雙極型模擬集成電路課件

第六章雙極型模擬集成電路集成化元、器件及其特點(diǎn)集成差分放大電路電流模電路功率輸出級(jí)電路集成運(yùn)算放大器第二節(jié)第一節(jié)第五節(jié)第四節(jié)第三節(jié)第六章雙極型模擬集成電路集成化元、器件及其特點(diǎn)第二節(jié)第一1第一節(jié)集成化元器件及其特點(diǎn)一集成電路工藝簡(jiǎn)介

以制造NPN管的工藝流程為例

氧化光刻隱埋層擴(kuò)散外延和氧化隔離擴(kuò)散選擇隔離槽P型硅片1.平面工藝第一節(jié)集成化元器件及其特點(diǎn)一集成電路工藝簡(jiǎn)介22電路元件制造工藝基區(qū)擴(kuò)散發(fā)射區(qū)擴(kuò)散蒸鋁NPN選擇基區(qū)選擇發(fā)射區(qū)選擇電極引線窗口選擇要去除的鋁層2電路元件制造工藝基區(qū)擴(kuò)散發(fā)射區(qū)擴(kuò)3集成電路的封裝(b)圓殼式(a)雙列直插式集成電路的封裝(b)圓殼式(a)雙列直插式4二、集成化元器件1.NPN晶體管

在P型硅片襯底上擴(kuò)散N＋隱埋層，生長(zhǎng)N型外延層，擴(kuò)散P型基區(qū)，N＋型發(fā)射區(qū)和集電區(qū)隔離島隱埋層擴(kuò)散P型基區(qū)二、集成化元器件1.NPN晶體管隔離島隱埋層擴(kuò)散P型基區(qū)52.PNP晶體管

從隔離槽P＋上引出集電極，載流子沿晶體管斷面的垂直方向運(yùn)動(dòng)1)縱向PNP管優(yōu)點(diǎn)：制造方便基區(qū)較NPN寬特征頻率高輸出電流大缺點(diǎn)由于隔離的需要，C極必須接電路電源最低電位常作射極跟隨器。

2.PNP晶體管從隔離槽P＋上引出集電極，載流子沿6(2)橫向PNP管發(fā)射極和集電極橫向排列，載流子沿?cái)嗝嫠竭\(yùn)動(dòng)。優(yōu)點(diǎn)：

因?yàn)橛奢p摻雜的P型擴(kuò)散區(qū)和N型外延區(qū)構(gòu)成，e結(jié)和c結(jié)反向擊穿電壓高缺點(diǎn)：

由于加工原因，基區(qū)寬度比普通NPN大1－2個(gè)數(shù)量級(jí)，很小，特征頻率低。(2)橫向PNP管發(fā)射極和集電極橫向排列，載流子沿?cái)嗝嫠竭\(yùn)73.二極管晶體管制作時(shí)，只要開路或短路某一PN結(jié)即得（如圖）:常用的兩種形式3.二極管晶體管制作時(shí)，只要開路或短路某一PN結(jié)即得（如圖84.電阻：（一般有兩種）（1）金屬膜電阻:溫度特性好（2）擴(kuò)散電阻，按結(jié)構(gòu)分：基區(qū)電阻:50－100K

＝±20%發(fā)射區(qū)電阻:1－1000（電阻率低）窄基區(qū)電阻:電阻率高10－1000K＝±20%雖集成化電阻阻值誤差大，但為同向偏差，匹配誤差小（小于3％）4.電阻：（一般有兩種）（1）金屬膜電阻:溫度特性好95.電容利用SiO2保護(hù)層作絕緣介質(zhì)，用金屬板和半導(dǎo)體作電容極板。電容量與氧化物厚度成反比，與極板面積成正比，單位面積電容量不大，但漏電較小、擊穿電壓較高。MOS電容：5.電容利用SiO2保護(hù)層作絕緣介質(zhì)，用金屬板和半導(dǎo)體作電10二集成化元器件特點(diǎn)4.集成電路中寄生參量的存在會(huì)引起元件間的寄生耦合，影響電路穩(wěn)定，使電路產(chǎn)生寄生振蕩。1.集成電路工藝不能制作電感，超過(guò)100pF的大電容因占用面積大也不易制作，故集成電路中不采用阻容耦合，而采用直接耦合。2.集成化電阻阻值越大占用硅片面積越大，一般避免用大電阻，盡量用晶體管代替電阻、電容。3.單個(gè)元件的精度不高，受溫度影響大，但同一晶片上相鄰元件在制作尺寸和溫度上有同向偏差，對(duì)稱性好，故大量采用差放電路及增益取決于電阻比值的負(fù)反饋放大器。二集成化元器件特點(diǎn)4.集成電路中寄生參量的存在會(huì)引起元件11第二節(jié)集成差分放大電路（一）差分放大電路的組成：

由對(duì)稱的兩個(gè)基本放大電路通過(guò)射極公共電阻Ree耦合構(gòu)成。一、差分放大電路的工作原理：第二節(jié)集成差分放大電路（一）差分放大電路的組成：一、差分放12Rb1=Rb2=Rb,Rc1=Rc2=Rc,

1=2

=,hie1=hie2

=hie,對(duì)稱指兩個(gè)三極管特性一致、電路參數(shù)相等：IbQ1=IbQ2,IcQ1=IcQ2,

Ube1=Ube2,

Uc1=Uc2,靜態(tài)參數(shù)一致：雙端輸出時(shí)：靜態(tài)輸出為0問(wèn)題？為什么單邊電路沒(méi)有偏置電阻？為什么電路中沒(méi)有隔直電容？Rb1=Rb2=Rb,對(duì)稱指兩個(gè)三極管特性一致、電13雙端輸入：輸入信號(hào)接在兩個(gè)輸入端間。單端輸入：輸入信號(hào)接在一個(gè)輸入端與地間，另一端接地。雙端輸出（平衡輸出）：輸出取自兩個(gè)集電極之間。單端輸出（不平衡輸出）：輸出取自一個(gè)集電極與地間。信號(hào)輸入方式差放輸出方式雙端輸入雙端輸出差放雙端輸入：輸入信號(hào)接在兩個(gè)輸入端間。雙端輸出（平衡輸出）：信14差模信號(hào)：是指在差放兩個(gè)輸入端接入兩個(gè)幅度相等、極性相反的信號(hào)，記為，Uid1、Uid2Uid1=-Uid2=Uid

（二）對(duì)差模信號(hào)的放大作用雙端輸入雙端輸出差放Ie1Ie2當(dāng)輸入差模信號(hào)時(shí)：（動(dòng)態(tài)）由于電路的對(duì)稱性有：據(jù)此，可畫出差放在差模輸入情況下的交流等效電路（如圖）故RL的中點(diǎn)呈地電位，即等效為每管外接負(fù)載為RL/2。又因?yàn)椋篣c1=-Uc2Ie1=-Ie2；故URe=0（交流接地）Uc1Uc2++--URe差模信號(hào)：是指在差放兩個(gè)輸入端接入兩個(gè)幅度相等、極性15雙端輸入雙端輸出時(shí)：雙端輸出時(shí)，Rod=2Rc//(2/hoe)2Rc；

(當(dāng)1/hoe>>Rc時(shí))1.差模電壓增益Aud：

2.差模輸入電阻Rid：3.差模輸出電阻Rod：由差模輸入等效電路可求得:其中與單邊電路的增益相同雙端輸入雙端輸出時(shí)：雙端輸出時(shí)，Rod=2Rc//(2/16共模信號(hào)：是指在差放兩個(gè)輸入端接入兩個(gè)幅度相等、極性相同的信號(hào)。記為：Uic1.Uic2；

Uic1=Uic2=Uic

（三）對(duì)共模信號(hào)的抑制作用在共模信號(hào)下:Ie=Ie1+Ie2=2Ie1=2Ie2URe=2Ie1Re=2Ie2Re交流通路中等效為每個(gè)管子發(fā)射極接入一個(gè)2Re的電阻。其等效電路如圖所示。共模信號(hào)：是指在差放兩個(gè)輸入端接入兩個(gè)幅度相等、極性相同的信171共模電壓增益Auc雙端輸出時(shí)，由于電路對(duì)稱，單端輸出時(shí):當(dāng)（1+hfe）2Re>>（Rb+hie）時(shí)，圖6－10(b)共模輸入等效電路由差模輸入等效電路可求得:可見(jiàn)：Ree越大共模增益越小。與單邊電路的增益相同1共模電壓增益Auc單端輸出時(shí):當(dāng)（1+hfe）2Re>>18定義：差放的差模增益與共模增益之比值的絕對(duì)值即

CMMR=|AUd/AUc|或

CMMR（dB）=20lg|AUd/AUc|

2共模輸入電阻3共模抑制比CMRR單端輸出時(shí)

CMMR（單）=|AUd(單)/AUc(單)|雙端輸出時(shí)，CMMR可以認(rèn)為等于無(wú)窮大定義：差放的差模增益與共模增益之比值的絕對(duì)值2共模輸入電阻19結(jié)論：差放對(duì)共模信號(hào)的抑制作用有重要的意義：1.對(duì)電源擾動(dòng)、及溫度變化，在直接耦合放大電路中被逐級(jí)放大，從而引起較大輸出誤差。(零點(diǎn)漂移)2.對(duì)差放電路這些現(xiàn)象會(huì)引起兩管同時(shí)產(chǎn)生同樣的漂移，這種大小相等、極性相同的漂移電壓就是共模電壓。3.差放電路是利用電路對(duì)稱的特點(diǎn)，將一個(gè)管子產(chǎn)生的漂移用來(lái)補(bǔ)償另一只管子產(chǎn)生的漂移，從而抑制漂移。4.這種對(duì)稱性在集成工藝中較易實(shí)現(xiàn)。因此，集成電路中廣泛使用差分電路。結(jié)論：差放對(duì)共模信號(hào)的抑制作用有重要的意義：20輸入U(xiǎn)i1,

Ui2可寫為：Ui1=(Uic1+Uid1)Ui2=(Uic2+Uid2)若輸入為一對(duì)任意數(shù)值和極性的信號(hào)，則可分解為：一對(duì)差模信號(hào)和一對(duì)共模信號(hào)（四）對(duì)任意輸入信號(hào)的分析典型差放電路分解任意輸入信號(hào)的一般公式為：Uic1=Uic2=(Ui1+Ui2)/2Uid1=-Uid2=(Ui1-Ui2)/2輸入U(xiǎn)i1,Ui2可寫為：若輸入為一對(duì)任意數(shù)值和極性的信21例題6-1：圖6-11電路參數(shù)及Ui1、

Ui2為已知；求輸入的差模電壓和共模電壓;雙端輸出的差模電壓和共模電壓。典型差放電路解：1.靜態(tài)計(jì)算：(Ui=0)RbIbQ+Ube+(1+)IbQ[RW/2+2Ree]-Ec=0解得：IbQ=4.37AIcQ=IbQ=0.26mAhie=rbb’+

(1+hfe)26/IcQ=6.2k2.差、共模輸入電壓Uid1、Uid1、UicUid1=-Uid2=(Ui1-Ui2)/2=4mVUic1=Uic2=(Ui1+Ui2)/2=1mV例題6-1：圖6-11電路參數(shù)及Ui1、Ui2為已知；求223.差模增益Aud和差模輸出電壓Uod:（雙端輸出）4.共模輸出電壓Uoc:共模增益為：AUc=0(雙出)共模輸出電壓為：Uoc=0(雙出)3.差模增益Aud和差模輸出電壓Uod:（雙端輸出）4.共23（五）差放的輸入和輸出方式差放的差模工作狀態(tài)可分為四種：雙端輸入、雙端輸出（雙－雙）雙端輸入、單端輸出（雙－單）單端輸入、雙端輸出（單－雙）單端輸入、單端輸出（單－單）主要討論的問(wèn)題有：差模電壓增益Aud差模輸入電阻Rid差模輸出電阻Ric共模抑制比CMRR（五）差放的輸入和輸出方式差放的差模工作狀態(tài)可分為四種：主要24相當(dāng)于Ui1=Ui,Ui2=0,

則可分解為一對(duì)差模信號(hào)和一對(duì)共模信號(hào)。1.單端輸入方式：Uid1=-Uid2=(Ui1-Ui2)/2=Ui/2Uic1=Uic2=(Ui1-Ui2)/2=Ui/2與雙端輸入相比較，效果相同。即是說(shuō)：差放的增益與輸入方式無(wú)關(guān)。例如，對(duì)單入雙出差放，其增益為:+-Ui相當(dāng)于Ui1=Ui,Ui2=0,則可分解252.單端輸出方式：負(fù)載RL接在T1或T2集電極到地之間，對(duì)地電壓相當(dāng)于雙端輸出電壓的一半。所以其中2.單端輸出方式：負(fù)載RL接在T1或T2集電極到地之間，對(duì)地26恒流源電路優(yōu)點(diǎn)：低的直流內(nèi)阻，高的動(dòng)態(tài)內(nèi)阻。二、恒流源差分放大電路由上述分析可知：

Ree

的接入可有效地抑制共模信號(hào)，對(duì)差模沒(méi)有影響。

Ree越大、CMRR越大，效果越好。但增加Ree受兩方面的限制：其一是集成工藝不宜制作大電阻；其二是增加Ree就要提高電源Ee的電壓；(靜態(tài)需要)即在不提高靜態(tài)電阻的條件下，提供一個(gè)等效高阻Ree；同時(shí)還可以提供穩(wěn)定偏流Ic3。采用恒流源電路代替Ree可有效解決上述問(wèn)題。恒流源電路優(yōu)點(diǎn)：低的直流內(nèi)阻，高的動(dòng)態(tài)內(nèi)阻。二、恒流源差分放27忽略T3基極電流，則故可利用恒流源輸出等效高阻代替實(shí)體電阻－有源負(fù)載等效輸出電阻：恒流源差放電流串聯(lián)負(fù)反饋恒流源電路分析如下：忽略T3基極電流，則故可利用恒流源輸出等效高阻代替實(shí)體電阻－28第六章雙極型模擬集成電路集成化元、器件及其特點(diǎn)集成差分放大電路電流模電路功率輸出級(jí)電路集成運(yùn)算放大器第二節(jié)第一節(jié)第五節(jié)第四節(jié)第三節(jié)第六章雙極型模擬集成電路集成化元、器件及其特點(diǎn)第二節(jié)第一29第一節(jié)集成化元器件及其特點(diǎn)一集成電路工藝簡(jiǎn)介

以制造NPN管的工藝流程為例

氧化光刻隱埋層擴(kuò)散外延和氧化隔離擴(kuò)散選擇隔離槽P型硅片1.平面工藝第一節(jié)集成化元器件及其特點(diǎn)一集成電路工藝簡(jiǎn)介302電路元件制造工藝基區(qū)擴(kuò)散發(fā)射區(qū)擴(kuò)散蒸鋁NPN選擇基區(qū)選擇發(fā)射區(qū)選擇電極引線窗口選擇要去除的鋁層2電路元件制造工藝基區(qū)擴(kuò)散發(fā)射區(qū)擴(kuò)31集成電路的封裝(b)圓殼式(a)雙列直插式集成電路的封裝(b)圓殼式(a)雙列直插式32二、集成化元器件1.NPN晶體管

在P型硅片襯底上擴(kuò)散N＋隱埋層，生長(zhǎng)N型外延層，擴(kuò)散P型基區(qū)，N＋型發(fā)射區(qū)和集電區(qū)隔離島隱埋層擴(kuò)散P型基區(qū)二、集成化元器件1.NPN晶體管隔離島隱埋層擴(kuò)散P型基區(qū)332.PNP晶體管

從隔離槽P＋上引出集電極，載流子沿晶體管斷面的垂直方向運(yùn)動(dòng)1)縱向PNP管優(yōu)點(diǎn)：制造方便基區(qū)較NPN寬特征頻率高輸出電流大缺點(diǎn)由于隔離的需要，C極必須接電路電源最低電位常作射極跟隨器。

2.PNP晶體管從隔離槽P＋上引出集電極，載流子沿34(2)橫向PNP管發(fā)射極和集電極橫向排列，載流子沿?cái)嗝嫠竭\(yùn)動(dòng)。優(yōu)點(diǎn)：

因?yàn)橛奢p摻雜的P型擴(kuò)散區(qū)和N型外延區(qū)構(gòu)成，e結(jié)和c結(jié)反向擊穿電壓高缺點(diǎn)：

由于加工原因，基區(qū)寬度比普通NPN大1－2個(gè)數(shù)量級(jí)，很小，特征頻率低。(2)橫向PNP管發(fā)射極和集電極橫向排列，載流子沿?cái)嗝嫠竭\(yùn)353.二極管晶體管制作時(shí)，只要開路或短路某一PN結(jié)即得（如圖）:常用的兩種形式3.二極管晶體管制作時(shí)，只要開路或短路某一PN結(jié)即得（如圖364.電阻：（一般有兩種）（1）金屬膜電阻:溫度特性好（2）擴(kuò)散電阻，按結(jié)構(gòu)分：基區(qū)電阻:50－100K

＝±20%發(fā)射區(qū)電阻:1－1000（電阻率低）窄基區(qū)電阻:電阻率高10－1000K＝±20%雖集成化電阻阻值誤差大，但為同向偏差，匹配誤差?。ㄐ∮?％）4.電阻：（一般有兩種）（1）金屬膜電阻:溫度特性好375.電容利用SiO2保護(hù)層作絕緣介質(zhì)，用金屬板和半導(dǎo)體作電容極板。電容量與氧化物厚度成反比，與極板面積成正比，單位面積電容量不大，但漏電較小、擊穿電壓較高。MOS電容：5.電容利用SiO2保護(hù)層作絕緣介質(zhì)，用金屬板和半導(dǎo)體作電38二集成化元器件特點(diǎn)4.集成電路中寄生參量的存在會(huì)引起元件間的寄生耦合，影響電路穩(wěn)定，使電路產(chǎn)生寄生振蕩。1.集成電路工藝不能制作電感，超過(guò)100pF的大電容因占用面積大也不易制作，故集成電路中不采用阻容耦合，而采用直接耦合。2.集成化電阻阻值越大占用硅片面積越大，一般避免用大電阻，盡量用晶體管代替電阻、電容。3.單個(gè)元件的精度不高，受溫度影響大，但同一晶片上相鄰元件在制作尺寸和溫度上有同向偏差，對(duì)稱性好，故大量采用差放電路及增益取決于電阻比值的負(fù)反饋放大器。二集成化元器件特點(diǎn)4.集成電路中寄生參量的存在會(huì)引起元件39第二節(jié)集成差分放大電路（一）差分放大電路的組成：

由對(duì)稱的兩個(gè)基本放大電路通過(guò)射極公共電阻Ree耦合構(gòu)成。一、差分放大電路的工作原理：第二節(jié)集成差分放大電路（一）差分放大電路的組成：一、差分放40Rb1=Rb2=Rb,Rc1=Rc2=Rc,

1=2

=,hie1=hie2

=hie,對(duì)稱指兩個(gè)三極管特性一致、電路參數(shù)相等：IbQ1=IbQ2,IcQ1=IcQ2,

Ube1=Ube2,

Uc1=Uc2,靜態(tài)參數(shù)一致：雙端輸出時(shí)：靜態(tài)輸出為0問(wèn)題？為什么單邊電路沒(méi)有偏置電阻？為什么電路中沒(méi)有隔直電容？Rb1=Rb2=Rb,對(duì)稱指兩個(gè)三極管特性一致、電41雙端輸入：輸入信號(hào)接在兩個(gè)輸入端間。單端輸入：輸入信號(hào)接在一個(gè)輸入端與地間，另一端接地。雙端輸出（平衡輸出）：輸出取自兩個(gè)集電極之間。單端輸出（不平衡輸出）：輸出取自一個(gè)集電極與地間。信號(hào)輸入方式差放輸出方式雙端輸入雙端輸出差放雙端輸入：輸入信號(hào)接在兩個(gè)輸入端間。雙端輸出（平衡輸出）：信42差模信號(hào)：是指在差放兩個(gè)輸入端接入兩個(gè)幅度相等、極性相反的信號(hào)，記為，Uid1、Uid2Uid1=-Uid2=Uid

（二）對(duì)差模信號(hào)的放大作用雙端輸入雙端輸出差放Ie1Ie2當(dāng)輸入差模信號(hào)時(shí)：（動(dòng)態(tài)）由于電路的對(duì)稱性有：據(jù)此，可畫出差放在差模輸入情況下的交流等效電路（如圖）故RL的中點(diǎn)呈地電位，即等效為每管外接負(fù)載為RL/2。又因?yàn)椋篣c1=-Uc2Ie1=-Ie2；故URe=0（交流接地）Uc1Uc2++--URe差模信號(hào)：是指在差放兩個(gè)輸入端接入兩個(gè)幅度相等、極性43雙端輸入雙端輸出時(shí)：雙端輸出時(shí)，Rod=2Rc//(2/hoe)2Rc；

(當(dāng)1/hoe>>Rc時(shí))1.差模電壓增益Aud：

2.差模輸入電阻Rid：3.差模輸出電阻Rod：由差模輸入等效電路可求得:其中與單邊電路的增益相同雙端輸入雙端輸出時(shí)：雙端輸出時(shí)，Rod=2Rc//(2/44共模信號(hào)：是指在差放兩個(gè)輸入端接入兩個(gè)幅度相等、極性相同的信號(hào)。記為：Uic1.Uic2；

Uic1=Uic2=Uic

（三）對(duì)共模信號(hào)的抑制作用在共模信號(hào)下:Ie=Ie1+Ie2=2Ie1=2Ie2URe=2Ie1Re=2Ie2Re交流通路中等效為每個(gè)管子發(fā)射極接入一個(gè)2Re的電阻。其等效電路如圖所示。共模信號(hào)：是指在差放兩個(gè)輸入端接入兩個(gè)幅度相等、極性相同的信451共模電壓增益Auc雙端輸出時(shí)，由于電路對(duì)稱，單端輸出時(shí):當(dāng)（1+hfe）2Re>>（Rb+hie）時(shí)，圖6－10(b)共模輸入等效電路由差模輸入等效電路可求得:可見(jiàn)：Ree越大共模增益越小。與單邊電路的增益相同1共模電壓增益Auc單端輸出時(shí):當(dāng)（1+hfe）2Re>>46定義：差放的差模增益與共模增益之比值的絕對(duì)值即

CMMR=|AUd/AUc|或

CMMR（dB）=20lg|AUd/AUc|

2共模輸入電阻3共模抑制比CMRR單端輸出時(shí)

CMMR（單）=|AUd(單)/AUc(單)|雙端輸出時(shí)，CMMR可以認(rèn)為等于無(wú)窮大定義：差放的差模增益與共模增益之比值的絕對(duì)值2共模輸入電阻47結(jié)論：差放對(duì)共模信號(hào)的抑制作用有重要的意義：1.對(duì)電源擾動(dòng)、及溫度變化，在直接耦合放大電路中被逐級(jí)放大，從而引起較大輸出誤差。(零點(diǎn)漂移)2.對(duì)差放電路這些現(xiàn)象會(huì)引起兩管同時(shí)產(chǎn)生同樣的漂移，這種大小相等、極性相同的漂移電壓就是共模電壓。3.差放電路是利用電路對(duì)稱的特點(diǎn)，將一個(gè)管子產(chǎn)生的漂移用來(lái)補(bǔ)償另一只管子產(chǎn)生的漂移，從而抑制漂移。4.這種對(duì)稱性在集成工藝中較易實(shí)現(xiàn)。因此，集成電路中廣泛使用差分電路。結(jié)論：差放對(duì)共模信號(hào)的抑制作用有重要的意義：48輸入U(xiǎn)i1,

Ui2可寫為：Ui1=(Uic1+Uid1)Ui2=(Uic2+Uid2)若輸入為一對(duì)任意數(shù)值和極性的信號(hào)，則可分解為：一對(duì)差模信號(hào)和一對(duì)共模信號(hào)（四）對(duì)任意輸入信號(hào)的分析典型差放電路分解任意輸入信號(hào)的一般公式為：Uic1=Uic2=(Ui1+Ui2)/2Uid1=-Uid2=(Ui1-Ui2)/2輸入U(xiǎn)i1,Ui2可寫為：若輸入為一對(duì)任意數(shù)值和極性的信49例題6-1：圖6-11電路參數(shù)及Ui1、

Ui2為已知；求輸入的差模電壓和共模電壓;雙端輸出的差模電壓和共模電壓。典型差放電路解：1.靜態(tài)計(jì)算：(Ui=0)RbIbQ+Ube+(1+)IbQ[RW/2+2Ree]-Ec=0解得：IbQ=4.37AIcQ=IbQ=0.26mAhie=rbb’+

(1+hfe)26/IcQ=6.2k2.差、共模輸入電壓Uid1、Uid1、UicUid1=-Uid2=(Ui1-Ui2)/2=4mVUic1=Uic2=(Ui1+Ui2)/2=1mV例題6-1：圖6-11電路參數(shù)及Ui1、Ui2為