GB/T 14847-1993重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14847-1993》是一項(xiàng)中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法》。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了如何利用紅外反射技術(shù)來測定在重?fù)诫s硅基板上生長的輕摻雜硅外延層的厚度，旨在為半導(dǎo)體工業(yè)中的材料分析和質(zhì)量控制提供一種精確、可靠的測量手段。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽

1. 范圍：明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用的范圍，即適用于評估那些在高濃度摻雜的硅襯底上形成的低濃度摻雜硅外延層的厚度。這種結(jié)構(gòu)常見于特定的微電子器件和集成電路制造過程中。

2. 引用標(biāo)準(zhǔn)：列出了實(shí)施本測量方法所需遵循的其他相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)或國際標(biāo)準(zhǔn)，確保測量過程的一致性和可比性。

3. 術(shù)語和定義：對涉及的專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了解釋，幫助讀者理解如“重?fù)诫s”、“輕摻雜”、“外延層”、“紅外反射”等關(guān)鍵概念。

4. 原理：闡述了紅外反射測量的基本物理原理，即不同材質(zhì)和厚度的半導(dǎo)體層對紅外光的反射特性存在差異，通過分析反射光譜可以反推出外延層的厚度。

5. 儀器與設(shè)備：詳細(xì)描述了進(jìn)行測量所需的儀器類型、規(guī)格及校準(zhǔn)要求，確保測量結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。

6. 樣品制備與處理：說明了樣品的選取、切割、清洗以及必要的預(yù)處理步驟，以保證測量不受外來因素干擾。

7. 測量步驟：給出了詳細(xì)的測量操作流程，包括如何設(shè)置實(shí)驗(yàn)參數(shù)、進(jìn)行反射率測試、數(shù)據(jù)采集與處理等具體指導(dǎo)。

8. 數(shù)據(jù)處理與分析：介紹了如何根據(jù)收集到的紅外反射數(shù)據(jù)，運(yùn)用特定的計算方法或模型來確定外延層的厚度，可能涉及光譜擬合、對比標(biāo)準(zhǔn)曲線等方法。

9. 精度與誤差：討論了測量過程中可能出現(xiàn)的誤差來源及其對結(jié)果的影響，并提供了評估測量不確定度的方法。

10. 試驗(yàn)報告：規(guī)定了試驗(yàn)報告應(yīng)包含的信息內(nèi)容，如樣品信息、測試條件、測量結(jié)果及不確定性評估等，以確保結(jié)果的透明度和可追溯性。

實(shí)施意義

本標(biāo)準(zhǔn)為半導(dǎo)體行業(yè)提供了一種標(biāo)準(zhǔn)化的方法學(xué)，有助于提高不同實(shí)驗(yàn)室間測量結(jié)果的一致性和互認(rèn)性，對于優(yōu)化半導(dǎo)體器件設(shè)計、提升生產(chǎn)效率及產(chǎn)品質(zhì)量控制具有重要價值。它不僅促進(jìn)了技術(shù)交流，也為新材料和工藝的研發(fā)奠定了基礎(chǔ)。

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