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1、題 目MOSFET降壓斬波電路設(shè)計(jì)姓 名學(xué) 號(hào)班 級(jí)指導(dǎo)老師日期前 言直流-直流變流電路的功能是將直流電變?yōu)榱硪还潭妷夯蚩烧{(diào)電壓的直流電,包括直接直流電變流電路和間接直流電變流電路。直接直流電變流電路也稱斬波電路,它的功能是將直流電變?yōu)榱硪还潭妷夯蚩烧{(diào)電壓的直流電,一般是指直接將直流電變?yōu)榱硪恢绷麟姡@種情況下輸入與輸出之間不隔離。間接直流變流電路是在直流變流電路中增加了交流環(huán)節(jié),在交流環(huán)節(jié)中通常采用變壓器實(shí)現(xiàn)輸入輸出間的隔離,因此也稱帶隔離的直流-直流變流電路或直-交-直電路。直流斬波電路的種類有很多,包括六種基本斬波電路:降壓斬波電路,升壓斬波電路,升降壓斬波電路,Cuk斬波電路,Se

2、pic斬波電路和Zeta斬波電路,利用不同的斬波電路的組合可以構(gòu)成符合斬波電路,如電流可逆斬波電路,橋式可逆斬波電路等。利用相同結(jié)構(gòu)的基本斬波電路進(jìn)行組合,可構(gòu)成多相多重?cái)夭娐?。目?.設(shè)計(jì)要求與方案11.1 設(shè)計(jì)要求11.2 設(shè)計(jì)方案12降壓斬波電路設(shè)計(jì)方案22.1降壓斬波電路原理圖22.2降壓斬波電路工作原理圖23 MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)33.1驅(qū)動(dòng)電路方案選擇33.2 驅(qū)動(dòng)電路原理44保護(hù)電路54.1過(guò)電壓保護(hù)54.2過(guò)電流保護(hù)65電路各元件的參數(shù)設(shè)定65.1 MOSFET簡(jiǎn)介65.1.1功率MOSFET的結(jié)構(gòu)75.1.2功率MOSFET的工作原理75.2各元件參數(shù)計(jì)算86系統(tǒng)仿真及

3、結(jié)論96.1 仿真電路及其仿真結(jié)果96.2仿真結(jié)果分析15總結(jié)15參考文獻(xiàn)16MOSFET降壓斬波電路設(shè)計(jì)1.設(shè)計(jì)要求與方案1.1 設(shè)計(jì)要求利用MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)降壓斬波電路。輸入直流電壓Ud=100V,輸出功率P=300W ,開(kāi)關(guān)頻率為5KHz,占空比10%到90%,輸出電壓脈率小于10%。1.2 設(shè)計(jì)方案電力電子器件在實(shí)際應(yīng)用中,一般是由控制電路、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路及以電力電子器件為核心的主電路組成一個(gè)系統(tǒng)。由信息電子電路組成的控制電路按照系統(tǒng)的工作要求形成控制信號(hào),通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路去控制主電路中電路電子器件的導(dǎo)通或者關(guān)斷,來(lái)完成整個(gè)系統(tǒng)的功能。根據(jù)MOSFET降壓斬波電路設(shè)計(jì)任務(wù)要求設(shè)計(jì)主

4、電路、驅(qū)動(dòng)電路。其結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示??仉娐?驅(qū)動(dòng)電路 主電路圖1 電路結(jié)構(gòu)圖在圖1結(jié)構(gòu)框圖中,控制電路用來(lái)產(chǎn)生MOSFET降壓斬波電路的控制信號(hào),控制電路產(chǎn)生的控制信號(hào)傳到驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電路把控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為加在MOSFET控制端與公共端之間,可以使其開(kāi)通或關(guān)斷的信號(hào)。通過(guò)控制MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷來(lái)控制MOSFET降壓斬波電路工作??刂齐娐分斜Wo(hù)電路是用來(lái)保護(hù)電路,防止電路產(chǎn)生過(guò)電流、過(guò)電壓現(xiàn)象而損壞電路設(shè)備。2降壓斬波電路設(shè)計(jì)方案2.1降壓斬波電路原理圖降壓斬波電路的原理圖以及工作波形如圖2所示。該電路使用一個(gè)全控型器件 V,圖中為MOSFET。為在MOSFET關(guān)斷時(shí)給負(fù)載中電感電流提供

5、通道,設(shè)置了續(xù)流二極管VD。斬波電路主要用于電子電路的供電電源,也可拖動(dòng)直流電動(dòng)機(jī)或帶蓄電池負(fù)載等。圖2 降壓斬波電路原理圖2.2降壓斬波電路工作原理圖直流降壓斬波電路使用一個(gè)全控型的電壓驅(qū)動(dòng)器件MOSFET,用控制電路和驅(qū)動(dòng)電路來(lái)控制MOSFET 的導(dǎo)通或關(guān)斷。當(dāng)t=0 時(shí)MOSFET 管被激勵(lì)導(dǎo)通電源U向負(fù)載供電,負(fù)載電壓為Uo=U,負(fù)載電流io 按指數(shù)曲線上升,當(dāng)t=t1時(shí)控制MOSFET 關(guān)斷負(fù)載電流經(jīng)二極管VD 續(xù)流負(fù)載電壓Uo 近似為零,負(fù)載電流呈指數(shù)曲線下降。為了使負(fù)載電流連續(xù)且脈動(dòng)小通常使串聯(lián)的電感L較大。電路工作時(shí)的波形圖如圖3所示。圖3 降壓斬波電路的工作波形至一個(gè)周期T結(jié)

6、束,再驅(qū)動(dòng)MOSFET導(dǎo)通,重復(fù)上一周期的過(guò)程。當(dāng)電力電子系統(tǒng)工作處于穩(wěn)態(tài)時(shí),負(fù)載電流在一個(gè)周期的初值和終值相等,如圖2所示。負(fù)載電壓平均值為UO=tonton+toffU=tonTU=U (2.1)(2.2)負(fù)載電流平均值為IO=UoR式中,ton為MOSFET處于通態(tài)的時(shí)間;toff為MOSFET處于斷態(tài)的時(shí)間;T為開(kāi)關(guān)周期;為導(dǎo)通占空比。由式(1.1)可知,輸出到負(fù)載的電壓平均值Uo最大為U,減小占空比,Uo隨之減小。因此將該電路稱為降壓斬波電路。也稱buck變換器。根據(jù)對(duì)輸出電壓平均值進(jìn)行調(diào)試的方式不同,可分為三種工作方式:1) 保持開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間ton 不變,改變開(kāi)關(guān)T,稱為頻率調(diào)制工

7、作方式;2) 保持開(kāi)關(guān)周期T不變,調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間ton ,稱為脈沖寬調(diào)制工作方式;3) 開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間ton和開(kāi)關(guān)周期T 都可調(diào),稱為混合型。3 MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)3.1驅(qū)動(dòng)電路方案選擇該驅(qū)動(dòng)部分是連接控制部分和主電路的橋梁,該部分主要完成以下幾個(gè)功能:(1)提供適當(dāng)?shù)恼蚝头聪蜉敵鲭妷海闺娏OSFE 管可靠的開(kāi)通和關(guān)斷;(2)提供足夠大的瞬態(tài)功率或瞬時(shí)電流,使MOSFET能迅速建立柵控電場(chǎng)而導(dǎo)通;(3)盡可能小的輸入輸出延遲時(shí)間,以提高工作效率;(4) 足夠高的輸入輸出電氣隔離性能,使信號(hào)電路與柵極驅(qū)動(dòng)電路絕緣;(5)具有靈敏的過(guò)流保護(hù)能力。而電力MOSFET 是用柵極電壓來(lái)控制漏

8、極電流的,因此它的第一個(gè)顯著特點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,需要的驅(qū)動(dòng)功率??;第二個(gè)顯著特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高。但是電力MOSFET電流容量小,耐壓低,多用于功率不超過(guò)10Kw 的電力電子裝置。在功率變換裝置中,根據(jù)主電路的結(jié)構(gòu),起功率開(kāi)關(guān)器件一般采用直接驅(qū)動(dòng)和隔離驅(qū)動(dòng)兩種方式.美國(guó)IR公司生產(chǎn)的IR2110驅(qū)動(dòng)器,兼有光耦隔離和電磁隔離的優(yōu)點(diǎn),是中小功率變換裝置中驅(qū)動(dòng)器件的首選。根據(jù)設(shè)計(jì)要求、驅(qū)動(dòng)要求及電力MOSFET 管開(kāi)關(guān)特性,選擇驅(qū)動(dòng)芯片IR2110 來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)。芯片IR2110 管腳及內(nèi)部電路圖如下圖4 所示。圖4 IR2110 管腳及內(nèi)部電路圖3.2 驅(qū)動(dòng)電路原理IR2110 內(nèi)部功能由

9、三部分組成:邏輯輸入、電平平移及輸出保護(hù)。IR2110 驅(qū)動(dòng)半橋的電路如圖所示,其中C1,VD1分別為自舉電容和自舉二極管,C2 為VCC的濾波電容。假定在S 關(guān)斷期間C1已經(jīng)充到足夠的電壓(VC1 VCC)。當(dāng)HIN 為高電平時(shí)如下圖4-2 ,VM1開(kāi)通,VM2關(guān)斷,VC1加到S1的柵極和源極之間,C1 通過(guò)VM1,Rg1和柵極和源極形成回路放電,這時(shí)C1就相當(dāng)于一個(gè)電壓源,從而使S1導(dǎo)通。由于LIN與HIN是一對(duì)互補(bǔ)輸入信號(hào),所以此時(shí)LIN為低電平,VM3關(guān)斷,VM4導(dǎo)通,這時(shí)聚集在S2柵極和源極的電荷在芯片內(nèi)部通過(guò)Rg2迅速對(duì)地放電,由于死區(qū)時(shí)間影響使S2 在S1 開(kāi)通之前迅速關(guān)斷。圖5

10、 IR2110 驅(qū)動(dòng)半橋電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路如圖6所示.圖6 驅(qū)動(dòng)電路圖4保護(hù)電路4.1過(guò)電壓保護(hù)當(dāng)達(dá)到定電壓值時(shí),自動(dòng)開(kāi)通保護(hù)電路,使過(guò)壓通過(guò)保護(hù)電路形成通路,消耗過(guò)壓儲(chǔ)存的電磁能量,從而使過(guò)壓的能量不會(huì)加到主開(kāi)關(guān)器件上,保護(hù)了電力電子器件。為了達(dá)到保護(hù)效果,可以使用阻容保護(hù)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。將電容并聯(lián)在回路中,當(dāng)電路中出現(xiàn)電壓尖峰電壓時(shí),電容兩端電壓不能突變的特性,可以有效地抑制電路中的過(guò)壓。與電容串聯(lián)的電阻能消耗掉部分過(guò)壓能量,同時(shí)抑制電路中的電感與電容產(chǎn)生振蕩,過(guò)電壓保護(hù)電路如圖7圖74.2過(guò)電流保護(hù)當(dāng)電力電子電路運(yùn)行不正?;蛘甙l(fā)生故障時(shí),可能會(huì)發(fā)生過(guò)電流。當(dāng)器件擊穿或短路、觸發(fā)電路或控制電路發(fā)

11、生故障、出現(xiàn)過(guò)載、直流側(cè)短路、可逆?zhèn)鲃?dòng)系統(tǒng)產(chǎn)生環(huán)流或逆變失敗,以及交流電源電壓過(guò)高或過(guò)低、缺相等,均可引起過(guò)流。由于電力電子器件的電流過(guò)載能力相對(duì)較差,必須對(duì)變換器進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪^(guò)流保護(hù)。采用快速熔斷器是電力電子裝置中最有效、應(yīng)用最廣的一種的過(guò)流保護(hù)措施。5電路各元件的參數(shù)設(shè)定5.1 MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常

12、主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡(jiǎn)稱功率MOSFET(Power MOSFET)。結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管(Static Induction Transistor-SIT)。其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,需要的驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度快,工作頻率高,熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR,但其電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置。 功率MOSFET的種類:按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道,增強(qiáng)型;對(duì)于N(P)溝道器件,柵極電壓大

13、于(小于)零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道,功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。 5.1.1功率MOSFET的結(jié)構(gòu) 功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣符號(hào)如圖1所示;其導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子(多子)參與導(dǎo)電,是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同,但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別,小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?,功率MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),又稱為VMOSFET, (Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。 MOSFET的結(jié)構(gòu)與電氣圖形符號(hào)如圖8所示。圖8 MOSFET的結(jié)構(gòu)與電氣圖形符號(hào)按垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的差異,又分為利用V型槽實(shí)現(xiàn)垂直導(dǎo)電的VVMOSFET和具有垂直導(dǎo)

14、電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)的VDMOSFET(Vertical Double-diffused MOSFET),本文主要以VDMOS器件為例進(jìn)行討論。功率MOSFET為多元集成結(jié)構(gòu),如國(guó)際整流器公司(International Rectifier)的HEXFET采用了六邊形單元;西門子公司(Siemens)的SIPMOSFET采用了正方形單元;摩托羅拉公司(Motorola)的TMOS采用了矩形單元按“品”字形排列。5.1.2功率MOSFET的工作原理截止:漏源極間加正電源,柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏,漏源極之間無(wú)電流流過(guò)。導(dǎo)電:在柵源極間加正電壓UGS,柵極是絕緣的,

15、所以不會(huì)有柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開(kāi),而將P區(qū)中的少子-電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面 當(dāng)UGS大于UT(開(kāi)啟電壓或閾值電壓)時(shí),柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度,使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層,該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失,漏極和源極導(dǎo)電。5.2各元件參數(shù)計(jì)算根據(jù)設(shè)計(jì)要求可選大小為的直流電壓源,如果選取降壓斬波電路的占空比為,則輸出電壓,輸出功率,要求輸出功率為600W,可計(jì)算出負(fù)載電阻R=4.17。電壓控制電壓源和脈沖電壓源可組成MOSFET功率開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)電路。計(jì)算:由式LC=UO2(1-)2POT,周期可由開(kāi)關(guān)頻率得出為,把、代入上式得出。雖說(shuō)

16、電感L的值越大,得到的圖形越穩(wěn)定,但在此電路中,需要看到文波,因此按計(jì)算值設(shè)置參數(shù)就可以啦。計(jì)算:由式C=UO(1-)8LUOT2,要求脈動(dòng)率,取,計(jì)算U0=U010%=5V,代入上式計(jì)算出C=1.2010-4F。雖說(shuō)電容C的值越大,得到的圖形越穩(wěn)定,但在此電路中,需要看到文波,因此按計(jì)算值設(shè)置參數(shù)就可以啦。若取其他占空比時(shí)各參數(shù)值的計(jì)算方法與此一致,不同占空比時(shí)各個(gè)參數(shù)的值如表1所示。 表1 不同占空比時(shí)各個(gè)參數(shù)的值占空比輸出電壓U0(V)脈動(dòng)電壓U0(V)負(fù)載R()電感值LC(H)電容值C(F)20%2020.670.5310-47.5010-440%4042.671.6010-41.88

17、10-450%5054.172.0810-41.2010-480%80810.672.1310-44.6910-590%90913.501.3510-43.7010-56系統(tǒng)仿真及結(jié)論6.1 仿真電路及其仿真結(jié)果在MAT LAB里的Model畫出仿真的圖形。仿真電路圖如圖9所示。圖9 仿真電路圖各個(gè)參數(shù)的設(shè)置方法:用鼠標(biāo)左鍵雙擊圖標(biāo),會(huì)出現(xiàn)一個(gè)對(duì)話框,然后再相應(yīng)的位置修改參數(shù),就可完成參數(shù)的設(shè)置。在不同的占空比時(shí),其他參數(shù)也不一樣,修改的方式都有一樣。完成參數(shù)的設(shè)置,就可以開(kāi)始仿真。仿真時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題,這就得在仿真的過(guò)程中去解決,解決好問(wèn)題后,最終得到的仿真波形如下。在波形圖中,從上到下的波

18、形依次是輸入電壓、占空比、輸出電流、輸出電壓。Simulink仿真結(jié)果如圖10所示圖10 =0.2時(shí)的仿真波形圖由仿真結(jié)果圖10得到的波形可以看出在輸入電壓為100V時(shí),在純電阻負(fù)載情況下,占空比選擇20%時(shí),得到的輸出電壓的平均值近似20V,輸出電流的平均值近似30A。得到的輸出功率的平均值近似為600W,這滿足電路所需的要求。且從波形圖中可以看出,輸出的電壓電流波形的形狀是一致的,這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的,符合理論要求。Simulink仿真結(jié)果如圖11所示。圖11 =0.4時(shí)的仿真波形圖由仿真結(jié)果圖11得到的波形可以看出在輸入電壓為100V時(shí),在純電阻負(fù)載情況下,占空比選擇40

19、%時(shí),得到的輸出電壓的平均值近似40V,輸出電流的平均值近似15A。得到的輸出功率的平均值近似為600W,這滿足電路所需的要求。且從波形圖中可以看出,輸出的電壓電流波形的形狀是一致的,這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的,符合理論要求。Simulink仿真結(jié)果如圖12所示。圖12 =0.5時(shí)的仿真波形圖由仿真結(jié)果圖12得到的波形可以看出在輸入電壓為100V時(shí),在純電阻負(fù)載情況下,占空比選擇50%時(shí),得到的輸出電壓的平均值近似50V,輸出電流的平均值近似12A。得到的輸出功率的平均值近似為600W,這滿足電路所需的要求。且從波形圖中可以看出,輸出的電壓電流波形的形狀是一致的,這滿足純電阻的要求。

20、并且波形是連續(xù)的,符合理論要求。Simulink仿真結(jié)果如圖13所示。圖13 =0.8時(shí)的仿真波形圖由仿真結(jié)果圖13得到的波形可以看出在輸入電壓為100V時(shí),在純電阻負(fù)載情況下,占空比選擇80%時(shí),得到的輸出電壓的平均值近似80V,輸出電流的平均值近似7.5A。得到的輸出功率的平均值近似為600W,這滿足電路所需的要求。且從波形圖中可以看出,輸出的電壓電流波形的形狀是一致的,這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的,符合理論要求。Simulink仿真結(jié)果如圖14所示。圖14 =0.9時(shí)的仿真波形圖由仿真結(jié)果圖14得到的波形可以看出在輸入電壓為100V時(shí),在純電阻負(fù)載情況下,占空比選擇90%時(shí),得到

21、的輸出電壓的平均值近似90V,輸出電流的平均值近似6.67A。得到的輸出功率的平均值近似為600W,這滿足電路所需的要求。且從波形圖中可以看出,輸出的電壓電流波形的形狀是一致的,這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的,符合理論要求。6.2仿真結(jié)果分析由仿真得到的波形可以看出在輸入電壓為100V時(shí),在純電阻負(fù)載情況下,不同占空比時(shí),得到的輸出電壓的平均值,輸出電流的平均值都不一樣。但是得到的輸出功率的平均值近似為600W,這點(diǎn)滿足電路設(shè)計(jì)所需的要求。且從波形圖中可以看出,無(wú)論占空比有怎么變化,輸出電壓、輸出電流的波形的形狀始終是一致的,這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的,符合理論要求。 由仿真圖可以看得到,當(dāng)占空比=0.2輸出電壓為20V;當(dāng)占空比=0.4輸出電壓為40V; 當(dāng)占空比=0.5輸出電壓為50V; 當(dāng)占空比=0.8輸出電壓為80V;當(dāng)占空比=0.9輸出電壓為90V。這與理論計(jì)算的結(jié)果是一致的,說(shuō)明這此仿真結(jié)果是正確的,符合要求??偨Y(jié)做課程設(shè)計(jì)我們都感覺(jué)入手比較困難,因?yàn)樗紫纫竽銓?duì)所學(xué)的知識(shí)都要弄懂,并且能將其聯(lián)系貫穿起來(lái),因此課程設(shè)計(jì)是綜合性比較強(qiáng)的。這次的電力電子課程設(shè)計(jì)是我做的最辛苦

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