嵌入式系統(tǒng)實驗2中斷實驗

1、中南大學(xué)嵌入式系統(tǒng)實驗（二）中斷實驗學(xué)院:專業(yè)班級: 名:中斷實驗實驗?zāi)康氖煜rm開發(fā)板中斷原理。并產(chǎn)生中斷。了解快速中斷和普通中斷。編寫嵌套中斷實驗。實驗器材PC機(jī)一臺，周立功開發(fā)板一塊實驗原理EasyARM2103開發(fā)板提供了4個綠色發(fā)光二極管用作顯示，電路如圖1.1所示。顯示電路采用 了灌電流的方式來驅(qū)動發(fā)光二極管，由于微控制器LPC2103 I/O 口提供的灌電流大于其拉電 流，采用此驅(qū)動方式可以保證二極管發(fā)光的亮度。DP3V3LED1R747QLED燈顯示LED2R3470R9JP412O3456O78OOP0.17P0.1SP0J9HEADER 4X2LED3R10470M-LE

2、Dd1.1 Led電路原理實驗原理ARM體系的CPU有7種工作模式，可以通過軟件來進(jìn)行模式切換，或者發(fā)生各類中斷、 異常進(jìn)行相應(yīng)模式。CPU可以識別兩種類型中斷，正常中斷（IRQ）和快速響應(yīng)中斷（FIQ） 狀態(tài)寄存器的PSR中F和R位決定是中斷的啟閉。為了使能中斷，必須將PSR中F或R位清 零，并且中斷屏蔽寄存器相應(yīng)位也要清零。ARM中斷分為子中斷源和一般中斷源，子中斷源多了兩個寄存器SUBRCPN （標(biāo)識子中斷 源是否發(fā)生）INTSUBMSK （屏蔽子中斷源）。ARM中斷發(fā)生過程如下：.如果為子中斷源，則SUBSRCPND寄存器相應(yīng)位置1，然后根據(jù)子中斷源屏蔽寄存 器（INTSUBMSK）的

3、設(shè)置來判斷該中斷是否被屏蔽，如未屏蔽，則在SRCPND寄存器相應(yīng)位 置1。.如果為非子中斷則直接在SRCPND寄存器相應(yīng)位置1。如果INTMOD寄存器中該中斷被設(shè)置為FIQ快速中斷（相應(yīng)位置1），即該中斷立 即執(zhí)行。如不是，則判斷INTMSK寄存器中該中斷是否被屏蔽，如未屏蔽，則進(jìn)入中斷優(yōu)先 仲裁器進(jìn)行中斷優(yōu)先設(shè)置（PRIORITY寄存器）經(jīng)過中斷優(yōu)先仲裁后，最高優(yōu)先級的中斷在INTPND寄存器中相應(yīng)位置1（同一時間， 此寄存器只有一位置1），INTOFFSET寄存器值用來表示INTPND寄存器置1位（即INTPND 寄存器中位x為1時，INTOFFSET寄存器值為x，可以用它確定是什么中斷。

4、要啟用一個中斷，我們主要設(shè)置以下寄存器：1、INTMOD設(shè)置是否為快速中斷（一個系統(tǒng)中只能有一個快速中斷，默認(rèn)沒有快速中斷， 如不使用，可以不用設(shè)置）2、INTMSK設(shè)置該中斷是否被屏蔽3、PRIORITY設(shè)置該中斷的優(yōu)先級如為子中斷源，還需設(shè)置4、INTSUBMSK設(shè)置子中斷源是否被屏蔽如果外接中斷，還需設(shè)置以下寄存器：5、GPXCON設(shè)置相應(yīng)引腳為中斷輸入6、EINTMASK設(shè)置外部中斷輸入使能7、EXTINT0-EXTINT2設(shè)置外部引腳輸入中斷電平信號類型其中，為外部中斷輸入時，EINTPEND寄存器用于保存是否有中斷發(fā)生EINTMASK、EINTPEND 寄存器3 0位保留取值為0。

5、中斷信號清除清除中斷時在EINTPEND、INTPND、SUBSRCPND及SRCPND寄存器該位寫入1令此位為0， 寫入0效果。其清除過程為EINTPEND、SUBSRCPND、SRCPND、INTPND，否則，將導(dǎo)致無 限次中斷。實驗內(nèi)容及步驟下面以GPIO的中斷測試程序為例，熟悉EasyJTAG-H件的使用方法，程序功能設(shè)計 為控制單路LED閃爍，硬件電路如圖1.1所示。打開示例工程。示例工程路徑：配套光盤內(nèi)容-光盤內(nèi)容v1.00-3.EasyARM2103安 裝手冊-GPIO Test，將此文件夾復(fù)制到其它目錄下打開，要求存放目錄必須無中 文路徑。打開文件夾后，建議用戶先刪掉“GPIO

6、_Test_Data”文件夾，然后雙擊打 開“ GPIO Test.mcp ”文件，即打開示例工程。點(diǎn)擊“ user ”文件夾，打開main.c文件，見到示例代碼編譯連接工程。項目目標(biāo)欄處選擇DebugInFlash模式，然后編譯連接工程。仿真調(diào)試。將計算機(jī)并口與EasyJTAG-H仿真器相連，然后再將EasyJTAG-H仿真器 的JTAG接口連接到UEasyARM2103目標(biāo)板上，打開H-JTAG，檢測到芯片內(nèi)核信息后， 選擇Auto Download選項，此時會自動啟動H-Flasher軟件，選擇目標(biāo)芯片的型號， 將當(dāng)前的配置信息保存起來，建議將配置信息保存到安裝路徑下的Hconfig文件

7、夾 內(nèi)。設(shè)置完成后，關(guān)閉H-JTAG Server和H-Flasher （注意：不能使用Exit項關(guān)閉）。啟 動AXD，打開【Opt ions】- LConfigure Target.】，彈出Choose Target窗口， 點(diǎn)擊“ ADD ”添加仿真器的驅(qū)動程序，在添加文件窗口選擇如D:Program FilesH-JTAG目錄下的H-JTAG .dll，點(diǎn)擊“打開”即可。為實現(xiàn)嵌套中斷，修改main.c函數(shù)，重復(fù)上述步驟。在AXD環(huán)境點(diǎn)擊運(yùn)行，即可看到主程序led亮。通過中斷按鍵，使其他led燈亮。附源代碼如下：#include config.h”#define LED 1 17*個*個*

8、個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個* Function name:Eint0IRQ* Descriptions:外部中斷0服務(wù)程序* input parameters:無* ouput parameters:無* Returned value:無 個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個*/void _irq Eint0IRQ(void) TOC o 1-5 h z /*進(jìn)入中斷取反LED*/if (IO0PIN & (1 17) = 0) IO0SET =

9、 1 17;/*熄滅發(fā)光二極管*/else IO0CLR = 1 17;/*點(diǎn)亮發(fā)光二極管*/while(IO0PIN& (1 16) =0);/* 等待按鍵松開*/EXTINT = 0 x01;/*清中斷標(biāo)志*/VICVectAddr = 0 x00;/*通知VIC中斷處理結(jié)束*/個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個* Function name:main* Descriptions:P0.16低電平觸發(fā)外部中斷主函數(shù)* input parameters:無* ouput para

10、meters:無* Returned value:無 個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個個*int main (void)PINSEL1 = PINSEL1 & (0 x03); TOC o 1-5 h z PINSEL1 = PINSEL1 | 0 x01;/*設(shè)置P0.16為外部中斷0管腳*/PINSEL1= PINSEL1& (0 x03 2);/* 設(shè)置P0.17為GPIO功能*/IO0DIR = LED;/*設(shè)置P0.17為輸出*/IO0SET = LED;/*設(shè)置輸出為高電平*/IRQEnable();/*IRQ中斷使能*/EXTMODE = 0 x00;/*設(shè)置外部中斷為低電平觸發(fā) */EXTPOLAR = 0 x00;VICIntSelect = 0 14;/*選擇EINT0為FI Q中斷*/VICVe