《第二單元離子鍵離子晶體》教學(xué)設(shè)計(山西省縣級優(yōu)課)x-化學(xué)教案

內(nèi)容分析：學(xué)生具備了離子鍵、離子半徑、離子化合物等基礎(chǔ)知識，本節(jié)直接給出氯化鈉、氯化銫晶胞，然后在科學(xué)探究的基礎(chǔ)上介紹影響離子晶體結(jié)構(gòu)的因素，通過制作典型的離子晶體模型來進(jìn)一步理解離子晶體結(jié)構(gòu)特點，為學(xué)習(xí)晶格能作好知識的鋪墊。課時劃分：一課時。教學(xué)目標(biāo)：1.了解晶格能的應(yīng)用，知道晶格能的大小可以衡量離子晶體中離子鍵的強(qiáng)弱。2.知道離子化合物的熱穩(wěn)定性與陰、陽離子的半徑和電荷有關(guān)。3.能說出分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)基元以及物理性質(zhì)方面的主要區(qū)別。教學(xué)重點、難點：了解晶格能的應(yīng)用，知道晶格能的大小可以衡量離子晶體中離子鍵的強(qiáng)弱。教學(xué)方法：分析、歸納、討論、探究、應(yīng)用探究建議：①制作典型的離子晶體結(jié)構(gòu)模型。②比較氯化鈉、氯化銫等離子晶體的結(jié)構(gòu)特征。③實驗探究：熔融鹽的導(dǎo)電性。④實驗探究：明礬或鉻鉀礬晶體的生長條件。⑤設(shè)計探究堿土金屬碳酸鹽的熱穩(wěn)定性實驗方案。⑥查閱資料：晶格能與巖漿晶出規(guī)則。教學(xué)過程：[復(fù)習(xí)]1、什么是離子鍵？什么是離子化合物？2、下列物質(zhì)中哪些是離子化合物？哪些是只含離子鍵的離子化合物？3、我們已經(jīng)學(xué)習(xí)過幾種晶體？它們的結(jié)構(gòu)微粒和微粒間的相互作用分別是什么？[過渡]在晶體中，若微粒為離子，通過離子鍵形成的晶體為離子晶體，今天我們來研究離子晶體。[板書]第三章第四節(jié)離子晶體一、離子晶體定義：由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體[解析]（1）結(jié)構(gòu)微粒：陰、陽離子（2）相互作用：離子鍵（3）種類繁多：含離子鍵的化合物晶體：強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物、絕大多數(shù)鹽（4）理論上，結(jié)構(gòu)粒子可向空間無限擴(kuò)展[討論][板書]二、離子晶體的物理性質(zhì)及解釋[講述][板書]硬度較大、難于壓縮、較高的熔點和沸點。[講述][板書]1、定義：是指一個離子周圍鄰近的異電性離子的數(shù)目[板書]2、決定離子晶體結(jié)構(gòu)的主要因素：[科學(xué)探究]離子晶體陰離子的配位數(shù)陽離子的配位數(shù)（2）你認(rèn)為什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù)？利用相關(guān)數(shù)據(jù)計算，并填表：r＋／r－=r＋／r－=[投影]科學(xué)探究參考資料:離子半徑／pm9516918l[板書]（1）幾何因素：晶體中正負(fù)離子的半徑比(r＋／r－)。[講解][板書]（2）電荷因素：正負(fù)離子的電荷比。（3）鍵性因素：離子鍵的純粹程度。[自學(xué)]科學(xué)視野—復(fù)雜的離子晶體熱分解溫度／℃40290011721360陽離子半徑／pm6699112135[板書]四、晶格能1、定義：氣態(tài)離子形成l摩離子晶體釋放的能量，通常取正值。[講解]最能反映離子晶體穩(wěn)定性的數(shù)據(jù)是它們的晶格能。離子晶體的晶格能的定義是氣態(tài)離子形成l摩離子晶體釋放的能量，通常取正值。ab型離子晶體離子電荷晶格能（kj/mol熔點摩氏硬度[討論]分析晶格能大小與晶體穩(wěn)定性關(guān)系。[板書]2、規(guī)律：（1）離子電荷越大，離子半徑越小的離子晶體的晶格能越大。（2）晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定，熔點越高，硬度越大。[作業(yè)]p854、5、6、7、8[板書設(shè)計]第三章第四節(jié)離子晶體一、離子晶體定義由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體二、離子晶體的物理性質(zhì)及解釋硬度較大、難于壓縮、較高的熔點和沸點。1、定義：是指一個離子周圍鄰近的異電性離子的數(shù)目2、決定離子晶體結(jié)構(gòu)的主要因素：（1）幾何因素：晶體中正負(fù)離子的半徑比(r＋／r－)。（2）電荷因素：正負(fù)離子的電荷比。（3）鍵性因素：離子鍵的純粹程度。四、晶格能1、定義：氣態(tài)離子形成l摩離子晶