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silvacoTCAD仿真速成手冊(cè)排行榜收藏打印發(fā)給朋友舉報(bào)發(fā)布者:kongfuzi熱度4票
瀏覽33次時(shí)間:2010年2月26日09:01silvacoTCAD仿真速成手冊(cè)第1章:簡(jiǎn)介
該指南手冊(cè)針對(duì)首次應(yīng)用SILVACOTCAD軟件的新用戶。它旨在幫助新用戶在幾分鐘時(shí)間內(nèi)快速并成功安裝和運(yùn)行該軟件。該指南也演示如何快速有效查看手冊(cè),查找仿真器中使用的所有參數(shù)的解釋和定義。它也參照相應(yīng)章節(jié),來(lái)理解等式以及其使用的根本規(guī)則。關(guān)于進(jìn)一步的閱讀和參考,用戶可參照SILVACO網(wǎng)站的技術(shù)支持部分,那里有豐富的技術(shù)材料和發(fā)表文獻(xiàn)。
第2章:快速入門(mén)
2.1:DeckBuild運(yùn)行時(shí)間環(huán)境窗口
"DeckBuild"是富含多樣特征的運(yùn)行時(shí)間環(huán)境,它是快速熟悉SILVACO的TCAD軟件的關(guān)鍵。Deckbuild主要特征包括:自動(dòng)創(chuàng)建輸入文件、編輯現(xiàn)有輸入文件,創(chuàng)建DOE,強(qiáng)大的參數(shù)提取程序和使得輸入文件中的參數(shù)變量化。更重要的是,DeckBuild包含好幾百個(gè)范例,涵蓋多種電學(xué)、光學(xué)、磁力工藝類型,便于首次使用該工具的用戶。使用入門(mén)用戶可打開(kāi)一個(gè)控制窗口,創(chuàng)建一個(gè)目錄,用于保存該指南范例將創(chuàng)建的臨時(shí)文件。例如,要?jiǎng)?chuàng)建或重新部署一個(gè)名為"tutorial,"的目錄,在控制窗口鍵入:mkdirtutorialcdtutorial然后鍵入下列命令開(kāi)啟deckbuild運(yùn)行環(huán)境:deckbuild屏幕上將出現(xiàn)類似于圖2.1的DeckBuild運(yùn)行時(shí)間環(huán)境。GUI界面包括兩部分:上部窗口顯示當(dāng)前輸入文件,而下部顯示運(yùn)行輸入文件時(shí)創(chuàng)建的輸出。
圖2.1DeckBuild運(yùn)行時(shí)間界面GUI
2.2:載入和運(yùn)行范例
輸入文件可以由用戶創(chuàng)建或者從范例庫(kù)中加載。為了熟悉軟件語(yǔ)法,最好載入第一個(gè)實(shí)例中范例。要從deckbuild運(yùn)行時(shí)間環(huán)境的GUI載入范例,可點(diǎn)擊:MainControl...Examples(范例)...屏幕將彈出一個(gè)窗口顯示一列47個(gè)類別的范例。圖2.2顯示首15個(gè)類型范例。要查看剩余的類別,則使用窗口右側(cè)的滑動(dòng)條滾動(dòng)選擇。圖2.2首15個(gè)類別的DeckBuild范例
只需雙擊該類別,即可查看每個(gè)類別的范例。如果雙擊首個(gè)類別"MOS1:MOSApplicationExamples,"則得到如圖2.3顯示的列表。該類別有15個(gè)范例。圖2.3MOS應(yīng)用范例列表
雙擊任何期望的范例,即可查看其解釋。雙擊首個(gè)范例"NMOS:Id/VgsandThresholdVoltageExtraction",可查看該范例的解釋。結(jié)果如圖2.4顯示。滾動(dòng)拉下窗口可瀏覽全部解釋。圖2.4范例描述窗口
為了在DeckBuild運(yùn)行環(huán)境中載入特定范例,點(diǎn)擊"DeckBuild:Examples"窗口右上部的"LoadExample"按鈕。DeckBuild主窗口如圖2.5顯示。圖2.5DeckBuild已載入輸入文件
按下"run"按鈕即可運(yùn)行范例。運(yùn)行完成后,屏幕出現(xiàn)兩個(gè)圖。第一個(gè)為顯示仿真過(guò)程中網(wǎng)路摻雜的彩色輪廓圖,第二個(gè)則是簡(jiǎn)單的閾值電壓Vg相對(duì)Id圖。它們分別為如圖2.6和圖2.7所示。一旦選中"LoadExample"按鈕,結(jié)構(gòu)文件和線圖既加載在當(dāng)前工作目錄中,因此不必運(yùn)行仿真即可瀏覽結(jié)果。
圖2.6顯示網(wǎng)路摻雜的工藝仿真結(jié)構(gòu)圖2.7顯示Vg相對(duì)Id的器件仿真線圖
2.3:查看結(jié)果SILVACO的瀏覽工具"TonyPlot"是一個(gè)功能豐富的繪圖工具。該指南中僅介紹它的某些基本性能。當(dāng)SILVACO的TCAD軟件包中保存一個(gè)結(jié)構(gòu)文件或一個(gè)線圖時(shí),創(chuàng)建結(jié)構(gòu)文件或線圖的所有參量將自動(dòng)包含僅該文件,供繪圖之用。例如在結(jié)構(gòu)文件繪圖中,如果想要繪制其他變量如"DonorConcentration",則如下點(diǎn)擊:Plot...Display...Define...Contours...然后向下滾動(dòng)選擇"Quantity:"方框,得到一組可繪制變量。如果按照該順序執(zhí)行,將出現(xiàn)兩個(gè)另外的GUI顯示,如圖所示2.8。選擇新的參量并點(diǎn)擊"Apply"。圖2.8選中可繪制變量的相關(guān)GUI
運(yùn)行時(shí)常需要查看一個(gè)圖表的"cutline"片斷。這時(shí),關(guān)閉其它相關(guān)繪圖相關(guān)視窗,點(diǎn)擊"OK,"然后返回主要視圖和選擇下列命令:
Tools...Cutline...現(xiàn)在將使用默認(rèn)"verticalcutline"方框,但在"cutline"GUI中也可以選擇水平或交叉的cutline方框。返回主圖,在cutline起點(diǎn)處點(diǎn)擊并按住鼠標(biāo)左鍵。豎向直拖動(dòng)鼠標(biāo),到cutline終點(diǎn)處松開(kāi)鼠標(biāo)。松開(kāi)左鍵后,cutline圖表將自動(dòng)顯示當(dāng)前現(xiàn)實(shí)的參量的cutline。完成操作后點(diǎn)擊cutline方框上的"OK"鍵。要在新cutline圖上覆蓋顯示其他變量,則左擊線圖,使之變?yōu)楫?dāng)前視圖(圖表的白色邊框表示它為激活現(xiàn)行圖表)。然后點(diǎn)擊:Plot...Display...來(lái)選擇要覆蓋在線圖上的其它參量。例如,如果在線圖上添加Arsenic,Boron和Phosphorus,它應(yīng)該顯示在圖2.9上。Vg相對(duì)Id曲線也有相似命令,使它可以在線圖上覆蓋顯示其它電學(xué)參量。圖2.9Cutline圖
總的來(lái)說(shuō),在終端或控制窗口鍵入"tonyplot",可繪制一個(gè)文件;或者在DeckBuild中,通過(guò)高亮文件名并按下列順序操作命令,直接繪制結(jié)構(gòu)。Tools...Plot...PlotStructure要自動(dòng)繪制一個(gè)仿真中創(chuàng)建的結(jié)構(gòu)文件,只需簡(jiǎn)單添加語(yǔ)句:structureoutfile=
tonyplot至輸入文件,仿真器將保存創(chuàng)建的器件文件直至輸入文件中該點(diǎn)。仿真器在達(dá)到該點(diǎn)之后,即自動(dòng)繪制結(jié)構(gòu)。用戶可在仿真過(guò)程中的任意點(diǎn)繪制任意數(shù)目的結(jié)構(gòu)文件。
章節(jié)2.4:自動(dòng)創(chuàng)建和編輯輸入文件
現(xiàn)在,您應(yīng)該已經(jīng)了解如何加載、運(yùn)行和查看TCAD范例的結(jié)果。接下來(lái)演示如何簡(jiǎn)便創(chuàng)建自己工藝仿真輸入文件或者修改已有文件。輸入文件為簡(jiǎn)單的ASCII文本格式,因此它可使用任何ASCII編輯器創(chuàng)建。但是,DeckBuild包含一個(gè)簡(jiǎn)單的GUI,可自動(dòng)創(chuàng)建工藝仿真輸入文件。為了簡(jiǎn)化程序,而不必每次從頭來(lái)創(chuàng)建工藝仿真輸入文件,這里將演示如何在現(xiàn)有的輸入文件中添加幾行代碼。通過(guò)在每個(gè)工序中重復(fù)該步驟,該方法同樣用于創(chuàng)建整個(gè)輸入文件。一旦使用"line"和"init"語(yǔ)句(參見(jiàn)載入范例的首幾行)定義了仿真空間和初始襯底,工藝仿真則僅包含很多連續(xù)的擴(kuò)散、植入、蝕刻和淀積步驟。其中每一步均可使用DeckBuild自動(dòng)編寫(xiě)?;氐捷斎胛募姆独校僭O(shè)打算在第一步之后添加一個(gè)低能量10keV"P-WellImplant"。鼠標(biāo)左擊DeckBuild頂部視窗中首個(gè)P-well植入之后的一行。然后如下點(diǎn)擊:Commands...Process...Implant屏幕將出現(xiàn)"DeckBuild:ATHENAImplant"視窗。創(chuàng)建額外的注入語(yǔ)句行只需填充該方框而已,其方法是使用滑動(dòng)條、或者填充數(shù)值后按下回車鍵。對(duì)于10keV硼注入,劑量1e11/cm2,垂直夾角7度,主平面旋轉(zhuǎn)27度,其注入GUI如圖2.10所示。完成輸入信息后,點(diǎn)擊"Write",輸入文件中則出現(xiàn)一個(gè)新行。圖2.10完全填充的注入GUI
同樣的方式可創(chuàng)建淀積、注入、擴(kuò)散、電極、創(chuàng)建網(wǎng)格、晶元初始化,結(jié)構(gòu)文件保存等等.由于輸入文件為簡(jiǎn)單ASCII文本,要在直觀的語(yǔ)法輸入文件中編輯參數(shù),僅需使用DeckBuild中附帶的復(fù)制、粘貼和刪除功能。
第3章:簡(jiǎn)易使用手冊(cè)和自學(xué)方法
該手冊(cè)很厚,乍看可能使人有點(diǎn)畏縮的。所以本章節(jié)將為新用戶演示如何簡(jiǎn)便使用范例瀏覽手冊(cè),從而找到特定信息。以章節(jié)2.2中列出的輸入文件為例,假設(shè)我們要理解"SRH"參數(shù)的用途。它出現(xiàn)在輸入文件中器件仿真部分,位于"models"開(kāi)頭的語(yǔ)句行。在工藝和器件仿真器中,任何語(yǔ)句行的開(kāi)頭詞語(yǔ)均為"語(yǔ)句"。這個(gè)范例中,第一個(gè)詞語(yǔ)是"models"。如果我們想要了解"SRH"的作用,我們需要先找出"modelsstatement"的信息。所有的SILVACO產(chǎn)品均有PDF格式的用戶手冊(cè)。要查找器件仿真器的信息,則需要打開(kāi)ATLAS用戶手冊(cè)。通過(guò)在控制臺(tái)和端子窗口中鍵入"sman"可啟動(dòng)"sman"工具,再通過(guò)"sman"工具可獲得用戶手冊(cè)。用戶手冊(cè)如圖3.1所示。圖3.1ATLAS的PDF用戶手冊(cè)
此手冊(cè)最顯著的特征是"語(yǔ)句"章節(jié)。它包含器件仿真器按字母順序排列的所有語(yǔ)句。因?yàn)槲覀円?models"語(yǔ)句,點(diǎn)擊左邊的書(shū)簽索引上語(yǔ)句章旁邊的"+"擴(kuò)展符號(hào)。按字母順序向下滾動(dòng)選擇"Models"語(yǔ)句。點(diǎn)擊Models語(yǔ)句旁邊的"+"擴(kuò)展符號(hào),可以查看其內(nèi)容。這時(shí),我們需要選擇。如果您已猜到"SRH"等于SchottkyReadHall"的組合縮寫(xiě),即可點(diǎn)擊RecombinationModelsFlags"章節(jié)。如果不明白"SRH"的含義,則點(diǎn)擊"MODELS"標(biāo)題,回到該章節(jié)開(kāi)頭。這個(gè)章節(jié)的開(kāi)頭是另一個(gè)與模型語(yǔ)句有關(guān)的參數(shù),也以字母順序排列。向下滾動(dòng)直至"SRH",表格顯示:參數(shù)類型,以及默認(rèn)數(shù)值和單位。一旦知曉其類型,便可向下滾動(dòng)在描述章節(jié)找到參數(shù)。也可使用"Edit...Find..."功能在描述部分搜索"SRH"。不論使用何種方法,都可以找到描述SRH參數(shù)的部分,其如圖3.2所示。圖3.2查找到"SRH"參數(shù)
這組信息足夠讓用戶了解參數(shù)的含義及其默認(rèn)值。但是,如果您想要了解使用參數(shù)的規(guī)則和方程,語(yǔ)句章節(jié)中關(guān)于"SRH"的描述指示用戶可參照第三章的方程3-290。參考方程3-290,可找到如圖3.3所示的SRH模型的完整描述。
圖3.3參照SRH模型的完整描述。
僅需簡(jiǎn)單點(diǎn)擊幾次鼠標(biāo),即可找到用戶控制的方程中參數(shù)的含義,以及參數(shù)在仿真器中作用的完整描述,還有何種其它用戶定義參數(shù)?,F(xiàn)在您應(yīng)該清楚如何使用用戶的范例了。
第4章:其他互聯(lián)網(wǎng)信息SILVACO的網(wǎng)站提供豐富的技術(shù)信息,它位于信息庫(kù)部分:/tech_lib/index.html
信息分為如下四個(gè)類別
1/仿真標(biāo)準(zhǔn)(SILVACO出版)
2/陳述材料
3/參考引用SILVACO軟件的書(shū)籍
4/發(fā)表論文(同行技術(shù)文獻(xiàn)評(píng)論)
SILVACO仿真標(biāo)準(zhǔn)是一個(gè)TCAD季度刊物,它包括詳細(xì)的應(yīng)用注釋,以及涵蓋廣泛技術(shù)的仿真結(jié)果。它也包括一些常見(jiàn)問(wèn)題的提示和技巧。SILVACO網(wǎng)站提供多年來(lái)發(fā)表的所有仿真標(biāo)準(zhǔn)刊物。使用搜索功能,可尋找您關(guān)心的課題。
“PresentationMaterials”包含各類陳述材料。某些PowerPoint陳述材料顯示應(yīng)用范例,以及語(yǔ)法解釋。也有一些學(xué)術(shù)課程材料顯示如何將SILVACOTCAD軟件編進(jìn)學(xué)生作業(yè)中。其它部分列出SILVACO軟件輔助的專利,以及一組參照SILVACO軟件的教科書(shū)。
TechnicalLibrary(技術(shù)庫(kù))部分的最后兩個(gè)部分羅列出教科書(shū)和發(fā)表的論文,它們分為在所有SILVACO軟件開(kāi)發(fā)中使用的多個(gè)類別。如果您覺(jué)得信息太多,使用SILVACO提供的簡(jiǎn)單搜索功能框,您可迅速有效地找到所需信息。
總之,希望我們?cè)谶@里通過(guò)范例,充分為新用戶演示了如何簡(jiǎn)單使用SILVACO軟件,查找所需信息,自學(xué)達(dá)到成功運(yùn)行TCAD仿真。Mar/1012\o"人逢喜事精神爽"人逢喜事精神爽0Comments|Postedbyjieyoungin\o"ViewallpostsinLife"Life話說(shuō)72pines掛了,這么多天,今天終于好了。話說(shuō)找個(gè)silvacoforlinux這么久,今天終于找到了,并且運(yùn)行了,基本符合。話說(shuō)回學(xué)校之后買了新電腦,現(xiàn)在還很爽呀!FunnyStuff,LifeHideFeb/1025\o"Backupthecurrentsystem"Backupthecurrentsystem0Comments|Postedbyjieyoungin\o"Viewallpostsinubuntu"ubuntu還有4天就回學(xué)校去了,現(xiàn)在使用的這臺(tái)電腦將會(huì)留在家里給老爸用了,走之前必須將當(dāng)前這個(gè)ubuntu系統(tǒng)的一些東西備份,還有現(xiàn)在那個(gè)xp系統(tǒng)也得給老爸弄得干干凈凈,漂漂亮亮的.
今天的主要任務(wù)是備份一些ubuntu下面的東西,并做一下相應(yīng)的記錄用戶級(jí)別的mplayer配置文件/.mplayer看IPV6電視的文件IPTV.m3uconky配置文件/.conkyrcrotorrent配置文件/.rtorrent.rc一直使用的中科大的源文件source.list文件現(xiàn)在使用的定制的screenlets/.screenlets文件夾保存現(xiàn)在瀏覽器(firefox)中的書(shū)簽,chrome已經(jīng)同步到了Googleaccount上(年個(gè)書(shū)簽基本一樣)保存lifearea中的導(dǎo)出文件feedlist.opml經(jīng)常使用的腳本以及其配置文件/scripts以上文件都比較小,同步到ubuntuone中.下面的東西不得不動(dòng)用移動(dòng)硬盤(pán)了H-spice,ModelsimmatlabTcad安裝文件使用的icontheme當(dāng)前使用的pointer保存的資料/Documents背景圖片,呵呵/usr/share/backgound十幾G的音樂(lè),移動(dòng)硬盤(pán)上有過(guò)部分備份,只需要增加相應(yīng)部分:ToolsHideFeb/1024\o"懶羊羊語(yǔ)錄…"懶羊羊語(yǔ)錄…0Comments|Postedbyjieyoungin\o"ViewallpostsinLife"Life01)幸福的日子,就是吃飽了撐著去睡覺(jué)的日子。
02)班長(zhǎng),你看我的眼神多堅(jiān)定。
03)我又可愛(ài),又有責(zé)任感,我到底犯了什么錯(cuò)?
04)灰太狼,大笨狼,永遠(yuǎn)斗不過(guò)喜羊羊,還要伺候紅太狼。
05)現(xiàn)在你們才是矮冬瓜,我是高冬瓜。
06)我是懶羊羊,我愛(ài)吃東西,吃很多東西,吃完?yáng)|西要睡覺(jué),睡個(gè)大懶覺(jué),懶覺(jué)睡多了,再吃東西,再睡懶覺(jué)。
07)到處睡覺(jué)就是有好處。
08)我又做噩夢(mèng)了,感覺(jué)像是與狼共枕。
09)為什么受傷的總是我。
10)喜羊羊:如果灰太狼變好,你會(huì)怎么樣?
懶羊羊:很傷心,因?yàn)檫@樣就不好玩了。
11)我還沒(méi)睡醒那(抱怨中)
既然這樣,先睡個(gè)覺(jué)再說(shuō)吧(ZZZ)
別妨礙我睡覺(jué)(抓狂中)
12)我不想當(dāng)上校,我當(dāng)炊事班班長(zhǎng)行嗎?(牛氣沖天)
13)我也好久沒(méi)和我的薯片,巧克力,糖果團(tuán)聚了。。。(牛氣沖天)
14)成功是99%的天才加上1%的努力。
15)每年到了這個(gè)時(shí)候,我都要思考上很久很久,這無(wú)疑是我一生中最痛苦的時(shí)刻。
16)我什么都不做,是為了大家有機(jī)會(huì)發(fā)揮自己的長(zhǎng)處。
17)村長(zhǎng),我承認(rèn)我的確是一只沒(méi)有恒心,沒(méi)有意志的小羊。
18)機(jī)會(huì)可是靠自己把握的。
19)我是不會(huì)和普通的羊一般見(jiàn)識(shí)的。
20)聰明的羊總是會(huì)有意想不到的收獲的。
21)你們都欺負(fù)我,我告訴村長(zhǎng)去。
22)你們就不能照顧一下現(xiàn)在是女孩子的我嗎?
23)我是為睡覺(jué)而生的高貴的羊。
24)救命啊!村長(zhǎng),喜羊羊賣小孩啦?。。。。。。。。。。?!
25)我也是只廢羊,經(jīng)常被沸羊羊他們笑。
26)青蛙大哥,你還是拜我為師吧!我有可愛(ài)的外表,惹人憐愛(ài)的表情,遇到危險(xiǎn)的時(shí)候總是會(huì)有人來(lái)救我的。FunnyStuffHideFeb/1023\o"goatlas"goatlas0Comments|Postedbyjieyoungin\o"ViewallpostsinCircuits"Circuits接著上一篇,athena的參數(shù)提取完全之后就是”goaltas”(真是有點(diǎn)湯姆.李.瓊斯在”fugitive”中的那句”gogethim”的感覺(jué))“#setmaterialmodels
設(shè)定材料模型
modelscvtsrhprint”cvt“cvttransversefielddependentmobilityisused“srh指定S-R-H復(fù)合模型使用固定壽命print打印所有模型的狀態(tài)“contactname=gaten.poly”指定電極的物理屬性,n.ploy指定n+摻雜的多晶為電機(jī)的接觸材料“interfaceqf=3e10″設(shè)置半導(dǎo)體和絕緣體邊界的參數(shù)QF表示固定電荷密度.“methodnewton”設(shè)定用來(lái)解相應(yīng)算法的數(shù)值方式和方程.“solveinit”
指示atlas針對(duì)某個(gè)偏置來(lái)解,init表示所有的電壓設(shè)置為零.“solvevdrain=0.1″就是指出了drain的電壓為0.1的情況下的解.“#Rampthegate”下面有用語(yǔ)句來(lái)了個(gè)像HSPICE中的掃描的東西.……如是又extract了很多的deviceparameter:extractname=”nvt”(xintercept(maxslope(curve(abs(v.”gate”),abs(i.”drain”))))\
-abs(ave(v.”drain”))/2.0)extractname=”nbeta”slope(maxslope(curve(abs(v.”gate”),abs(i.”drain”))))\
*(1.0/abs(ave(v.”drain”)))extractname=”ntheta”((max(abs(v.”drain”))*$”nbeta”)/max(abs(i.”drain”)))\
-(1.0/(max(abs(v.”gate”))–($”nvt”)))PS:還要細(xì)細(xì)研習(xí)呀….TCADHideFeb/1023\o"Athena"Athena1Comment|Postedbyjieyoungin\o"ViewallpostsinCircuits"Circuits接著上回的寫(xiě).下面是etch行”etchoxideall”
oxide指明刻蝕的材料,all表示所有指明的材料都被Etch掉“extractname=”gateox”thicknessoxidemat.occno=1x.val=0.05″
EXTRACT是參數(shù)提取指令,它可以提起一些諸如材料厚度,結(jié)深,極限摻雜水平,當(dāng)然也包括諸如”薄模電阻”,閾值電壓,C-V曲線等的電參數(shù)提取.(在VWF的manual中的chapter5中有更詳細(xì)的語(yǔ)法,多得不行了,這里只理解這一行就OK了)這里提取的是一個(gè)值(也可以提取一個(gè)curve的)thickness厚度,oxide指明了材料<material>,mat.occno=1,x.val=0.05“depopolythick=0.2divi=10″沉積一個(gè)層,多晶硅層,厚度0.2,DIVISION=10指出了在垂直方向上該層的網(wǎng)格間距的數(shù)量.“etchpolyleftp1.x=0.35″快速產(chǎn)生一個(gè)橫截面為梯形的etch.“methodfermicompress”method為擴(kuò)散和氧化提供數(shù)值方式和模型.fermi是和擴(kuò)散有關(guān)的model,compress是和oxidation有關(guān)的模型.在文件的結(jié)尾,提取了:#extractfinalS/DXj#extracttheN++regionssheetresistanc#extractthesheetrhounderthespacer,oftheLDDregion#extractthesurfaceconcunderthechannel.#extractacurveofconductanceversusbias.“structureoutfile=mos1ex01_0.str”將所描述的機(jī)構(gòu)放入文件mos1exo1_o.str中,使用tonyplot畫(huà)出來(lái):”tonyplot
mos1ex01_0.str-setmos1ex01_0.set”TCADHideFeb/1021\o"ATHENA"ATHENA1Comment|Postedbyjieyoungin\o"ViewallpostsinCircuits"Circuits那天說(shuō)的Atlas是個(gè)器件仿真工具(ATLASisamodularandextensibleframeworkforone,twoandthreedimensionalsemiconductordevicesimulation)那天寫(xiě)的關(guān)于Atlassyntax的東西基本上沒(méi)用過(guò)(那天以為atlas是工藝仿真的東東,結(jié)果發(fā)現(xiàn)查輸入文件中的語(yǔ)法在它的手冊(cè)中找不到……,今天才找到Athena,慚愧呀……)以Deckbuild中的一個(gè)例子來(lái)學(xué)習(xí)(是example/atlas/mos1/mos1ex01.in),這個(gè)文件是先用Athena,然后用Atlas,赫然寫(xiě)著“goathena”
“goatlas”竟然視而不見(jiàn),再次慚愧…….LINE行
“l(fā)inexloc=0.0spac=0.1”規(guī)定了網(wǎng)格中的Line,它是垂直的(y)還是水平的(x),以及從此以后的線間距,直到遇到下一個(gè)Line定義。INIT行“initorientation=100c.phos=1e14space.mul=2”初始化使用的襯底材料,摻雜濃度,晶向等。orientation=100表示晶向100,c.phos=1e14,表示了磷的摻雜濃度。space.mul,為前面LINE定義的spacing提供一個(gè)乘數(shù)因子,2.DIFFUS行
“diffustime=30temp=1000dryo2press=1.00hcl=3”
初始化擴(kuò)散的時(shí)間30(minutes)熔爐溫度為1000攝氏度,擴(kuò)散環(huán)境為干氧,氧化劑中hcl的濃度為3%,pressur
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