光化學(xué)顯影制程(基礎(chǔ)內(nèi)容)

1、光化學(xué)顯影制程(基礎(chǔ)內(nèi)容)ellite.tian發(fā)表于:2009-12-05 10:16來源：半導(dǎo)體技術(shù)天地光化學(xué)、干膜、曝光及顯影制程(基礎(chǔ)內(nèi)容1、absorption 吸收，吸入拆被吸收物會進(jìn)入主體的內(nèi)部，是一種化學(xué)式的吸入動作。如光化反應(yīng)中的光能吸收，或板材與綠漆對溶 劑的吸入等。另冇一近似詞adsorption則是指吸附而言，只附著在主體的表面，是一種物理式的親和吸 附。2、actinic light(or intensity, or radiation)有效光指用以完成光化反應(yīng)各種光線屮，其最有效波長范朗的光而言。例如在360420 nm波長范圍的光，對偶 氮棕片、一般黑白底片及重珞

2、酸鹽感光膜等，其等反應(yīng)均最快最徹底且功效最大，謂z有效光。3、acutance解像銳利度是指各種由感光方式所得到的圖像，其線條邊緣的銳利情形(sharpness),此與解像度resolution不同。 后者是指在一定寬度距離中，可以消勉的顯像(developed出多少組“線對”而言(line pair,系指一條線路 及一個空間的組合)，一般俗稱只說解出機(jī)條“線”而已。4、adhesion promotor附著力促進(jìn)劑多指干膜中所添加的某些化學(xué)品，能促使其與銅面產(chǎn)生''化學(xué)鍵”，而促進(jìn)其與底材間之附著力者皆謂之。5、binder粘結(jié)劑各種積層板中的接若樹脂部份，或干膜之阻劑中，所

3、添加川以“成形”而不致太“散”的接著及形成劑類。6、blur edge(circle)模糊邊帶,模糊邊圈多層板各內(nèi)層孔環(huán)與孔位z間在做對準(zhǔn)度檢査時(shí)，可利用x光透視法為z。山于x光z光源與其機(jī)組均非 平行光z結(jié)構(gòu)，故所得圓墊(pad)z放人影像，其邊緣z解像并不明銳清晰，稱為blur edge。7、break point出像點(diǎn)，顯像點(diǎn)指制程中已有干膜貼附的“在制板”，丁-口動輸送線顯像室上下噴液中進(jìn)行顯像時(shí)，到達(dá)其完成沖刷而顯現(xiàn) 出清楚圖形的“旅程點(diǎn)”，謂之“breakpoint”。所經(jīng)歷過的沖刷路程，以占顯像室長度的50-75% z間為宜, 如此可使剩下旅途中的清水沖洗，更能加強(qiáng)清除殘膜的效果

4、。8、carbon arc lamp 碳弧燈早期電路板底片的翻制或版膜的生產(chǎn)時(shí)，為其曝光所用的光源是在兩端逼近的碳耕棒2間，施加高電圧而產(chǎn)生弧光的裝置。9、clean room無塵室、潔凈室是一個受到仔細(xì)管理及良好控制的房間，其溫度、濕度、壓力都町加以調(diào)節(jié)，且空氣中的灰塵及臭氣已予 以排除，為半導(dǎo)體及細(xì)線電路板生產(chǎn)制造必須的環(huán)境。一般“潔凈度”的表達(dá)，是以每“立方呎”的空氣中， 含有人于0.5pm以上的塵粒數(shù)h，做為分級的標(biāo)準(zhǔn)，乂為節(jié)省成本起見，常只在工作臺而上設(shè)習(xí)局部無塵 的環(huán)境，以執(zhí)行必須的工作，稱clean benches,10、collimated light 平行光以感光法進(jìn)行影像轉(zhuǎn)

5、移時(shí),為減少底片與板面間，在圖案上的變形走樣起見，應(yīng)采用平行光進(jìn)行曝光制程。 這種平行光是經(jīng)由多次反射折射，而得到低熱屋且近似平行的光源，稱為collimated light,為細(xì)線路制 作必須的設(shè)備。由于垂直于板面的平行光，對板面或環(huán)境中的少許灰塵都非常敏感，常會忠實(shí)的表現(xiàn)在所 曬出的影像上，造成許多額外的缺點(diǎn)，反不如-般散射或漫射光源能夠口相互補(bǔ)而消彌，故釆用平行光時(shí), 必須還要無塵室的配合才行。此時(shí)底片與待曝光的板面之間，已無需再做抽真空的密接(close contact), 而町直接使用較輕松的soft contact或off contact 了。11、conformity吻合性,服貼

6、性完成零件壞配的板f，為使整片板子外形受到仔細(xì)的保護(hù)起見，再以絕緣性的涂料予以封護(hù)涂裝，使有更好的信賴性。一般軍用或較高層次的裝配板，才會用到這種外形貼護(hù)層。12、declination angle 斜射角由光源所玄接射下的光線，或經(jīng)各種折射反射過程后，再行射下的光線中，凡呈現(xiàn)不垂直射在受光面上， 而與“乖宜法線”呈某一斜角者(叩圖中z a角)該斜角叩稱declination angle5當(dāng)此斜光打在干膜阻劑邊緣 所形成的“小孔相機(jī)”并經(jīng)mylar折光下，會出現(xiàn)另一“平行光”z半角(collimation halfangle, cha)。通 ?！凹?xì)線路”曝光所講究的“高平行度”的曝光機(jī)時(shí),其所

7、呈的“斜射角”應(yīng)小于1.5度,其“平行半角”也須小 于1.5度。13、definition邊緣逼真度在以感光法或印刷法進(jìn)行圖形或影像轉(zhuǎn)移時(shí)，所得到的下-代圖案，其線路或各導(dǎo)體的邊緣，是否能出現(xiàn)齊直而乂忠于原底片z外形，稱為“邊緣齊直性”或逼真度“definition”。14、densitomer 透光度計(jì)是一種對黑口底片之透光度(dmin)或遮光度(dmax)進(jìn)行測量之儀器，以檢査該底片之劣化程度如何。其常 用的品牌如x-rite 369即是。15、developer顯像液，顯影液，顯像機(jī)用以沖洗掉未感光聚合的牘層，而留下已感光聚合的阻劑層圖案，其所用的化學(xué)品溶液稱為顯像液，如干膜 制程所用的

8、碳酸鈉(1 %)溶液即是。16、developing 顯像，顯影是指感光影像轉(zhuǎn)移過程中，由母片翻制子片時(shí)稱為顯影。但對下一代像片或干膜圖案的顯現(xiàn)作業(yè)，則應(yīng)稱 為“顯像”。既然是由底片上的“影”轉(zhuǎn)移成為板面的“像”，當(dāng)然就應(yīng)該稱為“顯像”，而不宜再續(xù)稱底片階段 的“顯影”，這是淺而易見的道理。然而業(yè)界積非成是習(xí)用已久，一時(shí)尚不易改正。日文則稱此為“現(xiàn)像”。17、diazo film偶氮棕片是一種有棕色阻光膜的底片，為干膜影像轉(zhuǎn)移時(shí)，在紫外光中專用的曝光用具(phototool)o這種偶氮片即使在棕色的遮光區(qū)，也能在“可見光”中透視到底片下的板面情形，比黑h底片要方便的多。dry film 干膜是

9、一種做為電路板影像轉(zhuǎn)移用的干性感光薄牘陌劑，另有pe及pet兩層皮膜將z夾心保護(hù)?，F(xiàn)場施工時(shí) 可將pe的隔離層撕掉，讓中間的感光阻劑膜壓貼在板子的銅面上，在經(jīng)過底片感光后即可再撕掉pet的 表護(hù)膜，進(jìn)行沖洗顯像而形成線路圖形的局部阻劑，進(jìn)而可再執(zhí)行蝕刻(內(nèi)層)或電鍍(外層)制程，最后在蝕 銅及剝膜后，即得到有裸銅線路的板而。19、emulsion side 藥膜面黑白底片或diazo棕色底片，在mylar透明片基(常用者有4 mil與7 mil兩種)的一個表而上涂有極 薄的感光乳膠(emulsion)層，做為影像轉(zhuǎn)移的媒介工具。當(dāng)從已有圖案的母片要翻照出“光極性”相反的子 片時(shí),必須謹(jǐn)遵“藥面

10、貼藥jwn ( emulsion to emulsion )的基本原則,以消除因片基厚度而出現(xiàn)的折光, 減少新生畫面的變形走樣。20、exposure 曝光利用紫外線(uv)的能量，使干膜或印墨中的光敏物質(zhì)進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)，以達(dá)到選擇性局部架橋硬化的效果,完成影像轉(zhuǎn)移的目的稱為曝光。21、foot 殘足指干膜在顯像z后部份刻意留下阻劑，具根部與銅面接觸的死角處，在顯像時(shí)不易沖洗干凈而殘留的余角(fillet),稱為foot或cove。當(dāng)干牘太厚或曝光能量不足時(shí)，常會出現(xiàn)殘足，將對線寬造成影響。22、halation 環(huán)暈指曝光制程中接受光照之圖案表面，其外緣常形成明暗之間的環(huán)暈。成因是光線穿過半

11、透明之被照體而到達(dá)另一面，受反射折光冋到正面來，即出現(xiàn)混沌不清的邊緣地帶。23、half angle 半角此詞的正式名稱是collimation half angle“平行光半角”。是指曝光機(jī)所射下的“斜光”，到達(dá)底片上影像 圖案的邊緣，山此“邊緣”所產(chǎn)生“小孔照像機(jī)”效應(yīng)，而將“斜光”擴(kuò)展成“發(fā)散光”其擴(kuò)張角度的一半，謂之 “平行光半角”(cha),簡稱“半角”。24> holding time 停置時(shí)間當(dāng)干膜在板子銅而上完成壓膜動作后，需停置1530分鐘，使膜層與銅而z間產(chǎn)生更強(qiáng)的附著力；而經(jīng) 曝光厲也要再停置1530分鐘，讓已感光的部份牘體，繼續(xù)進(jìn)行完整的架橋聚合反應(yīng)，以便耐得住顯

12、像 液的沖洗，此二滸皆謂之“停置時(shí)間”。25illuminance 照度指照射到物體表面的總體“光能量”而言。26、image transfer影像轉(zhuǎn)移，圖像轉(zhuǎn)移在電路板工業(yè)中是指將底片上的線路圖形，以“直接光阻"的方式或“間接印刷”的方式轉(zhuǎn)移到板面上，使板 子成為零件的互連配線及組裝的載體，而得以發(fā)揮功能。影像轉(zhuǎn)移是電路板制程中重耍的一站。27、laminator 壓膜機(jī)當(dāng)阻劑干膜或防焊干膜以熱壓方式貼附在板子銅面上時(shí)，所使用的加熱輾壓式壓膜機(jī)，稱z laminator。28、light integrator光能累積器、光能積分器是在某一時(shí)段內(nèi)，對物體表而計(jì)算其總共所得到光能量的一

13、種儀器。此儀器中含濾光器，可用以除去一般待測波長以外的光線。當(dāng)此儀另與計(jì)時(shí)器配合后，可計(jì)算物體表面在定時(shí)中所接受到的總能量。-般下膜曝光機(jī)中都加裝冇這種"積分器”，使曝光作業(yè)更為準(zhǔn)確。29、light intensity 光強(qiáng)度單位時(shí)間內(nèi)(秒)到達(dá)物體衣面的光能量謂z“光強(qiáng)度''。其單位為watt/cm2,連續(xù)一時(shí)段中所累計(jì)者即為總計(jì)光能量，其單位為joule(watt?sec)。30、luminance發(fā)光強(qiáng)度，燿度指i1j發(fā)光物體表面所發(fā)出或某些物體所反射出的光通量而言。類似的字詞尚冇“光能量”luminous energy。31、negative-acting

14、resist負(fù)性作用之阻劑,負(fù)型阻劑是指感光后能產(chǎn)生聚合反應(yīng)的化學(xué)物質(zhì)，以其所配制的濕膜或干膜，經(jīng)曝光、顯像后，可將未感光未聚合 的皮膜洗掉，而只在板而上簾卜已聚合的肌劑圖形，的原始圖案相反，這種感光阻劑稱z為''負(fù)性作用阻劑”, 也稱為negative working resisto反之，能產(chǎn)生感光分解反應(yīng)，板面的阻劑圖案與底片完全相同者，貝ij稱 為positive acting resis o電路板因解像度(resolution,大陸用語為“分辨率”)的要求不高，通常采用“負(fù) 性作用”的阻劑即可，且也較便宜。至于半導(dǎo)體ic、混成電路(hybrid).液晶線路(lcd)等則

15、采解像度較好 的“正型”阻劑，相對的其價(jià)格也非常貴。32、mercury vaper lamp 汞氣燈是-種不連續(xù)光譜的光源，其主耍的四五個強(qiáng)峰位置,是集中在波長365560nm之間。其當(dāng)光源強(qiáng)度之展現(xiàn)與能量的施加，在時(shí)間上會稍有落后。且光源熄滅后若需再開啟時(shí)，還需要經(jīng)過一段冷卻的時(shí)間。因而這種光源一旦啟動后就要連續(xù)使用，不宜開開關(guān)關(guān)。在不用時(shí)可采'光柵”的方式做為阻斷控制，避免開關(guān)次數(shù)a多而損及光源的壽命。33 newton ring 牛頓當(dāng)光線通過不同密度的介質(zhì)，而其間的間隔(gap,例如空氣)乂極薄時(shí)，則入射光會與此極薄的空氣間隙發(fā)生作用，而出現(xiàn)五彩狀同心闘的環(huán)狀現(xiàn)象，因?yàn)槭桥ｎD

16、所發(fā)現(xiàn)的故稱為“牛頓環(huán)”。干膜之曝光因系在“不完全平行'或散射光源下進(jìn)行的，為減少母片與子片間因光線斜射而造成失真或不忠實(shí)現(xiàn)象，故必須將二者z間的間距盡可能予以縮小，叩在抽真空下密接(close contact),使完成藥面接藥面(imulsion side toimulsion side)z緊貼，以達(dá)到授好的影像轉(zhuǎn)移。凡當(dāng)二者乙間尚有殘存空氣時(shí)，即表示抽真空程度不足。此種未密接之影像，必定會發(fā)生曝光不ii而引起的解像劣化，甚至無法解像的情形。而此殘存空氣所顯示的牛頓環(huán)，若用手指去壓擠時(shí)還會出現(xiàn)移動現(xiàn)象，成為一種真空程度是否良好的指標(biāo)。為了更方便檢查丫頓環(huán)是否仍能移動z借形，最好在曝光

17、臺面上方裝設(shè)一支黃色的燈光，以便于隨時(shí)檢査是否仍冇牛頓環(huán)的存在。上法可讓傳統(tǒng)非平行光型的曝光機(jī)，也能展現(xiàn)出最良好曝光的能力。34、oligomer 寡聚物原來意思是指介于已完成聚合的高分子，與原單體z間的''半成品”，電路板所用的干膜中即充滿了這種寡 聚物。底片“明區(qū)”部份所“占領(lǐng)”的干膜，一經(jīng)曝光后即展開聚合碩化，而耐得住碳酸鈉溶液(1%)的顯像沖 刷，至于未感光的寡聚物則會被沖掉，而出現(xiàn)選擇性“阻劑”圖案，以便能再繼續(xù)進(jìn)行蝕刻或電鍍。35、optical density 光密度在電路板制程中，是指棕色底片上“暗區(qū)”之阻光程度，或“明區(qū)”的透光程度而言，一般以d示之。另外相對

18、于此詞的是透光度(transmittance, t)。此二種與“光”有關(guān)的性質(zhì)，可用入射光(incident light, li)及透出光仃ransmitted light i)兩參數(shù)表達(dá)如下，即：t=l / li(1)d=logt將式代入得：d=-log(l/li) 現(xiàn)將“光密度”(d),與“透光度”仃)，及棕色底片“品質(zhì)”三者z關(guān)系，列表整理丁下：(上表中dmim表示棕片明區(qū)的光密度；dmax 表示暗區(qū)的光密度)生產(chǎn)線上所使用的棕色片(diazo),需定時(shí)以“光密度檢測儀”(見附圖)左進(jìn)行檢查。一 旦發(fā)現(xiàn)品質(zhì)不良時(shí)，應(yīng)即行更換棕片，以保證曝光應(yīng)冇的水準(zhǔn)。此點(diǎn)對于防焊干膜的解像轎度尤其雨要。

19、光 密度dt%透光度棕片品質(zhì) 0.00 100.0棕色片明區(qū)0.10 79.4的光密度dmim0.15 70.8 應(yīng)低于 0.15 1.00 10.0 2.00 1.0 3.00 0.1 3.50 0.03 4.00 0.01 棕色片暗區(qū) 4.50 0.0065 的光密度 dmax 5.00 0.001 應(yīng)高于 3.5036、oxygen inhibitor氧氣抑制現(xiàn)象曝光時(shí)干膜會吸取紫外線屮能量，引起本身配方中敏化劑(sensitizer)的分裂，而成為活性極高的“自由基»(free radicals).此等自山基將再促使與其他單體、不含飽和樹脂、及己部份架橋的樹脂等進(jìn)行全浙的“聚

20、合反應(yīng)”。此反應(yīng)須而無氧在狀態(tài)下才能進(jìn)行，一口接觸氧氣后其聚合反應(yīng)將受到抑制或干擾而無法完成，這種氧氣所扮演的和色，即稱為“oxygen inhibitor”。這就是為什幺當(dāng)板子在進(jìn)行莫干膜曝光，以及曝光后的停置時(shí)間(holding time)內(nèi)，都不能撕掉表面透明護(hù)膜(mylar)的原因了。然而在實(shí)施f膜之“止片式蓋孔法”仃ening)時(shí)，其鍍通孔屮當(dāng)然也存在有氧氣，為了減少上述indibitor現(xiàn)象對該孔區(qū)干膜背面(與通孔中空氣z接觸面)的影響起見，可采用下述補(bǔ)救辦法：1.在強(qiáng)曝光z光源強(qiáng)度下，使瞬間產(chǎn)生更多的自山基，以消耗吸收掉鍍孔中冇限的氧氣。且形成一層阻礙，以防氧氣自背而的繼續(xù)滲入。

21、2.増加蓋孔干膜的片度，使孔口“蒙皮”軟膜的正面部份，仍可在mylar保護(hù)下繼續(xù)執(zhí)行無氧z聚合反應(yīng)。即使背而較為軟弱,在正面已充份聚合而達(dá)到厚度下，仍耐得住短時(shí)間的酸性噴蝕，而完成止片法的外層板(見附圖)。不過蓋孔法對“無孔環(huán)"(landless)的高密度電路板，貝u只好“無法度”了。這種先進(jìn)高品級(high eng)電路板，似乎僅?！叭追ā币煌究尚辛?。37、photofugitive 感光褪色軟膜阻劑的色料中，有一種特殊的添加物，會使已感光部份的顏色變淺，以便與未感光部份的原色有所區(qū) 別，使在生產(chǎn)線上容易分辨是否已做過曝光，而不致弄錯再多曝光一次。與此詞對應(yīng)的另有感光后顏色加 深

22、者,稱者"phototropic"。38、photoinitiator 感光啟始劑乂稱為敏化劑sensitizer,如昆類(quinones)等染料，是干膜接受感光能量后首先展開行動者。當(dāng)此劑接受 到uv的刺激厲，即迅速分解成為門由基(radicals),進(jìn)而激發(fā)各式連鎖聚合反應(yīng)，是干膜配方中z巫要成 份。39、photoresist chemical machinning(milling)光阻式化學(xué)(銃刻)加丁用感光成像的方式，在薄片金屬上形成選擇性的兩面感光阻劑，再進(jìn)行雙面銃刻(鏤空式的蝕刻)以完成所馬精細(xì)復(fù)雜的花樣，如積體電路z腳架、果菜機(jī)的主體濾心濾網(wǎng)等，皆可采pc

23、m方式制作。40、photoresist 光阻是指在電路板銅面上所附著感光成像的阻劑圖案，使能進(jìn)一步執(zhí)行選擇性的蝕刻或電鍍之工作。常用者有干膜光阻及液態(tài)光阻。除電路板外，其他如微電孑工業(yè)或pcm等也都需用到光阻劑。41、point source light 點(diǎn)狀光源當(dāng)光源遠(yuǎn)比被照體要小，而且小到極小；或光源與被照體相距極遠(yuǎn)，則從光源到被照體農(nóng)面上任何一點(diǎn)，其各光線之間兒乎成為平行時(shí)，則該光源稱為“點(diǎn)狀光源“42、positive acting resist 正性型光阻劑冇指冇光阻的板面，在底片明區(qū)涵蓋下的阻層，受到紫外光能的刺激而發(fā)生“分解反應(yīng)”，并經(jīng)顯像液z沖 刷而被“除去”，只在板匕刻意留

24、下“未感光”未分解z部份阻劑。這種因感光而分解的阻劑稱為“正性光阻 劑”，亦稱為positive working resisto通常這種“正性光阻”的原料要比負(fù)性光阻原料貴的很多,因其解像 力很好,故一般多用于半導(dǎo)體方面的“晶圓”制造。最近由于電路板外層的細(xì)線路形成，逐漸有采取"正片法” 的直接蝕刻(print and etch)流程，以節(jié)省工序及減少錫鉛的污染。因而干膜蓋孔及油墨塞孔皆被試用過， 前者對“無環(huán)"(landless)或孔環(huán)太窄的板類，將受到限制而良品率降低，后者油墨不但手續(xù)麻煩，且失敗率 也很高。因而“正性的電著光阻"(positive ed),就

25、將應(yīng)運(yùn)而生。目前此法己在日本nec公司上線量產(chǎn),因 可在孔壁上形成保護(hù)膜，故能直接進(jìn)行線路蝕刻，是極為先進(jìn)的做法。43、primary image 線路成像此術(shù)語原用于網(wǎng)版印刷制程中，現(xiàn)亦用于干膜制程上，是指內(nèi)外層板之線路圖形，山底片上經(jīng)山干膜而轉(zhuǎn)移于板子銅面上，這種專做線路轉(zhuǎn)移的工作，則稱為“初級成像''或''主成像”，以示與防焊干膜的區(qū)別。44、radiometer輻射計(jì)，光度計(jì)是一種可檢測板面上所受照的uv光或射線(radiation)能雖:強(qiáng)度的儀器，可測知每平方公分而積中所得到光能量的焦耳數(shù)。此儀并可在高溫輸送帶上使川，對電路板之uv曝光機(jī)及uv硬化機(jī)

26、都可加以檢測，以保證作業(yè)之品質(zhì)。45、refraction 折射光線在不同密度的介質(zhì)(media)中，其行進(jìn)速度會不一樣，因而在不同介質(zhì)的交界而處，其行進(jìn)方向?qū)淖?，也就是發(fā)生了“折射”。電路板z影像轉(zhuǎn)移工程不管是采網(wǎng)印法、感光成像的干膜法，或桝液式ed法等，其各種透明載片、感光乳膠層、網(wǎng)布、版膜(stencil)等皆以不同的厚度配合成為轉(zhuǎn)移工具，故所得成像與真正設(shè)計(jì)者多少會有些差異，原因之一就是來自光線的折射。46、refractive index 折射率光在真空屮進(jìn)行速度，除以光在某一介質(zhì)中的速度，其所得z比值即為該介質(zhì)的“折射率”。不過此數(shù)值會因入射光的波長、環(huán)境溫度而有所不同。繪常用

27、的光源是以20°c時(shí)“鈉燈”中zd線做為標(biāo)準(zhǔn)入射光，表示方法是20/d。47、resist阻劑，阻膜指欲進(jìn)行板面濕制程z選擇性局部蝕銅或電鍍處理前，應(yīng)在銅面上先做局部遮蓋z正片阻劑或負(fù)片阻劑，如網(wǎng)印油墨、干膜或電著光阻等，統(tǒng)稱為阻劑。4& resolution解像，解像度，解析度指各種感光膜或網(wǎng)版印刷術(shù),在采用具有2 mil“線對”(linepair)的特殊底片,及在有效光曝光與正確顯像(developing)后，于其1 mm的長度中所能清楚呈現(xiàn)最多的“線對”數(shù)，謂之“解像”或“解像力”。此處所謂“線對”是指“一條線寬配合一個間距”，簡單的說resolution就是指影像轉(zhuǎn)移

28、后，在新翻制的子片上，其每公厘間所能得到良好的“線對數(shù)n (line-pairs/mm)。人陸業(yè)界對此z譯語為“分辨率”，一般俗稱的“解像”均很少涉及定義，只是一種比較性的說法而已。49、resolving power解析力，解像力(分辨力)指感光底片在其毎mm之間，所能得到等寬等距(2 mil)解像良好的“線對”數(shù)目。通常鹵化銀的黑白底片， 在良好平行光及精確的母片下，約有300 line-pair/mm的解析力，而分子級偶氮棕片的解像力，貝u數(shù)倍 于此。50、reverse image負(fù)片氣像(阻劑)指外層板面鍍二次銅(線路銅前，于銅面上所施加的負(fù)片干膜阻劑圖像，或(網(wǎng)印)負(fù)片汕墨阻劑圖像

29、而言。使在阻劑以外，刻意空出的正片線路區(qū)域中，可進(jìn)行鍍銅及鍍錫鉛的操作。51、scum透明殘膜是指干膜在顯像后，h未感光碩化z區(qū)域應(yīng)該被徹底沖洗干凈，而露出淸潔的銅而以便進(jìn)行蝕刻或電鍍。 若仍然殘留冇少許呈透明狀的干膜殘屑時(shí)，即稱之為scum。此種缺點(diǎn)對蝕刻制程會適成各式的殘銅，對電 鍍也將造成局部針孔、凹陷或附著力不艮等缺陷。檢査法可用5%的氯化銅液(加入少許鹽酸)當(dāng)成試劑， 將干膜顯像后的板子浸于其中，在-分鐘z內(nèi)即可檢測出scum的存在與否。因清潔的銅而會立即反應(yīng)而 變成喑灰色。但留冇透明殘膜處，則將仍然呈現(xiàn)鮮紅的銅色。52、side wall 側(cè)壁在pcb j：業(yè)中有兩種含懣，其一是指顯像后的干膜側(cè)面，從微觀上所看到是否直立的情形；其二是指蝕刻后線路兩側(cè)面的直立狀態(tài)，或所發(fā)生的側(cè)蝕情形如何，皆可由電子顯微鏡或微切片上得以淸楚觀察。53、soft contact 輕觸光阻膜于曝光時(shí)，須將底片緊密壓貼在t膜或已碩化z濕膜衣而，稱為hard contact。若改采平行光曝光設(shè)備時(shí)則可不必緊壓，稱為soft contact,此“輕觸”有別于髙度平行光自動連線z非接觸(off contact)式駕空曝光。54、static eliminator 靜電消除器電路板系以冇機(jī)樹脂為基材。常在制程中的某些磨刷工作時(shí)會產(chǎn)生靜電