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文檔簡介
1、模擬電路單選題般說二極管有單向?qū)щ娞匦裕聪虿粚?dǎo)通,實(shí)際上反向有很微弱的電流,而且1. 當(dāng)溫度升高時,二極管的反向飽和電流將()A.增大B .不變C.減小2. 對于三種不同組態(tài)的三極管基本放大電路,輸入電阻最低的電路是 (C.共集(輸A .共射(輸入電阻居中,輸出電阻較大)B.共基入電阻最大,輸出電阻最?。〥.共射和共基3. 輸出量又進(jìn)入輸入叫反饋,有反饋的電路稱為閉環(huán),而電路開環(huán)是指(A 信號無源B.無反饋C.無電源D.無負(fù)載4.測得硅晶體管電路各點(diǎn)對地電位如圖1所示。則該晶體管的工作狀態(tài)為A 放大B.飽和C.截止D .損壞E, C都比B高或低為飽和,B, E方向與箭頭相反為截止。5 .某三
2、極管的 PcM=100mW, Icm=20 mA , V(br) ceo=15V。三極管能正常工作的狀態(tài)()A . IC=10 mA , VCE=13VC. IC=20 mA , VCE=6VB . IC=40 mA , VCE=2VD. IC=4 mA , VCE=20V6.下列哪種互補(bǔ)對稱功放既是單電源供電,又輸出功率大。A . OTL (無輸出變壓器功放)B.OCL (無輸出電容功放,雙電源供電)式推挽功放,單電源)D .任意一種C.BTL (橋7.單管放大電路是()信號放大器。A . 小B .中C. 大D 任意9.評價功率放大器的主要性能指標(biāo)有(A.C.Po, n ,非線性失真B .
3、Av,Pc, n,非線性失真D. Av ,n,非線性失真Ri, Ro)類功放存在交越失真。A 甲類B 甲乙類C .乙類D 丙類10.()類功放效率最低,最高只能達(dá)到50%。A .甲類B .甲乙類C .乙類D .丙類所示,輸入信號電壓如圖( 有理想特性。試畫出圖示電路的輸出電壓波形,1-1 .二極管(理想)限幅電路 如圖(a)b)所示。設(shè)二極管具 并標(biāo)出其數(shù)值。(6分)Rl0-30ElO_ITT +106 -202-1.電路如圖所示,已知場效應(yīng)管(N道增強(qiáng)型)的低頻跨導(dǎo)為gm=2mS ,0十鞋山2)R1=200K Q , R2=51K Q , R3=2MQ , Rd=20KQ , Rs=10K
4、Q , Rl=20K Q。試求(1)畫出微變等效電路;(2)求放大倍數(shù)、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。(10 分) 這是三個主要的放大 性能指標(biāo)解:1)+K1T%LQ AAu = -gm(Rj|RL )=-20Rj = R, + 尺 R 2040kQRo = Rd = 20k06分)(電流負(fù)反饋)3-1 .在圖示電路中,分別要求(1) 穩(wěn)定的輸出電流;(2) 提高輸入電阻。試問卜 k、m、(串聯(lián)負(fù)反饋)n四點(diǎn)哪兩點(diǎn)應(yīng)連起來?電壓負(fù)反饋穩(wěn)定輸出電壓,電流負(fù)反饋穩(wěn)定輸出電流。串聯(lián)反饋提高輸入電阻,并聯(lián)反饋 減小輸入電阻。解:1)m連到j(luò)2) n連到k圖示為差動放大電路,兩管均為硅管,且3 =100,
5、解答下列問題:1)2)Rw=0,求:A . VT2管的靜態(tài)集電極電位 Vc2=?B. 差模輸入電阻Rid= ?C. 差模電壓放大倍數(shù) Avd=?D .若輸入電壓為 V=12V ,(直流),Vo (直 流)=?調(diào)整Rw豐0和Rw=0時相比較:A . Avd的絕對值是增大、減小、還是基本 不變?B . Rw的存在能提高電路的共模抑制比 嗎? ( 12分)解:lci=lc2=l/2=1mA 。當(dāng)Rw=0時,1) Vc2 =15 Tc2Rc2 =10V ;2) Rid =2尺 +気 +(1 + P )乎卜 9.25k;L1 E1PRc23) Avd =c2 54.04 ;2 RidVTi 流過,Vo=
6、15V。4)此時Vt1處于飽和,電流絕大部分在 當(dāng)RwM0時,1 )由AVd代廠氐)知,2Rd2)共模和差模電壓增益均增大,5-1 .試推導(dǎo)圖示電路的輸出電壓與輸入電壓的關(guān)系。 運(yùn)放有負(fù)反饋,是線性應(yīng)用 用作運(yùn)算等。Avd所以絕對值增大;Rw不能提高共模抑制比。(10 分)Uo1、一 RCJuodt丿Uo1=-UiduiUo= -Rd dt7805 (W7800系列型號后面的兩個數(shù)字T 的 3 =150, Vbe=0.7V , Vi=16V , Ri=2006-1 .直流穩(wěn)壓電路如圖所示,已知三端集成穩(wěn)壓器表示輸出電壓值)的靜態(tài)電流I3=2mA,晶體管 Q,R2=3OOQ。求輸出電壓 Vo是多
7、少伏?(6 分)A7e05vM+O.7 扶寧=14.25VVi =FCKI丄VoE2數(shù)字電路1. JK觸發(fā)器在CP時鐘脈沖作用下,不能實(shí)現(xiàn)Q n+1Q n 的輸入信號是 ()(Qn+1=JQn K Qn)A. J=Q n , K= Q nB. J=Q n , K= Q n2.關(guān)于 PROM 和 PLA 的結(jié)構(gòu) ,下列敘述不正確的是 ( )A.PROM 的與陣列固定 ,不可編程B. PROM 的或陣列可編程C.PLA 的與、或陣列均可編程D. PROM 的與、或陣列均不可編D.功耗低4.() 碼的特點(diǎn)是相鄰兩個代碼之間僅有一位不同。A. BCD 碼B. 余 3 碼C. 奇偶校驗(yàn)碼D. 格雷碼5.
8、八路 數(shù)據(jù)分配器 , 其地址輸入端有 (A. 4B. 3)個。C. 2D. 13.和 TTL 電路相比, CMOS 電路最突出的優(yōu)勢在于( )A.可靠性高B.抗干擾能力強(qiáng)C.速度快6.4 個觸發(fā)器構(gòu)成 8421BCD 碼計數(shù)器,共有 ( ) 個無效狀態(tài)D.不定A. 6B. 8C. 107. 某存貯器芯片的容量為 32KB ,則其地址線和數(shù)據(jù)線的根數(shù)分別為(A.15 和 8B.16 和 8.C.5 和 4D.6 和 48. ROM 中的內(nèi)容,A. 全部改變D.保持不變當(dāng)電源掉電后又接通,存貯器中的內(nèi)容(B.全部為0C.不可預(yù)料9 可以將輸出端直接并聯(lián)實(shí)現(xiàn)“線與”邏輯的門電路是( A. 推拉式輸出
9、結(jié)構(gòu)的 TTL 門電路C.互補(bǔ)輸出結(jié)構(gòu)的CMOS門電路)B. 三態(tài)輸出的門電路D.集電極開路輸出的TTL電路B. 數(shù)字電路的電子器件10. 555 集成定時器是 ( )A. 模擬電路的電子器件C. 模擬電路和數(shù)字電路相結(jié)合的電子器件D. 分立元件電路計算題邏輯主要是 “與”“或”“非”三類,其表達(dá)有三種方式: 邏輯圖, 表達(dá)式, 真值表0A A.op-V邑日寸LaLb =A + B, A+B = AB1-1 化簡(每題 3分,共6分)主要用(1)Z = A + B+C”D + AD”B=A + B (CD) + AD+ B = A + B + AD(2) Z =AB + BC + D(AB +
10、 B C) + BD =AB + BC + (DAB + BD) + DBC =aB +Ab+Bdc +bc + bd=ab +Bdc + b (c + D)解:1) Z = A + BT4LS1332) Z = A B +BCD用譯碼器和門電路生成多輸出函數(shù)的電路圖,多輸出邏輯竝二二二二解:Y=ABC B C Y2 = AC+ BC (8 分)1)FZ m(O,4,6).用74160計數(shù)器構(gòu)成同步七進(jìn)制加計數(shù)器,并畫出其狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖。(8 分)3-1&0000-0001- 0010-0011爲(wèi)74LS160設(shè)計七進(jìn)制計數(shù)器的圖:采用同步置數(shù)法4-1 .某同步時序電路由兩個D-FF構(gòu)成,其驅(qū)動方程為 D Q1n , D2 = A Q; Q2 , A(設(shè)初態(tài)為“ 0”且為上升沿觸發(fā))(10分) 邏輯圖為控制輸入信號,請畫出該時序邏輯電路的邏輯圖,列出狀態(tài)方程和畫出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖及波形圖。解:1)3)nQ2=A q13)狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖4)波形圖 Q2A=000 TT11 T01IIDQ2Q1A=1Il TT00 L10I01Q
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