GB/T 34894-2017微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)應(yīng)變梯度測量方法

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T34894—2017

微機電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)

應(yīng)變梯度測量方法

Micro-electromechanicalsystemtechnology—Measuringmethod

forstraingradientmeasurementsofMEMSmicrostructures

usinganopticalinterferometer

2017-11-01發(fā)布2018-05-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T34894—2017

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

測量方法

4…………………1

影響測量不確定度的主要因素

5…………6

附錄資料性附錄光學(xué)干涉顯微鏡的典型形式和主要技術(shù)特點

A()…………………7

Ⅰ

GB/T34894—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位中機生產(chǎn)力促進中心天津大學(xué)國家儀器儀表元器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心

:、、、

中國電子科技集團公司第十三研究所南京理工大學(xué)

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人胡曉東郭彤程紅兵于振毅李海斌崔波朱悅裘安萍

:、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T34894—2017

微機電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)

應(yīng)變梯度測量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了基于光學(xué)干涉顯微鏡獲取的微懸臂梁結(jié)構(gòu)表面形貌進行應(yīng)變梯度測量的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于表面反射率不低于且使用光學(xué)干涉顯微鏡能夠獲取表面形貌的微懸臂梁結(jié)構(gòu)

4%。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法術(shù)語定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)

GB/T3505(GPS)、

微機電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語

GB/T26111(MEMS)

微機電系統(tǒng)技術(shù)微幾何量評定總則

GB/T26113(MEMS)

微機電系統(tǒng)技術(shù)基于光學(xué)干涉的微結(jié)構(gòu)面內(nèi)長度測量

GB/T34893—2017(MEMS)MEMS

方法

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T3505、GB/T26111GB/T34893—2017。

31

.

應(yīng)變梯度straingradient

結(jié)構(gòu)內(nèi)部單位長度的應(yīng)變變化值

。

4測量方法

41總則

.

411懸臂梁是薄膜力學(xué)特性測量中最常用的測量結(jié)構(gòu)如基于表面工藝制作的微懸臂梁通

..,MEMS,

過去除犧牲層釋放結(jié)構(gòu)層實現(xiàn)可動結(jié)構(gòu)在殘余應(yīng)力作用下釋放的微懸臂梁結(jié)構(gòu)將產(chǎn)生彎曲變形如