電工電子學(xué)(第三版)PPT+

退出1.1電路和電路的基本物理量1.1.1

電路1.1.3

電壓、電流及其參考方向1.1.4

電路功率第1章上頁(yè)下頁(yè)返回1.1.2

電路元件和電路模型1.1.1

電路

電路：是為了某種需要由某些電工、電子器件或設(shè)備組合而成的電流的通路。翻頁(yè)第1章上頁(yè)下頁(yè)返回1.電路的作用2.電路的組成電力系統(tǒng)擴(kuò)音器電路的作用實(shí)現(xiàn)電能的傳輸和轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)信號(hào)的傳遞和處理1.電路的作用翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)返回第1章電燈電爐電動(dòng)機(jī)發(fā)電機(jī)升壓變壓器降壓變壓器話筒揚(yáng)聲器放大器2.

電路組成

電路的組成：電源、負(fù)載和導(dǎo)線、開(kāi)關(guān)等。翻頁(yè)實(shí)際電路第1章上頁(yè)下頁(yè)返回翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)返回第1章

各種蓄電池和干電池由化學(xué)能轉(zhuǎn)換成電能。電源

實(shí)際的負(fù)載包括電動(dòng)機(jī)、電動(dòng)工具和家用電器等等。電動(dòng)機(jī)手電鉆吸塵器負(fù)載翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)返回第1章1.1.2.

電路元件和電路模型翻頁(yè)實(shí)際電路電路模型第1章上頁(yè)下頁(yè)返回E+–SIR實(shí)際電路元件理想電路元件

在復(fù)雜電路中難于預(yù)先判斷某段電路中電流的實(shí)際方向，從而影響電路求解。問(wèn)題電流方向ba,ab？abR5R2R1R3R4R6++E1E2E＋ˉ＋URIab電壓、電流實(shí)際方向：翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)返回第1章ˉ1.1.3電壓、電流及其參考方向

在解題前先任意選定一個(gè)方向，稱為參考方向（或正方向）。依此參考方向，根據(jù)電路定理、定律列電路方程，從而進(jìn)行電路分析計(jì)算。解決方法:計(jì)算結(jié)果為正，實(shí)際方向與假設(shè)方向一致；計(jì)算結(jié)果為負(fù)，實(shí)際方向與假設(shè)方向相反。

由計(jì)算結(jié)果可確定U、I

的實(shí)際方向：翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)返回第1章1.實(shí)際正方向和參考方向

翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)返回第1章▲實(shí)際正方向：物理中對(duì)電量規(guī)定的方向；▲假設(shè)正方向（參考正方向）：在分析計(jì)算時(shí)，為解決問(wèn)題方便，對(duì)物理量任意假設(shè)的參考方向?！P(guān)聯(lián)參考方向：某元件中電壓、電流參考方向一致，適合于電阻、電容、電感等負(fù)載元件；▲非關(guān)聯(lián)參考方向：某元件中電壓、電流參考方向不一致，適合于電源元件。2.基本物理量及其實(shí)際正方向物理量單位方向W、kW、mW(用電或供電)P功率A、mA、μA

正電荷移動(dòng)的方向

高電位流向低電位i（交流）I（直流）電流V、kV、mV、μV電位降的方向（高電位低電位）U（直流）

u（交流）電壓V、kV、mV、μV電源力驅(qū)動(dòng)正電荷的方向（低電位高電位）E（直流）

e（交流）電動(dòng)勢(shì)翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)返回第1章3.電流及其參考方向▲電流參考方向標(biāo)注形式：ababiab

表示參考方向由a指向b4.電位、電壓及其參考方向▲電壓參考方向標(biāo)注形式：

▲

表示a端為高電位端，b為低電位端abU＋－ab▲某點(diǎn)a到參考點(diǎn)o的電壓稱為a點(diǎn)的電位，用表示

小結(jié)1.電壓電流“實(shí)際方向”是客觀存在的物理現(xiàn)象，“參考方向”是人為假設(shè)的方向。翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)返回第1章

2.方程U=RI

只適用于R中U、I參考方向一致的情況。即歐姆定律表達(dá)式含有正負(fù)號(hào)，當(dāng)U、I參考方向一致時(shí)為正，否則為負(fù)。3.在解題前，一定先假定電壓電流的“參考方向”，然后再列方程求解。即U、I為代數(shù)量，也有正負(fù)之分。當(dāng)參考方向與實(shí)際方向一致時(shí)為正，否則為負(fù)。4.為方便列電路方程，習(xí)慣假設(shè)I與U的參考方向一致（關(guān)聯(lián)參考方向）。

設(shè)電路任意兩點(diǎn)間的電壓為U，電流為I,則這部分電路消耗的功率為1.1.4電路功率如果假設(shè)方向不一致怎么辦？功率有無(wú)正負(fù)？問(wèn)題：翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)返回第1章bIRUa+-P=UI1)按所設(shè)參考方向列式U、I參考方向一致

P=UI功率的計(jì)算

U、I參考方向相反翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)返回第1章bIRUa+-IbRUa-+bRUa+-IbIRUa-+P=–UI2）將U、I

的代數(shù)值代入式中

若計(jì)算的結(jié)果P>

0,則說(shuō)明U、I

的實(shí)際方向一致，此部分電路吸收電功率（消耗能量）

負(fù)載

。

若計(jì)算結(jié)果P<0,則說(shuō)明U、I

的實(shí)際方向相反，此部分電路輸出電功率（提供能量）

電源。P=UI翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)返回第1章已知：U=

10

V,I=

1A

。按圖中

P=10

W

(負(fù)載性質(zhì)）假設(shè)的正方向列式：P=UI1)

P為“＋”表示該元件吸收功率；P為“－”則表示輸出功率。2）在同一電路中，電源產(chǎn)生的總功率和負(fù)載消耗的總功率是平衡的。小結(jié)：若：U=10

V,I=－1

A

則

P=－10W

（電源性質(zhì)）IbaU＋－上頁(yè)下頁(yè)第1章返回本節(jié)結(jié)束[例1.]上頁(yè)下頁(yè)第1章返回本節(jié)結(jié)束[例1.1.1]已知I1=2A，I2=-1.25A，I3=0.75A。試求：（1）Va、Vb、Vc；（2）Uab、Ubc；（3）PS1、PS2

。解:(1)Va=US1=10VVc=US2=8VVb=R3I3=9Vd10V8Vcba+R1R20.5I1I2I30.8US112+US2R3（2）Uab=R1I1=1VUbc=-R2I2=1V（3）PS1=US1I1=20WPS2=US2I2=-10W1.2

電阻、電感和電容元件1.2.1

電阻元件1.2.2電感元件

1.2.3

電容元件第1章上頁(yè)下頁(yè)返回翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)第1章返回1.2.1電阻元件電阻（R）：具有消耗電能特性的元件。Riu＋－iu當(dāng)電壓與電流之間不是線性函數(shù)關(guān)系時(shí)，稱為非線性元件。當(dāng)恒定不變時(shí)，稱為線性電阻。翻頁(yè)iu＋-第1章上頁(yè)下頁(yè)返回Riu＋－

伏-安特性曲線iu

伏-安特性曲線

伏安特性：電阻元件上電壓與電流間的關(guān)系翻頁(yè)第1章上頁(yè)下頁(yè)返回幾種常見(jiàn)的電阻元件普通金屬膜電阻繞線電阻熱敏電阻1.2.2電感元件

單位：H,mH,HL:與磁通和電流都無(wú)關(guān)

電感：能夠存儲(chǔ)磁場(chǎng)能量的元件。翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)第1章返回L符號(hào)i電感元件的基本伏—安關(guān)系式電感元件的基本關(guān)系式翻頁(yè)第1章上頁(yè)下頁(yè)返回uiL+-eL+-iu=Ldidt電感是一種儲(chǔ)能元件，儲(chǔ)存的磁場(chǎng)能量為電感元件在直流電路中相當(dāng)于一根無(wú)阻導(dǎo)線!翻頁(yè)第1章上頁(yè)下頁(yè)返回翻頁(yè)第1章上頁(yè)下頁(yè)返回幾種常見(jiàn)的電感元件帶有磁心的電感陶瓷電感鐵氧體電感

1.2.3電容元件C相當(dāng)于開(kāi)路!電容元件在直流電路中：電容：具有存儲(chǔ)電場(chǎng)能量特性的元件。翻頁(yè)dudt=0i=0第1章上頁(yè)下頁(yè)返回ui＋－Ci=Cdudt電容元件的基本伏—安關(guān)系式i=dud

tCdqdt=翻頁(yè)第1章上頁(yè)下頁(yè)返回幾種常見(jiàn)的電容器普通電容器電力電容器電解電容器理想元件的伏安關(guān)系第1章上頁(yè)下頁(yè)返回RLCu=Rii=Cdudtu=Ldidt翻頁(yè)（u與i參考方向一致）1.3獨(dú)立電源元件

1.3.1

電壓源和電流源1.3.2

實(shí)際電源的模型1.3.3

兩種電源的等效互換下頁(yè)上頁(yè)返回第1章

1.3.1

電壓源和電流源

1.電壓源外特性：輸出電壓與輸出電流的關(guān)系U

翻頁(yè)第1章上頁(yè)下頁(yè)1.端電壓始終恒定，等于直流電壓

。2.輸出電流是任意的，即隨負(fù)載(外電路）

的改變而改變。US返回特點(diǎn)：_U+IUS+_RLIO

1.輸出電流恒定不變2.端電壓是任意的,即隨負(fù)載不同而不同IUIS＋－

2.電流源RLU=IS.RLI=IS外特性方程翻頁(yè)下頁(yè)上頁(yè)第1章返回特點(diǎn)IUISO分析：IS

固定不變,US

固定不變。USIRU-=翻頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)第1章返回IsU=?＋－IUS+-R所以：

I=Is,已知：Is，US，R問(wèn)：I=？U=？[例2]1.3.2實(shí)際電源的模型翻頁(yè)U=US-IR0--外特性方程第1章下頁(yè)上頁(yè)返回baIR+U-USR0+–IU+-實(shí)際電源R電壓源模型1.3.2實(shí)際電源的模型翻頁(yè)第1章下頁(yè)上頁(yè)返回IU+-實(shí)際電源RbaIR+U-R0IR0IsI=IS-IR0---外特性方程電流源模型翻頁(yè)第1章下頁(yè)上頁(yè)返回baIR+U-USR0+–IU+-實(shí)際電源RbaIR+U-R0IR0Is1.3.3兩種電源的等效互換等效互換條件：U=UsI·R0U=IR0·R0

=Is·R0I·R0=(

IsI)·R0

Us=

R0=R0Is·R0電壓源模型電流源模型電流源模型電壓源模型R0USIs=R0=R0US=Is·R0

R0=R0下頁(yè)上頁(yè)第1章翻頁(yè)返回IUS+UR0＋－－IsR0U＋－IIsR0U＋－IIUS+UR0＋－－2）所謂“等效”是指“對(duì)外電路”等效（即對(duì)外電路的伏－安特性一致），對(duì)于電源內(nèi)部并不一定等效。例如，在電源開(kāi)路時(shí)：1）電壓源模型與電流源模型互換前后電流的方向保持不變，即IS和Us方向一致。R0

不消耗能量

消耗

能量R0

上頁(yè)下頁(yè)第1章翻頁(yè)返回說(shuō)明IUS+UR0＋－－IsR0U＋－I3）電壓源（恒壓源）與電流源（恒流源）

之間不能互換。為什么?

上頁(yè)下頁(yè)第1章返回IsUS+–上頁(yè)下頁(yè)第1章返回例3用兩種電源模型等效互換的方法求I3和I110V8V+R20.5I30.8US112+US2R320A10AR1R2I3IS1R3IS230AR12I3ISR3R10.5I1上頁(yè)下頁(yè)第1章返回例1.3.3用兩種電源模型等效互換的方法求I1。R2R10.5I10.810V+US18V+US212R310AR2R3IS2R10.5I110V+US1R10.5I110V+US1R230.757.5V+US231.4.2

二極管的特性和主要參數(shù)

1.4.3

二極管的電路模型1.4.4

穩(wěn)壓二極管1.4.1

PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?.4二極管第1章上頁(yè)下頁(yè)返回1.本征半導(dǎo)體完全純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。它具有共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。鍺和硅的原子結(jié)構(gòu)單晶硅中的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)價(jià)電子硅原子第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回1.4.1

PN結(jié)及其單向?qū)щ娞匦?/p>

在半導(dǎo)體中，同時(shí)存在著電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電?？昭ê妥杂呻娮佣挤Q為載流子。它們成對(duì)出現(xiàn)，成對(duì)消失。在常溫下自由電子和空穴的形成復(fù)合自由電子本征激發(fā)第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回空穴2.N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體原理圖P自由電子結(jié)構(gòu)圖磷原子正離子P+

在硅或鍺中摻入少量的五價(jià)元素，如磷或砷、銻，則形成N型半導(dǎo)體。多余價(jià)電子少子多子正離子在N型半導(dǎo)體中，電子是多子，空穴是少子第1章上頁(yè)下頁(yè)N型半導(dǎo)體翻頁(yè)返回電子帶負(fù)（Negative）電荷

P型半導(dǎo)體

在硅或鍺中摻入三價(jià)元素，如硼或鋁、鎵，則形成P型半導(dǎo)體。原理圖BB-

硼原子負(fù)離子空穴填補(bǔ)空位結(jié)構(gòu)圖在P型半導(dǎo)體中，空穴是多子，電子是少子。多子少子負(fù)離子第1章上頁(yè)下頁(yè)

翻頁(yè)返回空穴帶正（Positive）電荷

用專門(mén)的制造工藝在同一塊半導(dǎo)體單晶上，形成P型半導(dǎo)體區(qū)域和N型半導(dǎo)體區(qū)域，在這兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成一個(gè)PN結(jié)。P區(qū)N區(qū)P區(qū)的空穴向N區(qū)擴(kuò)散并與電子復(fù)合N區(qū)的電子向P區(qū)擴(kuò)散并與空穴復(fù)合空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)方向

3.PN結(jié)的形成第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回

在一定條件下，多子擴(kuò)散和少子漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的寬度基本上穩(wěn)定。內(nèi)電場(chǎng)阻擋多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，推動(dòng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)。空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)方向PN多子擴(kuò)散少子漂移結(jié)論：在PN結(jié)中同時(shí)存在多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和少子的漂移運(yùn)動(dòng)。第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回4.PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮區(qū)N區(qū)內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)EI空間電荷區(qū)變窄

P區(qū)的空穴進(jìn)入空間電荷區(qū)和一部分負(fù)離子中和

N區(qū)電子進(jìn)入空間電荷

區(qū)和一部分正離子中和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，形成較大的正向電流。第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)外加正向電壓返回外電場(chǎng)驅(qū)使空間電荷區(qū)兩側(cè)的空穴和自由電子移走空間電荷區(qū)變寬

內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)少子越過(guò)PN結(jié)形成很小的反向電流IRE第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)

外加反向電壓N區(qū)P區(qū)返回由上述分析可知：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?/p>

在PN結(jié)上加正向電壓時(shí)，PN結(jié)電阻很低，正向電流較大。（PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)）

加反向電壓時(shí)，PN結(jié)電阻很高，反向電流很小。（PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)）切記第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回1.4.2二極管的特性和主要參數(shù)

1.結(jié)構(gòu)

表示符號(hào)

面接觸型點(diǎn)接觸型N型硅PN結(jié)第1章上頁(yè)下頁(yè)陰極陽(yáng)極D翻頁(yè)返回第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回幾種二極管外觀圖小功率二極管大功率二極管

發(fā)光二極管2.二極管的伏安特性-40-20OU/VI/mA604020-50-250.40.8正向反向擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)硅管的伏安特性I/μA第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回-20-40-250.40.2-5010O155I/mAU/V鍺管的伏安特性I/μA死區(qū)電壓死區(qū)電壓：約0.5V正向?qū)▔航担?.6V～0.8V死區(qū)電壓：約0.1V正向?qū)▔航担?.2V～0.3V反向電流IR3.二極管的主要參數(shù)-40-20OI/mA604020-50-250.40.8正向反向擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)I/μAU/V第1章上頁(yè)下頁(yè)最大正向電流IFM

最高反向電壓URM

最高工作頻率fM

翻頁(yè)返回-第1章上頁(yè)返回下頁(yè)1.4.3二極管的電路模型

1.二極管的工作點(diǎn)R＋＋D-U工作點(diǎn)：Q翻頁(yè)U=–RIUQIQQIUO第1章上頁(yè)返回下頁(yè)二極管的靜態(tài)電阻和動(dòng)態(tài)電阻翻頁(yè)靜態(tài)電阻：UQIQRD=IUUQIQQIUO動(dòng)態(tài)電阻：第1章上頁(yè)返回下頁(yè)2.二極管特性的折線近似及模型O+－UONDiODi穩(wěn)壓管是一種特殊的二極管，具有穩(wěn)定電壓作用。特點(diǎn):(1)反向特性曲線比較陡(2)工作在反向擊穿區(qū)1.4.4

穩(wěn)壓二極管第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回DZ陰極陽(yáng)極I/mAU/V0UZIZUiR＋-＋-DZRL＋-UOIILIZUZ穩(wěn)壓管的主要參數(shù):第1章上頁(yè)下頁(yè)穩(wěn)定電壓UZ：不同型號(hào)的穩(wěn)壓管其UZ是不同的，使用是注意選擇動(dòng)態(tài)電阻rZ：

rZ越小，穩(wěn)壓性能越好最大允許耗散功率PZM：PZM≈UZIZM一般情況:高于6V的αUZ為負(fù),低于6V的αUZ為正。電壓溫度系數(shù)αUZ：溫度每升高時(shí)穩(wěn)壓值的相對(duì)變化量。rz=△UZ/△IZ返回翻頁(yè)最大穩(wěn)定電流IZM：允許通過(guò)的最大反向電流第1章上頁(yè)返回下頁(yè)1.4.5發(fā)光二極管和光電二極管1.發(fā)光二極管（LED，LightEmittingDiode）翻頁(yè)＋D-U特征：?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦怨ぷ麟娏鳎簬字翈资涟补ぷ麟妷海?.5~3V用途：信號(hào)燈指示數(shù)字和字符指示光電轉(zhuǎn)換工作在正向偏置狀態(tài)第1章上頁(yè)返回下頁(yè)2.光電二極管/光敏二極管翻頁(yè)＋D-U工作在反向偏置狀態(tài)用途：測(cè)光元件光電轉(zhuǎn)換反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升IV照度增加1.5

雙極晶體管1.5.1基本結(jié)構(gòu)和電流放大作用1.5.2特性曲線和主要參數(shù)1.5.3簡(jiǎn)化的小信號(hào)模型第1章上頁(yè)下頁(yè)返回例：習(xí)題1.4.11.5.1基本結(jié)構(gòu)和電流放大作用NPN型PNP型CPNNNPPEEBB發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)基區(qū)基極發(fā)射極集電結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電區(qū)發(fā)射區(qū)集電極集電極C發(fā)射極基極BETCNPNBETCPNP第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回晶體管的電流放大原理IEIBRBUBBICUCC輸入電路輸出電路公共端

晶體管具有電流放大作用的外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置集電結(jié)反向偏置NPN管：

UBE>0

UBC<0即Vc<Vb<VeRCBCE共發(fā)射極放大電路第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回三極管的電流控制原理UBBRBIBICUCCRCNPIEN發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴(kuò)散電子電源負(fù)極向發(fā)射區(qū)補(bǔ)充電子形成發(fā)射極電流IE電子在基區(qū)的擴(kuò)散與復(fù)合集電區(qū)收集電子電子流向電源正極形成ICEB正極拉走電子，補(bǔ)充被復(fù)合的空穴，形成IB第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回由上所述可知:Ic=βIb由于基區(qū)很薄且摻雜濃度小,電子在基區(qū)擴(kuò)散的數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于復(fù)合的數(shù)量。即：IC>>IB

或△IC>>△IB第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回晶體管起電流放大作用，必須滿足發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏的條件。3當(dāng)基極電路由于外加電壓或電阻改變而引起IB的微小變化時(shí)，必定使IC發(fā)生較大的變化。即三極管的基極電流對(duì)集電極電流具有控制作用。1.5.2

特性曲線和主要參數(shù)1.輸入特性曲線IB

=f(UBE)UCE=常數(shù)UCE≥1V第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回IEIBRBUBICUCCRC＋--＋UBEUCEUBE/VIB/μAOO2.晶體管輸出特性曲線IC

=f

(UCE)|

IB=

常數(shù)IB

減小IB增加UCEICIB

=20μAIB

=60μAIB

=40μA第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回IEIBRBUBICUCCRC＋--＋UBEUCE晶體管輸出特性曲線分三個(gè)工作區(qū)UCE

/VIC

/mA8060400IB=20μAO24681234截止區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回

晶體管三個(gè)工作區(qū)的特點(diǎn):截止區(qū):飽和區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏有電流放大作用,IC=βIB輸出曲線具有恒流特性發(fā)射結(jié)、集電結(jié)處于反偏失去電流放大作用,IC≈0晶體管C、E之間相當(dāng)于開(kāi)路發(fā)射結(jié)、集電結(jié)處于正偏失去放大作用晶體管C、E之間相當(dāng)于短路上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回CEUCE≈0IC≈0CE放大區(qū)UCE

/VIC

/mA8060400IB=20μAO24681234截止區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)

3.主要參數(shù)穿透電流ICEO基極開(kāi)路IB=0時(shí)集電極電流交流電流放大系數(shù)β=△IC/△IB第1章上頁(yè)下頁(yè)直流電流放大系數(shù)β=（Ic-ICEO）/IB=IC/IB

電流放大系數(shù)翻頁(yè)返回ICEOCBEμA集電極最大允許電流ICM（超過(guò)此值時(shí)β會(huì)下降，當(dāng)β值下降到正常值2/3時(shí)的集電極電流，但不會(huì)損壞三極管）集-射反向擊穿電壓U(BR)CEO集電極最大允許耗散功率PCM過(guò)壓區(qū)過(guò)流區(qū)安全工作區(qū)過(guò)損區(qū)PCM=ICUCEUCE/VU(BR)CEOIC/mAICMO使用時(shí)不允許超過(guò)這些極限參數(shù).第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)

極限參數(shù)返回例：1.5.3

簡(jiǎn)化的小信號(hào)模型

三極管工作在放大狀態(tài)時(shí)可用電路模型來(lái)表征它的特性。建立簡(jiǎn)化小信號(hào)模型的條件：1）三極管工作在放大狀態(tài);2)輸入信號(hào)非常?。ㄒ话悝藺數(shù)量級(jí)）上頁(yè)下頁(yè)第1章翻頁(yè)返回

rbe

=200Ω+（1+β）————26（mv）IE（mA）三極管微變等效模型的建立步驟：iB0uBEUce≥1VIB△IB△UBE第1章上頁(yè)下頁(yè)Q

輸入回路微變等效電路翻頁(yè)返回berbe△UBE△IBubeib=rbe=ibec+-+-uceubeicb常溫小功率晶體管輸出回路微變等效電路β

=———△IB△IC第1章iC=βib

icβ=ib受控恒流源ebibiCcβibubeucerbe–++–UCE

/VIC

/mA8060400IB=20μAO24681234放大區(qū)本節(jié)結(jié)束1.6

絕緣柵場(chǎng)效晶體管1.6.1

基本結(jié)構(gòu)和工作原理第1章上頁(yè)下頁(yè)返回1.6.2

特性曲線和主要參數(shù)1.6.3

簡(jiǎn)化的小信號(hào)模型1.6.1

基本結(jié)構(gòu)和工作原理1.結(jié)構(gòu)BGN溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)示意圖BDS圖形符號(hào)第1章上頁(yè)下頁(yè)返回翻頁(yè)第1章上頁(yè)下頁(yè)返回翻頁(yè)絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用最為廣泛，這種場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS）。metaloxidesemi-condutorP溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道增強(qiáng)型耗盡型

按其導(dǎo)電類型可將場(chǎng)效應(yīng)晶體管分為N溝道和P溝道兩種，按其導(dǎo)電溝道的形成過(guò)程可分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。

因而就出現(xiàn)了四種不同形式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它們是：2.工作原理

D與S之間是兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián)，無(wú)論D與S之間加什么極性的電壓，漏極電流均接近于零。(1)UGS=0結(jié)構(gòu)示意圖襯底引線BUDSID=0GDSP型硅襯底SiO2柵源電壓

UGS

對(duì)導(dǎo)電溝道的控制作用第1章上頁(yè)下頁(yè)N+N+翻頁(yè)返回(2)UGS增加

由柵極指向襯底方向的電場(chǎng)使空穴向下移動(dòng),電子向上移動(dòng)。UDSSiO2GDSB結(jié)構(gòu)示意圖P型硅襯底N+N+ID=0UGS

在P型襯底表面形成耗盡層。第1章上頁(yè)下頁(yè)翻頁(yè)返回(3)UGS繼續(xù)增加到開(kāi)啟電壓UGS(th)

柵極下P型半導(dǎo)體表面形成N型導(dǎo)電溝道。

當(dāng)D、