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第三節(jié) 光盤(pán)原理 一、光盤(pán)的存儲(chǔ)原理 光盤(pán)用坑和島以及坑島的長(zhǎng)度表達(dá)信息 CLV構(gòu)造中，總長(zhǎng)度約為5萬(wàn)km，約有2萬(wàn)條光道，光道間距1.6微米，可包容28億左右個(gè)的坑。一只讀型光盤(pán)存儲(chǔ)器 只讀型光盤(pán)的記錄介質(zhì)通常為光刻膠 只讀型 光盤(pán)多為工廠消費(fèi)Ar+聲光調(diào)制信號(hào)發(fā)生器前置放大(二一次寫(xiě)入光盤(pán)存儲(chǔ)原理 一次寫(xiě)入光盤(pán)是利用激光光斑在存儲(chǔ)介質(zhì)的微區(qū)產(chǎn)生不可逆轉(zhuǎn)的物理化學(xué)變化伊進(jìn)展記錄的光盤(pán)。 1、記錄方式 燒蝕型、起泡型、熔絨型、合金化型、相變型 2、存儲(chǔ)原理 燒蝕型原理(三可重寫(xiě)光盤(pán)的擦寫(xiě)原理 1、磁光型光盤(pán)的寫(xiě)擦原理 居里點(diǎn)記錄和補(bǔ)償點(diǎn)記錄 2、相變型光盤(pán)的寫(xiě)擦原理 1向變介質(zhì)的三種形狀 相變介質(zhì)有三種形狀：無(wú)定形狀A(yù)s、玻璃態(tài)非晶態(tài)G、晶態(tài)C 三種形狀可以在一定條件下轉(zhuǎn)換 2相變型光盤(pán)的寫(xiě)擦原理 二、光盤(pán)的讀出原理 一RO 和WORM型的讀出 利用聚焦后的激光束對(duì)信息道上的凹坑進(jìn)展掃描，由于反射率不同，從而構(gòu)成光電反差特性，經(jīng)過(guò)光電檢測(cè)器讀出“0“1信息。 二可重寫(xiě)光盤(pán)的讀出原理 1、磁光型光盤(pán)的讀出原理 2、相變型光盤(pán)的讀出原理

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