GB/T 17170-2015半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法

ICS77040

H17.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T17170—2015

代替

GB/T17170—1997

半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2

濃度紅外吸收測(cè)試方法

TestmethodfortheEL2deepdonorconcentrationinsemi-insulating

galliumarsenidesinglecrystalsbyinfraredabsorptionspectroscopy

2015-12-10發(fā)布2016-07-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2

濃度紅外吸收測(cè)試方法

GB/T17170—2015

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

201511

*

書號(hào)

:155066·1-52428

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T17170—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級(jí)濃度紅外吸收測(cè)試方法

GB/T17170—1997《EL2》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要有以下變化

GB/T17170—1997,:

修改了標(biāo)準(zhǔn)名稱

———;

增加了規(guī)范性引用文件術(shù)語(yǔ)和定義干擾因素和測(cè)試環(huán)境等章

———“”“”“”“”;

擴(kuò)展了半絕緣砷化鎵單晶電阻率范圍將電阻率大于7修改為大于6

———,10Ω·cm10Ω·cm;

將范圍由非摻雜半絕緣砷化鎵單晶修改為非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶

———“”“”;

刪除了厚度測(cè)試樣品的解理制樣方法

———0.4mm~2mm。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司

:、、

中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人何秀坤李靜張雪囡

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T17170—1997。

Ⅰ

GB/T17170—2015

半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2

濃度紅外吸收測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半絕緣砷化鎵單晶深施主濃度的紅外吸收測(cè)試方法

EL2。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率大于6的非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶深施主濃度的

10Ω·cmEL2

測(cè)定

。

本標(biāo)準(zhǔn)不適用于摻鉻半絕緣砷化鎵單晶深施主濃度的測(cè)定

EL2。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

EL2濃度EL2concentration

砷化鎵單晶中的一種本征缺陷在砷化鎵單晶體內(nèi)的濃度

EL2()。

4方法提要

半絕緣砷化鎵單晶中深施主的紅外吸收系數(shù)α與濃度具有對(duì)應(yīng)關(guān)系測(cè)量

EL2EL2,1.0972μm

處的紅外吸收系數(shù)并由經(jīng)驗(yàn)校準(zhǔn)公式可計(jì)算濃度紅外吸收系數(shù)α與濃度的關(guān)系參見

EL2。EL2

附錄

A。

5干擾因素

51雜散光到達(dá)檢測(cè)器將導(dǎo)致濃度測(cè)試結(jié)果出現(xiàn)偏差

.,EL2。

52測(cè)試樣品的測(cè)試面積應(yīng)大于光闌孔徑否則可能導(dǎo)致錯(cuò)誤的測(cè)試結(jié)果

.,。

6儀器

61分光光度計(jì)