半導(dǎo)體廠務(wù)工作

1、半導(dǎo)體廠務(wù)工作吳世全國(guó)家奈米組件實(shí)驗(yàn)室、前言近年來(lái)，半導(dǎo)體晶圓廠已進(jìn)展到8"晶圓的量產(chǎn)規(guī)模，同時(shí)，也著手規(guī)劃12"晶圓的建廠與生產(chǎn)，準(zhǔn)備迎接另一世代的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。于是各廠不斷地?cái)U(kuò)增其產(chǎn)能與擴(kuò)充其廠區(qū)規(guī)模，似乎稍一停頓即會(huì)從此競(jìng)爭(zhēng)中敗下陣來(lái)。所以，推促著制程技術(shù)不斷地往前邁進(jìn)，從0.25pm設(shè)計(jì)規(guī)格的64Mb（兆位）DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)元件）內(nèi)存密度的此際技術(shù)起，又加速地往0.18m規(guī)格白2256M發(fā)展；甚至0.13m的1Gb（千兆位）集積度的DRAMS件設(shè)計(jì)也屢見(jiàn)不鮮。亦即整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正陷入尖端技術(shù)更迭的追逐戰(zhàn)，在競(jìng)爭(zhēng)中，除了更新制程設(shè)備外，最重要的是維持廠區(qū)正常運(yùn)作的廠

2、務(wù)工作之配合，而這兩方面的支出乃占資本財(cái)?shù)淖畲笞?。特別是多次的工安事故及環(huán)保意識(shí)抬頭之后，廠務(wù)工作更是倍顯其重要及殷切。CA3YARDLO.UArTank世郵prd二般耳供氧系H流四圈_1事實(shí)上，半導(dǎo)體廠的廠務(wù)工作為多援屬性的任務(wù)，也是后勤配合與收攤（廢棄物）處理的工作；平時(shí)很難察覺(jué)其重要性，但狀況一出，即會(huì)令整廠雞飛狗跳，人仰馬翻，以致關(guān)廠停機(jī)的地步。所以，藉此針對(duì)廠務(wù)工作的內(nèi)容做一概略性的描述，說(shuō)明其重要性并供作參考與了解。文章分為三部份：首先為廠務(wù)工作的種類，其次是廠務(wù)工作的未來(lái)方向，最后是本文的結(jié)語(yǔ)。、廠務(wù)工作的種類目前在本實(shí)驗(yàn)室所代表的半導(dǎo)體制程的廠務(wù)工作，約可分為下列數(shù)項(xiàng)：1.一般

3、氣體及特殊氣體的供應(yīng)及監(jiān)控。2.超純水之供應(yīng)。DRAMMetrologyIM4MU.0364M035bnignRule微米2313SO0J802mpuntyin圣ppb100IQ5DewPbintinN?七,%如-90JOOJLO-120RirtkkSire就米03020.1°OJOSpt.s.ctIOC50JO1J去一乳酢的規(guī)格3 .中央化學(xué)品的供應(yīng)。4 .潔凈室之溫度，濕度的維持。5 .廢水及廢氣的處理系統(tǒng)。6 .電力，照明及冷卻水的配合。7 .潔凈隔間，及相關(guān)系統(tǒng)的營(yíng)繕支持工作。8 .監(jiān)控，輔佐事故應(yīng)變的機(jī)動(dòng)工作等數(shù)項(xiàng)。下述將就各項(xiàng)工作內(nèi)容予以概略性說(shuō)明:“二act配*心腫同現(xiàn)

4、修*Dft閨4她:替*(酋zIftMMMIhptVjlMLriWIilMi-MMLU.，坤Lb-1-r07一vetvCftE皿MKlirriAIMiHlfamvarnr4z1Uc1.一般氣體及特殊氣體的供應(yīng)及監(jiān)控1一座半導(dǎo)體廠所可能使用的氣體約為30種上下，其氣體的規(guī)格會(huì)隨制程要求而有不同；但通常可分為用量較大的一般氣體(BulkGas，及用量較小的特殊氣體(SpecialGsa二大類。在一般氣體方面，包括有N2,O2,Ar,H2等。另在特殊氣體上，可略分為下述三大類：（1惰性氣體（InertCF4,C2F6,C4H8及CH3F等。Gas的He,SF6,CO2,(2燃燒性氣體(Flammabl

5、eGas的SiH4,Si2H6,B2H6,PH3,SiH2C12,CH3,C2H2及CO?。（3腐蝕性氣體（CorrosiveGas的Cl2,HCl,F2,HBr,WF6,NH3,BF2,BCl3,SiF4,AsH3,ClF3,N2O,SiCl4,AsCl3及SbCl5等。實(shí)際上，有些氣體是兼具燃燒及腐蝕性的。其中除惰性氣體外，剩下的均歸類為毒性氣體。SiH4,B2H6,PH3等均屬自燃性氣體（Pyrophoricity,即在很低的濃度下，一接觸大氣后，立刻會(huì)產(chǎn)生燃燒的現(xiàn)象。而這些僅是一般晶圓廠的氣源而已，若是實(shí)驗(yàn)型的氣源種類，則將更為多樣性。表內(nèi)圖部分上往巔戰(zhàn)的TLV做TLV-TWATL5S

6、TELS汨.5PH】i03HEAsK；I0.05；NH,一HCJ5|WFbUtng/m'HBr3（甲位:PPMJ其在供氣的流程上，N2可實(shí)行的方式，有1.由遠(yuǎn)方的N2產(chǎn)生器配管輸送，2使用液氣槽填充供應(yīng)，3利用N2的近廠產(chǎn)生器等三種。目前園區(qū)都采1式為主，但新建廠房的N2用量增巨，有傾向以近廠N2產(chǎn)生器來(lái)更替；而本實(shí)驗(yàn)室則以液槽供應(yīng)。O2氣體亦多采用液槽方式，不過(guò)H2氣體在國(guó)內(nèi)則以氣態(tài)高壓鋼瓶為主。圖一乃氣體供應(yīng)之圖示。純化器方面，N2及O2一般均采用觸煤吸附雙塔式，Ar則以Getter（吸附抓?。┦綖橹?，H2則可有Getter,Pd薄膜擴(kuò)散式和觸媒加超低溫吸附式等三項(xiàng)選擇。至于危險(xiǎn)特

7、殊氣體的供應(yīng)氣源，大都置于具抽風(fēng)裝置的氣瓶柜內(nèi)，且用2瓶或3瓶裝方式以利用罄時(shí)切換；切換時(shí)，須以N2氣體來(lái)沖凈數(shù)十次以確定安全，柜上亦有ESO（EmergenceShutOffValve閥，即緊急遮斷閥，做為泄漏時(shí)的遮斷之用。目前對(duì)氣體的不純物要求已達(dá)1ppb（即109分之1）的程度，如表一所示。為達(dá)此潔凈度，除要求氣源的純度外，尚需考慮配管的設(shè)計(jì)和施工。而施工的原則有下述八點(diǎn)：引J>>|k.|>rUw!l）liM*IMP1<1*144312物時(shí)1-4HIA題41f方才TOG3m«-A國(guó)，01，<i*51><1-J-I<«i一

8、m3,京看&e>1.bi>，葡如*b*，*i|一，<mi»*w*4Ek<“*鼻14M4W4NrCp七j.H«Su<H>事”1ClikOFCiOI<»臉*ft1.ParticleFree（無(wú)塵粒）2 .ExternalLeakFree（無(wú)外漏）3 .DeadSpaceFree（無(wú)死角）4 .OutGasFree（無(wú)逸氣）5.EffectiveAreaMinimum（最小有效面積）6.ErrorOperationFree（無(wú)操作誤失）7.CorrosionFree（無(wú)腐蝕）8.CatalyticBehaviorFree

9、（無(wú)觸化現(xiàn)象）(Tid,101現(xiàn)M工總中曲內(nèi)的TOCso-OSUI5晝&因此，管件的規(guī)格就必須愈來(lái)愈嚴(yán)謹(jǐn)，如表二所列。其BA為BrightAnnealTreatment,即輝光燒鈍退火處理，EP則為Electro-Polish,屬電極拋光之等級(jí)。另項(xiàng)的重要工作是在氣體監(jiān)控系統(tǒng)，主要的目的是做為操作時(shí)的管理，及安全上的管理?？捎杀砣f(shuō)明之。而氣體的毒性規(guī)范乃以啟始下限值(TLV/ThresholdLimitValue為界定，表四乃部份毒性氣體的TLV值。關(guān)于毒氣偵測(cè)的傳感器原理，一般有下列六種:1 .電化學(xué)式(Electro-chemical2 .半導(dǎo)體式（Semiconductor3

10、.化學(xué)試紙式（ChemicalPaperTape4 .火焰放射光譜式（Flame-emissionSpectrometry5 .傅力葉紅外線光譜式（Fourier-TransformInferredSpectrometry-FTIR6 .質(zhì)譜儀式（MassSpectrometry而常使用的感測(cè)為前三種。完整的毒氣監(jiān)控系統(tǒng)尚須具備:1.24小時(shí)連續(xù)偵測(cè)7 .警報(bào)系統(tǒng)8 .自動(dòng)廣播系統(tǒng)9 .分區(qū)的閃光燈警報(bào)系統(tǒng)10 圖控系統(tǒng)顯示現(xiàn)場(chǎng)位置11 各點(diǎn)讀值歷史記錄趨勢(shì)圖而當(dāng)偵測(cè)到毒氣泄漏時(shí)，立即警報(bào)于計(jì)算機(jī)屏幕，同時(shí)啟動(dòng)自動(dòng)廣播系統(tǒng)及分區(qū)的閃光燈警報(bào)系統(tǒng)，此時(shí)相關(guān)區(qū)域全體人員應(yīng)立即撤出，現(xiàn)場(chǎng)人員立即通知

11、緊急應(yīng)變小組做適當(dāng)?shù)奶幚怼?.超純水之供應(yīng)2純水水質(zhì)之要求隨集成電路之集積度增加而提高，其標(biāo)準(zhǔn)如表五所示。超純水之制程隨原水水質(zhì)而有不同的方式，國(guó)內(nèi)幾以重力過(guò)濾方式；主要是去除水中的不純物，如微粒子，有機(jī)物，無(wú)機(jī)鹽類，重金屬及生菌等等。去除的技術(shù)上，有分離、吸附及紫外燈照射等。表五詳列的是新舊超純水制程的比較情形。其中新制程的步驟有：(1多功能離子交換樹(shù)脂和裝置所使用之強(qiáng)堿性離子交換樹(shù)脂除了可以去除離子以外，還具有吸著、去除微粒子的功能；而微粒子吸著的機(jī)制乃樹(shù)脂表面的正電吸引微粒子的負(fù)電，吸著力的大小，決定于樹(shù)脂表面線狀高分子之尾端狀態(tài)。(2臭氧-紫外線(UV照射型分解有機(jī)物設(shè)備以往的技術(shù)中，

12、采用的是過(guò)氧化氫-UV照射型之有機(jī)分解方式，以氧化和分解有機(jī)物。原理乃利用UV照射過(guò)氧化氫此氧化劑，使其產(chǎn)生氫氧基(.OH來(lái)氧化有機(jī)物。被氧化的有機(jī)物在形成有機(jī)酸后，變成了二氧化碳和水。新技術(shù)中乃以臭氧代替過(guò)氧化氫，如此可提高有機(jī)物的氧化分解效率，連以往甚難去除的超微小粒子膠體物質(zhì)都可以去除。(3一塔二段式真空脫氣塔此乃去除水中溶存之氧氣，以降低氧分子在芯片表面自然氧化膜的形成。目前去除水中溶氧的方法及所面臨的問(wèn)題:1.真空脫氣法一無(wú)法使溶氧降至50科g/l以下。"WuHT知NYV|H加2.膜脫氣法一和1.一樣，且須使用大型機(jī)器，故不具經(jīng)濟(jì)性。3 .氮?dú)饷摎夥ㄒ皇褂么罅康獨(dú)?，所以運(yùn)轉(zhuǎn)

13、費(fèi)用較高。4 .觸媒法必須添加氫和聯(lián)氨，運(yùn)轉(zhuǎn)費(fèi)亦高。而此改良式設(shè)備乃就一塔一段式真空脫氣法改變?yōu)槎喽问降某闅?，并加裝冷凝器，俾以縮小塔徑和真空幫浦的尺寸。如此，建設(shè)費(fèi)減少1/3,運(yùn)轉(zhuǎn)費(fèi)減少2/3,并使溶氧降至10mg/l以下，若再配備加熱循環(huán)，則更能降低至10科g/l以下。(4高速通水式非再生純水器就總有機(jī)體碳（TOC含量在10g/l以下的超純水而言，有機(jī)物的溶出是一項(xiàng)不可忽略的問(wèn)題；而一般的離子交換樹(shù)脂會(huì)溶出微量的有機(jī)物，所以在副系統(tǒng)的非再生型樹(shù)脂塔中用超低溶出型的離子交換樹(shù)脂后，再大幅提增其通水流速，如此便能大幅降低TOC值，且降低成本。若以微粒子的動(dòng)向來(lái)描繪各相關(guān)組件的去除效率，可如圖二

14、看出。其組件有凝集水過(guò)濾塔，混床塔，RO（逆滲透膜），CP（套筒式純水器，非再生型離子交換樹(shù)脂塔）。而從圖二得知，混床塔之后的微粒子是由其后端的組件中溶出。至于去除TOC的有效組件有：離子樹(shù)脂塔，紫外線氧化槽，活性碳塔和TOC-UV燈等，其效率如圖三所示。3.中央化學(xué)品的供應(yīng)3目前的化學(xué)品供應(yīng)已由早期的人工倒入方式改為自動(dòng)供酸系統(tǒng)，其系統(tǒng)可分為四大單元：化學(xué)品來(lái)源（ChemicalSource。充填單元（ChargeUnit、稀釋/混合單元（Dilution/MixingUnit,儲(chǔ)存槽（BufferTank及供應(yīng)單元（Supplyunit。（1來(lái)源方式有桶裝（Drum,糟車（Lorry,及混

15、合方式（MixingSource。（2充填單元/供應(yīng)單元二者為供應(yīng)系統(tǒng)的動(dòng)力部份，而將化學(xué)品經(jīng)管路輸送到指定點(diǎn)。方法有幫浦（Pump抽取，真空吸?。╒acuumSuction及高壓輸送（PressureDelivery等三種。且為降低化學(xué)品被污染的機(jī)率須配備佐助組件，如純水，氮?dú)鈬姌?清洗接頭；濾網(wǎng)風(fēng)扇（HEPAFan保持正壓避免外界灰塵粒子進(jìn)入；排氣（Exhaust排除溢漏化學(xué)品及本身的氣味于室外。（3稀釋/混合單方面，乃指一般化學(xué)品或研磨液加純水的稀釋，及研磨液與化學(xué)品，或此二者與純水的混合而言。（4管路設(shè)計(jì)方面需注意事項(xiàng)有：1 .非水平管路：即從源頭到使用點(diǎn)由高而低，當(dāng)管路漏酸時(shí)便會(huì)流到

16、未端的閥箱（VakeBox,可輕易清除。2 .不同高層的管路排列：上下排列之管材最好能同一屬性，如同為不銹鋼或鐵弗龍，或透明塑料管（CPVC否則安排的順序?yàn)殍F弗龍?jiān)谏希聻镃PVC最后不銹鋼管。3 .研磨液管路設(shè)計(jì)：因其與空氣接觸時(shí)易干涸結(jié)晶而阻塞管路，故須注意管路尺寸及避免死角。4 .接點(diǎn)測(cè)漏裝置，以便隨時(shí)偵測(cè)管路泄漏與否。5 .避免過(guò)多的管路接點(diǎn)。6 .潔凈室之濕度，溫度的維持4事實(shí)上，一座半導(dǎo)體晶圓廠之潔凈室的組成須含括多項(xiàng)子系統(tǒng)方能滿足表六所列的標(biāo)準(zhǔn)：（1與潔凈室特別搭配的建筑結(jié)構(gòu)一以利潔凈空氣的流暢，防震及足夠的支撐結(jié)構(gòu)，和寬敞的搬運(yùn)動(dòng)線。(2不斷地新鮮，干凈空氣之補(bǔ)充-彌補(bǔ)機(jī)臺(tái)之

17、排氣及保持室內(nèi)正壓以杜絕外氣的污染。(3保持潔凈室的清潔度-配備空氣循環(huán)的驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇，透氣的地板及天花板，且地板高架化以利回風(fēng)及配管，天花板則安裝過(guò)濾網(wǎng)與銜吊架。(4恒溫恒濕之控制除配置外氣空調(diào)箱外(Make-upAirunit,室內(nèi)仍需有不滴水的二次空調(diào)盤(pán)管來(lái)做溫度微控，另加裝精確的自動(dòng)感溫控制系統(tǒng)，即可達(dá)成此恒溫，恒濕之控制。(5考慮靜電、噪音及磁場(chǎng)等防護(hù)的工程電力系統(tǒng)裝配。(6不發(fā)塵及不堆塵的室內(nèi)設(shè)計(jì)，即以專用epoxy涂覆之。(7另含蓋了內(nèi)部隔間，人員洗塵室(AirShower、物料傳遞窗(PassWindow等設(shè)施。在這些子系統(tǒng)中，對(duì)恒溫，恒濕之控制最為重要的，及直接的是空調(diào)箱和二次空

18、調(diào)盤(pán)；而空調(diào)箱之效率乃取決于設(shè)備容量與其數(shù)量，這項(xiàng)的決定又與制程機(jī)臺(tái)排氣量息息相關(guān)，因此必須一并考慮，通常Make-upAir容量是下述各項(xiàng)容量的總和：1 .生產(chǎn)機(jī)臺(tái)排氣量。2 .維持室內(nèi)正壓的空間量，此約為整個(gè)潔凈空間換氣量的1至5倍之間。3 .容量裕度。另外尚需考慮循環(huán)過(guò)濾的風(fēng)量，包括換氣的次數(shù)，過(guò)濾網(wǎng)的效率等級(jí)與總循環(huán)的壓降等因素。至于二次盤(pán)(drycoil的型式考慮有：1 .熱交換式或混合式兩種供選擇。2 .費(fèi)用上，以熱交換式較高，且占空間，但有較準(zhǔn)及穩(wěn)的溫控效果。3 .黃光區(qū)的溫濕特別嚴(yán)格，需選用不同型態(tài)之二次盤(pán)。最后上述之系統(tǒng)均全年無(wú)休運(yùn)轉(zhuǎn)，故需要有備用機(jī)臺(tái)的安排。5.廢水及廢氣的

19、處理系統(tǒng)5由于制程技術(shù)不斷演進(jìn)，使得相關(guān)供應(yīng)系統(tǒng)等級(jí)及質(zhì)量日趨精密且復(fù)雜，如毒性氣體，化學(xué)藥品或純水系統(tǒng)等，而此物質(zhì)的排放卻造成環(huán)境惡化的來(lái)源之一；因此，如何處理此類高純度且大量的毒性物質(zhì)之排放，將是廠務(wù)廢水，廢氣處理的重要工作與任務(wù)。(1首先是廢水處理系統(tǒng)半導(dǎo)體廠廢水之來(lái)源，可略分為制程廢水，純水系統(tǒng)之廢水，廢氣洗滌中和液廢水等三種，如表七所列。各排放水可分為直接排放及回收處理方式。1 .制程廢水：直接排放-HF濃廢液，HF洗滌廢水，酸/堿性廢水，晶圓研磨廢水等五種，經(jīng)各分類管線排至廢水廠?；厥仗幚碛袡C(jī)系列（Sokent,IPA,H2SOl,DIR70%,及DIR90嗡，經(jīng)排放收集委外處理或

20、直接再利用。2 .純水系統(tǒng)之廢水：直接排放-純水系統(tǒng)再生時(shí)之洗滌藥劑混合水（含鹽酸再生/洗滌液及堿洗滌液）回收處理-系統(tǒng)濃縮液（逆滲透膜組，超限外濾膜組）或是堿性再生廢液。3 .廢氣洗滌廢水直接排放-洗滌制程所排放的廢氣之水，均直接排放至處理廠。至于其處理的程序及步驟，可由圖四說(shuō)明之。下文為其各項(xiàng)之說(shuō)明：1 .HF濃廢液：此廢液至處理系統(tǒng)后，添加NaOHj升pH值至810之間，注入CaCl2,Ca（OF2與HF反應(yīng)向生成CaF2污泥，即HF+CaC2+Ca（OH2-CaF2+HCl+H2O的反應(yīng)式。藉此去除氟離子之濃度量，而CaF2污泥產(chǎn)物與晶圓研磨廢液混合，且添加Polymer（高分子）增進(jìn)

21、其沈降性，以利CaF2污泥經(jīng)脫水機(jī)擠壓過(guò)濾。污泥餅則委托代處理業(yè)者處理。另一產(chǎn)物HCl酸氣由處理廠廢氣洗滌后排放，污泥濾液則注入調(diào)節(jié)池。2 .一般廢水：包才HF洗滌廢水，酸/堿性廢水。經(jīng)水系統(tǒng)樹(shù)脂塔再生廢液，廢氣洗滌廢水等進(jìn)入調(diào)節(jié)池混合均勻，稀釋后泵入調(diào)整池中，添加NaOHH2SOI等酸堿中和劑，將之調(diào)整為6.09.0的pH值范圍后放流入園區(qū)下水道。3 .回收處理單元：a.有機(jī)廢液回收-將IPA溶劑、顯影液及濃硫酸廢液等獨(dú)立收集，并委外處理。b.濃縮液回收再利用-純水系統(tǒng)設(shè)備產(chǎn)生之濃縮液，除供應(yīng)原系統(tǒng)反洗，再生用外，更可補(bǔ)充大量飛散之冷卻用水，如此不但降低排水量，亦可節(jié)省用水量。c.純水供應(yīng)系

22、統(tǒng)回收水-目前純水供應(yīng)系統(tǒng)可直接回收70%!純水制造系統(tǒng)，另將制程之洗滌水回收以供冷卻系統(tǒng)及衛(wèi)生用水，此部份占20%因此，純水供應(yīng)系統(tǒng)回收水已可達(dá)90%d.堿性再生廢液-純水系統(tǒng)堿性再生廢液收集應(yīng)用于廢水處理系統(tǒng)之pH值調(diào)節(jié)用，如此可減少化學(xué)藥劑之使用量。（2廢氣處理系統(tǒng)廢氣產(chǎn)生的設(shè)備約有離子布值機(jī)，化學(xué)清洗站，蝕刻機(jī)，爐管，濺鍍機(jī)，有機(jī)溶劑與氣瓶柜等，其中有較高濃度污染的廢氣均先由該機(jī)臺(tái)所屬的LocalScrubber（局部洗滌機(jī)）先行處理后，在經(jīng)由全廠之中央廢氣處理系統(tǒng)做三次處理后，再排入大氣中，以達(dá)到凈化氣體之功能，其架構(gòu)示意如圖五說(shuō)明。晶圓廠的廢氣常含有酸，堿性或腐蝕性，故處理系統(tǒng)的管

23、材就必須能耐酸、堿性或腐蝕性，故處理系統(tǒng)的管材就必須能耐酸、堿性，抗蝕性，甚至耐高溫及防水性等，故表八乃將常用材質(zhì)及使用種類整理歸納。而其廢氣處理種類及方式如下：1 .一般性廢氣，其來(lái)源為氧化擴(kuò)散爐的熱氣，烤箱及干式幫浦的排氣，此廢氣可直接排放至大氣。2 .酸、堿性之廢氣，來(lái)源為化學(xué)清洗站，具刺激性及有害人體。故一般以濕式洗滌塔做水洗處理后再排入大氣。洗滌塔利用床體或濕潤(rùn)的表面可去除0.1微米以上的粒子。其氣體與液體的接觸方式有交叉（垂直交叉）流式、同向流式及逆向流式三種，而水流的設(shè)計(jì)上，有噴嘴式，噴霧式，頸式及拉西環(huán)式等四種。3 .有機(jī)溶劑廢氣通常使用吸附式處理，其常用之吸附劑為活性碳，飽和

24、后可以更換或以再生方式處理。4 .含毒氣性廢氣，其來(lái)源為化學(xué)氣相沈積，干蝕刻機(jī)，擴(kuò)散，離子布值機(jī)及磊晶等制程時(shí)所產(chǎn)生。在經(jīng)機(jī)臺(tái)本身的局部洗滌機(jī)的處理后，其后段的處理方法有吸附法，直接燃燒法及化學(xué)反應(yīng)法等數(shù)種。尤其是薄膜成長(zhǎng)和磊晶制程時(shí)SiH4氣體，須特別注意，因其為一俱爆炸及可燃性的氣體。所以單獨(dú)配管且先經(jīng)一密閉堅(jiān)固的燃燒室（BurningBox,內(nèi)通空氣稀釋SiH4至可燃之濃度，令它先行燃燒后再經(jīng)濕式洗滌塔處理后排出室外。其反應(yīng)方式為：SiH4+2O2-SiO2（粉末）+2H20其中Si02粉末須定期清洗，以免污染及堵塞管路系統(tǒng)。另可采用KOH水溶液做為循環(huán)液系統(tǒng)，利用二者反應(yīng)去除SiH4,

25、反應(yīng)式如下：SiH4+2KOH+H20K2SiO3+4H2再經(jīng)濕式洗滌塔處理后排出。其它一些常用的毒性氣體，如AsH3,PH3,B2H6亦可以此類化學(xué)反應(yīng)處理。6 .電力，照明及冷卻水的配合此三項(xiàng)系統(tǒng)在生產(chǎn)流程上的配合，一般都不容易察覺(jué)，但一有狀況，往往都有立即且嚴(yán)重的影響；因他們似乎很少發(fā)生問(wèn)題，就如同空氣一般的普遍。不過(guò)由于資源的不足，常會(huì)有臨時(shí)限電，限水的事件發(fā)生，所以在電力供應(yīng)系統(tǒng)方面，都會(huì)設(shè)置不斷電系統(tǒng)及緊急電源以備不時(shí)之需。同時(shí)為了消除漏電的狀況，通常會(huì)設(shè)計(jì)安置一共同的接地電網(wǎng)，用來(lái)保障機(jī)器設(shè)備及人員的安全。照明系統(tǒng)亦甚為重要，無(wú)論平時(shí)或緊急照明裝置，都需保持明亮及舒適，否則容易影

26、響工作的情緒及效率。另在冷卻水的供應(yīng)上，亦必須慎重，諸如出水的壓力，溫度及流量都必須適當(dāng)，不然即會(huì)對(duì)設(shè)備造成影響，甚至當(dāng)機(jī)。同時(shí)其水質(zhì)的純度，導(dǎo)電度以及防銹的預(yù)防亦須留意，尤其在配備高周波電磁場(chǎng)的機(jī)臺(tái)冷卻上，更為重要。這些設(shè)備如射頻濺鍍機(jī)，電子回旋共振蒸鍍或蝕刻設(shè)備，和電漿強(qiáng)化化學(xué)蒸鍍或蝕刻機(jī)等。當(dāng)冷卻水的導(dǎo)電鍍?cè)黾訒r(shí)，即會(huì)造成漏電的效應(yīng)而影響機(jī)合的操作參數(shù)；若防銹不良會(huì)造成管路生銹，堵塞等現(xiàn)象，以致影響冷卻的效果，造成設(shè)備的損傷。7 .潔凈室隔間，及相關(guān)機(jī)房，系統(tǒng)的營(yíng)繕支持工作潔凈室的空間規(guī)劃，一般在建廠之初統(tǒng)一設(shè)計(jì)完善；但由于技術(shù)層次不斷地提升，因此機(jī)臺(tái)設(shè)備，生產(chǎn)流程必須隨時(shí)跟上半導(dǎo)體技術(shù)

27、世代的演進(jìn)。于是新設(shè)備進(jìn)出潔凈室的事件亦常有之，此時(shí)，就必須安排隔間工程，電力，氣體供應(yīng)，甚或排氣，排水等架設(shè)；于是需要一組系統(tǒng)營(yíng)繕的支持人員資以配合。而負(fù)責(zé)此項(xiàng)工作的人員須對(duì)整個(gè)潔凈室的結(jié)構(gòu)，特性，有相當(dāng)程度的熟悉方可勝任。8 .監(jiān)控、輔佐事故應(yīng)變的機(jī)動(dòng)工作一座潔凈室的運(yùn)作通常都是每天24小時(shí)不停歇的，所以必須要有人員隨時(shí)地監(jiān)控整個(gè)系統(tǒng),包括空調(diào)的溫濕度，氣體或化學(xué)品的供應(yīng)，廢水及廢氣的處理；等等，如此方能確保廠區(qū)的安全與正常的運(yùn)作。事實(shí)上，實(shí)驗(yàn)室可能出現(xiàn)一些緊急或危險(xiǎn)的事故，例如：毒氣外泄，火警，停電等等，此時(shí)必須要有緊急應(yīng)變的處理人員予以處理，且通知人員做適當(dāng)?shù)膽?yīng)變或疏散，俾能降低損失。至于這些人員的挑選及訓(xùn)練都必須事前做好規(guī)劃，而且必須經(jīng)常提供適當(dāng)?shù)挠?xùn)練及演習(xí)，方能在緊急狀況發(fā)生時(shí)