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文檔簡介
第8章晶閘管及可控整流本章主要討論晶閘管的基本特性,主要參數(shù);可控整流電路的基本原理和基本的分析方法;晶閘管的過壓及過流保護(hù)8.1晶閘管
晶閘管的主要用途可控整流有源逆變交流調(diào)壓變頻器無觸點功率開關(guān)晶閘管種類包括普通晶閘管雙向晶閘管快速晶閘管可關(guān)斷晶閘管光控晶閘管逆導(dǎo)晶閘管化學(xué)工業(yè)出版社
8.1.1晶閘管的結(jié)構(gòu)1.晶閘管的結(jié)構(gòu)
G控制極K陰極陽極
AP1P2N1N2四層半導(dǎo)體三個
PN
結(jié)晶閘管相當(dāng)于PNP和NPN型兩個晶體管的組合T1_N2P1P2N1N2K
GA+KA
T2P2N1IGIAP1N1P2IKGPPNNNPAGK
T1T28.1.2工作原理A
在極短時間內(nèi)使兩個三極管均飽和導(dǎo)通,此過程稱觸發(fā)導(dǎo)通。形成正反饋過程KGEA>0、EG>0EGEA+_R
晶閘管導(dǎo)通后,去掉EG
,依靠正反饋,仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。GEA>0、EG>0KEA+_R
T1T2EGA形成正反饋過程晶閘管導(dǎo)通的條件:
1.晶閘管陽極電路(陽極與陰極之間)施加正向電壓。
2.晶閘管控制電路(控制極與陰極之間)加正向電壓或正向脈沖(正向觸發(fā)電壓)。
晶閘管導(dǎo)通后,控制極便失去作用。
依靠正反饋,晶閘管仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管關(guān)斷的條件:
1.必須使可控硅陽極電流減小,直到正反饋效應(yīng)不能維持。
2.將陽極電源斷開或者在晶閘管的陽極和陰極間加反相電壓。正向特性反向特性URRMUDRMIG2>IG1>IG0UBRITUBO正向轉(zhuǎn)折電壓IHoUIIG0IG1IG2+_+_反向轉(zhuǎn)折電壓正向平均電流維持電流
U8.1.3伏安特性及主要參數(shù)1.伏安特性2.主要參數(shù)UDRM:正向重復(fù)峰值電壓(晶閘管耐壓值)晶閘管控制極開路且正向阻斷情況下,允許重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓。一般取UDRM
=80%UB0
。普通晶閘管UDRM
為100V—3000V反向重復(fù)峰值電壓控制極開路時,允許重復(fù)作用在晶閘管元件上的反向峰值電壓。一般取URRM
=80%UBR
普通晶閘管URRM為100V—3000VURRM:正向平均電流環(huán)境溫度為40
C及標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,晶閘管處于全導(dǎo)通時可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。
IT(AV):IT
t
2
如果正弦半波電流的最大值為Im,則普通晶閘管IT為1A—1000A。UT(AV):
通態(tài)平均電壓(管壓降)在規(guī)定的條件下,通過正弦半波平均電流時,晶閘管陽、陰極間的電壓平均值。一般為1V左右。IH:
維持電流在規(guī)定的環(huán)境和控制極斷路時,晶閘管維持導(dǎo)通狀態(tài)所必須的最小電流。一般IH為幾十~一百多毫安。UG、IG:控制極觸發(fā)電壓和電流室溫下,陽極電壓為直流6V時,使晶閘管完全導(dǎo)通所必須的最小控制極直流電壓、電流。一般UG為1到5V,IG為幾十到幾百毫安。晶閘管型號及其含義導(dǎo)通時平均電壓組別共九級,用字母A~I表示0.4~1.2V額定電壓,用百位或千位數(shù)表示取UFRM或URRM較小者正向平均電流IT(AV)(晶閘管類型)P--普通晶閘管K--快速晶閘管S--雙向晶閘管
晶閘管KP普通型如KP5-7表示額定正向平均電流為5A,額定電壓為700V。8.2單相可控整流電路8.2.1單相半波可控整流電路
1.電阻性負(fù)載(1)
電路
u2
>0時:若ug
=0,晶閘管不導(dǎo)通,u
2<0時:
晶閘管承受反向電壓不導(dǎo)通,
ud=0,uvs=u2
,故稱可控整流。控制極加觸發(fā)信號,晶閘管承受正向電壓導(dǎo)通,
u2udRL+–+uvs+––VS1id(2)工作原理
t1
2u2
<
0時:
可控硅承受反向電壓不導(dǎo)通即:晶閘管反向阻斷
加觸發(fā)信號,晶閘管承受正向電壓導(dǎo)通
tOu2
>0時:
tO
tO
接電阻負(fù)載時單相半波可控整流電路電壓、電流波形
動畫控制角
t1
tO
tO
t22
tO導(dǎo)通角(3)工作波形(4)整流輸出電壓及電流的平均值由公式可知:改變控制角,可改變輸出電壓Ud。晶體管承受的最大反向電壓:名詞術(shù)語:
1、控制角α:從晶閘管承受正偏到觸發(fā)導(dǎo)通所對應(yīng)的角度
2、控制角θ:晶閘管在一個周期內(nèi)導(dǎo)通時間所對應(yīng)的電角度。
3、移相:改變α的大小??煽刂苪d的值。
4、移相范圍:改變α的大小使輸出電壓平均值從最小到最大。5、同步:觸發(fā)脈沖與電源電壓保持頻率相同。6、換相:由一組晶體管導(dǎo)通改變到另一組晶體管導(dǎo)通的過程。α
+θ=π8.2.2單相半控橋式整流電路1.
電路2.
工作原理VD3和VD2承受正向電壓。VD3控制極加觸發(fā)電壓,則VD3和VD2導(dǎo)通,電流的通路為VD3、VD4
晶閘管VD1、VD2
晶體管aRLVD2VD3b(1)電壓u
為正半周時io+–+–VD3VD4RLuoVD1VD2a
u+–b此時,VD4和VD1均承受反向電壓而截止。id+–+–VD3VD4RLudVD1VD2a
u+bVD4和VD1承受正向電壓。
VD4控制極加觸發(fā)電壓,則VD4和VD1導(dǎo)通,電流的通路為(2)電壓u
為負(fù)半周時bRLVD1VD4a此時,VD3和VD2均承受反向電壓而截止。–
t
tO
tO3.工作波形2
tO4.輸出電壓及電流的平均值晶閘管觸發(fā)電路基本要求:能夠提供足夠的電壓電流。觸發(fā)脈沖應(yīng)有一定的寬度,前沿盡可能陡,應(yīng)使脈沖消失以前,晶閘管的陽極電流能夠迅速上升維持導(dǎo)通(電阻負(fù)載開通時間6μs,要求脈沖寬度為10μs;對于電感負(fù)載,開通時間為100μs,脈沖寬度達(dá)到1ms,相當(dāng)于50HZ正弦波的18°)觸發(fā)脈沖必須與主電路同步。與主電路同一電源。脈沖的移相范圍必須滿足整流電路的需要。(三相橋式整流電路在電阻性負(fù)載時可以移相120°;在大電感性負(fù)載時,可以移相90°)觸發(fā)脈沖要動態(tài)響應(yīng)快,受溫度影響小,抗干擾能力強,經(jīng)濟(jì)可靠體積小。8.3晶閘管觸發(fā)電路8.4.1單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)及工作原理B2第二基極B1N歐姆接觸接觸電阻P發(fā)射極E第一基極PN結(jié)N型硅片(a)示意圖單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖及其表示符號(b)符號B2EB11.結(jié)構(gòu)單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)2.工作原理UE<
UBB+UD=UP時PN結(jié)反偏,IE很??;PN結(jié)正向?qū)?IE迅速增加。UE≥
UP時
–分壓比(0.5~0.9)UP
–峰點電壓UD–
PN結(jié)正向?qū)▔航礏2B1UBBEUE+_+_RP+_+_等效電路RB1RB2AUBBEUE+_RP+_+_B2B1測量單結(jié)晶體管的實驗電路由圖可求得
UP(峰點電壓):單結(jié)管由截止變導(dǎo)通所需發(fā)射極電壓。
3.單結(jié)晶體管的伏安特性UV、IV(谷點電壓、電流):維持單結(jié)管導(dǎo)通的最小電壓、電流。
IpIVoIEUEUP峰點電壓UV谷點電壓V負(fù)阻區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)負(fù)阻區(qū):UE>UP后,大量空穴注入基區(qū),致使IE增加、UE反而下降,出現(xiàn)負(fù)阻。P1.UE<UP時單結(jié)管截止;UE>UP時單結(jié)管導(dǎo)通,UE<UV時恢復(fù)截止。單結(jié)晶體管的特點B2EB12.單結(jié)晶體管的峰點電壓UP與外加固定電壓UBB及分壓比
有關(guān),外加電壓UBB或分壓比
不同,則峰點電壓UP不同。3.不同單結(jié)晶體管的谷點電壓UV和谷點電流IV都不一樣。谷點電壓大約在2~5V之間。常選用
稍大一些,UV稍小的單結(jié)晶體管,以增大輸出脈沖幅度和移相范圍。8.4.2單結(jié)晶體管觸發(fā)電路1.振蕩電路單結(jié)晶體管振蕩電路
單結(jié)晶體管弛張振蕩電路利用單結(jié)管的負(fù)阻特性及RC電路的充放電特性組成頻率可調(diào)的振蕩電路。ugR2R1RUucE+C+__+_50
100k
300
0.47F鋸齒波周期:T※T=RCln[1/(1-η)]–分壓比(0.5~0.9),C-電容=0.6C=0.47F,T=100×0.47×10-6ln[1/(1-0.6)]ugR2R1RUuCE+C+__+_50
100k
300
0.47F2.
振蕩過程分析設(shè)通電前uC=0。
接通電源U,電容C經(jīng)電阻R充電。電容電壓uC逐漸升高。
當(dāng)uC≥
UP時,單結(jié)管導(dǎo)通,電容C放電,R1上得到一脈沖電壓。UpUvUp-UDuC
tug
t電容放電至uC
≤Uv時,單結(jié)管重新關(guān)斷,使ug0。(a)(b)注意:R值不能選的太小,否則單結(jié)管不能關(guān)斷,電路亦不能振蕩。upuv(c)電壓波形uC
t
tugOO鋸齒波周期:TT=RCln[1/(1-η)]–分壓比(0.5~0.9)C-電容主電路觸發(fā)電路u1+RLR1R2RPCRuZT1D1D2T2u2+–uC+
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