補對稱功放的主要優(yōu)點是()C產生非線性失真C放大狀態(tài)D線形工作狀態(tài)A低通濾波器B高通濾波器A不用輸出變壓器B不用輸出端大電容電路的輸出電阻為： (答案與提示)B有可能產生幅度失真和相位失真 (答案與提示)B有可能產生幅度失真和相位失真A開環(huán)或正反饋狀態(tài)B深度負反饋狀態(tài)A開環(huán)或正反饋狀態(tài)B深度負反饋狀態(tài)CD無交越失真三、計算題CD無交越失真三、計算題 (1)Rb＝50kΩ時，uO＝？ (2)若T臨界飽和，則Rb≈？值得擁有于多少時晶體管飽和？5、電路如下圖所示，晶體管的＝60，rbb'=100Ω。 (2)設Us＝10mV(有效值)，問Ui＝？Uo＝？若值得擁有66、電路如圖下所示 (1)求出Q點 (2)分別求出 (3)求出Ro。共集電極電路，晶體管的＝80，rbe=1kΩ。；RL＝∞和RL＝3kΩ時電路的A&u和Ri；7、電路如圖P2.13所示，晶體管的bb'bb'化？化 (1)求電路的Q點、A&u、Ri和Ro； (2)若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數發(fā)生變化？如何變圖圖8、電路如下圖所示，判斷反饋類型，并求出輸出與輸入的表達式。值得擁有RR＋UR3RuuOR21I解：利用虛斷及虛短和疊加定理RRR (a)U=u+fu=0;u=fRRRR+Ro1R+RIo1RIff(b)uo=uI(b)uo=uI;u=fuR+R2o2RIfVo入Vi1、Vi2的關系表達式。f_V_VV+_A210、試分別判斷比較器類型，并求出圖(a)、(b)所示各電路的電壓傳輸特性。RR＋uR3URuOR21I(a)同相滯回比較器(b)反相滯回比較器值得擁有((a)電路11、下圖所示電路參數理想對稱，晶體管的β均為50，rbb'=100Ω，UBEQ12、判斷圖(a)所示電路的反饋類型，并估算圖(a所)示負反饋放大器的閉環(huán)電壓增益＋＋URb22＋V1RUoUi－e2－C＋2CVb21eR′CCCCRRRRRRefF21＋Uf－RfR＋Uo－((b)反饋網絡值得擁有114:判斷如圖電路的反饋類型1616、倍壓整流電路如圖所示，求輸出電壓VL2的值。。值得擁有uu10.2k+v18+v1843_0Rf1+vo_R1_9696+v20+v20207_k07_5.1k.9k00RFR1--A--A+ou+i值得擁有、放大電路有哪三種基本分析方法？舉例說明。為結型型和絕緣柵型兩大類。6、在本征半導體中加入5價元素可形成N型半導體，加入3價元素可形成P型半導體。7、集成運放中常用的偏置電路有鏡像電流源、比例電流源和微電流源等。、放大電路有哪三種基本分析方法？舉例說明。為結型型和絕緣柵型兩大類。6、在本征半導體中加入5價元素可形成N型半導體，加入3價元素可形成P型半導體。7、集成運放中常用的偏置電路有鏡像電流源、比例電流源和微電流源等。但各項動態(tài)技術指標。9電、壓負反饋使輸出電壓保持穩(wěn)定因，而減小了放大電路的輸出電阻；而電流負反饋使輸出電流保聯負反饋則減小了輸P行線形放大，避免產生嚴重的非線形性失真，應使三極管工作在放大區(qū)內。當三極管的靜態(tài)工作摻有少在電路中可以起整流和檢波等作用。半導體二極管工作在反向擊穿區(qū)時，即使流過管子的電流變號進點過分靠近截止區(qū)時容易產生截止失真，當三極管的靜態(tài)工作點靠近飽和區(qū)時容易產生飽和失4、場效應管利用柵源之間電壓的電場效應來控制漏極電流，是一種電壓控制器件。場效應管分流串聯式和電流并聯式。10、將一個RC低通電路與一個RC高通電路串聯聯在一起，可以組成帶通濾波器；將一個RC低通電路 四、問答題四、問答題復習題答案說明：將鼠標放在答案兩字位置即有顯示復習題答案說明：將鼠標放在答案兩字位置即有顯示真值得擁有電流。在實際工作中常常將二者結合起來，以便進一步降低脈動成分。電流。在實際工作中常常將二者結合起來，以便進一步降低脈動成分。 (答案))狀態(tài)和()條件下，得出兩個重要結論他們是：()和濾波電路主要由電容、電感等儲能元件組成。電容濾波適用于小負載電流，而電感濾波適用于大負載Av1是()放大器，Av2是()放大器，Av3是()放大器。()極管電流Id(av)=()A。 (答案)二、選擇題：1、PN結外加正向電壓時，擴散電流_______漂移電流，耗盡層_______。 (答案與提示) (答案與提示)降為0.7V。 (答案與提示)圖。值得擁有 (答案與提示)V (答案與提示) (答案)是NPN管,是硅管還是鍺管),并區(qū)分e、b、c三個電極。是NPN管,是硅管還是鍺管),并區(qū)分e、b、c三個電極。 (答案與提示)值得擁有 2V得信號電壓幅度，在選 (答案)A.飽和失真B.截止失真C.交越失真D.頻率失真 (答案與提示) (答案與提示)A.可能使失真消失 (答案與提示)C.可能出現波形兩頭都削平的失真。路？路？值得擁有大的電流，應在這個信號源后面接入A.共射電路B.共基電路C.共集電路 (答案與提示)CCe使β由50改為A.約為原來的2倍B.約為原來的0.5倍C.基本不變D.約為原來的4倍 (答案與提示)A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)]B.-β[(Rc||RL)/rbe]C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)] (答案與提示)_______的_方法來解決。_______的_方法來解決。 (答案) (答案)年北京理工大學研究生入學考試“模擬與數字電路”考題)年北京理工大學研究生入學考試“模擬與數字電路”考題)值得擁有VVB有可能產生幅度失真和相位失真D不會產生線性失真(答案)22某電路有用信號頻率為2KHz，可選用()C輸出電阻大D輸出電阻小 (答案)三、計算題 (答案與提示)電路的輸出電阻為：A低通濾波器B高通濾波器A有可能產生相位失真C產生非線性失真CD無交越失真A輸入電阻大B輸入電阻小C放大狀態(tài)D線形工作狀態(tài) (答案)21.在考慮放大電路的21.在考慮放大電路的頻率失真時。若Ui為正弦波，則Uo()C帶通濾波器D帶阻濾波器A開環(huán)或正反饋狀態(tài)B深度負反饋狀態(tài)(答23A開環(huán)或正反饋狀態(tài)B深度負反饋狀態(tài)A不用輸出變壓器B不用輸出端大電容A不用輸出變壓器B不用輸出端大電容A電流串聯負反饋B電壓并聯負反饋C電流并聯負反饋D電壓串聯負反饋2(6值得擁有 (1)Rb＝50kΩ時，uO＝？ (2)若T臨界飽和，則Rb≈？解：(1)Rb＝50kΩ時，基極電流、集電極電流和管壓降分別為I=VBBUBE=26μABRbI=I=2.6mACBV CSR5cI臨界飽和基極電流：I=CS=29.4ABSR=BBBE=44.2R=BBBE=44.2kbI0.0294值得擁有 (2)當VBB＝1V時，因為VUI=BBBEQ=60μABQRbI=I=3mACQBQu=VIR=9V (3)當VBB＝3V時，因為VU (3)當VBB＝3V時，因為VUI=BBBEQ=160μABQRbI=I=8mACQBQu=VIR＜U所以T處于飽狀。CQCBE4、電路如圖所示，試問β大于多少時晶體管飽和？解：取UCES＝UBE，若管子飽和，則.CCBE=CC.CCBE=CCBERRR=RbC所以，b=100時，管子飽和。C5、電路如下圖所示，晶體管的＝60，rbb'=100Ω。 值得擁有 解：(1)Q點：VUI=beI=I必1.86mAU必VI(R+R)=4.56VCEQCCEQcebebb'IibbeurR=R=3k (2)設 (2)設Us＝10mV(有效值)，則RiR+Rssioui若C3開路，則值得擁有R=R∥[r+(1+)R]必51.3kibbeeuReiR+Rssioui (1)求出Q點； (2)分別求出R (1)求出Q點； (2)分別求出RL＝∞和RL＝3kΩ時電路的A&u和Ri； (3)求出Ro。解：(1)求解 (2)求解輸RL＝∞時RL＝3kΩ時VUI=CCBEQ必32.3μAbeBQR+(1+beI=(1+)I必2.61mAEQBQ入電阻和電壓放大倍入電阻和電壓放大倍數：ibbeeur+(1+)RbeeibbeeLur+(1+)(R∥R)beeL (3)求解輸出電阻：R=R∥sboe1+值得擁有7、電路如圖P2.13所示，晶體管的bb'bb'化？化 (1)求電路的Q點、A&u、Ri和Ro； (2)若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數發(fā)生變化？如何變圖圖解：(1)靜態(tài)分析：RBQR+RCCb1b2UUI=BQBEQ必1mAEQR+RfeIU必VI(R+R+R)=5.7VCEQCCEQcferrmV.73kbebb'Iur+(1+)RbefR=R∥R∥[r+(1+)R]必3.7kib1b2befR=R=5koc 8、電路如下圖所示，判斷反饋類型，并求出輸出輸e入的表達式。值得擁有解：利用虛斷及虛短和疊加定理RRR (a)U=u+fu=0;u=fRRRR+Ro1R+RIo1RIff(b)uo=uI(b)uo=uI;u=fuR+R2o2RIfVo入Vi1、Vi2的關系表達式。f_V_VV+_A2解：416020V=V=V；V=V+V+5i2180i1180O1又因為虛短，則：V=V+36所以：V=V8VO15i2i1365i2i1(a)、((a)、(b)所示各電路的電壓傳輸特性。RRR1＋1＋uURRRI＋uURRRIu22uOO＋u22uOOuUuIRR3R3IRR3(b)反相滯回比較器((b)反相滯回比較器值得擁有uuOOUUO21OuuIIuuOOUUO21OuuIIORu=R2u+R3uR+ROR+R12323當uI值就是閾值,即33_R2UTH1(R)R3R_2UROHTH2(R)R3UU2U(a)同相滯回比較器(b)反相滯回比較器11、下圖所示電路參數理想對稱，晶體管的β均為50，rbb'=100Ω，UBEQ解：RW滑動端在中點時T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流分析如下：值得擁有 RU+I.W+2IR=VBEQEQ2EQeEEEQRW＋2R2eAd和Ri分析如下：bebb'IRA=c必97be212、判斷圖(a)所示電路的反饋類型，并估算圖(a所)示負反饋放大器的閉環(huán)電壓增益12、判斷圖(a)所示電路的反饋類型，并估算圖(a所)示負反饋放大器的閉環(huán)電壓增益ibeW＋＋URb22＋V1RUoUi－e2－C＋2CVb21eR′CCCCRRRRRRefF21＋Uf－RfR＋Uo－(a)電路(b)反饋網絡解由于是串聯電壓負反饋,故Ui≈Uf。由圖(b可)知,輸出電壓Uo經Rf和Re1分壓后反饋至輸入回路,即Uf必UoUUR+RRA=o必o=e1f=1+fufUURR11fe1值得擁有使流過反饋電阻的電流使流過反饋電阻的電流If增加，消減了T1的基極電流，所以為負反饋。 (2)從采樣端，Vo端接，由于T2發(fā)射極電流存在，所以仍有反饋量影響輸入信號，所以構成了電流源，作為T1管發(fā)射極的有源負載。14:判斷如圖電路的反饋類型答：輸入信號加在T1管基極，輸出信號取自T1管發(fā)射極，因此構成了電流源，作為T1管發(fā)射極的有源負載。14:判斷如圖電路的反饋類型解：(1)利用瞬時極性法判斷反饋極性解：(1)利用瞬時極性法判斷反饋極性Vi(Vb1)⊕→Vc1(-)→Vc2⊕→Ve1⊕結論：電壓串聯負反饋。解：(1)判斷反饋極性Vb1⊕→Vc1(-)→Ve2(-)為電流負反饋。值得擁有結論：電流并聯負反饋。 (3)從比較端，由于反饋信號是以電流并聯形式影響輸入信號，所以為并聯負反饋結論：電流并聯負反饋。16、倍壓整流電路如圖所示，求輸出電壓VL2的值。為3V2。為解：(1)當開關K置A，在輸入回路IB×Rb+VBE=Vcc，可得IB=Vcc/Rb=0.3mA (2)當開關K置B，同樣的方法可判斷三級管工作在放大區(qū)，IC=β×IB=1.92mA (3)當開關K置C，三級管工作在截止狀態(tài)，IC=0H數幅頻特性曲線圖。18、已知某共射放大電路的中頻電壓放大倍數為Aum=-1000H數幅頻特性曲線圖。請畫出該放大電路的對答案：20lgA?/dB7值得擁有+v1_+v2_的交越失真等都+v1_+v2_的交越失真等都是非線性失真。消除的辦法是合理設置靜態(tài)工作點和輸入信號范圍，保證晶體管工作在線觸電位差(即歐姆接觸)，所以二者相互抵消。 (U)不是直線。所以只要直流基礎(電路的靜態(tài)工作點Q)不同，則其直流電阻也不同，其交流電阻隨 19、在圖5所示運算放大電路中，已知v1=10mV，v2=30mV，推導輸入輸出表達式，并vo?110.2k430Rf1+voR1U252k5.1k.9k00009867_RRR341問答題：在交直共存的電路中(如放大電路)既有直流基礎又有交流工作狀態(tài)對于非線性器件來說，伏安特性I=f在交直共存的電路中(如放大電路)既有直流基礎又有交流工作狀態(tài)對于非線性器件來說，伏安特性I=fQ不同也發(fā)生變化。三極管模型中等效電阻rbe是交流電阻，注意不能用來進行電路的靜態(tài)工作點計算。Q不同也發(fā)生變化。三極管模型中等效電阻rbe是交流電阻，注意不能用來進行電路的靜態(tài)工作點計算。值得擁有中電抗器件(如耦合電容、旁路電容、極間電容等)，各電路的輸出與輸入間就會存在附加相移，若附加現并滿足電壓疊加的關系)和并聯反饋三個信號以電流形式出現并滿足電流疊加的關系)。在輸出端根據電容量很大(所謂大電容)，而Vi中電抗器件(如耦合電容、旁路電容、極間電容等)，各電路的輸出與輸入間就會存在附加相移，若附加現并滿足電壓疊加的關系)和并聯反饋三個信號以電流形式出現并滿足電流疊加的關系)。在輸出端根據電容量很大(所謂大電容)，而Vi幅值很小，因此可認為在輸入信號Vi變化的一周期內，電容C1兩端的的。消除的辦法是合理選取電路的通頻帶，保證電路的輸入信號頻率范圍處于電路的通頻帶中。相移達到180度或更大，則原來設計的負反饋電路就成為正反饋電路，即反饋極性發(fā)生變化。采樣信號的取法，分為電壓反饋(反饋信號與輸出電壓成正比，并穩(wěn)定輸出電壓)和電流反饋(反饋信號來分析。在輸入端根據輸入信號、凈輸入信號及反饋信號的關系，分為串聯反饋(三個信號以電壓形式出 線性失真也叫頻率失真，是由于電路中存在的電抗器件(如耦合電容、旁路電容、極間電容等)所引起性區(qū)線性失真也叫頻率失真，是由于電路中存在的電抗器件(如耦合電容、旁路電容、極間電容等)所引起A：答：不正A：答：不正確。因為對反饋放大電路的類型應分別從電路的輸入端(也叫比較端)及輸出端(也叫采樣端)與輸出電流成正比，并穩(wěn)定輸出電流)。與輸出電流成正比，并穩(wěn)定輸出電流)。產生自激振蕩。產生自激振蕩。在穩(wěn)壓區(qū)中，沒有R不僅很容易燒壞管子且穩(wěn)壓效果極差，所以，穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路中必須有限流電阻R。在穩(wěn)壓區(qū)中，沒有R不僅很容易燒壞管子且穩(wěn)壓效果極差，所以，穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路中必須有限流電阻R。析方法。析方法。值得擁有值得擁有PNPN進點過分靠近截止區(qū)時容易產生截止失真，當三極管的靜態(tài)工作點靠近飽和PNPN進點過分靠近截止區(qū)時容易產生截止失真，當三極管的靜態(tài)工作點靠近飽和區(qū)時容易產生飽和失3、真半導。體二極管就是利用一個PN結加上”，，與出兩個電極；制成的。它的．–特點是，有：。：很大，管子兩；的電：–：。很”，利用這種特性可以。成。：管。為結型型和–，；型兩大擊。6、在本征半導體中加入5”元素可形成N型半導體，加入3”元素可形成P型半導體。使放大軒數–。Av1是()放大器，Av2是()放大器，Av3是()放大器。13，成；軒放大器在()；態(tài)和()艱件；，恥出兩個重–結。他。是：()和–的電：–」Av=();電流。在．；工作中》》；二者結合起；，以–進一；–：–；成分?！C；,入電。。在．；的，；馱放大電。中，有以；，種基本的；馱.態(tài)：電：。–、、電：；–、、電極管電流Id(av)=()A。性，在電。中可以起.流和–：等作用。半導體二極管工作在；。；；區(qū)時，。使流過管子的電流–4、；．應管利用；馱：畝電：的電；．應；擊制馱極電流，是一種電：擊制器件。；．應管分5、多極放大電?！酚玫?。合；、有三種：。容。合、；擊。合和–：器。合。P結，這是制造半導體器件的基礎。行線形放大，避免產生嚴重的非線形性失真，應使三極管工作在放大區(qū)內。當三極管的靜態(tài)工作 是半導體，例如硅；。：。，；–大了輸出電。。。–，；馱–大了放大電。的輸入電。；；–，；馱。。”了輸；。：。，；–大了輸出電。。。–，；馱–大了放大電。的輸入電。；；–，；馱。?！绷溯?，一個RC–。電。；––在一起，可以.成；。；：器。，一個RC–。電。；––在一起，可以.成；。；：器。()14：。；、.流電。中，–輸入電：14：。；、.流電。中，–輸入電：V2=30,。輸出電：Vo=()V–;，載電。RL=100。.,流二‘–；,二、：––：1、PN結”加_。電：時，；畝電流_______鄭。電流，–––_______?！C；，：；,值得擁有 (答案與提示)降為0.7V。 (答案與提示)Uo圖。 (答案與提示)V值得擁有 (答案與提示) (答案)是NPN管,是硅管還是鍺管),并區(qū)分e、b、c三個電極。是NPN管,是硅管還是鍺管),并區(qū)分e、b、c三個電極。 (答案與提示)擇靜態(tài)工作點時，就應保證|ICQ|≥_______，|VCEQ|擇靜態(tài)工作點時，就應保證|ICQ|≥_______，|VCEQ|≥_______。 (答案)A.飽和失真B.截止失真C.交越失真D.頻率失真 (答案與提示)值得擁有 (答案與提示)削平的飽和失真，在不改變輸入信號的條件下，減小RL的值，將出現什么現象？削平的飽和失真，在不改變輸入信號的條件下，減小RL的值，將出現什么現象？A.可能使失真消失 (答案與提示)C.可能出現波形兩頭都削平的失真。路？路？A.共射電路B.共基電路C.共集電路 (答案與提示)CCe使β由50改為值得擁有電路的輸出電阻為：C產生非線性失真B有可能產生幅度失真和相位失真A.約為原來的2倍B.約為原來的0.5倍C.基本不變D.約為原來的4倍 (答案與提示)A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)]B.-β[(Rc||RL)/rbe]C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)] (答案與提示)_______的_方法來解決。_______的_方法來解決。 (答案) (答案)年北京理工大學研究生入學考試“模擬與數字電路”考題)年北京理工大學研究生入學考試“模擬與數字電路”考題) (答案) (答案與提示)A有可能產生相位失真 (答案與提示)A有可能產生相位失真值得擁有C效率高D無交越失真C效率高D無交越失真C輸出電阻大D輸出電阻小 (答案)三、計算題C放大狀態(tài)D線形工作狀態(tài)A不用輸出變壓器B不用輸出端大電容A低通濾波器B高通濾波器23工作在電壓比較器中的運放與工作在運算電路中的運放的主要區(qū)別是，前者的運放通常工作在()A開環(huán)或正反饋狀態(tài)B深度負反饋狀態(tài)A輸入電阻大B輸入電阻小(答案)(答案)C帶通濾波器D(答案)24與甲類功率放大方式比較，乙類OCL24與甲類功率放大方式比較，乙類OCL互補對稱功放的主要優(yōu)點是()A電流串聯負反饋B電壓并聯負反饋C電流并聯負反饋D電壓串聯負反饋行放大。在負載開路的條件下，測得A放大器的輸出電壓小，這說明A的()2(6行放大。在負載開路的條件下，測得A放大器的輸出電壓小，這說明A的() (1)Rb＝50kΩ時，uO＝？ (2)若T臨界飽和，則Rb≈？值得擁有VUVUI=BBBEQ=60μABQRbI=I=3mACQBQu=VIR=9VOCCCQC所以T處于放大狀態(tài)。 (3)當VBB＝3V時，因為 (2)當VBB＝1V時，因為解：(1)Rb＝50kΩ時，基極電流、集電極電流和管壓降分別為I=VBBUBE=26μABRbI=I=2.6mACBV CSR5cI臨界飽和基極電流：I=CS=29.4ABSR=BBBE=44.2R=BBBE=44.2kbI0.0294VUI=BBBEQ=160μABQRbI=I=8mACQBQu=VIR＜U所以T處于飽和狀態(tài)。所以T處于飽和狀態(tài)。時晶體管飽和？VUVU.CCBE=VUVURRbRRbCbC所以，b=100時，管子飽和。C5、電路如下圖所示，晶體管的＝60，rbb'=100Ω。 (2)設Us＝10mV(有效值)，問Ui＝？Uo＝？若解：(1)Q點：VUI=beI=I必1.86mAU必VI(R+R)=4.56VCEQCCEQce值得擁有bebb'IibbeurR=R=3k (2)設 (2)設Us＝10mV(有效值)，則RiR+Rssioui若C3開路，則R=R∥[r+(1+)R]必51.3kibbeeuReiR+Rssioui (1)求出Q點； (2)分別求出R (1)求出Q點； (2)分別求出RL＝∞和RL＝3kΩ時電路的A&u和Ri； (3)求出Ro。解：(1)求解Q點：值得擁有VUIbeI=(1+)I2.61mAEQBQ (2)求解輸入電 (2)求解輸入電阻和電壓放大倍數：RL＝∞時U=VIR7.17VR=R∥[r+(1+)R]110kibbeeA(1+)Re0.996ur+(1+)RbeeRL＝3kΩ時RRrRR6kibbeeLA(1+)(Re∥RL)0.992ur+(1+)(R∥R)beeL 7、電路如圖P2.13所示，晶體管的＝100，rbb'=100Ω。 (1)求電路的Q點、A&u、Ri和Ro；化？(2)若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數發(fā)生變化？如何變圖圖解：(1)靜態(tài)分析：值得擁有RBQR+RCCb1b2UUI=BQBEQ必1mAEQR+RfeII=EQ必10μABQ1+U必VI(R+R+R)=5.7VCEQCCEQcferrmV.73kbebb'Iur+(1+)RbefR=R∥R∥[r+(1+)R]必3.7kib1b2befR=R=5koc 8、電路如下圖所示，判斷反饋8、電路如下圖所示，判斷反饋類型，并求出輸出與輸入的表達式。解：利用虛斷及虛短和疊加定理RRR (a)U=u+fu=0;u=fRRRR+Ro1R+RIo1RIff(b)uo=uI(b)uo=uI;u=fuR+R2o2RIfVo入Vi1、Vi2的關系表達式。f值得擁有RR＋UR3RuuOR21I _+V+_A2VO解：5i2180i1180O1O15i2i110、試分別判斷比較器類型，并求出圖(a)、(10、試分別判斷比較器類型，并求出圖(a)、(b)所示各電路的電壓傳輸特性。RR＋uR3URuOR21I(a)同相滯回比較器(b)反相滯回比較器RuR2uR3uRROR