水熱法合成礦物材料

1、水熱法合成礦物東北大學(xué)礦物材料與粉體技術(shù)研究中心 一、水熱法制備礦物粉體一、水熱法制備礦物粉體n水熱法又叫熱液法，是在高溫(100374)高壓下在水溶液或蒸汽等流體中進(jìn)行有關(guān)化學(xué)反應(yīng)，發(fā)生粒子的成核和生長，從而產(chǎn)生形貌及大小可控的氧化物、非氧化物或金屬超細(xì)顆粒的過程。反應(yīng)物常常是金屬鹽、氧化物、氫氧化物及金屬粉末的水溶液。水熱法為各種前驅(qū)物的反應(yīng)和結(jié)晶提供了一個(gè)在常壓條件下無法得到的特殊的物理、化學(xué)環(huán)境，顆粒的形成經(jīng)歷了一個(gè)溶解結(jié)晶過程，因此，這種方法可以獲得通常條件下難以獲得的幾納米至幾十納米的顆粒，而且粒度分布窄，團(tuán)聚程度低，純度高，晶格發(fā)育完整，有良好的燒結(jié)活性，在制備過程中污染小，能量

2、消耗少。水熱法中選擇合適的原料配比尤為重要，對原料的純度要求高。n水熱法是在密閉反應(yīng)器(高壓釜)中以水溶液作為反應(yīng)體系，通過將水溶液加熱至臨界溫度(或接近臨界溫度)來進(jìn)行材料制備。它可將金屬或其前驅(qū)體直接合成氧化物，避免了一般液相合成需要經(jīng)過煅燒轉(zhuǎn)化為氧化物這一步驟，從而極大地降低乃至避免了硬團(tuán)聚的的形成，制備的粉體具有晶粒發(fā)育完整、粒度小、分布均勻、分散性較好等優(yōu)點(diǎn)。n利用超臨界的水熱合成裝置，可連續(xù)地獲得Fe2O3 TiO2 ZrO2 BaO6Fe2O3 Fe3O4 NiO CeO2等一系列納米氧化物粉體。水熱法比較適合氧化物材料合成和少數(shù)對水不敏感的硫化物的制備。國外采用氣相氫氧焰水解法

3、大批量生產(chǎn)納米二氧化鈦粉體。在水熱法的基礎(chǔ)上，用有機(jī)溶劑代替水，則可擴(kuò)大水熱法的應(yīng)用，合成其他一些非氧化物納米粉體。對于CdS In2S3 ZnS SnS2 CoS2等納米粉體都可用非水體系進(jìn)行溶劑熱合成。該方法關(guān)鍵技術(shù)是合成溫度和合成壓力參數(shù)的控制。水熱法的分類n 水熱氧化法n水熱氧化法是采用金屬單質(zhì)為前驅(qū)物，經(jīng)水熱反應(yīng)，得到相應(yīng)的金屬氧化物粉體。典型的反應(yīng)可用下式表示：n mM+nH2OMmOn+nH2 n其中，M可為鈦、鐵、鉻等金屬。例如，以金屬鋯粉為前驅(qū)物，以水或Ca Mg的硝酸鹽或氯化物為反應(yīng)介質(zhì)，在一定的水熱條件下(溫度高于450，壓力100MPa)可制得ZrO2粉。n 水熱晶化法

4、 水熱晶化法可通過無定形前驅(qū)物經(jīng)水熱反應(yīng)制備結(jié)晶完好的晶粒。例如，以ZrCl4水溶液中加沉淀劑(氨水、尿素)得到Zr(OH)4膠體為前驅(qū)物，在溫度為300，壓力為100MPa的條件下，以KF或NaOH為礦化劑進(jìn)行水熱反應(yīng)制得粒度為2040nm的單斜相ZrO2晶體。以H2O、LiCl和KBr為礦化劑進(jìn)行水熱反應(yīng)制得粒度為20nm以下的單斜相和四方體ZrO2混合晶體。n 水熱分解法n一些復(fù)雜化合物在一定的水熱條件下能夠分解出預(yù)定的粉體。例如：天然鈦鐵礦的主要成分為：w(TiO2)=53.61%，w(FeO)=0.87%，w(Fe2O3)=20.62%，w(MnO)=0.65%，在10mol/L K

5、OH溶液中，溫度為500、壓力2535MPa下，經(jīng)過63h水熱處理，天然鈦鐵礦可以完全分解，產(chǎn)物是磁鐵礦Fe3-xO4和K2OTiO2。檢測表明在此條件下得到的磁鐵礦晶胞參數(shù)(a=0.8467nm)大于符合化學(xué)計(jì)量比的純磁鐵礦的晶胞參數(shù)(a=0.8396nm)，這是由于Ti4+在晶格中以替位離子形式存在，形成Fe3-xO3Fe2TiO4固溶體。在溫度800、壓力30MPa下，水熱處理24h，則可得到符合化學(xué)計(jì)量比的純磁鐵礦粉體。n 水熱沉淀法n該法是在水熱條件下進(jìn)行沉淀反應(yīng)制備粉體。如采用ZrOCl4和CO(NH2)2混合水溶液為反應(yīng)前驅(qū)物，經(jīng)水熱反應(yīng)沉淀后可制得立方相和單斜相ZrO2晶?；旌?/p>

6、粉體。n我國現(xiàn)在制備納米硅酸鋯就是使用水熱沉淀法。具體方法是：采用250mL筒式高壓釜，配有精密的溫度、壓力測量和控制裝置。以ZrOCl2溶液和Na2SiO3溶液混合后得到溶膠或沉淀，經(jīng)水洗、過濾、干燥后的粉末為前驅(qū)物。水熱反應(yīng)用NaF作礦化劑，以去離子水為反應(yīng)介質(zhì)。影響因素由主到次的順序?yàn)椋呵膀?qū)物配比、反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間、升溫速率。使用前驅(qū)物m(Zr)m(Si)=1.21.0，反應(yīng)溫度為335，升溫速率為1.6/min，反應(yīng)時(shí)間為3h時(shí)，可得到結(jié)晶完好、晶粒規(guī)整、分散性好、粒度在100nm以下的ZrSiO4粉體。n 水熱合成法n水熱合成法可理解為以一元金屬氧化物或鹽在水熱條件下反應(yīng)合成二元甚

7、至多元化合物。如選用TiO2粉體和Ba(OH)28H2O粉體為前驅(qū)物，經(jīng)水熱反應(yīng)即可得到BaTiO3晶體，以Bi2O3和GeO2粉體為前驅(qū)物，水熱反應(yīng)可制得Bi4Ge3O12晶體。n水熱法晶體生長是在水溶液中生長晶體的方法。這種方法屬于從溶液中生長晶體方法的范疇，主要用于在室溫時(shí)溶解度較低，但在高溫高壓下溶解度增高的一些材料，例如SiO2（水晶），Al2O3（紅寶石和藍(lán)寶石），Be3Al2Si6O18（祖母綠及海藍(lán)寶石）等。二、水熱法生長晶體n水熱法生長晶體的特點(diǎn)是在含水體系中生長，由此可區(qū)別于其他寶石晶體生長的若干體系。與自然界寶石晶體生長相比，水熱法生長的寶石晶體可看作是在實(shí)驗(yàn)室中模擬自然

8、界熱液成礦過程所形成的。自然界熱液成礦是在一定的溫度和壓力下進(jìn)行的，而且成礦溶液有一定的濃度和pH值，所以實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行水熱生長也需要在一定溫度和壓力下進(jìn)行，并且有一定的溶液濃度和pH值，如生長祖母綠是在600、1.8108Pa、pH=2.7的條件下進(jìn)行的；水晶是在340、1.5108Pa、強(qiáng)堿性溶液中進(jìn)行的。水熱法晶體生長分類n水熱法寶石晶體生長按輸運(yùn)方式不同可分為三種類型：等溫法、擺動(dòng)法和溫差法。（一）等溫法 等溫法主要利用物質(zhì)的溶解度差異來生產(chǎn)晶體，所用原料為亞穩(wěn)相物質(zhì)。高壓釜內(nèi)上下無溫差，是這一方法的特色。此法曾用于生長水晶，通常采用碳酸鈉為礦化劑，無定形硅為培養(yǎng)料，水晶片作為仔晶。當(dāng)溶

9、液溫度接近誰的臨界溫度時(shí)，處于不穩(wěn)定狀態(tài)的無定形硅發(fā)生溶解，進(jìn)而當(dāng)高壓釜內(nèi)SiO2濃度達(dá)到過飽和時(shí)，晶體變開始在仔晶上生長。此法的缺點(diǎn)是無法生長出晶型完整的大晶體。（二）擺動(dòng)法 擺動(dòng)法的裝置由A、B兩個(gè)圓筒組成，其中A筒放置培養(yǎng)液，B筒放置仔晶，兩筒之間保持一定的溫度差。定時(shí)擺動(dòng)A、B兩個(gè)圓筒以加速他們之間的對流，利用兩筒之間的溫差和高壓環(huán)境下生長出晶體，此法也曾用與水晶的生長。（三）溫差法 溫差法是目前使用最廣泛的水熱生長晶體的方法，它是在立式高壓釜內(nèi)生產(chǎn)晶體，多用于合成水晶、紅寶石、祖母綠、海藍(lán)寶石等。高壓釜內(nèi)的對流擋板將釜腔分成上、下兩部分，上部分為生長區(qū)（約占釜體的2/3），仔晶掛在生

10、長區(qū)的培育架上，晶體在仔晶上逐步生長；對流擋板的下部為培養(yǎng)料區(qū)，也稱為溶解區(qū)，溶解區(qū)內(nèi)放入適量的高純度原料和礦化劑。n高壓釜內(nèi)裝入培養(yǎng)料、礦化劑溶液、仔晶架和仔晶片后進(jìn)行密封。通常高壓釜覓封侯便可放入加熱爐內(nèi)，對高壓釜的下部進(jìn)行加熱，或放入溫差電爐內(nèi)，使高壓釜的上、下部分形成一定的溫差。當(dāng)高壓釜的溫度超過100后，由于熱膨脹和大量蒸汽的形成，釜內(nèi)形成氣壓。隨著溫度的不斷上升，溶解區(qū)的溶質(zhì)不斷溶解于礦化物溶劑中，并形成飽和溶液。由于高壓釜下部溫度高于上部，就形成了釜內(nèi)溶液的對流，溶解區(qū)的高溫飽和溶液被送到生長區(qū)。高壓釜的上不溫度低，下部的飽和溶液上升到上不隨即成為過飽和狀態(tài)，溶質(zhì)在仔晶上不斷析出

11、，并使仔晶長大。析出溶質(zhì)后的溶液又回到下部高溫溶解區(qū)成為不飽和溶液，在繼續(xù)溶解培養(yǎng)料過程中，再次形成飽和溶液，又在對流中上升到生長區(qū)。如此往復(fù)，晶體不斷長大，經(jīng)過幾十天變可生長出幾十千克的大水晶晶體。n完成溫差法晶體生長的必要條件如下：（1）在高溫高壓的某種礦化劑水溶液中，不僅能夠促使晶體原料具有一定值的溶解度，而且能夠形成所需的單一穩(wěn)定相。（2）有足夠的溶解度溫度系數(shù)，既在適當(dāng)?shù)臏夭钕履軌蛐纬勺銐虻倪^飽和度而又不會產(chǎn)生過飽和后的自發(fā)成核。（3）具備適合晶體生長所需的一定切型和規(guī)格的仔晶，并使原料的總表面積與仔晶總表面積之比值達(dá)到足夠大。（4）溶液密度的溫度系數(shù)要足夠大，使得溶液在適當(dāng)?shù)臏夭顥l

12、件下具有引起晶體生長的溶液對流和溶質(zhì)傳輸作用。二、水熱法晶體生長所需的設(shè)備n水熱法晶體生長所需的設(shè)備主要有：n高壓釜n電爐n熱電偶n溫度控制器n溫度記錄器三、水熱法生長晶體的優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：（1）能夠生長存在相變（如-石英等）和在接近熔點(diǎn)時(shí)蒸汽壓高的材料（ZnO）或要分解的材料。（2）能夠生長出叫完整的大晶體，并且能夠很好的控制材料的成分。（3）用此法生長晶體時(shí)，由于與自然界生長晶體的條件很相似，因此生長出的寶石晶體與天然寶石晶體最為接近。缺點(diǎn)：（1）需要材料比較特殊的高壓釜和相應(yīng)的安全防護(hù)措施；（2）需要大小適當(dāng)、切向合適的優(yōu)質(zhì)仔晶；（3）整個(gè)晶體的生長過程無法觀察；（4）投料是一次性的，一次生

13、長晶體的大小受高壓釜容器大小的限制。第二節(jié)、影響水熱法晶體生長的因素一、過飽和度 從溶液中生長晶體的關(guān)鍵是使溶液達(dá)到一定的過飽和度。當(dāng)溶液剛剛達(dá)到過飽和時(shí)，一般不會有晶體析出，而只有過飽和度達(dá)到一定程度，晶體才會從溶液中慢慢析出。純凈的、過飽和度很低的溶液雖然在熱力學(xué)上是不穩(wěn)定的，卻可較長時(shí)間地保持原有狀態(tài)而不產(chǎn)生結(jié)晶。與之相對應(yīng)的是，當(dāng)溶液中放置一塊仔晶，即使是在過飽和度很低的溶液中，也會有多余的溶質(zhì)從溶液中析出并沉淀到仔晶上。這是因?yàn)樽芯У拇嬖?，降低了晶體形成的成核勢能，使溶質(zhì)在較低的條件下結(jié)晶。二、礦化劑的性質(zhì)和濃度 水熱法生長的晶體材料在純水中的溶解度很小，而且隨著溫度的升高，溶解度的

14、變化也不大。所以，生長過程中必須在水溶液中加入一種或者幾種物質(zhì)，以增加晶體生長所需的原料在水溶液中的溶解度。這類物質(zhì)就是我們所說的礦化劑。加入適當(dāng)?shù)牡V化劑以后，可以使供應(yīng)晶體生長的原料有較大的溶解度和足夠大的溶解度溫度系數(shù)，而且某些礦化劑還可與結(jié)晶物質(zhì)原料形成絡(luò)合物，加快晶體成核速度。另外，礦化劑的種類對晶體的質(zhì)量和生長速度也有較大的影響。如生長水晶時(shí)，選用NaOH 作為礦化劑時(shí)，自發(fā)晶芽少，透明度好，但生長速度較低；采用混合溶液時(shí)，則可以得到快速生長的優(yōu)質(zhì)水晶。對剛玉來說，在氫氧化鉀溶液中要比在氫氧化鈉溶液中生長快。n礦化劑溶液的濃度對晶體生長也會產(chǎn)生影響。當(dāng)?shù)V化劑溶液濃度比較小時(shí)，礦化劑溶

15、液的濃度增加則生長速度相應(yīng)增加，但當(dāng)濃度超過一定范圍時(shí)，生長速度就不再增加反而下降。如在生長水晶時(shí)，當(dāng)選用的礦化劑NaOH溶液濃度大于1.5mol/L 時(shí)由于適應(yīng)在溶液中的溶解度過大，可能會出現(xiàn)水玻璃相（NaO.SiO2.nH2O)，從而影響晶體的生長；當(dāng)它的濃度小于1.0mol/L時(shí)，生長速度急劇下降，甚至使晶體出現(xiàn)針狀裂紋，所以合適的礦化劑濃度應(yīng)當(dāng)是：1.01.5mol/L。三、對流擋板高壓釜中生長區(qū)合格溶解區(qū)中間裝有擋板，擋板上大有圓孔。擋板的作用是調(diào)整生長系統(tǒng)里的質(zhì)量交換，并增加生長區(qū)和溶解區(qū)之間的溫差。擋板上孔洞面積與擋板面積之比，稱為擋板開孔率。開孔率大小直接影響上、下兩區(qū)的溫差變

16、化，從而影響晶體的生長速率。開孔率大，生長速率減小，反之生長速率則增大。 不同口徑的高壓釜，其開孔率有所不同。小口徑的高壓釜開孔率以10%12%為好，大口徑高壓釜開孔率57%為宜。四、生長區(qū)溫度與溫差 溫度是水熱法晶體生長的關(guān)鍵因素之一。溶解區(qū)內(nèi)，溫度影響著晶體原料的溶解度和溶液的濃度，從而決定了有多少原料（溶質(zhì)）可能到達(dá)生長區(qū)。在生長區(qū)內(nèi)，溫度決定著晶體是否能生長。只有溫度達(dá)到一定數(shù)值，晶體才能生長。而且生長區(qū)的溫度還直接影響著晶體的生長速度。當(dāng)高壓釜上、下溫差一定時(shí)，生長區(qū)的溫度越高、晶體生長速度越大。但一般而言，晶體的生長速度過大，在晶體的生長后期就會因原料供不應(yīng)求而出現(xiàn)裂隙。n生長區(qū)的

17、溫度確定后，溫差便是快速生長優(yōu)質(zhì)晶體的關(guān)鍵之一。高壓釜內(nèi)存在的溫差，使溶解區(qū)和生長區(qū)的溶液產(chǎn)生對流，從而成為晶體原料物質(zhì)的傳輸動(dòng)力。因此，溫差大小將直接影響溶液對流速度和過飽和度的高低，也就是說，溫差的大小直接影響溶質(zhì)的轉(zhuǎn)移量。溫差愈大，質(zhì)量交換越快，晶體生長速率亦愈高。但溫差過大，會使部分晶體生長原料以包裹體的形式進(jìn)入晶體，影響晶體的凈度，使晶體的透明度降低。五、壓力和充填度（裝滿度） 在一定溫度和溶液濃度的條件下，高壓釜內(nèi)的壓力來自于高溫條件下其內(nèi)部充填的大量的氣液混合物，其大小是由反應(yīng)腔內(nèi)溶液的充填度所決定的。所謂充填度是指加入溶液的體積占反應(yīng)腔自由體積的百分比?？捎孟率接?jì)算： 充填度=

18、溶液體積/高壓釜反應(yīng)腔自由體積 =溶液體積/(反應(yīng)腔總體積-固體物體積）n在同一溫度下，充填度愈高，壓力愈大，生長速度就越快。通過調(diào)整充填度可以調(diào)整釜內(nèi)壓力，從而調(diào)整晶體的生長速度。提高充填度可提高生長速度，反之亦然。但充填度過大，會使釜內(nèi)壓力過大，給高壓釜釜體的材料選擇造成困難，而且高壓條件下某些礦化劑也會對高壓釜產(chǎn)生嚴(yán)重的腐蝕，造成高壓釜冷卻后開啟不便，所以充填度一般不超過86%。六、雜質(zhì) 雜質(zhì)對晶體生長的影響主要表現(xiàn)在對晶體結(jié)晶幾何外形和晶體顏色特征的影響。晶體原料溶液中存在的雜質(zhì)元素，會改變晶體不同面網(wǎng)上的表面能，從而是受到影響的面網(wǎng)的生長速度發(fā)生改變，而導(dǎo)致晶體生長形態(tài)的變化。另外，

19、雜質(zhì)種類不同，會導(dǎo)致晶體呈現(xiàn)不同的顏色。如水熱法生長水晶時(shí)，加入不同的過渡金屬元素，會得到諸如紫色、黃色、褐色、煙色乃至藍(lán)色合成彩色水晶品種。七、籽晶取向 由于晶體具有各向異性，在各個(gè)不同生長方向上，晶體的生長速率差異很大，例如水晶小菱面族晶面的生長速率比大菱面族的生長速率快。因此不同取向的籽晶會生長出不同外形的晶體。 目前，合成水晶采用的籽晶取向基本上有兩種：一是z切向籽晶（垂直于Z軸），這種籽晶不僅生長速率快，雜質(zhì)不易進(jìn)入晶體，而且晶體外形和質(zhì)量都很好。二是y棒籽晶，這種籽晶的長度方向平行于Y軸，寬度方向平行于X軸，生長的晶體細(xì)長，在生長時(shí)晶體受溶液對流影響小，不易產(chǎn)生后期裂隙，易于加工。

20、八、培養(yǎng)料 培養(yǎng)料就是生長晶體的原料，也稱為溶質(zhì)。培養(yǎng)料的加入量要足以供應(yīng)一定大小晶體生長所需的量，并且在質(zhì)量上要求質(zhì)地均勻、無雜質(zhì)、表面清潔干凈和具有一定的比表面積等。 總之，水熱法生長晶體的關(guān)鍵問題是如何控制好高壓釜內(nèi)的溫壓條件，以及礦化劑的選擇，使得晶體生長原料在溶液中達(dá)到一定的濃度，并在生長區(qū)和溶解區(qū)內(nèi)產(chǎn)生適合晶體生長的溫差，使晶體以一定的速度生長。第三節(jié) 水熱法合成水晶晶體n20世紀(jì)初科學(xué)家們開始嘗試在籽晶上生長水晶。1928年德國人理查德.納肯進(jìn)行了高壓釜中水晶生長的研究，第二次世界大戰(zhàn)期間投入工業(yè)性生產(chǎn)，提供了大量用于控制和穩(wěn)定無線電頻率的人工合成水晶。1950年，美國Bell電

21、話實(shí)驗(yàn)室、英國通用電子集團(tuán)公司成功地將水晶的水熱法生長技術(shù)推廣到商業(yè)生產(chǎn)中去。之后，各國開始大規(guī)模的水熱法合成水晶的生產(chǎn)和研究，產(chǎn)品不僅用于寶石材料，而且更多地用于壓電材料和光學(xué)材料。一、水熱法合成水晶的原理與工藝過程（一）水熱法合成水晶的原理 一般情況下，石英是不溶于水的，但由于水在過熱狀態(tài)下所具有的特性，使得石英在特殊條件下可以被溶解。高溫高壓下石英在水中的溶解度曲線見下圖。在臨界溫度附近，石英在水中的溶解度很低，而在較低的壓力和較高的溫度下，其溶解度具有負(fù)的溶解度溫度系數(shù)，這些特性為在純水中生長石英晶體造成了困難。所以在合成水晶時(shí)，必須加入一定量的礦化劑，以改變?nèi)軇┑脑汲煞峙c性質(zhì)，才能

22、增加SiO2的溶解度。另一圖為不同裝滿度時(shí)，石英在NaOH、Na2CO3溶液及純水中的溶解度與溫度的關(guān)系圖。 石英在NaOH溶液中的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物以Si3O72-及Si2O52-為主，而在Na2CO3溶液中反應(yīng)產(chǎn)物則以Si2O52-為主。他們是以氫氧根離子、堿金屬離子與石英晶體表面沒有補(bǔ)償電荷的硅離子、陽離子反應(yīng)的結(jié)果。這種聚合物的形式與溫度、壓力有關(guān)，即隨著溫度、壓力的變動(dòng)，SiO2/Na2O的比值有所不同。石英在NaOH溶液中的溶解反應(yīng)可用下式表示： SiO2+(2x-4)NaOH=Na(2X-4)SiOx+(X-2)H2O 式中x2。在接近合成水晶的條件下，測得x值約在7/3與5/2之間。

23、顯然反應(yīng)產(chǎn)物為Na2Si2O5，Na2Si3O7,以及他們電離和水解產(chǎn)物，如NaSi2O5-和NaSi3O7-等。 因此，水熱法合成水晶的生長包含兩個(gè)過程：1、溶質(zhì)離子的活化 NaSi3O7- + H2O=Si3O6+Na+2OH- NaSi2O5- + H2O=Si2O4+Na+2OH-2、活化了的離子受待生長晶體表面活性中心的吸引，在靜電引力、化學(xué)引力和范德華力的作用下，穿過生長晶體表面的擴(kuò)散層而沉降到晶體表面。 在合成水晶的生長過程中，由于硅酸鹽離子縮合不完全，有的OH-以物理吸附或這化學(xué)吸附的形式殘留在晶體內(nèi)，所以在生長速率比較大的晶體內(nèi)，一般OH-含量也較多，這表明在快速生長的條件下，反應(yīng)不完全，OH-為全部放回溶液而有部分留在晶體內(nèi)，并將影響晶體的質(zhì)量： Si-OH + (Si-O)- Si-O-Si+ OH- 羥基化的 晶體表面的 形成飽和 晶體表面 化學(xué)吸附 的硅氧鍵合（二）水熱法合成水晶的工藝培養(yǎng)料處理釜體清洗裝釜懸掛仔晶晶條準(zhǔn)備確定各種參數(shù)堿液配制溫度控制開釜晶體檢驗(yàn)籽晶處理打孔定向切割籽晶選擇二、水熱法合成水晶的工作條件和工藝參數(shù)（一）溫度和壓力 水熱法生長的水晶是石英。由于石英在573時(shí)會轉(zhuǎn)變?yōu)槭ⅲ?，水熱法生長水晶的溫度應(yīng)該低于573。通常結(jié)晶區(qū)（生長區(qū)）溫度為330350，溶解區(qū)溫度為360380，溫差t50。若溫差